KR20070070333A - 기판 가공 장치 - Google Patents

기판 가공 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070070333A
KR20070070333A KR1020050132799A KR20050132799A KR20070070333A KR 20070070333 A KR20070070333 A KR 20070070333A KR 1020050132799 A KR1020050132799 A KR 1020050132799A KR 20050132799 A KR20050132799 A KR 20050132799A KR 20070070333 A KR20070070333 A KR 20070070333A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
boat
unit
furnace
power transmission
transmission unit
Prior art date
Application number
KR1020050132799A
Other languages
English (en)
Inventor
이옥선
안요한
박경호
김지영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050132799A priority Critical patent/KR20070070333A/ko
Publication of KR20070070333A publication Critical patent/KR20070070333A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

다수의 반도체 기판에 대하여 가공 공정을 수행하기 위한 기판 가공 장치는 하부가 개방된 퍼니스와, 다수의 기판을 지지하는 보트와, 상기 기판을 가열하기 위한 가열부와, 상기 보트를 상기 퍼니스로 반입 및 반출시키기 위한 이송부와 상기 이송부에 의해 상기 퍼니스의 하부에 위치된 보트 및 상기 이송부 사이에 배치되며 상기 보트의 잠열이 상기 이송부로 전달되는 것을 차단하기 위한 커버를 포함한다. 상기 커버에 의해 상기 보트의 잠열에 의해 발생되는 문제점을 미연에 방지할 수 있다.

Description

기판 가공 장치{Apparatus for processing a substrate}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 가공 장치의 이동부를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 기판 가공 장치 100 : 공정 챔버
102 : 내측 튜브 104 : 외측 튜브
106 : 매니폴드 108 : 가열부
110 : 보트 120 : 이송부
122 : 몸체 124 : 동력 전달 유닛
126 : 구동 유닛 128 : 커버
130 : 지지유닛
본 발명은 기판 가공 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다수의 기판 상 에 소정의 막을 형성하기 위한 퍼니스를 포함하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.
상기 막을 형성하는 증착 공정은 크게 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition : PVD)과 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition : CVD)으로 나누어진다. 상기 화학 기상 증착 공정은 공정 챔버 내부로 제공되는 화학 반응에 의해 반도체 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 온도, 압력 반응 가스의 상태 등과 같은 공정 조건에 의해 다양하게 분류된다.
상기 화학 기상 증착 공정 중에서 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition : LPCVD) 공정은 반도체 기판 상에 막이 형성되는 동안 공정 챔버 내부의 압력이 200 내지 700Torr로 저압이며, 열 에너지를 사용하여 반응을 진행한다. 저압 화학 기상 증착 공정의 장점은 막의 균일도(uniformity) 및 스텝 커버리지(Step Coverage)가 좋고, 양질의 막을 한번에 많은 수량의 반도체 기판 상에 형성할 수 있으며, 다결정 실리콘층과 질화막 및 산화막 증착에 널리 사용된다. 저압 화학 기상 증착 장치는 공정 챔버의 형태에 따라 종형 또는 횡형으로 구분되는데, 현재에는 종형의 저압 화학 기상 증착 장치가 설치 공간을 적게 차지하는 장점을 갖고 있어 주로 사용된다.
상기 종형의 저압 화학 기상 증착 장치로는 히터 벽체 내부 공간에 석영의 튜브를 설치하고, 이 튜브 내에 기판을 넣어 고온의 공정 환경을 만들어주는 종형로(Vertical Type Furnace)가 가장 많이 사용된다.
상기 종형로는 하부가 개방되어 있으며, 다수의 반도체 기판들이 적재된 보트를 수용한다. 상기 보트는 이송부에 의해 상기 종형로로 반입 및 반출된다.
상기 이송부에 대하여 상세하게 살펴보면, 보트를 이송하기 위한 구동력을 제공하기 위한 구동 유닛과, 상기 구동 유닛으로부터 실질적으로 수직 방향으로 연장하며 상기 구동력을 전달하기 위한 동력 전달 유닛을 포함한다. 이때, 상기 동력 전달 유닛의 예로서는 리드 스크루 또는 LM 가이드 등을 들 수 있다.
상기 동력 전달 유닛의 구동을 원활하게 하기 위하여 상기 동력 전달 유닛에 윤활제를 도포한다. 상기 윤활제로는 그리스(grease) 등이 사용될 수 있다. 특히, 상기 그리스는 통상적으로 퍼플루오로 폴리에테르(perfluoro polyether) 및 폴리테트라플루오르에틸렌(PTFE)과 같은 물질을 포함한다.
상기 보트는 상기 종형로 내에서 고온의 가공 공정을 수행한 후, 이송부에 의해 상기 종형로의 개방된 하부를 통해 하강하게 된다. 이때, 상기 동력 전달 유닛에 도포된 윤활제가 기화되어 알코올(alcohol), 플루오린(fluorine) 등과 같은 유기 가스를 배출하게 된다.
상기 유기 가스는 보트 상에 지지된 반도체 기판 상으로 유입될 수 있으며, 상기 유입된 유기 가스에 의해 상기 반도체 기판에 목적하지 않는 막이 형성되거나, 상기 반도체 기판 상에 형성된 막의 형질을 변화시킬 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 동력 전달 유닛으로 보트의 잠열을 차단하여, 반도체 기판 상에 목적하는 막을 형성하기 위한 기판 가공 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판 가공 장치는, 하부가 개방되어 있으며, 기판에 대한 가공 공정이 수행되는 공간을 제공하기 위한 퍼니스(furnace)와, 상기 개방된 하부를 통해 상기 퍼니스 내부로 이동이 가능하며, 다수의 기판들을 지지하는 보트(boat)와, 상기 퍼니스와 인접하게 배치되며 상기 가공 공정이 수행되는 온도로 상기 기판을 가열하기 위한 가열부와, 상기 보트를 상기 퍼니스로 반입 및 반출시키기 위한 이송부와, 상기 이송부에 의해 상기 퍼니스의 하부에 위치된 보트 및 상기 이송부 사이에 배치되며 상기 보트의 잠열이 상기 이송부로 전달되는 것을 차단하기 위한 커버(cover)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 이송부는, 상기 보트를 이송하기 위한 구동력을 제공하는 구동 유닛과, 상기 구동 유닛으로부터 실질적으로 수직 방향으로 연장하며 상기 구동력을 전달하기 위한 동력 전달 유닛과, 상기 동력 전달 유닛이 내장되며 수직 방향으로 연장된 슬릿(slit)이 형성된 몸체와, 상기 동력 전달 유닛과 결합되어 상기 슬릿을 통해 상기 몸체 외측로 연장하며 상기 보트를 지지하기 위한 지지유닛을 포함할 수 있다. 또한, 상기 커버는 상기 동력 전달 유닛을 덮도록 상기 슬릿에 설치된 다수의 플레이트들을 포함하고, 이웃하는 플레이트들은 일 방향으로 서로 겹쳐지며, 상기 플레이트들은 상기 지지유닛의 수직 방향 이동에 의해 단계적으로 상기 지지유닛에 의해 지지되며 단계적 슬립(multilevel slip) 방식으로 상기 슬릿을 개폐할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 몸체의 슬릿에 커버를 구비함으로써, 상기 몸체에 내장된 동력 전달 유닛으로 보트의 잠열을 차단하여, 동력 전달 유닛의 윤활제 기화를 억제할 수 있다. 또한, 상기 커버는 윤활제로부터 발생된 유기 가스가 상기 반도체 기판들로 유입되는 것을 차단할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 따른 기판 가공 장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 가공 장치(10)는, 반도체 기판(W)에 대한 가공 공정이 수행되는 공간을 제공하기 위한 공정 퍼니스(100)와, 상기 공정 퍼니스(100) 내부로 이동이 가능하며 다수의 반도체 기판(W)들을 지지하기 위한 보트(110)와, 상기 가공 공정이 수행되는 온도로 상기 반도체 기판(W)들을 가열하기 위한 가열부(108)와, 공정 퍼니스(100)로 반응 가스를 제공하기 위한 가스 공급부(130)와, 공정 퍼니스(100)로부터 배기 가스를 배출시키고 공정 퍼니스(100) 내부을 진공 상태로 형성시키기 위한 진공 제공부(140)를 포함한다.
공정 퍼니스(100)는, 내측 튜브(inner tube, 102)와, 상기 내측 튜브(102)를 감싸는 외측 튜브(outer tube, 104)와, 내측 튜브(102) 및 외측 튜브(104) 하부에 구비된 매니폴드(manifold, 106)를 포함한다. 내측 튜브(102) 및 외측 튜브(104)는 석영으로 이루어져 있으며, 상기 외측 튜브(104) 내측에 소정 거리 이격되어 내측 튜브(102)가 구비된다.
외측 튜브(104)는 하부가 개방되어 있으며, 매니폴드(106)의 상부와 연통되어 있다. 상기 매니폴드(106)는 상부 및 하부가 개방된 실린더 형상을 가지며, 상기 매니폴드(106) 하부에는 수평 방향으로 이동이 가능한 셔터(shutter, 도시되지 않음)가 구비된다. 상기 셔터를 이용하여 상기 매니폴드(106) 하부를 폐쇄함으로써 외측 공기의 유입이 차단되어 상기 외측 튜브(104)가 밀폐된다. 이때, 상기 밀폐된 공간에서 반도체 기판(W)들에 대한 가공 공정이 수행된다.
한편, 상기 외측 튜브(104) 외부에는 외측 튜브(104) 및 내측 튜브(102) 내측의 온도를 공정 온도로 유지하기 위한 가열부(108)가 구비된다. 가열부(108)는 외측 튜브(104)의 둘레에 외벽체를 이루도록 구비되어 상기 공정 퍼니스(100)를 가열한다. 이때, 상기 공정 퍼니스(100)의 가공 공정 온도는, 화학 기상 증착 공정에는 500 내지 1000℃로, 산화 공정이나 확산 공정에서는 800 내지 1200℃로 설정되어 있다.
내측 튜브(102)는 상부 및 하부가 개방된 실린더 형상을 가지며, 내측에 보트(boat, 110)를 수용한다. 따라서, 보트(110)는 내측 튜브(102)보다 작은 직경을 가지며, 상기 보트(110) 및 내측 튜브(102) 사이에는 일정한 거리만큼 갭(gap)이 형성된다.
보트(110)는 주로 석영 재질로 이루어지면, 상하 방향으로 형성된 복수 개의 지지로드(supporting rod, 112)에 다수의 반도체 기판(W)들을 지지하기 위한 다수 의 슬롯(slot, 도시되지 않음)들이 형성되어 있다.
상세하게 도시되어 있지는 않지만, 반도체 기판(W)들을 카세트(cassette, 도시되지 않음)로부터 상기 보트(110)의 슬롯 상으로 기판 트랜스퍼(wafer transfer, 도시되지 않음)를 이용하여 이송시킬 수 있으며, 상기 보트(110) 상에 반도체 기판(W)들이 이송되면, 이송부(120)를 이용하여 매니폴드(106)를 통해 상기 내측 튜브(102)로 이동할 수 있다. 상기 이송부(120)는 정기적으로 수행되는 정기 점검(PM) 시 상기 내측 튜브(102)를 상기 외측 튜브(104)로부터 분리하기 위하여 상/하강시키는 기능한다. 상기 이송부(120)에 대한 설명은 이후에 상세하게 하기로 한다.
반응 가스 공급부(130)는 매니폴드(106)의 일 측을 통해 공정 퍼니스(100)와 연결되어 있다. 상세하게 설명하면, 상기 반응 가스 공급부(130)는 반응 가스를 공정 퍼니스(100)로 제공하기 위하여 반응 가스를 수용하고 있는 반응 가스 탱크(도시되지 않음)와, 상기 반응 가스 탱크와 상기 매니폴드(106)의 일 측을 통해 상기 내측 튜브(102) 내부로 연결되는 반응 가스 라인(도시되지 않음)과, 상기 반응 가스의 유량을 조절하기 위한 반응 가스 밸브(도시되지 않음)를 포함한다.
이때, 상기 반응 가스 라인은 상기 매니폴드(106)의 일 측을 관통하여 상기 내측 튜브(102)의 내측벽을 따라 연장된다. 상기 가스 라인에는 보트(110)의 슬롯 상에 지지된 반도체 기판(W)들로 반응 가스를 제공하기 위한 다수의 노즐(nozzle, 도시되지 않음)들이 상기 보트(110)의 슬롯과 엇갈려 등간격으로 형성되어 있다. 또한, 상기 노즐은 상기 반응 가스를 상기 반도체 기판(W)으로 일정한 속도 및 유량으로 분사시키는 기능을 한다.
진공 제공부(140)는 상기 매니폴드(106)의 타 측과 연결되어 구비된다. 보다 상세하게 살펴보면, 상기 진공 제공부(140)는, 공정 퍼니스(100)로부터 배기 가스를 배출시키고 공정 퍼니스(100) 내측을 진공 상태로 형성하기 위한 진공 펌프(pump, 도시되지 않음)와, 상기 진공 펌프와 매니폴드(106)의 타 측을 연결하기 위한 진공 라인(도시되지 않음)과, 상기 진공 라인 중에 구비되어 상기 공정 퍼니스(100)의 압력을 조절하기 위한 진공 밸브(도시되지 않음)를 포함한다. 이때, 상기 진공 라인은 상기 매니폴드(106)의 타 측을 관통하여 상기 외측 튜브(104)의 하부와 연통되어 형성된다.
여기서 전술한 바와 같이, 반응 가스 라인이 내측 튜브(102) 내측벽에 연장되어 형성되고, 진공 라인은 외측 튜브(104) 하부에 연통되어 형성된다. 이러한 구조로 인하여 공정 퍼니스(100) 내에서 소정의 공정을 보다 효과적으로 수행할 수 있다. 예를 들어 보다 상세하게 설명하면, 반응 가스가 반응 가스 라인을 통해 내측 튜브(102)의 반도체 기판(W)들로 제공되고, 상기 반응 가스를 이용하여 반도체 기판(W) 상에 소정의 막이 증착된다. 상기 내측 튜브(102)에서 증착 공정이 수행되는 동안 발생되는 배기 가스는 내측 튜브(102)에서 외측 튜브(104)로 이동하고, 상기 외측 튜브(104) 하부에 연통된 진공 펌프에 의해 외측로 배출된다. 이때, 상기 배기 가스가 내측 튜브(102) 상부로 이동하고, 이어서 외측 튜브(104)로 이동하는 동안, 상기 반응 가스는 상기 내측 튜브(102) 내에서 반도체 기판(W)들 상에 막이 증착될 수 있도록 충분히 유동하게 되어 막이 보다 균일하게 형성될 수 있다.
이하, 상기 이송부(120)에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 가공 장치의 이송부를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 이송부(120)는, 보트(110)를 이송하기 위한 구동력을 제공하는 구동 유닛(126)과, 상기 구동력을 보트(110)로 전달하기 위한 동력 전달 유닛(124)과, 상기 동력 전달 유닛(124)이 내장된 몸체와, 상기 동력 전달 유닛(124)과 결합되어 상기 보트(110)를 지지하기 위한 지지유닛(130)을 포함한다.
구동 유닛(126)은 상기 보트(110)를 이송하기 위한 구동력을 제공한다. 상기 구동 유닛(126)의 예로서는 모터(motor) 등을 들 수 있다. 상기 구동 유닛(126)은 동력 전달 유닛(124)과 연결되어 상기 동력 전달 유닛(124)으로 회전 구동력을 제공하고, 상기 동력 전달 유닛(124)은 상기 회전 구동력을 수직 구동력으로 상기 보트(110)로 전달한다. 따라서, 상기 회전 구동력을 이용하여 상기 보트(110)를 수직 구동시킬 수 있다.
동력 전달 유닛(124)은 도 2에 도시된 바와 같이 실질적으로 수직 방향으로 연장된다. 상기 동력 전달 유닛(124)의 예로서는 LM 가이드 또는 리드 스크루 등을 들 수 있다. 상기와 같은 동력 전달 유닛(124)에는 상기 동력 전달 유닛(124)의 구동을 원활하게 하기 위하여 윤활유를 도포할 수 있다. 상기 윤활유의 예로서는 그리스 등이 있다. 상기 그리스는 퍼플루오로 폴리에테르 및 PTEE와 같은 물질로 이루어져 있어 열에 의해 상기 그리스의 일부가 기화되어 알코올 및 플루오린 등과 같은 유기 가스를 방출할 수 있다.
상기 동력 전달 유닛(124)은 몸체(122)에 내장되어 있다. 상기 몸체(122)는 수직 방향으로 연장된 슬릿(136)이 형성되어 있으며, 상기 동력 전달 유닛(124)이 상기 슬릿(136)에 의해 노출된다.
지지유닛(130)은 상기 동력 전달 유닛(124)의 일 측과 결합되어 상기 슬릿(136)을 통해 상기 몸체(122) 외부로 연장하여 상기 보트(110)를 지지한다. 보다 상세하게, 상기 지지유닛(130)은, 원반형상을 가지며 상기 보트(110)를 지지하기 위한 제1 부분(132)과, 상기 지지유닛(130)과 상기 동력 전달 유닛(124)의 일 측을 결합하기 위한 제2 부분(134)을 포함한다.
따라서, 상기 지지유닛(130) 상에 지지된 보트(110)는 상기 동력 전달 유닛(124)의 구동에 의해 상하 이동하게 된다.
여기서, 상기 보트(110)는 가공 공정을 수행한 후, 상기 이송부(120)에 의해 공정 퍼니스(100)로부터 반출된다. 이때, 상기 보트(110) 및 보트(110)에 지지된 다수의 반도체 기판(W)들은 약 500 내지 700℃의 잠열을 가지고 있다. 따라서, 상기 보트(110)가 이송부(120)를 통해 하강하는 동안 상기 잠열은 상기 동력 전달 유닛(124)의 윤활유에 영향을 미쳐, 상기 윤활유가 기화된다.
상기와 같이 윤활유가 기화되는 것을 억제하기 위하여 상기 몸체(122)의 슬릿(136)에 상기 동력 전달 유닛(124)을 덮도록 커버(128)를 설치한다.
커버(128)는 다수의 플레이트(128)들을 포함하며, 이웃하는 플레이트(128)들이 일 방향으로 서로 겹쳐져 있다. 또한, 상기 플레이트(128)들이 상기 지지유닛(130)의 수직 방향 이동에 의해 단계적으로 상기 지지유닛(130)에 의해 지지되며 단계적 슬립 방식으로 상기 슬릿(136)을 개폐한다.
보다 상세하게 설명하면, 상기 몸체 슬릿(136)의 측벽에는 상기 다수의 플레이트(128)들을 설치하기 위하여 홈이 수직 방향으로 연장되어 형성된다. 상기 홈은 하부로 갈수록 점점 커져 상기 플레이트(128)들을 일 방향으로 서로 겹쳐지도록 구비할 수 있다.
또한, 상기 각각의 플레이트(128)에는 스톱퍼(stopper, 도시되지 않음)를 갖는다. 상기 스톱퍼는 플레이트(128)의 전면 및 후면에 두 개가 형성되며, 상기 두 개의 스톱퍼는 상부 및 후면에 엇갈려 형성되어 있다. 이로써, 상기 다수의 플레이트(128)들을 단계적 슬립 방식으로 상기 슬릿(136)을 개폐할 수 있다.
이때, 상기 플레이트(128)들은 단계적으로 상기 지지유닛(130)에 지지된다. 특히, 상기 지지유닛(130)의 제2 부분(134)에 지지된다. 따라서, 상기 지지유닛(130)이 상기 동력 전달 유닛(124)에 의해 상기 보트(110)를 수직 방향으로 이동 시, 상기 플레이트(128)들은 단계적으로 상기 슬릿(136)을 개폐한다.
예를 들어 설명하면, 상기 보트(110)가 공정을 수행한 후, 상기 공정 퍼니스(100)로부터 하강할 때, 상기 동력 전달 유닛(124)은 보트(110)를 지지하는 지지유닛(130)을 하강시키고 동시에, 상기 지지유닛(130)의 제2 부분(134) 상에 지지된 플레이트(128)들이 상기 슬릿(136)을 단계적으로 폐쇄하게 된다. 따라서, 보트(110)의 잠열이 상기 동력 전달 유닛(124)으로 유입되는 것을 차단할 수 있다.
반면에 상기 보트(110)가 공정을 수행하기 위하여 상기 공정 퍼니스(100)로 반입될 때, 상기 지지유닛(130) 상에 지지된 플레이트(128)들은 상기 슬릿(136)을 단계적으로 개방하여 상기 동력 전달 유닛(124)을 노출시킨다.
여기서, 상기와 같은 커버(128), 동력 전달 유닛(124) 및 지지유닛(130)에 의한 잠열 차단 시스템은 내측 튜브(102)를 승하강시킬 때에도 동일하게 적용된다. 보다 상세하게 설명하면 정기적인 점검 시, 상기 내측 튜브(102)를 하강시키는데 이때, 내측 튜브(102)는 잠열을 가지고 있다. 따라서, 상기 잠열이 상기 동력 전달 유닛(124)의 윤활유에 영향을 미칠 수 있어 상기와 동일하게 적용함으로써 상기 잠열을 차단할 수 있다. 이에 대한 설명은 중복을 피하기 위하여 생략하기로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 커버를 더 설치함으로써 보트 또는 내측 튜브의 잠열이 동력 전달 유닛으로 전달되는 것을 차단할 수 있어, 상기 동력 전달 유닛에 도포된 윤활유가 기화되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 상기 기화된 유기 가스가 반도체 기판으로 유입되는 것을 상기 커버에 의해 차단할 수 있다.
따라서, 반도체 기판 상에 목적하는 막을 형성할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (3)

  1. 하부가 개방되어 있으며, 기판에 대한 가공 공정이 수행되는 공간을 제공하기 위한 퍼니스(furnace);
    상기 개방된 하부를 통해 상기 퍼니스 내부로 이동이 가능하며, 다수의 기판들을 지지하는 보트(boat);
    상기 퍼니스와 인접하게 배치되며 상기 가공 공정이 수행되는 온도로 상기 기판을 가열하기 위한 가열부;
    상기 보트를 상기 퍼니스로 반입 및 반출시키기 위한 이송부; 및
    상기 이송부에 의해 상기 퍼니스의 하부에 위치된 보트 및 상기 이송부 사이에 배치되며 상기 보트의 잠열이 상기 이송부로 전달되는 것을 차단하기 위한 커버(cover)를 포함하는 기판 가공 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이송부는,
    상기 보트를 이송하기 위한 구동력을 제공하는 구동 유닛;
    상기 구동 유닛으로부터 실질적으로 수직 방향으로 연장하며 상기 구동력을 전달하기 위한 동력 전달 유닛;
    상기 동력 전달 유닛이 내장되며 수직 방향으로 연장된 슬릿(slit)이 형성된 몸체; 및
    상기 동력 전달 유닛과 결합되어 상기 슬릿을 통해 상기 몸체 외부로 연장하 며 상기 보트를 지지하기 위한 지지유닛을 포함하는 기판 가공 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 커버는 상기 동력 전달 유닛을 덮도록 상기 슬릿에 설치된 다수의 플레이트들을 포함하고, 이웃하는 플레이트들은 일 방향으로 서로 겹쳐지며, 상기 플레이트들은 상기 지지유닛의 수직 방향 이동에 의해 단계적으로 상기 지지유닛에 의해 지지되며 단계적 슬립(multilevel slip) 방식으로 상기 슬릿을 개폐하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치.
KR1020050132799A 2005-12-29 2005-12-29 기판 가공 장치 KR20070070333A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132799A KR20070070333A (ko) 2005-12-29 2005-12-29 기판 가공 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050132799A KR20070070333A (ko) 2005-12-29 2005-12-29 기판 가공 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070070333A true KR20070070333A (ko) 2007-07-04

Family

ID=38505643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050132799A KR20070070333A (ko) 2005-12-29 2005-12-29 기판 가공 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070070333A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041143B1 (ko) * 2009-04-16 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 가공 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041143B1 (ko) * 2009-04-16 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 가공 장치
US8771420B2 (en) 2009-04-16 2014-07-08 Samsung Display Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI529775B (zh) 負載閉鎖批式臭氧硬化
KR100753695B1 (ko) 샤워 헤드 구조 및 처리 장치
US5405444A (en) Process chamber purge module for semiconductor processing equipment
KR101168102B1 (ko) 가열 장치, 가열 방법, 도포 장치 및 기억 매체
KR102182995B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
CN103999198A (zh) 半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置及记录介质
JP2002222806A (ja) 基板処理装置
KR101131640B1 (ko) 폴리실라잔막의 처리 방법
US11124872B2 (en) Substrate processing apparatus
US20220341041A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
US11784070B2 (en) Heat treatment apparatus, heat treatment method, and film forming method
US20200020554A1 (en) Apparatus for treating substrate
JP2012023073A (ja) 基板処理装置および基板の製造方法
US20210017642A1 (en) METHOD FOR FORMING RuSi FILM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
KR101155291B1 (ko) 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템
JP2000174007A (ja) 熱処理装置
KR20170090967A (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
KR20070070333A (ko) 기판 가공 장치
JP2015520514A (ja) 基板処理装置
US20080199610A1 (en) Substrate processing apparatus, and substrate processing method
US20220307137A1 (en) Reaction tube, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2010123624A (ja) 基板処理装置
KR20030074418A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20060112868A (ko) 기판 가공 장치
KR100596503B1 (ko) 기판 가열로 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination