KR20070061349A - 금속막 식각용액 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 금속막 식각용액에 관한 것으로서, 조성물의 총 중량에 대해 8 내지 31중량%의 과산화수소수와; 조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량%의 할로겐 계열 첨가제와; 조성물의 총 중량에 대해 59 내지 91.9중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 금속막 식각용액으로, 인듐산화막, 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각할 경우, 매우 양호한 식각특성을 제공할 수 있다. 더욱이, 액정표시장치용 어레이기판의 제조시 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 사용하는 경우 기판의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있고, 얼룩발생을 방지할 수 있다.
액정표시장치용 어레이기판, 금속막, 식각, 과산화수소수, 할로겐 계열 첨가제.
Description
도 1a 내지 도 1f는 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 제조과정을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 몰리브덴 단일막을 식각한 후, 표면의 주사전자현미경 사진,
도 3은 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 몰리브덴/알루미늄합금 이중막을 식각한 후, 표면의 주사전자현미경 사진,
도 4는 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 인듐산화막을 식각한 후, 표면의 주사전자현미경 사진,
도 5 및 도 6는 비교예 4에 따른 식각용액으로 처리한 후의 몰리브덴 단일막 및 몰리브덴/알루미늄합금 이중막의 전자주사현미경 사진이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 기판 20 : 금속층
20a : 게이트 전극 30 : 게이트 절연층
40 : 엑티브층 41 : 옴익콘텍층
50 : 소스전극 51 : 드레인전극
60 : 절연막 70 : 화소전극
본 발명은, 금속막 식각용액에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 인듐산화막, 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각할 수 있는 금속막 식각용액에 관한 것이다.
일반적인 평판디스플레이장치로는 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD) 보급형 액정표시장치(STN-LCD)등을 들 수 있다.
이러한 평판디스플레이장치의 박막트랜지스터는 게이트전극, 소스 전극 및 드레인전극를 포함하며, 드레인전극을 통해 들어오는 신호는 투명한 금속으로 마련된 화소전극에 의해 직접 액정 측에 전달된다.
여기서, 게이트전극, 소스 전극 및 드레인전극은 알루미늄을 많이 사용하는데, 순수한 알루미늄은 화학약품에 대한 내식성이 약하고 후속공정에서 배선 결함문제를 야기할 수도 있으므로, 이를 보완하기 위해 알루미늄합금을 사용하거나 알루미늄 또는 알루미늄합금 위에 또 다른 금속층 예를 들어 몰리브덴, 크롬, 텅스텐, 주석 등의 금속층을 적층시킨 다중층을 사용하기도 한다. 특히, 보급형 액정표시장치(STN-LCD)의 경우 투과형과 반사형 두 가지 형태가 있는데, 이중 반사형은 구동 배선 형성 시 삼중막을 사용한다.
기판 소재상에 증착된 이러한 다중층은 식각을 통하여 배선으로 패터닝된다. 식각에는 건식식각과 습식식각이 있는데, 균일하게 식각되고 생산성이 높은 습식식각이 많이 사용된다.
이러한 습식식각에 사용되는 식각용액의 한 예로서, 인산, 질산, 아세트산 및 물을 포함하는 에칭용액을 사용하여 Mo/Al-Nd 이중층을 식각하는 기술이 본 출원인에 의해 한국등록특허 제0330582호에 제시된 바 있다.
여기서, 에칭용액의 인산, 질산 및 아세트산의 조성비를 특정하게 변화시킴으로써, 상부 몰리브덴층이 하부 알루미늄합금층의 외부로 돌출되는 단면을 갖게 되는 불량한 프로파일이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 추가의 건식 식각이 필요하지 않을 정도로 우수한 프로파일을 수득할 수 있게 된다.
그런데, 최근 박막트랜지스터 액정표시장치의 대중화 및 저가화가 가속되면서 기판의 크기가 급격하게 증가하고 있는 추세이다. 이에 기존 인산, 질산, 아세트산의 화합물로 구성된 에칭용액은 인산의 함량이 높아 점도가 크므로 기판의 크기가 큰 경우 기판 위에서의 유동성이 떨어지게 되고 기판 전체적으로 고르게 퍼지지 못하고 일부분에 모이게 된다. 이는 식각의 균일성을 떨어뜨려 중심부와 말단부의 식각프로파일이 상이하게 나타나며 얼룩이 형성되는 문제점을 일으킨다.
이에 본 출원인은 인산, 질산 및 아세트산의 조성비를 특정하게 변화시켜 금속막을 식각하였던 종래 에칭용액과 달리, 과산화수소수와 할로겐 계열의 첨가제의 조성비를 특정하게 조절하여서 점도가 낮고 기판 위에서의 유동성이 우수하여 기판의 크기가 커져도 전체적인 식각균일성이 매우 양호한 식각특성을 제공할 수 있는 금속막 식각용액을 개발하기에 이르렀다.
또한, 현재 평판디스플레이장치 제조에 있어서 원가절감 및 공정운영상의 안정성 확보를 위해 상기 제시한 여러가지 금속배선 모두에 적용할 수 있는 하나의 식각용액에 대한 개발이 요구 되어진다.
이에 본 출원인은 과산화수소수와 할로겐 계열의 첨가제의 조성비를 조절함으로써 하나의 식각용액으로 게이트 전극으로 사용되는 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각하는 식각용액은 물론, 소스 전극 및 드레인전극으로 사용되는 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각하는 식각용액, 화소전극으로 사용되는 인듐주석산화막(ITO), 인듐아연산화막(IZO), 비결정질 인듐주석산화막(a-ITO)등의 인듐산화막 배선을 형성하는 식각용액으로 사용될 수 있는 금속막 식각용액을 개발하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 과산화수소수와 할로겐 계열 첨가제를 포함함에 따라 금속막 식각 시 매우 양호한 식각특성을 제공할 수 있으며, 액정표시장치용 어레이기판의 제조 시 기판의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있고, 얼룩발생을 방지할 수 있는 금속막 식각용액을 제공함은 물론, 하나의 식각용액으로써 게이트전극, 소스전극, 드레이전극, 화소전극 등 여러 종류의 배선을 형성하는데 사용할 수 있는 금속막 식각용액을 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 조성물의 총 중량에 대해 8 내지 31중량%의 과산화수소수와; 조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량%의 할로겐 계열 첨가제와; 조성물의 총 중량에 대해 59 내지 91.9중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각용액에 의해 달성된다.
여기서, 상기 할로겐 계열 첨가제는 HF, (NH4)F, (NH4)HF2, KF, NaF, MgF2, AlF3, HCl, (NH4)Cl, KCl, NaCl, MgCl2, FeCl3, AlCl3, HBr, (NH4)Br, KBr, NaBr, MgBr2, AlBr3, HI, (NH4)I, KI, NaI, MgI2 및 AlI3 로 구성된 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
그리고, 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
또한, TFT-LCD와 STN-LCD 중 어느 하나의 게이트전극, 소스전극, 드레인전극 및 화소전극 형성용 다층 또는 단일 금속막의 식각에 사용되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 목적은, 본 발명에 따라, (a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계와; (b)상기 금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와; (c)상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계와; (d)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계와; (e)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와; (f)상기 소스 및 드레인전극 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 (b)단계, (e)단계 및 (f)단계 중 적어도 어느 한 단계에서는 상기 금속막 식각용액으로 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법에 의해서도 달성된다.
상기 (b)단계에서 상기 금속층은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막인 것이 바람직하다.
상기 (e)단계에서 상기 소스 및 상기 드레인전극은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 상기 금속막 식각용액으로 식각하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 (f)단계에서 상기 화소전극은 인듐산화막을 상기 금속막 식각용액으로 식각하여 형성하는 것이 바람직하다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 금속막 식각용액은, STN-LCD 또는 TFT-LCD의 화소전극용으로 사용되는 인듐산화막, STN-LCD 또는 TFT-LCD의 게이트전극, 소스전극, 드레인전극으로 사용되는 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각하기 위한 용액이다.
여기서, 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막으로는 그 형태가 다양하며, Al, Mo, Al-Nd 및 Mo-W 등의 단일막과; Mo/Al-Nd, Mo-W/Al 등의 이중막과; Mo/Al/Mo, Mo/Al-Nd/Mo 및 Mo-W/Al/Mo-W 등의 삼중막 등을 예로 들 수 있다.
그리고, 알루미늄합금이나 몰리브덴합금은 알루미늄이나 몰리브덴을 주성분으로 하여 Nd, W, Ti, Cr, Ta, Hf, Zr, Nb 및 V 등의 다른 금속을 포함하는 합금 형태와; 몰리브덴이나 알루미늄의 질화물, 규화물, 탄화물 형태와; 알루미늄합금이나 몰리브덴합금의 질화물, 규화물, 탄화물 형태 등 다양할 수 있다.
또한, 화소전극을 형성하는데 사용되는 인듐산화막의 예로서 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide, 이하 'IZO'로 칭함)막, 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide, 이하 'ITO'로 칭함)막 등을 들 수 있다.
여기서, IZO 는 In2O3 와 ZnO 가 적정비율로 혼합되어 있는 산화물이고, ITO는 In2O3와 SnO2가 적정비율로 혼합되어 있는 산화물이며, ITO의 경우 스퍼터링 및 어닐링 방법에 따라 결정질과 비결정질로 구분된다.
이러한 금속막 등을 식각하는 본 발명에 따른 금속막 식각용액은 조성물의 총 중량에 대해 8 내지 31중량%의 과산화수소수, 조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량%의 할로겐 계열 첨가제 및 조성물의 총 중량에 대해 59 내지 91.9중량%의 물을 포함한다. 그리고 필요에 따라, 소량의 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 등을 첨가할 수 있다.
과산화수소수는 주산화제로서, 8중량% 미만인 경우 식각력이 부족하여 충분한 식각이 이루어지지 않을 수 있으며, 특히, 식각공정이 연속적으로 진행되는 과정에서 일정부분의 과산화수소수가 분해되어 물로 변하게 되므로 과산화수소수의 함량이 감소하게 되고, 이에 식각능력이 저하되어 충분한 정도의 매수(식각대상이 되는 기판의 장수)를 처리할 수 없게 된다.
또한, 과산화수소수가 31중량%를 초과하는 경우 식각력이 과다하여 식각된 금속막이 전극으로서의 역할을 수행하지 못하게 될 수 있다. 과산화수소수의 함량이 높으면 높을 수록 분해 반응이 쉽게 일어나므로, 과산화수소수가 과량인 경우 매우 급격한 분해 반응이 일어날 뿐만 아니라 이로 인해 급격한 온도 상승이 일어날 수 있다.
할로겐 계열 첨가제는 식각도움제로서 식각이 일어나는 과정 중에서 일부 부족한 식각력을 보완하여 잔사 및 불량한 프로파일이 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
여기서, 할로겐 계열 첨가제는 무기할로겐화물로서, 할로겐족원소인 F-, Cl-, Br-, I- 를 포함하는 화합물인 것이 바람직하다.
예로서, HF, (NH4)F, (NH4)HF2, KF, NaF, MgF2, AlF3, HCl, (NH4) Cl, KCl, NaCl, MgCl2, FeCl3, AlCl3, HBr,(NH4)Br, KBr, NaBr, MgBr2, AlBr3,HI ,(NH4)I, KI, NaI, MgI2 및 AlI3등을 들 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다.
물은 특별히 한정되는 것은 아니나, 탈이온수가 바람직하다. 더욱 바람직하게는 물의 비저항 값(즉, 물속에 이온이 제거된 정도)이 18㏁/㎝이상인 탈이온수를 사용하는 것이다.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예 1 내지 실시예 5를 구체적으로 설명하기 로 한다. 그러나, 본 발명이 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 내지 5
몰리브덴(Mo) 단일막, Mo/Al-Nd이중막, 비결정질 ITO단일막 기판을 준비하였다. 과산화수소수, (NH4)F 및 잔량의 물을 표 1에 기재된 전체 조성물의 총 중량에 대한 조성비로 함유하는 식각액을 180kg이 되도록 제조하였다. 분사식 식각 방식의 실험장비(KDNS사 제조, 모델명: ETCHER(TFT)) 내에 제조된 식각액을 넣고 온도를 30℃로 세팅하여 가온한 후, 온도가 30 ± 0.5℃에 도달하면 식각 공정을 수행하였다. O/E(Over Etch)를 패드부분의 EPD(End Point Detection)를 기준으로 하여 30%를 주어 실시하였다. 기판을 넣고 분사를 시작하여 식각이 종료되면 꺼내어 탈이온수로 세정한 후, 열풍건조장치를 이용하여 건조하고, 포토 레지스트(PR) 박리기(stripper)를 이용하여 포토 레지스트를 제거하였다. 세정 및 건조 후 전자주사현미경 (SEM ; HITACHI사 제조, 모델명: S-4700)을 이용하여 식각 프로파일을 경사각, 사이드 식각 CD (critical dimension) 손실, 식각 잔류물 등으로 평가하였다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
- 우수: 형성된 배선의 직선이며, 식각잔사가 남지 않는 경우
- 양호: 형성된 배선의 직선성이 좋으며, 식각잔사가 남지 않는 경우
- 불량: 형성된 배선의 직선성이 나쁘며, 식각잔사가 존재하는 경우
[표 1]
표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예1 내지 실시예5에 따른 금속막 식각용액을 사용하여 식각하면, 양호한 식각특성을 제공함을 확인할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 몰리브덴 단일막을 식각한 후 표면의 주사전자현미경 사진(실시예 3, 도 2참조)과, 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 몰리브덴/알루미늄합금 이중막을 식각한 후 표면의 주사전자현미경 사진(실시예 3, 도 3참조)과, 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 인듐산화막을 식각한 후 표면의 주사전자현미경 사진(실시예 3, 도 4참조)를 통해서도 확인할 수 있다. 즉, 기판 전체에서 몰리브덴 단일막, 몰리브덴/알루미늄합금 이중막 및 인듐산화막을 각각 관찰한 결과 도 2 내지 도 4에 나타난 바와 같이, 식각프로파일이 균일한 것을 볼 수 있다.
그리고, 인산, 질산, 초산의 화합물로 구성된 종래의 식각액의 경우 인산의 함량이 높아 점도가 크고, 이로 인해 식각액의 유동성이 현저하게 떨어지는 문제점이 있어 기판의 크기가 크면 기판 상부에 식각액이 고르게 퍼지지 못하여 일부분에 모여있는 현상이 발생할 수 있는 것과는 달리, 본 발명에 따른 금속막 식각용액은 인산이 포함되지 않고 점도가 낮아 식각용액의 유동성이 좋으며, 이에 따라 기판 전체에 고르게 퍼질 수 있는 장점이 있고, 따라서 식각균일성을 유지할 수 있으며, 식각 불균일에 의한 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
또한, 식각공정시 스프레이를 하기 위해 40℃ 이상의 고온 조건에서 사용해야 하는 종래의 식각액과는 달리, 본 발명에 따른 금속막 식각용액은 실온 또는 30℃ 정도에서도 사용 가능하다. 즉, 인산, 질산, 초산으로 구성된 종래의 식각액의 경우 인산의 함량이 높기 때문에 점도가 매우 커서 온도가 높지 않으면 스프레이가 되지 않으나, 본 발명에 따른 금속막 식각용액은 인산이 포함되지 않고 물 이외의 성분들도 함량이 낮기 때문에 점도가 낮고 낮은 온도에서도 스프레이가 가능한 것이다.
비교예 1 내지 4
본 발명에 따른 실시예 1 내지 실시예 5와 대비되는 비교예 1 내지 비교예 4의 식각결과를 표 2에 나타내었다. 여기서, 비교예 1 내지 비교예 4는 실시예 1 내지 실시예 5와 동일한 방식으로 식각공정을 수행하였다.
[표 2]
이와 같이, 표 2를 통해 비교예 1 내지 비교예 4에 따른 식각용액은 충분히 식각을 수행할 수 없음을 확인할 수 있다. 이는 비교예 4에 따른 식각용액으로 식각을 한 후의 몰리브덴 단일막과, 몰리브덴/알루미늄합금 이중막의 전자주사현미경 사진(도 5 및 도 6참조)을 통해서도 확인할 수 있다. 비교예 4의 결과도인 도 5에 나타난 바와 같이 몰리브덴 단일막은 완전히 식각되지 못하여 잔사가 남고 식각면이 지저분하며, 비교예 4의 결과도인 도 6에 나타난 바와 같이 몰리브덴/알루미늄합금 이중막은 상부 몰리브덴이 충분히 식각되지 못하여 하부 알루미늄합금 보다 튀어나오는 현상이 발생함을 확인할 수 있다. 또한, 비교예 4의 비결정질-ITO의 식각결과는 형성된 배선의 직선성이 양호하며, 잔사 또한 남지 않았으나, 하부 유리기판의 손상이 심하게 나타났다.
한편, 이하에서는 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 제조과정을 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 금속막 식각용액을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 제조 방법은 (a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계와; (b)금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와; (c)게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계와; (d)게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계와; (e)반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와; (f)소스 및 드레인전극 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
도 1a 내지 도 1f를 참조하여, 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1a에 도시된 바와 같이 기판(10)상에 스퍼터링법으로 금속층(20)을 증착한 후, 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 식각하여, 도 1b에 도시된 바와 같이 게이트전극(20a)을 형성한다. 여기서, 기판상(10)에 증착되는 금속층(20)은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막으로 마련되는 것이 바람직하며, 본 실시예에서 금속층(20)을 기판(10) 상에 형성하는 방법으로 스퍼터링법을 사용하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 형성된 게이트전극(20a) 상부에 질화실리콘(SiNX)을 증착하여 게이트 절연층(30)을 형성한다. 여기서, 게이트 절연층(30)을 질화실리콘(SiNx)으로 형성한다고 설명하였으나 이에 한정되는 것이 아니라 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 각종 무기절연물질중에서 선택된 물질을 사용하여 게이트 절연층(30)을 형성할 수 있다.
게이트 절연층(30)상에 화학증기증착(CVD)방법을 이용하여 반도체층(40, 41) 을 형성한다. 즉, 순차적으로 엑티브층(active layer)(40)과 옴익콘텍층(ohmic contact layer)(41)을 형성한 후, 건식식각을 통해 도 1d에 도시된 바와 같이, 패턴을 형성한다.
여기서, 엑티브층(40)은 일반적으로 순수한 비정질 실리콘 (a-Si:H)으로 형성하고, 옴익콘텍층(41)은 불순물이 포함된 비정질 실리콘 (n+a-Si:H)으로 형성한다. 이러한 엑티브층(40)과 옴익콘텍층(41)을 형성할 때 화학증기증착(CVD)방법을 이용한다고 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 옴익콘텍층(41) 위에 스퍼터링법을 통해 금속층을 증착하고 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 식각하여 도 1e에 도시된 바와 같이, 소스전극(50)과 드레인전극(51)을 형성한다. 여기서, 금속층은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막으로 마련되는 것이 바람직하다.
소스 전극(50)과 드레인 전극(51)이 형성된 기판(10) 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연그룹 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 유기절연물질 그룹 중 선택하여 단층 또는 이중층으로 절연막(60)을 형성한 후, 절연막(60)이 형성된 기판(10)의 전면에 스퍼터링법을 통해 인듐산화막[ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide)]과 같은 투명한 도전물질을 증착하고 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로 식각하여, 도 1f에 도시된 바와 같이, 화소전극(70)을 형성한다.
이와 같이, 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법에 있어서, 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 사용하는 경우 기판(10)의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있어, 얼룩발생을 방지할 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 금속막 식각용액으로, 인듐산화막, 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막을 식각할 경우, 매우 양호한 식각특성을 제공할 수 있다. 더욱이, 액정표시장치용 어레이기판의 제조 시 본 발명에 따른 금속막 식각용액을 사용하는 경우 기판의 크기가 커도 식각균일성을 유지할 수 있고, 얼룩발생을 방지할 수 있다.
Claims (8)
- 조성물의 총 중량에 대해 8 내지 31중량%의 과산화수소수와;조성물의 총 중량에 대해 0.1 내지 10중량%의 할로겐 계열 첨가제와;조성물의 총 중량에 대해 59 내지 91.9중량%의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각용액.
- 제1항에 있어서,상기 할로겐 계열 첨가제는 HF, (NH4)F, (NH4)HF2, KF, NaF, MgF2, AlF3, HCl, (NH4)Cl, KCl, NaCl, MgCl2, FeCl3, AlCl3, HBr, (NH4)Br, KBr, NaBr, MgBr2, AlBr3, HI, (NH4)I, KI, NaI, MgI2 및 AlI3 으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속막 식각용액.
- 제1항에 있어서, 식각조절제, 계면활성제, 금속 이온 봉쇄제, 부식 방지제 및 pH 조절제 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 식각용액.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,TFT-LCD와 STN-LCD 중 어느 하나의 게이트전극, 소스전극, 드레인전극 또는 화소전극 형성용 다층 또는 단일 금속막의 식각에 사용되는 것을 특징으로 하는 금 속막 식각용액.
- (a)기판 상에 금속층을 형성하는 단계와;(b)상기 금속층을 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와;(c)상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계와;(d)상기 게이트 절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계와;(e)상기 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와;(f)상기 소스 및 드레인전극 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 (b)단계, (e)단계 및 (f)단계 중 적어도 어느 한 단계에서는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 금속막 식각용액으로 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 (b)단계에서 상기 금속층은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련되는 단일막 또는 다층막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 (e)단계에서 상기 소스 및 상기 드레인전극은 알루미늄, 알루미늄합금, 몰리브덴 및 몰리브덴합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 마련 되는 단일막 또는 다층막을 상기 금속막 식각용액으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
- 제5항에 있어서,상기 (f)단계에서 상기 화소전극은 인듐산화막을 상기 금속막 식각용액으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법.
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