KR20070062439A - 가열 싱크와 함께 통합된 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
본 발명은 마운팅 베이스(mounting base) 및 발광 장치를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다. 마운팅 베이스는 제 1 반도체 재료의 기판 및 상기 기판 위에 형성된 높은 열 전도성을 갖는 재료의 제 1 층을 포함한다. 또한, 발광 장치는 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조이다. 발광 장치는 마운팅 베이스의 제 1 층 상에 실장된다. 또한, 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위 사이에 있다.
마운팅 베이스, 발광 장치, 열 팽창계수, 다층 구조
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시하는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11: 마운팅 베이스 13: 발광 장치
31,36: 마운팅 층 33: 발광 구조
37: 접착층
발명의 분야
본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광 장치를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래기술의 설명
긴 수명, 광, 저전력 소모, 및 수은이 첨가되지 않은 등의 이점들로 인해, 방광 다이오드(LED)와 같은 반도체 발광 장치는 이상적인 광원이었으며 개발되고 있다. LED는 정보, 통신, 가전기기, 자동차, 신호등, 간판, 및 조명 시장 등을 포함한 다양한 분야들에 응용될 수 있다. 가장 대중적인 분야들은 셀룰러폰들의 백라이트 및 키들(keys)의 라이트와 같은 통신 산업; 자동차의 헤드라이트 및 자동차 계기반과 같은 자동차 산업; 및 다른 조명 산업들을 포함한다.
과거에, TW 특허 제68620호, TW 특허 제96804호, 및 TW 특허 제111466호와 같은 반도체 발광 장치를 제조하는 몇몇 방법들은 기판을 준비하는데 예컨대 GaAs, InP, 및 Al2O3 와 같은 화합물 반도체를 사용한다. 기판이 준비된 후에, 에피택시 기술(epitaxy technology)로 기판 상에 n 타입 및 p 타입 반도체를 형성한다. 하지 만, 화합물 반도체 기판이 발광 장치로부터 방출된 광자(photon)를 흡수할 수 있으므로, 발광 효과는 상당히 감소된다. 또한, 화합물 반도체 기판의 낮은 열팽창계수로 인해, 반도체 발광 장치는 높은 전류 하에서 동작하지 않을 수 있고, 그 결과 낮은 출력 전력을 야기한다. 또한, 반도체 발광 장치의 수명은 자체적으로 생성된 열의 축적에 의해 쉽게 감소된다.
상술한 단점들을 해소하기 위해, TW 특허 제573373호, TW 특허 제565957호 및 TW 특허 제550834호와 같은 많은 종래 기술들은 개시되어 있다. 이들 종래 기술들은, 반도체 발광 장치에 의해 생성된 열을 전도시키기 위해, 반도체 발광 장치의 기판에 금속 재료를 부가하는 방법을 개시한다. 그러므로, 금속 기판은 반도체 발광 장치가 높은 전류 및 출력 전력으로 동작하게 한다.
하지만, 기판용의 Ga, Cu, 및 Al과 같은 종래의 금속 재료 및 에피택시 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 매우 크다. 그러므로, 반도체 발광 장치를 제조하는 공정들 동안, 에피택시 구조를 파괴하도록 큰 스트레스(stress)가 기판과 에피택시 사이에서 생성된다.
따라서, 본 발명의 범위는 발광 장치를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 또한, 상기 방법은 상술한 종래기술의 단점들을 해소할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치는 마운팅 베이스(mounting base)와 발광 장치를 포함한다. 마운팅 베이스는 제 1 반도체 재료의 기판 및 기판 위에 형성된 높은 열 전도성 물질의 제 1 층을 포함한다.
또한, 발광 장치는 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조이다. 발광 장치는 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장되고, 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작다.
본 발명의 범위는 다양한 도면들에 예시된 바람직한 실시예들의 상세한 설명을 읽은 후에 당해 기술분야의 당업자에게 보다 잘 이해될 것이다.
본 발명은 반도체 장치를 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들이 이하에서 개시된다.
도 1을 참조하자. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(1)의 단면도이다. 반도체 장치(1)는 마운팅 베이스(11) 및 발광 장치(13)를 포함한다. 또한, 마운팅 베이스(11)는 기판(111) 및 제 1 층(113)을 포함한다.
기판(111)은 실리콘 또는 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 제 1 반도체 재료로 형성된다. 또한, 제 1 층(113)은 기판(111) 위에, 금, 은, 구리, 알루미늄, 및 다이아몬드와 같은 높은 열 전도성 재료로 형성된다. 실시예에서, 기판(111)의 두께는 250㎛보다 작고, 제 1 층(113)의 두께는 10 내지 100㎛이다.
또한, 발광 장치(13)는 다층 구조이고, 다층 구조는 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층(131)을 포함한다. 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차가 소정의 범위보다 작다는 것에 유의해야 한다. 또한, 발광 장치(13)는 마운팅 베이스(11)의 제 1 층(113)에 실장된다. 또한, 실시예에서, 발광 장치(13)는 제 2 층(131)에 의해 마운팅 베이스의 제 1 층(113)에 실장된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 발광 장치는 반사층에 의해 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장된다. 실제로, 반사층은 증착(evaporation), 전기도금(electroplating), 또는 스퍼터링(sputtering)과 같은 넌-웨이퍼 결합 처리(non-wafer bonding process)에 의해 형성될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하자. 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시한다. 무엇보다, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 기판(11) 위에 형성된 제 1 층(113) 및 제 1 반도체 재료의 기판(111)을 포함하는 마운팅 베이스(11)를 준비하자.
이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 발광 장치(13)를 준비하자. 발광 장치(13)는 제 2 반도체 재료의 제 2 층(131)을 포함하는 다층 구조이다.
마지막으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 제 1 층(113)이 기판(111)과 제 2 층(131) 사이에 있도록, 발광 장치(13)를 마운팅 베이스(11)에 부착하자. 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작다는 것에 유의해야한다.
실시예에서, 발광 장치(13)는 제 2 층(131)에 의해 마운팅 베이스(11)의 제 1 층(113)에 실장된다. 또 다른 실시예에서, 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함한다. 발광 장치는 반사층에 의해 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장된다. 실제로, 반사층은 증착, 전기도금, 또는 스퍼터링과 같은 넌-웨이퍼 결합 처리에 의해 수행된다.
실제로, 제 1 반도체 재료는 실리콘, 또는 실리콘 카바이드이다. 또한, 제 1 층(113)은 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드로 형성된다. 실제로, 기판(111)의 두께는 250㎛보다 작고, 제 1 층(113)의 두께는 10 내지 100㎛이다.
도 3을 참조하자. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치(3)의 단면도이다. 반도체 장치(3)는 마운팅 층(31) 및 발광 구조(33)를 포함한다. 마운팅 층(31)은 또한 접착 재료인 제 1 부분(311) 및 높은 열 전도성 재료인 제 2 부분(313)을 포함한다. 제 1 부분(311) 대 제 2 부분(313)의 면적비는 0.1보다 작다는 것에 유의하자. 실시예에서, 마운팅 층(31)의 두께는 10 내지 100㎛이다.
또한, 발광 구조(33)는 다층 구조이고, 다층 구조는 제 2 반도체 재료의 제 2 층(331)을 포함한다. 발광 구조(33)는 제 2 층(331)에 의해 마운팅 층(31)에 실장되고, 높은 열 전도성 재료의 열 팽창계수는 제 2 반도체 재료의 열 팽창계수보다 크다. 실제로, 높은 열 팽창계수는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드이다.
또 다른 실시예에서, 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함할 수 있고, 발광 장치는 반사층에 의해 마운팅 층에 실장된다. 실제로, 반사층은 증착, 전기도금, 또는 스퍼터링과 같은 넌-웨이퍼 결합 처리에 의해 형성될 수 있다.
도 4a 내지 도 4f를 참조하자. 도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시한다. 무엇보다, 도 4a에 도시된 바와 같이, 실리콘 또는 실리콘 카바이드와 같은, 제 1 반도체 재료의 기판(32)을 준비하자. 그 후에, 도 4b에 도시된 바와 같이, 기판(32) 위에 놓이는 제 1 층(34)을 형성하자. 실제로, 제 1 층(34)은 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드로 형성된다. 실제로, 기판(32)의 두께는 250㎛보다 작고, 제 1 층(34)의 두께는 10 내지 100㎛이다.
이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 기판(32)의 표면 상에 복수의 제 1 블록들(342) 및 복수의 존들(zones:344)을 형성하기 위해 제 1 층(34)을 선택적으로 제거하자. 복수의 존들(344) 각각은 두 개의 제 1 블록들(342) 사이에 존재한다.
그 후에, 도 4d에 도시된 바와 같이, 복수의 존들(344)에 접착 재료를 채우고, 복수의 제 2 블록들(346)을 형성하고, 제 1 블록들(342)과 제 2 블록들(346)은 마운팅 층(36)을 형성한다. 실제로, 접착 재료는 폴리이미드(polyimide) 또는 BCB(B-staged bisbenzocyclobutene) 이다.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이, 발광 구조(33)를 마운팅 층(36)에 실장하자. 따라서, 발광 구조(33)는 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층(333)을 포함하는 다층 구조이다. 실시예에서, 발광 구조(33)는 제 2 층(333)에 의해 마운팅 층(36)에 실장된다. 마지막으로, 도 4f에 도시된 바와 같이, 기판(32)을 제거하자. 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작다는 것에 유의해야 한다.
실시예에서, 상기 방법은 복수의 제 2 블록들을 통해 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함한다. 실시예에서, 발광 장치 다층 구조는 반사층을 더 포함하 고, 발광 장치는 반사층에 의해 마운팅 층에 실장된다. 실제로, 반사층은 증착, 전기도금, 또는 스퍼터링과 같은 넌-웨이퍼 결합 처리에 의해 형성될 수 있다.
도 5a 내지 도 5f를 참조하자. 도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시한다. 무엇보다, 도 5a에 도시된 바와 같이, 실리콘 또는 실리콘 카바이드와 같은, 제 1 반도체 재료의 기판(32)을 준비하자. 실제로, 기판(32)의 두께는 250㎛보다 작다.
그 후, 도 5b에 도시된 바와 같이, 기판(32) 상에 중첩되는 접착층(35)을 형성하자. 실제로, 접착층(35)은 폴리이미드 또는 BCB이다.
그 후에, 도 5c에 도시된 바와 같이, 기판(32)의 표면 상에 복수의 제 1 블록들(352) 및 복수의 존들(344)을 형성하기 위해 접착층(35)을 선택적으로 제거하자. 복수의 존들(354) 각각이 두 개의 제 1 블록들(352) 사이에 존재한다는 것에 유의해야 한다.
그 후에, 도 5d에 도시된 바와 같이, 발광 장치(32)의 표면 상에 복수의 제 2 블록들(356)을 형성하기 위해 복수의 존들(354)에 높은 열 전도성 재료를 채우자. 제 1 블록들(352)과 함께 제 2 블록들(356)은 마운팅 층(36)을 형성한다. 실제로, 제 2 블록들의 두께는 10 내지 100㎛이다. 따라서, 실제로, 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드일 수 있다.
이어서, 도 5e에 도시된 바와 같이, 마운팅 층(36) 위에 발광 구조(33)를 실장하자. 발광 구조(33)는 제 2 반도체 재료의 층(331)을 포함하는 다층 구조이다. 실시예에서, 발광 구조(33)는 층(331)에 의해 마운팅 층(36)에 실장된다. 마지막으 로, 도 5f에 도시된 바와 같이, 기판(32)을 제거하자. 제 1 반도체 재료와 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차가 소정의 범위보다 작다는 것에 유의해야 한다.
실시예에서, 상기 방법은 복수의 제 2 블록들을 통해 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함한다. 실시예에서, 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 발광 장치는 반사층에 의해 마운팅 층에 실장된다. 실제로, 반사층은 증착, 전기도금, 또는 스퍼터링과 같은, 넌-웨이퍼 결합 처리에 의해 형성될 수 있다.
도 6a 내지 도 6d를 참조하자. 도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 장치를 제조하는 방법을 도시한다. 무엇보다, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(332)을 포함하는 발광 구조(33)를 형성하자.
그 후에, 도 6b에 도시된 바와 같이, 기판(32) 위에 중첩되는 접착층(37)을 형성하자. 실제로, 접착층(37)은 폴리이미드 또는 BCB로 형성된다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 발광 구조(33)의 표면(332) 상에 복수의 제 1 블록들(372) 및 복수의 존들(374)을 형성하기 위해 접착층(37)을 선택적으로 제거하자. 복수의 존들(374) 각각이 두 개의 제 1 블록들(372) 상에 존재한다는 것에 유의해야 한다.
마지막으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 복수의 존들(374)에 높은 열 전도성 재료를 채우고, 발광 구조(33)의 표면(332) 상에 복수의 제 2 블록들(376)을 형성한다. 실제로, 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드일 수 있다. 또한, 제 2 블록들의 두께는 10 내지 100㎛이다.
실시예에서, 상기 방법은 복수의 제 1 블록들을 통해 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함한다.
명백히, 본 발명의 반도체 장치는 가열 싱크(heat sink)와 통합된 반도체 장치이다. 또한, 본 발명의 반도체 장치를 제조하는 방법은 웨이퍼 수준에서 가열 싱크 및 반도체 장치를 패키징하고, 이어서 웨이퍼를 분리하는 것이다. 종래 기술의 반도체 장치를 먼저 분리하여, 이후에 가열 싱크와 반도체 장치를 패키징하는 방법과 비교하여, 본 발명에 개시된 방법은 보다 효율적이고 저렴하다. 또한, 본 발명의 가열 싱크와 반도체 장치를 결합시키는 것은 종래 기술보다 강하고, 외부 힘으로 떨어뜨리기 쉽지 않다.
상기한 설명들 및 예로, 본 발명의 특징들 및 사상들이 설명되었다. 당해 기술분야의 당업자는 다양한 변형예들을 용이하게 이해할 것이며, 본 발명의 변경이 본 발명의 기술을 유지하면서 이루어질 수 있다. 따라서, 상기한 설명은 첨부된 청구범위에 의해서만 제한되는 것으로 고려된다.
본 발명은 발광 장치를 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
Claims (34)
- 반도체 장치로서,제 1 반도체 재료의 기판, 및 상기 기판 위에 형성된 높은 열 전도성 재료의 제 1 층을 포함하는 마운팅 베이스(mounting base); 및적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조인 발광 장치;를 포함하고,상기 발광 장치는 상기 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장되고, 상기 제 1 반도체 재료와 상기 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작은, 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드인, 반도체 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 제 1 반도체 재료는 실리콘 또는 실리콘 카바이드인, 반도체 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 층의 두께는 10 내지 100㎛이고, 상기 기판의 두께는 250㎛보다 작은, 반도체 장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 반사층에 의해 상기 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장되는, 반도체 장치.
- 반도체 장치를 제조하는 방법으로서,(a) 제 1 반도체 재료의 기판 및 상기 기판 위에 형성된 제 1 층을 포함하는 마운팅 베이스를 준비하는 단계;(b) 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조인 발광 장치를 준비하는 단계; 및(c) 상기 제 1 층이 상기 기판과 상기 제 2 층 사이에 있도록 상기 발광 장치를 상기 마운팅 베이스에 부착하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 반도체 재료와 상기 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제 1 층은 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드로 형성되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 제 1 반도체 재료는 실리콘 또는 실리콘 카바이드인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 층의 두께는 10 내지 100㎛이고, 상기 기판의 두께는 250㎛보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 반사층에 의해 상기 마운팅 베이스의 제 1 층에 실장되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 반도체 장치로서,접착 재료의 제 1 부분과 높은 열 전도성 재료의 제 2 부분을 포함하는 마운팅 층으로서, 상기 제 1 부분 대 상기 제 2 부분의 면적비가 0.1보다 작은, 상기 마운팅 층; 및제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조인 발광 장치;를 포함하고,상기 발광 장치는 상기 마운팅 층에 실장되고, 상기 높은 열 전도성 재료의 열 팽창계수는 상기 제 2 반도체 재료의 열 팽창계수보다 큰, 반도체 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드인, 반도체 장치.
- 제 12 항에 있어서,상기 마운팅 층의 두께는 10 내지 100㎛인, 반도체 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 발광 장치는 상기 제 2 반도체 재료의 제 2 층에 의해 상기 마운팅 층에 실장되는, 반도체 장치.
- 제 13 항에 있어서,상기 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 반사층에 의해 상기 마운팅 층에 실장되는, 반도체 장치.
- 반도체 장치를 제조하는 방법으로서,(a) 제 1 반도체 재료의 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판 위에 중첩되는 제 1 층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판의 표면 상에 복수의 제 1 블록들 및 복수의 존들(zones)을 형성하기 위해 상기 제 1 층을 선택적으로 제거하는 단계로서, 상기 복수의 존들 각각은 두 개의 상기 제 1 블록들 사이에 존재하는, 상기 제거 단계;(d) 복수의 제 2 블록들을 형성하기 위해 상기 복수의 존들에 접착 재료를 채우는 단계로서, 상기 제 2 블록들과 함께 상기 제 1 블록들은 마운팅 층을 형성하는, 상기 채우는 단계;(e) 상기 마운팅 층에 발광 구조를 실장하는 단계로서, 상기 발광 구조는 적어도 상기 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조인, 상기 실장 단계; 및(f) 상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 반도체 재료와 상기 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,(g) 상기 복수의 제 2 블록들을 통해 상기 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 층은 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드로 형성되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 제 1 반도체 재료는 실리콘, 또는 실리콘 카바이드인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 접착 재료는 폴리이미드(polyimide) 또는 BCB(B-staged bisbenzocyclobutene)인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 제 1 층의 두께는 10 내지 100㎛이고, 상기 기판의 두께는 250㎛보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 20 항에 있어서,상기 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 반사층에 의해 상기 마운팅 층에 실장되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 반도체 장치를 제조하는 방법으로서,(a) 제 1 반도체 재료의 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판 위에 중첩되는 접착층을 형성하는 단계;(c) 상기 기판의 표면 상에 복수의 제 1 블록들 및 복수의 존들을 형성하기 위해 상기 접착층을 선택적으로 제거하는 단계로서, 상기 복수의 존들 각각은 두 개의 상기 제 1 블록들 사이에 존재하는, 상기 제거 단계;(d) 상기 기판의 표면 상에 복수의 제 2 블록들을 형성하기 위해 상기 복수의 존들에 높은 열 전도성 재료를 채우는 단계로서, 상기 제 1 블록들과 함께 상기 제 2 블록들은 마운팅 층을 형성하는, 상기 채우는 단계;(e) 상기 마운팅 층에 발광 구조를 실장하는 단계로서, 상기 발광 구조는 적어도 제 2 반도체 재료의 제 2 층을 포함하는 다층 구조인, 상기 실장 단계; 및(f) 상기 제 1 기판을 제거하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 반도체 재료와 상기 제 2 반도체 재료 사이의 열 팽창계수의 차는 소정의 범위보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 23 항에 있어서,(g) 상기 복수의 제 1 블록들을 통해 상기 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 24 항에 있어서,상기 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 제 1 반도체 재료는 실리콘 또는 실리콘 카바이드인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서,상기 접착층은 폴리이미드 또는 BCB로 형성되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 2 블록들의 두께는 10 내지 100㎛이고, 상기 기판의 두께는 250㎛보다 작은, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서,상기 발광 장치의 다층 구조는 반사층을 더 포함하고, 상기 발광 장치는 상기 반사층에 의해 상기 마운팅 층에 실장되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 반도체 장치를 제조하는 방법으로서,(a) 발광 장치를 형성하는 단계;(b) 상기 발광 장치 위에 중첩되는 접착층을 형성하는 단계;(c) 상기 발광 장치의 표면 상에 복수의 제 1 블록들 및 복수의 존들을 형성하기 위해 상기 접착층을 선택적으로 제거하는 단계로서, 상기 복수의 존들 각각은 두 개의 상기 제 1 블록들 사이에 존재하는, 상기 제거 단계; 및(d) 상기 발광 장치의 표면 위에 복수의 제 2 블록들을 형성하기 위해, 상기 복수의 존들에 높은 열 전도성 재료를 채우는 단계;를 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서,(e) 상기 복수의 제 1 블록들을 통해 상기 반도체 장치를 분리하는 단계를 더 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 31 항에 있어서상기 높은 열 전도성 재료는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 다이아몬드인, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 32 항에 있어서,상기 접착층은 폴리이미드 또는 BCB로 형성되는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 33 항에 있어서,상기 복수의 제 2 블록들의 두께는 10 내지 100㎛인, 반도체 장치 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW094143879A TWI303473B (en) | 2005-12-12 | 2005-12-12 | Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same |
| TW094143879 | 2005-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070062439A true KR20070062439A (ko) | 2007-06-15 |
Family
ID=38138394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060125862A KR20070062439A (ko) | 2005-12-12 | 2006-12-11 | 가열 싱크와 함께 통합된 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7619259B2 (ko) |
| JP (1) | JP2007165895A (ko) |
| KR (1) | KR20070062439A (ko) |
| TW (1) | TWI303473B (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101557431B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2015-10-15 | 아이피지 포토닉스 코포레이션 | 반도체 장치를 위한 서브 마운트를 구비한 반도체 유닛 |
| US10373931B2 (en) * | 2016-11-29 | 2019-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor package structure and method of manufacturing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2004119515A (ja) * | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Neo Led Technology Co Ltd | 高い放熱性を有する発光ダイオード表示モジュール及びその基板 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW251388B (en) | 1992-09-22 | 1995-07-11 | yuan-fa Zhu | Process of paste-type LED dice |
| US5914973A (en) * | 1997-02-10 | 1999-06-22 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser for high power operation and method of fabrication |
| JP2004296796A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子および発光素子の製造方法 |
| TWI220577B (en) * | 2003-07-25 | 2004-08-21 | Epistar Corp | Light emitting device having composite substrate |
-
2005
- 2005-12-12 TW TW094143879A patent/TWI303473B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-12-11 KR KR1020060125862A patent/KR20070062439A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-12-11 JP JP2006333332A patent/JP2007165895A/ja active Pending
- 2006-12-11 US US11/636,522 patent/US7619259B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI303473B (en) | 2008-11-21 |
| TW200723473A (en) | 2007-06-16 |
| US7619259B2 (en) | 2009-11-17 |
| JP2007165895A (ja) | 2007-06-28 |
| US20070131952A1 (en) | 2007-06-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |