KR20070061995A - Heating apparatus - Google Patents

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Abstract

A heating apparatus is provided to prevent deformation of a heating plate by forming a loading groove and a buffering part at a lower surface of a body. A heating apparatus includes a heating plate(20) for heating a heating target and a vertical post(40) for supporting a bottom center of the heating plate. The heating plate includes a body(21) having a shape of plate, a loading groove(21a) formed on a lower surface of the body, and a heater module(22) inserted into the loading groove. A sectional area of the heater module is smaller than a sectional area of the loading groove to form a buffering part(21b) in an inserting state of the heater module. The loading groove is closed by a finishing member(24) when the heater module is inserted into the loading groove.

Description

히팅 장치 { Heating apparatus }Heating apparatus {Heating apparatus}

도 1은 종래 일반적인 히팅 장치의 단면을 도시한 도면. 1 is a cross-sectional view of a conventional general heating apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 히팅 장치의 단면을 확대 도시한 도면. Figure 2 is an enlarged view showing a cross section of the heating apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 히팅 장치를 상부 일측에서 도시한 사시도. Figure 3 is a perspective view of the heating apparatus according to the present invention from the upper one side.

도 4는 본 발명에 따른 히팅 장치를 하부 일측에서 도시한 사시도. Figure 4 is a perspective view of the heating device according to the present invention from the bottom one side.

도 5는 도 4의 히팅 장치의 저면을 도시한 도면. 5 is a view showing the bottom of the heating apparatus of FIG.

도 6은 본 발명에 따른 히팅 장치의 설치예를 도시한 단면도. 6 is a sectional view showing an example of installation of a heating apparatus according to the present invention.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

10: 히팅 장치 20: 히팅플레이트10: heating device 20: heating plate

21: 몸체 21a: 안착홈21: Body 21a: Seating groove

21b: 완충부 22: 히터모듈21b: shock absorber 22: heater module

22a: 히트파이프 30: 지지부재22a: heat pipe 30: support member

40: 수직포스트 100: 피가공물40: vertical post 100: workpiece

본 발명은 히팅 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 히팅플레이트의 변형을 방지함은 물론 그 상부에 놓여지는 피가공물의 불량율을 줄여줄 수 있는 구조를 가지는 히팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heating apparatus, and more particularly, to a heating apparatus having a structure that can prevent deformation of the heating plate, as well as reduce the defective rate of the workpiece placed thereon.

일반적으로 히팅 장치는 열을 발생하여 전달시켜주는 것으로 다양한 용도로 사용이 가능하며, 그 일예로 반도체 웨이퍼를 제조하거나 또는 LCD 모듈을 제조시에는 진공(Vacuum)상태의 챔버(chamber)내에 설치되어 반도체 웨이퍼나 LCD 모듈에 일정한 열을 전하는데 사용된다.In general, a heating device generates heat and transfers heat, which can be used for various purposes. For example, when manufacturing a semiconductor wafer or an LCD module, the heating device is installed in a vacuum chamber to provide a semiconductor. It is used to transfer constant heat to the wafer or LCD module.

이와 같은 종래 히팅 장치의 일예가 도 1에 도시되어 있는데, 이를 참고하면, 수직포스트(1)의 상부에 균일한 두께를 가지며 그 상부에 피가공물(100)이 놓여지는 판상의 히팅플레이트(2)가 고정설치 된다. An example of such a conventional heating apparatus is shown in FIG. 1. Referring to this, a plate-shaped heating plate 2 having a uniform thickness on an upper portion of a vertical post 1 and on which a workpiece 100 is placed is disposed. Is fixedly installed.

특히, 상기 히팅플레이트(2)는 알루미늄 재질의 몸체(2a) 사이에 스테인레스 스틸 재질의 히트파이프(2b)이 일정간격을 유지하며 배치된 구조를 채택하고 있으다. In particular, the heating plate 2 adopts a structure in which the heat pipes 2b of stainless steel are maintained at regular intervals between the aluminum bodies 2a.

여기서 상기 히트파이프(2b)는 단면이 원형의 구조이며, 상기 히팅플레이트(2)의 몸체(2a)에 일정한 깊이의 안착홈(2c)을 라운드를 형성하도록 가공하고 단면이 원형인 히트파이프(2b)를 삽입한 후 상기 몸체(2c)와 동일한 재질의 마감부재(2d)를 안착홈(2c)에 끼워 밀착시킨 용접을 하여 마감처리하여 후 고정 시켜 줌으로서 히팅 장치가 완성된다.In this case, the heat pipe 2b has a circular cross-section, and processes the seating grooves 2c having a predetermined depth in the body 2a of the heating plate 2 to form a round, and the heat pipe 2b having a circular cross section. ) And insert the finishing member (2d) of the same material as the body (2c) in the seating groove (2c) by welding to close the finishing treatment to fix and then complete the heating device is completed.

이와 같은 종래의 히팅 장치는 예를 들어 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 한 종류 이상의 화합물 가스를 반응 챔버내로 투입하여 고온으로 가열된 반도체 웨이퍼와 기상으로 화학반응을 일으키면서 반도체 웨이퍼상에 박막을 형성시키는 공정을 수행하는 경우 통상적으로 LCD를 가공시에는 약 380℃ 내외로 가열시켜 주게 된다.Such a conventional heating apparatus uses, for example, chemical vapor deposition (CVD) to inject one or more types of compound gas onto a semiconductor wafer into a reaction chamber to conduct a chemical reaction in a vapor phase with a semiconductor wafer heated to a high temperature. In the case of performing a process of forming a thin film on a semiconductor wafer while generating, the LCD is usually heated to about 380 ℃ when processing.

그런데, 이와 같은 히팅(heating) 과정을 수행하게 되는 경우, 히팅플레이트(2)는 그 중앙 하부가 수직포스트(1)의 상단에 고정되어 있어, 히팅플레이트(2)의 가장자리 부분은 허공에 떠있는 형상을 이루게 된다. 따라서, 고온으로 히팅플레이트(2)가 가열되는 경우 그 전달열에 그 히팅플레이트(2)의 가장자리 부분에 일정높이(t1)의 처짐이 발생하게 되어, 장기간 사용하는 경우에는 중앙부분이 상부로 돌출되는 돔형상으로 휘게 되어 그 상면에 놓여져 가공되는 피가공물(100)의 불량을 초래하게 되는 문제점을 가지고 있다.By the way, when performing the heating (heating) process, the heating plate 2 is fixed to the upper end of the vertical post (1), the lower portion of the heating plate 2, the edge of the heating plate 2 is floating in the air Shape. Therefore, when the heating plate 2 is heated to a high temperature, deflection of a certain height t1 occurs at the edge portion of the heating plate 2 in the transfer heat, and in the case of long-term use, the center portion protrudes upward. It has a problem in that it is bent in a dome shape and causes the defect of the workpiece 100 to be processed by being placed on its upper surface.

아울러, 히트파이프(2b)가 고온으로 가열시에 히팅플레이트(2)의 몸체(2a)와 히트파이프(2b)의 재질 차이로 인한 연신율(延伸率)이 달라 히트파이프(2c)의 원형단면이 팽창(膨脹)되고 그에 따라 몸체(2a)에 압력을 가하게 되어 전체적으로 히팅플레이트(2)의 변형을 일으키는 원인이 되고 있다.In addition, when the heat pipe 2b is heated to a high temperature, the elongation due to the material difference between the body 2a and the heat pipe 2b of the heating plate 2 is different, so that the circular cross section of the heat pipe 2c is different. It expands and thereby pressurizes the body 2a, which causes deformation of the heating plate 2 as a whole.

따라서, 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 장시간 사용하더라도 히팅플레이트의 변형을 방지할 수 있는 구조를 가지는 히팅 장치를 제공하는데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a heating apparatus having a structure capable of preventing deformation of the heating plate even when used for a long time.

본 발명의 다른 목적은 히팅플레이트 상면에 놓여지는 피가공물을 가공시 불량율을 최소화 할 수 있는 구조를 가지는 히팅 장치를 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a heating apparatus having a structure that can minimize the defective rate when processing the workpiece placed on the heating plate upper surface.

이와 같은 본 발명은 히팅 장치에 관한 것으로; 상면에 놓여지는 피가공물을 가열하는 히팅플레이트와, 그 히팅플레이트의 저면 중앙부를 지지하는 수직포스트로 이루어지는 히팅 장치에 있어서, 상기 히팅플레이트는 판 형상으로 이루어지는 몸체의 하면에 안착홈을 형성하고 히터모듈을 삽입하여 고정하되 상기 히터모듈의 단면적은 상기 안착홈의 단면적에 비해 작게 형성하여 완충부를 형성하고, 상기 히터모듈이 삽입된 안착홈을 마감부재로 밀폐시킨 구조인 것을 특징으로 한다.This invention relates to a heating device; In the heating device consisting of a heating plate for heating the workpiece placed on the upper surface and a vertical post supporting the center portion of the bottom surface of the heating plate, the heating plate forms a seating groove on the lower surface of the body formed of a plate shape and the heater module It is fixed by inserting the cross-sectional area of the heater module to form a smaller than the cross-sectional area of the seating groove to form a buffer, characterized in that the structure of the seating groove is inserted into the heater module is sealed with a closing member.

본 발명에 따른 히팅 장치를 첨부한 도면을 참고로 하여 이하에 상세히 기술되는 실시예에 의하여 그 특징들을 이해할 수 있을 것이다. With reference to the accompanying drawings, the heating apparatus according to the present invention will be understood by the embodiments described in detail below.

도 2는 본 발명에 따른 히팅 장치의 단면을 확대 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명에 따른 히팅 장치를 상부 일측에서 도시한 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 히팅 장치를 하부 일측에서 도시한 사시도이고, 도 5는 도 4의 히팅 장치의 저면을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 히팅 장치의 설치예를 도시한 단면도이다. Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the heating apparatus according to the present invention, Figure 3 is a perspective view showing a heating apparatus according to the present invention from the upper one side, Figure 4 is a heating device according to the present invention from the lower one side. 5 is a perspective view illustrating a bottom surface of the heating apparatus of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating an installation example of the heating apparatus according to the present invention.

도 2 내지 도 5에 의하면, 본 발명에 따른 히팅 장치(10)는 히터모듈(22)이 일정간격을 유지하며 배치된 구조를 가지며 그 상부에는 피가공물(100)이 놓여지는 히팅플레이트(20)와, 그 히팅플레이트(20)의 저면을 지지하는 지지부재(30)와, 그 지지부재(30)의 중앙하부에 상단부가 고정되며 내부에 중공부가 형성되는 수직포스트(40)로 이루어진다.2 to 5, the heating device 10 according to the present invention has a structure in which the heater module 22 is maintained while maintaining a predetermined interval and the heating plate 20 on which the workpiece 100 is placed. And, the support member 30 for supporting the bottom surface of the heating plate 20, and the upper end is fixed to the center lower portion of the support member 30, the vertical post 40 is formed in the hollow.

이때, 상기 히팅플레이트(20)는 그 몸체(21)의 상면에 고르게 열이 전달될 수 있도록 하기 위해 상기 히터모듈(22)을 일정간격을 유지하며 고르게 배치된 구조를 채택하고 있으며, 중앙부분과 가장자리부분의 두께가 균일한 상태를 유지시켜 주게 된다.At this time, the heating plate 20 adopts a structure in which the heater module 22 is evenly arranged and evenly arranged so that heat can be evenly transmitted to the upper surface of the body 21. It keeps the thickness of edge part uniform.

좀더 구체적 설명하면, 상기 히팅플레이트(20)는 그 몸체(21)가 알루미늄 재질로 이루어지며 판 형상으로서 그 하면에는 단면이 직사각 형상인 안착홈(21a)을 형성하게 된다.In more detail, the heating plate 20 has a body 21 made of aluminum and has a plate shape to form a seating groove 21a having a rectangular cross section on the bottom surface thereof.

이와 같은 몸체(21)의 안착홈(21a)에는 히터모듈(22)이 삽입되어 고정되는데, 상기 히터모듈(22)은 스테인리스 스틸(STAINLESS STEEL; SUS)로 이루어지며 그 단면이 원형인 히트파이프(22a)의 외측부를 감싸도록 알루미늄 재질의 커버체(22b,22b')가 부착되어서 이루어진다.The heater module 22 is inserted into and fixed to the seating groove 21a of the body 21, and the heater module 22 is made of stainless steel (SUSINLESS STEEL; SUS) and has a circular heat pipe having a circular cross section. The cover bodies 22b and 22b 'made of aluminum are attached to surround the outer portion of the 22a).

이와 같은 히터모듈(22)의 단면적은 상기 안착홈(21a)의 단면적에 비해 상대적으로 작게 형성하여, 상기 안착홈(21a)에 상기 히터모듈(22)을 안착시 안착홈(21a)의 좌우측에 일정한 완충부(21b)가 형성된다. The cross-sectional area of the heater module 22 is formed to be relatively small compared to the cross-sectional area of the seating groove 21a, and the left and right sides of the seating groove 21a when the heater module 22 is seated in the seating groove 21a. A constant buffer portion 21b is formed.

이때, 상기 완충부(21b)는 에어(air)층으로도 형성이 가능하고, 또는 공지(公知)의 충진재(미도시됨)를 구비하여서 형성할 수 있다. In this case, the shock absorbing portion 21b may be formed as an air layer, or may be formed with a known filler (not shown).

이와 같은 구조를 채택함에 따라 히터모듈(22)이 가열되어 그 단면이 팽창하는 경우 완충부(21b)의 공간내에서 팽창되도록 하여 히터모듈(22)이 가열되어 부피팽창되더라도 히팅플레이트(20)의 몸체(21)에 직접적으로 물리적인 힘이 전달되지 않아 히팅플레이트(20)가 휘어지는 등의 변형을 방지할 수 있게 된다.By adopting such a structure, when the heater module 22 is heated and its cross section expands, the heater module 22 is expanded in the space of the shock absorbing portion 21b so that the heater module 22 may be heated to expand the volume of the heating plate 20. Since the physical force is not directly transmitted to the body 21, the heating plate 20 can be prevented from deformation such as bending.

그리고, 상기 히터모듈(22)을 몸체(21)의 안착홈(21a)에 안착시키고 상기 몸체(21)와 동일한 알루미늄 재질의 마감부재(24)를 안착홈(21a)에 끼워 밀착시킨 용접을 하여 마감처리하여 고정시켜 주게 된다.Then, the heater module 22 is seated in the seating groove 21a of the body 21, and the welding is made by closely fitting the finishing member 24 made of the same aluminum material as the body 21 into the seating groove 21a. Finished and fixed.

한편, 상기 히팅플레이트(20)의 하부에는 2차적으로 상기 히팅플레이트(20)가 휘어지는 것을 방지하기 위해 히팅플레이트(20)의 하면(下面) 전체를 받쳐주도록 상부는 판형상으로 이루어지며 중앙부에는 중앙관통홀(32)이 형성되어 수직포스트(40)의 상단부가 끼움결합되는 지지부재(30)가 구비된다. On the other hand, in order to prevent the heating plate 20 is bent in the lower portion of the heating plate 20, the upper portion is formed in a plate shape so as to support the entire lower surface (bottom surface) of the heating plate 20, the center portion The through hole 32 is formed to have a support member 30 to which the upper end of the vertical post 40 is fitted.

이때, 상기 중앙관통홀(32)에는 수직포스트(40)를 끼운상태에서 용접을 하여 일체로 고정시켜주게 된다. 물론 상기 중앙관통홀(32)에는 암나사산(미도시됨)을 형성하고, 수직포스트(40)의 상단부 외주면에는 수나사산(미도시됨)을 형성하여 나사결합시켜 고정함도 바람직하다. At this time, the central through-hole 32 is fixed by integrally welding in a state in which the vertical post 40 is fitted. Of course, the central through-hole 32 is formed with a female thread (not shown), the outer peripheral surface of the upper end of the vertical post 40 is also preferably formed by screwing to form a male thread (not shown).

여기서, 상기 지지부재(30)는 중앙부 특히 중앙관통홀(32)을 중심으로 외측 가장자리 방향으로 다수의 보강리브(34)가 방사상으로 배치된 구조를 이루게 된다. 그리고, 중앙부는 가장자리에 비해 상대적으로 두껍게 형성하여 가장자리 쪽으로 상향하도록 경사진 형상으로 이루어지게 된다. Here, the support member 30 has a structure in which a plurality of reinforcing ribs 34 are disposed radially in the outer edge direction of the center part, in particular, the center through-hole 32. In addition, the center portion is formed to be relatively thicker than the edge to form an inclined shape to upward toward the edge.

따라서, 히트파이프(22a)가 가열됨에 따라 히팅플레이트(20)의 몸체(21) 가장자리의 처짐이 발생하더라도 그 하부에서 지지하는 지지부재(30)가 지탱해 주게 되어 히팅플레이트(20)가 평평한 상태를 유지할 수 있게 된다. Therefore, as the heat pipe 22a is heated, even if deflection of the edge of the body 21 of the heating plate 20 occurs, the support member 30 supporting the lower portion of the heating plate 20 supports the heating plate 20 so that the heating plate 20 is flat. Will be able to maintain.

이때, 상기 히팅플레이트(20)가 직사각형태의 것인 경우에는 상기 지지부재(30) 역시 동일하게 직사각형태로 이루어지며, 상기 히팅플레이트(20)가 원형태의 것인 경우에는 상기 지지부재(30) 역시 동일하게 원형태로 이루어짐이 바람직하다.In this case, when the heating plate 20 is of a rectangular shape, the support member 30 is also made of the same rectangular shape, and when the heating plate 20 is of a circular shape, the support member 30 is formed. ) Is also preferably in the same shape.

한편, 상기 지지부재(30)는 다양한 재질을 이용함이 가능하나, 상기 히팅플레이트(20)의 몸체(21)와 동일하게 알루미늄 재질로 구성함이 바람직하다.On the other hand, the support member 30 is possible to use a variety of materials, it is preferable that the same as the body 21 of the heating plate 20 is made of an aluminum material.

이하, 도 2 내지 도 6을 참고로 본 발명에 따른 히팅 장치의 사용예를 설명한다.Hereinafter, a use example of the heating apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6.

예를 들어 LCD제조공정을 수행하기 위해 챔버(200)의 일측면에 구비된 배출공(210)을 통해 외부에 구비된 펌프(P)를 구동시켜 챔버(200) 내부의 공기를 빼내 진공상태로 유지시킨 상태에서, 외부의 전원을 투입하여 히트파이프(22a)를 가열시키면 그 열은 히팅플레이트(20)의 상면에 전달되어 LCD와 같은 피가공물(100)를 가열시켜 주게 된다. 이때, 약 380℃를 유지하며 가열시켜 주면서 반응가스용기(220)의 반응가스가 가스유입구(230)를 통해 챔버(200) 내부로 투입되면서 진공증착하여 박막을 코팅시키게 된다.For example, in order to perform the LCD manufacturing process by driving the pump (P) provided on the outside through the discharge hole 210 provided on one side of the chamber 200 to extract the air inside the chamber 200 to a vacuum state In the maintained state, when the external power is turned on to heat the heat pipe 22a, the heat is transferred to the upper surface of the heating plate 20 to heat the workpiece 100 such as an LCD. At this time, the reaction gas of the reaction gas container 220 is introduced into the chamber 200 through the gas inlet 230 while maintaining and heating about 380 ° C. to coat the thin film by vacuum deposition.

이때, 상기 히터모듈(22)의 히트파이프(22a)가 가열되더라도 완충부(21b)에서 팽창되어 히팅플레이트(20)의 몸체(21)에 물리적인 압력이 가해지지 않게 되어 히팅플레이트(20)의 몸체(21)가 휘어지는 등의 변형을 방지할 수 있게 된다.At this time, even when the heat pipe 22a of the heater module 22 is heated, it is expanded in the buffer part 21b so that no physical pressure is applied to the body 21 of the heating plate 20. The body 21 can prevent deformation such as bending.

아울러, 히터모듈(22)의 열을 전달받는 히팅플레이트(20) 자체의 처짐 현상으로 인한 변형은 그 하부에 구비되어 지지하는 지지부재(30)가 견고히 지지해 주게 되어 히팅플레이트(20)의 변형을 2차적으로 방지해 주게 된다.In addition, the deformation caused by the deflection phenomenon of the heating plate 20 itself, which receives the heat from the heater module 22, is firmly supported by the support member 30 provided at the lower portion of the heating plate 20 to deform the heating plate 20. To prevent secondary.

이때, 지지부재(30)는 중앙부가 두껍고 가장자리가 얇아 가장자리의 자중(自重)이 적고 그 가장자리부분의 상부에 위치하는 히팅플레이트(20)의 하중은 지지부재(30)의 보강리브(34)에 의해 중앙부 쪽으로 치우치게 되어 히팅플레이트(20)의 처짐 또는 휘어짐 등을 방지할 수 있게 된다.At this time, the support member 30 has a thick central portion and a thin edge, so that the weight of the heating plate 20 located at the upper portion of the edge portion is small and the load is applied to the reinforcing rib 34 of the support member 30. By being biased toward the center portion, it is possible to prevent sagging or bending of the heating plate 20.

여기서, 상기 예는 LCD제조공정에 적용된 것만을 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 반도체 웨이퍼 증착공정이나 다양한 장치의 제조공정에 적용하여 사용이 가능하다.Here, the above example has only been applied to the LCD manufacturing process, but is not limited to this can be used in the semiconductor wafer deposition process or the manufacturing process of various devices.

이상과 같이 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 실시예와 실질적으로 균등의 범위에 있는 것까지 본 발명의 권리범위가 미친다.As described above, embodiments of the present invention have been described in detail, but the scope of the present invention is not limited thereto, and the scope of the present invention extends to the range substantially equivalent to the embodiments of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의한 히팅 장치는 히팅플레이트(20)를 제조시 그 몸체(21)의 하면에 직사각 형상인 안착홈(21a)을 형성하고 히터모듈(22)을 삽입고정하되 여분의 완충부(21b)가 형성되도록 하여 히터모듈(22)이 가열되어 팽창되더라도 히팅플레이트(20)에 영향을 주지 않게 되어 히팅플레이트(20)의 변형을 방지하고, 그 히팅플레이트(20)의 상부에 놓여지는 피가공물(100)을 가공시에 발생되는 불량율을 줄이는 효과가 있다.As described above, the heating device according to the present invention forms a rectangular recess 21a on the lower surface of the body 21 when manufacturing the heating plate 20 and inserts and fixes the heater module 22, but with extra buffering. The portion 21b is formed to prevent the heating plate 20 from being deformed even when the heater module 22 is heated and expanded to prevent deformation of the heating plate 20, and is placed on the heating plate 20. There is an effect of reducing the defective rate generated when processing the workpiece 100.

아울러, 그와 같은 히팅플레이트(20)의 하부에 지지부재(30)가 구비되어 히팅플레이트(20)가 가열됨으로 인해 가장자리부분의 처짐과 같은 변형을 2차적으로 방지되어 되어 그 상부에 놓여져 가공되는 제품의 불량율을 줄이는 효과가 있다.In addition, since the support member 30 is provided at the lower portion of the heating plate 20, the heating plate 20 is heated to prevent deformation such as sagging of the edge portion, thereby being placed and processed on the upper portion thereof. It can reduce the defective rate of the product.

Claims (5)

상면에 놓여지는 피가공물을 가열하는 히팅플레이트(20)와, 그 히팅플레이트(20)의 저면 중앙부를 지지하는 수직포스트(40)로 이루어지는 히팅 장치에 있어서;In the heating apparatus which consists of the heating plate 20 which heats the to-be-processed object put on the upper surface, and the vertical post 40 which supports the center part of the bottom surface of the heating plate 20; 상기 히팅플레이트(20)는;The heating plate 20 is; 판 형상으로 이루어지는 몸체(21)의 하면에 안착홈(21a)을 형성하고 히터모듈(22)을 삽입하여 고정하되 상기 히터모듈(22)의 단면적은 상기 안착홈(21a)의 단면적에 비해 작게 형성하여 상기 히터모듈(22)을 삽입시 완충부(21b)를 형성하고, 상기 히터모듈(22)이 삽입된 안착홈(21a)을 마감부재(24)로 밀폐시킨 것을 특징으로 하는 히팅장치.The mounting groove 21a is formed on the lower surface of the body 21 having a plate shape and the heater module 22 is inserted and fixed, but the cross-sectional area of the heater module 22 is smaller than the cross-sectional area of the mounting groove 21a. When the heater module 22 is inserted to form a shock absorbing portion (21b), the heating device, characterized in that the seating groove (21a) is inserted into the heater module 22 is sealed with a closing member (24). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 히터모듈(22)은 스테인리스 스틸(STAINLESS STEEL; SUS)로 이루어지며 그 단면이 원형인 히트파이프(22a)와, 상기 히트파이프(22a)의 외측에 구비되는 알루미늄 재질의 커버체(22b,22b')로 이루어지는 것을 특징으로 하는 히팅 장치.The heater module 22 is made of stainless steel (SUS) and has a circular heat pipe 22a having a circular cross section, and an aluminum cover body 22b and 22b provided outside the heat pipe 22a. ') Consisting of a heating device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 완충부(21b)는 에어(air) 또는 충진재 중에 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 히팅장치.The buffer unit (21b) is a heating device, characterized in that made of any one of air (air) or filler. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 히팅플레이트(20)의 하부를 받쳐주며 상기 수직포스트(40)의 상단부에 그 하부가 고정되는 지지부재(30)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 히팅 장치.A heating device for supporting a lower portion of the heating plate (20) and the lower end is fixed to the upper end of the vertical post (40) is further provided. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 지지부재(30)는 중앙부가 외측 가장자리 부분에 비해 상대적으로 두껍게 형성하여 가장자리 쪽으로 상향하도록 경사진 형상으로 이루어지며, 그 하부에는 다수의 보강리브(34)가 중앙부에서 가장자리쪽으로 방사상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 히팅 장치.The support member 30 is formed in an inclined shape so that the center portion is formed thicker than the outer edge portion and upwards toward the edge portion, and a plurality of reinforcing ribs 34 are formed radially from the center portion toward the edge portion thereof. Heating device characterized in that.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419534B1 (en) * 2013-04-26 2014-07-14 (주)위지트 A Susceptor And The Manufacturing Method Thereof
KR20150114043A (en) * 2014-03-31 2015-10-12 주식회사 원익아이피에스 Substrate process apparatus

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100512260B1 (en) * 2003-06-25 2005-09-05 주식회사 좋은기술 Semiconductor heating system and its control method
KR20050099447A (en) * 2004-04-10 2005-10-13 김응천 Heater assembly device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419534B1 (en) * 2013-04-26 2014-07-14 (주)위지트 A Susceptor And The Manufacturing Method Thereof
KR20150114043A (en) * 2014-03-31 2015-10-12 주식회사 원익아이피에스 Substrate process apparatus

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