KR20070058235A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 정면도.1 is a front view showing a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 평면도.2 is a plan view showing a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 트랜스퍼챔버를 나타내는 정면도.Figure 3 is a front view showing a transfer chamber which is a major part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 평면도.Figure 4 is a plan view showing a transfer arm of the wafer transfer unit which is the main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 정면도.5 is a front view showing a transfer arm of a wafer transfer unit, which is a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 평면도.Figure 6 is a plan view showing a cover opening and closing the main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 정면도.Figure 7 is a front view showing the cover opening and closing the main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 로드락챔버와 수납이송부를 나타내는 정면도.Figure 8 is a front view showing a load lock chamber and a storage transfer unit of the main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 나타내는 측면도.9 is a side view showing a clean room which is a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.
도 10은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 일부절개하여 확대한 일부절개 확대도.10 is an enlarged partial cutaway view of a partially cut clean room which is a main part of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* * Explanation of symbols for main parts of drawings *
100 : 제조설비 110 : 트랜스퍼챔버100: manufacturing equipment 110: transfer chamber
111 : 챔버바디 112 : 웨이퍼공급부111
113 : 웨이퍼센서 114 : 챔버클램프113: wafer sensor 114: chamber clamp
115 : 커버 116 : 커버클램프115: cover 116: cover clamp
117 : 트랜스포도어 118 : 도어센서117: transfordoor 118: door sensor
119 : 진공펌프 120 : 웨이퍼이송부119: vacuum pump 120: wafer transfer unit
121 : 트랜스퍼암 122 : 웨이퍼안착부121: transfer arm 122: wafer seat
123 : 텐션조절구 124 : 조절나사123: tension adjustment knob 124: adjustment screw
125 : 리니어모터 126 : 리니어베이스125: linear motor 126: linear base
127 : 레벨베이스 128 : 락볼트127: level base 128: rock bolt
129 : 서포트볼트 130 : 웨이퍼회전부129: support bolt 130: wafer rotation part
131 : 중공축 132 : 스러스트베어링131: hollow shaft 132: thrust bearing
133 : 깊은홈볼베어링 134 : 회전축133: deep groove ball bearing 134: rotating shaft
135 : 회전모터 140 : 커버개폐부135: rotation motor 140: cover opening and closing
141 : 개폐암 142 : 개폐축141: opening and closing arm 142: opening and closing shaft
143 : 힌지베어링 144 : 완충스프링143: hinge bearing 144: buffer spring
145 : 스프링고정구 146 : 암고정블록145: spring fixture 146: arm fixing block
147 : 기어축 148 : 기어박스147: gear shaft 148: gearbox
149 : 구동구 150 : 로드락챔버149: drive port 150: load lock chamber
151 : 웨이퍼수납부 152 : 개폐도어151: wafer storage unit 152: opening and closing door
153 : 도어센서 154 : 클램프153: door sensor 154: clamp
155 : 진공펌프 156 : 수납위치감지센서155: vacuum pump 156: storage position sensor
157 : 레벨플레이트 160 : 수납이송부157: level plate 160: storage transfer unit
161 : 이송축 162 : 벨로우즈블록161: feed shaft 162: bellows block
163 : 볼부쉬 164 : 연결브라켓163: ball bush 164: connecting bracket
165 : 베어링 166 : 가이드165: Bearing 166: Guide
167 : 볼스크류 168 : 이송모터167: ball screw 168: feed motor
170 : 크린룸 171 : 챔버안치부170: clean room 171: chamber chamber
172 : 수납부 173 : 공기청정부172: storage 173: air cleaning
174 : 외벽 175 : 내벽174: outer wall 175: inner wall
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체를 공급하는 트랜스퍼챔버의 커버개폐를 용이하게 하면서 트랜스퍼암의 처짐을 방지하여 정확한 위치에서 이송하여 이송효율을 증대하고, 로드락챔버의 기밀구조를 향상하며, 로드락챔버의 외측에 형성된 크린룸을 이중벽 구조로 형성하여 기압차에 의한 외부 오염물질의 유입을 차단하여 생산성을 향상시킨 반도체 제조설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to facilitate the opening and closing of the cover of the transfer chamber for supplying the semiconductor, to prevent the deflection of the transfer arm to be transferred at the correct position to increase the transfer efficiency, the airtight of the load lock chamber The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility which improves the structure and improves productivity by forming a clean room formed on the outside of the load lock chamber in a double wall structure to block inflow of external contaminants due to a pressure difference.
일반적으로, 반도체를 제조하기 위해서 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판인 웨이퍼는 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은 것이다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.In general, a wafer, which is a thin silicon plate on which an integrated circuit is manufactured to manufacture a semiconductor, is made by thinly cutting single crystal silicon and smoothing the surface. The surface of the wafer must be free of defects and contamination, as well as affect the accuracy of the circuit, requiring a high degree of flatness. In recent years, the disk-shaped thing of thickness 0.3mm and diameter 15cm is used.
상기와 같이 구성되는 웨이퍼를 이용한 반도체 제조공정을 살펴보면 다음과같다. Looking at the semiconductor manufacturing process using a wafer configured as described above are as follows.
반도체소자의 제조공정은 제조하고자 하는 반도체소자에 따라 조금씩 공정이 추가될 것이나, 기본적으로 18단계의 공통과정에 의하여 제조된다. The manufacturing process of the semiconductor device will be added step by step depending on the semiconductor device to be manufactured, but is basically manufactured by a common process of 18 steps.
먼저, 단결정성장공정은 고순도로 정제된 실리콘 용융액에 시드(Seed) 결정을 접촉하고 회전시키면서 단결정규소봉(Ingot)을 성장시키고, 성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라내는 규소봉절단공정을 거쳐서, 는 웨이퍼의 한쪽면을 연마(Polishing)하여 거울면처럼 만들어주며, 이 연마된 면에 회로패턴을 형성하는 웨이퍼 표면연마공정을 거친다.First, in the single crystal growth process, silicon rod cutting is performed in which a single crystal silicon rod is grown while contacting and rotating a seed crystal to a highly purified silicon melt and cutting the grown silicon rod into a thin wafer having a uniform thickness. Through the process, is polished one side of the wafer (Polishing) to make it like a mirror surface, and the surface of the wafer is polished to form a circuit pattern.
상기와 같이 표면이 연마된 웨이퍼는 CAD(Computer Aided Design)시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을 설계하고, 설계된 회로 패턴을 유리판 위에 그려 마스크를 만드는 마스크(Mask)제작 공정을 거쳐서, 800~1200??의 고온에서 산소나 수증기를 성 산화(Oxidation)공정에서 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)을 형성한 상태로 감광액 도포(Photo Resist Coating)공정에서 빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 웨이퍼 표면에 고르게 도포시킨다.As described above, the wafer whose surface is polished uses a CAD (Computer Aided Design) system to design a circuit pattern to be drawn on the electronic circuit and the actual wafer, and a mask manufacturing process for making a mask by drawing the designed circuit pattern on a glass plate. In the photoresist coating process, a thin and uniform silicon oxide film (SiO2) is formed by chemically reacting oxygen or water vapor with the silicon wafer surface in the oxidation process at a high temperature of 800 to 1200 ° C. A photosensitive liquid (PR), a light sensitive material, is evenly applied to the wafer surface.
이렇게, 감광액이 도포된 웨이퍼를 노광기(Stepper)를 사용하여 마스크에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 노광(Exposure)공정을 거쳐서, 현상(Development)공정에서 웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시킨 상태로, 회로패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 가스를 사용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거시키는 식각(Etching)공정을 거친다. In this way, the photosensitive liquid-coated wafer is passed through a circuit pattern drawn on a mask using an exposure step, and then subjected to an exposure process in which the circuit pattern is photographed on the wafer on which the photosensitive film is formed. With the film of the lighted part developed on the surface, an etching process is performed to selectively remove unnecessary parts using chemicals or reactive gases to form a circuit pattern.
상기와 같이, 식각공정 거친 웨이퍼는 이온주입(Ion Implantation)공정에서 회로패턴과 연결된 부분에 불순물을 미세한 가스입자 형태로 가속하여 웨이퍼의 내부에 침투시킴으로써 전자소자의 특성을 만들어 주며, 이러한 불순물주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 확산공정에 의해서도 이루어진다. As described above, a wafer having a rough etching process accelerates impurities into fine gas particles in a portion connected to a circuit pattern in an ion implantation process and penetrates into the wafer to create characteristics of an electronic device. It is also performed by a diffusion process in which impurity particles are diffused into a wafer and injected in a high temperature electric furnace.
이렇게, 전자소자의 특성을 만든 웨이퍼에 절연막이나 전도성 막을 증착하는 기술은 일반적으로 반응가스간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착하여 절연막이나 전도성막을 형성시키는 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)방법을 주로 사용하였으나, 최근에는 나노기술의 발달로 인해 화학적으 로 달라붙는 현상을 이용해 웨이퍼 표면에 분자를 흡착시킨 후 치환시켜 흡착과 치환을 번갈아 진행하기 때문에 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있는 특징이 있으며, 또 CVD보다 낮은 온도(500도 이하)에서 우수한 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합한 원자층증착(ALD:Atomic Layer Deposition)방법을 사용하고 있다.As such, a technique of depositing an insulating film or a conductive film on a wafer having characteristics of an electronic device generally involves chemical vapor deposition (CVD), which forms an insulating film or a conductive film by depositing particles formed by a chemical reaction between reaction gases on a wafer surface. The method was mainly used, but recently, due to the development of nanotechnology, molecules are adsorbed on the surface of the wafer using chemically adhering phenomena and then replaced by adsorption and substitution, thereby making it a very fine layer-by-layer. It is capable of depositing and stacking oxide and metal thin film as thin as possible. Also, it is able to form excellent film quality at lower temperature than CVD (500 degrees or less), and is suitable for system-on-chip (SoC) manufacturing. Atomic Layer Deposition method is used.
상기와 같이, 웨이퍼의 표면에 박막을 증착시킨 상태에서 웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄이나 구리선으로 연결시키는 금속배선(Metallization)공정을 거쳐서, 불량품을 선별하여 웨이퍼를 절단시켜 칩을 접착하고 금선으로 연결 밀봉하여 반도체소자를 완성한다.As described above, in the state of depositing a thin film on the surface of the wafer, through a metallization process of connecting each circuit formed on the surface of the wafer with aluminum or copper wire, the defective product is selected, the wafer is cut, the chips are bonded, and the gold wire The sealing is completed to complete the semiconductor device.
이와 같이, 반도체 소자를 생산하는 제조설비 중에 웨이퍼에 식각, 산화, 애칭 및 증착작업을 수행하기 위해서 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼챔버를 형성하여 웨이퍼를 이물질의 혼입없이 각 공정을 수행하도록 내부에 진공을 형성한 로드락챔버에 공급하여 각 공정에 맞게 고진공과 고온의 환경에서 웨이퍼를 가공한다. As such, a transfer chamber is formed to transfer wafers for etching, oxidation, nicking, and deposition on the wafers in a manufacturing facility for manufacturing semiconductor devices, thereby forming a vacuum inside the wafer so as to perform each process without incorporation of foreign matter. It is supplied to a load lock chamber to process wafers in high vacuum and high temperature environments for each process.
상기와 같은, 웨이퍼를 트랜스퍼챔버 내부에 수납한 상태로 웨이퍼를 로드락챔버 측으로 이송하기 위해서 안치하여 회전하는 트랜스퍼암은 웨이퍼를 안치한 상태로 공급위치로 회전하여 리니어모터의 조작으로 로드락챔버 측으로 직선이동하면서 웨이퍼를 공급하는 것으로, 플레이트에 고정된 트랜스퍼 암을 회전과 직선공정을 반복하면서 발생되는 미세한 레벨 변경차를 조정하기 어려워 생산이 계속 될수록 이송 위치에 미세한 변화가 커져서 웨이퍼가 로드락챔버의 수납측에 이송되면서 표면에 손상이 발생되는 문제점이 있었다.As described above, the transfer arm, which is placed and rotated to transfer the wafer to the load lock chamber with the wafer stored inside the transfer chamber, rotates to a supply position with the wafer settled, and is linear to the load lock chamber by the operation of a linear motor. By supplying the wafer while moving, it is difficult to adjust the minute level change difference generated by repeating the rotation and linear process of the transfer arm fixed on the plate. As the production continues, the minute change is increased and the wafer is stored in the load lock chamber. There was a problem that damage occurs on the surface while being transferred to the side.
또한, 종래의 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 이송 공급하는 트랜스퍼암은 중앙에 형성된 회전부를 중심으로 회전모터에 의해 계속 중량물인 웨이퍼를 안치한 상태로 회전하여 리니어모터의 조작으로 직선이동하여 로드락챔버로 공급됨으로써, 계속되는 중량물의 이송으로 인해 중앙에 고정된 트랜스퍼암의 처짐현상이 발생하여 일정한 주기가 되면 교체하여야 함에 따라 유지보수 비용이 발생하고, 교체하지 않고 처짐현상이 지속되면 웨이퍼가 정확하게 이송되지 않아 불량이 발생하는 문제점이 있었다.In addition, the transfer arm that transfers and supplies the wafer of the conventional transfer chamber is rotated while the heavy wafer is placed by the rotating motor around the rotating part formed at the center, and is linearly moved by the operation of the linear motor to be supplied to the load lock chamber. However, due to the continuous transfer of heavy materials, deflection of the transfer arm fixed in the center occurs, maintenance costs are incurred due to replacement at regular intervals, and if the deflection is continued without replacement, the wafer is not transferred correctly. There was a problem that occurred.
그리고, 종래의 트랜스퍼챔버의 상부에 클램프로 고정하여 트랜스퍼챔버 내부를 진공화 시키도록 형성한 커버는 중량물에 진공유지를 위해서 하부에 기밀부재를 형성되어 급격한 개폐로 기밀부재가 충격에 의해 파손되거나 틈이 발생하면 진공이 되지 않아 교체하여야 하는 어려운 문제점이 있었다.In addition, the cover formed by clamping the upper portion of the conventional transfer chamber to vacuum the inside of the transfer chamber is formed with an airtight member at the bottom for maintaining the vacuum on the heavy material, and the airtight member is broken or broken by an impact due to a sudden opening and closing. If this occurs, there is a difficult problem that must be replaced because the vacuum is not.
또한, 종래의 진공으로 형성된 로드락챔버의 내측으로 복수의 웨이퍼를 수납하도록 상하 이송되는 웨이퍼수납부의 이송축은 로드락챔버의 진공환경에서 웨이퍼가 수납되도록 수납구를 상하로 이송하여야 함으로써, 상하로 이송되는 이송축에서 강한압력으로 진공상태를 유지하는 부분에 누출이 발생하여 진공환경의 유지가 어려워 제품의 불량이 발생하는 문제점이 있었다. In addition, the transfer shaft of the wafer storage portion that is vertically conveyed to accommodate the plurality of wafers inside the load lock chamber formed by the conventional vacuum must be transferred up and down so that the wafer is accommodated up and down so as to accommodate the wafer in the vacuum environment of the load lock chamber. There was a problem in that a defect occurred in the product which is difficult to maintain the vacuum environment due to leakage occurs in the portion to maintain the vacuum state at a strong pressure in the feed shaft.
아울러, 종래의 로드락챔버에서 언로딩되는 웨이퍼의 불순물의 혼입을 최소화 하도록 외측에 형성된 크린룸은 진공에서 초진공상태로 변환되면서 기압차로 인해 불순물이 급격하게 유입되어 제품에 질을 저하시키는 문제점이 있었다. In addition, the clean room formed on the outside to minimize the incorporation of impurities in the wafer unloaded in the conventional load lock chamber has a problem in that the impurities are rapidly introduced due to the pressure difference while deteriorating the product due to the pressure difference. .
이와 같은, 문제점을 해결하고자 안출된 본 발명의 주목적은 반도체를 제조하는 제조설비인 트랜스퍼챔버와 로드락챔버에 기밀을 향상시키고 웨이퍼의 공급을 원활히 하도록 트랜스퍼암의 레벨과 수평조정이 가능하며, 트랜스퍼챔버의 상부에 형성된 커버의 개폐구조를 개선하여 생산성을 향상시키는데 있다.In order to solve the problems, the main purpose of the present invention is to improve the airtightness to the transfer chamber and the load lock chamber, which is a manufacturing equipment for manufacturing semiconductors, and to adjust the level and level of the transfer arm so as to facilitate the supply of wafers. It is to improve the productivity by improving the opening and closing structure of the cover formed on the top of the chamber.
이와 같은, 목적을 달성하고자 안출된 본 발명의 반도체 제조설비는 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부가 복수로 구비된 챔버바디를 형성하고, 챔버바디의 상부을 개폐하는 커버를 형성하며, 챔버바디의 일측으로 도어센서로 감지하면서 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼도어를 구비하고, 커버가 폐쇄된 챔버바디를 진공시키는 진공펌프를 형성한 트랜스퍼챔버와, 상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼를 트랜스퍼 암으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스로 가이드되면서 리니어모터의 구동으로 공급시키는 웨이퍼이송부와, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 트랜스퍼도어 측으로 회전시키는 웨이퍼회전부와, 상기 트랜스퍼챔버의 커버에 횡방향으로 개폐축을 형성하고, 개폐축에 양측으로 구동구의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암을 형성하여 개폐암의 구동으로 커버를 개폐시키는 커버개폐부와, 상기 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프로 진공하여 웨이퍼를 가공하 도록 형성한 로드락챔버와, 상기 로드락챔버의 웨이퍼수납부를 상하로 이송시키도록 형성한 수납이송부와, 상기 로드락챔버를 안치하여 내부에 오염물질의 혼입을 방지하는 크린룸을 포함하여 구성하는 것을 특징으로 한다. As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention devised to achieve the object forms a chamber body having a plurality of wafer supply parts loaded therein to supply wafers, and forms a cover for opening and closing an upper portion of the chamber body. A transfer chamber for supplying a wafer while sensing the door sensor to one side of the transfer chamber, and a transfer chamber for forming a vacuum pump for vacuuming the chamber body in which the cover is closed, and rotating the wafer of the transfer chamber with a transfer arm to form a lower portion thereof. A wafer transfer part which is guided to the linear base and supplied by driving the linear motor, a wafer rotation part which rotates the transfer arm of the wafer transfer part to the transfer door side, and an opening / closing shaft is formed in the transverse direction on the cover of the transfer chamber, and on both sides of the opening and closing shaft. Type opening and closing arm operating up and down by rotation of drive The cover opening and closing portion for opening and closing the cover by driving the opening and closing arm, and the wafer supplied from the transfer chamber is sequentially supplied while transferring the wafer up and down to the wafer storage portion. A load lock chamber formed to process the rod, a storage transfer portion formed to transfer the wafer storage portion of the load lock chamber up and down, and a clean room for placing the load lock chamber to prevent contamination of the contaminants therein; It is characterized by the configuration.
또한, 상기 트랜스퍼챔버의 웨이퍼공급부는 웨이퍼의 수량을 감지하는 웨이퍼센서를 더 구비하는 것을 특징으로 한다. The wafer supply unit of the transfer chamber may further include a wafer sensor that detects a quantity of wafers.
그리고, 상기 트랜스퍼챔버는 챔버바디의 측부에 복수로 챔버클램프를 형성하고, 상부에 커버의 대응되는 위치에 커버클램프를 형성하여 내부에 진공환경을 유지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다. The transfer chamber is configured to form a plurality of chamber clamps on the side of the chamber body, and to form a cover clamp at a corresponding position of the cover on the top to maintain a vacuum environment therein.
또한, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사로 결합시켜 트랜스퍼암의 처짐현상을 탄성력으로 보완하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer arm of the wafer transfer portion forms a wafer settled portion for placing the wafer at the tip, and coupled to the adjustment screw for adjusting the tension by adjusting the interval of the tension control device of the elastic body in the transverse direction of a certain length on the top deflection of the transfer arm It is characterized in that the configuration to complement the phenomenon with an elastic force.
그리고, 상기 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암은 리니어베이스의 하부에 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 조정하는 레벨베이스를 형성하여 레벨베이스의 레벨 조정으로 트랜스퍼암의 전체레벨을 조정하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the transfer arm of the wafer transfer part may be configured to adjust the overall level of the transfer arm by adjusting the level of the level base by forming a level base for adjusting the level with the lock bolt and the support bolt under the linear base.
또한, 상기 웨이퍼회전부는 트랜스퍼암의 회전 중심에 중공축을 형성하고, 중공축과 회전모터가 연동되도록 회전축으로 결합하여 회전모터의 구동으로 트랜스퍼암이 회전하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer rotating unit forms a hollow shaft at the center of rotation of the transfer arm, and the hollow shaft and the rotating motor are coupled to the rotating shaft so that the transfer arm is configured to rotate by driving the rotating motor.
그리고, 상기 웨이퍼회전부는 회전되는 중공축을 지지하도록 스러스트베어링과 깊은홈볼베어링을 형성하여 트랜스퍼암을 회전 시키는 중공축의 하중을 견고하 게 지지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wafer rotating unit is formed to form a thrust bearing and a deep groove ball bearing to support the rotating hollow shaft, characterized in that configured to firmly support the load of the hollow shaft for rotating the transfer arm.
또한, 상기 커버개폐부는 커버의 상부 중앙에 횡측으로 개폐축을 형성하여 양단에 힌지베어링으로 힌지 결합시키고, 개폐축의 양측으로 개폐암을 형성하여 단부에 형성된 구동구의 회전에 의해 힌지베어링을 중심으로 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the cover opening and closing portion is formed by opening and closing the shaft in the transverse side in the center of the upper side of the hinge hinged to both ends, and the opening and closing arm on both sides of the opening and closing shaft to form a cover around the hinge bearing by the rotation of the drive mechanism formed at the end Characterized in that configured to open and close the.
그리고, 상기 커버개폐부의 개폐축에 양측에 형성된 개폐암과 커버 사이에 완충스프링을 스프링고정구에 고정 형성하여 커버 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링의 탄성력으로 흡수하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the buffer spring is fixedly formed between the opening and closing arms formed on both sides of the cover opening / closing shaft and the cover to the spring fastener, and the shock generated when the cover is opened and closed is absorbed by the elastic force of the shock absorbing spring.
또한, 상기 커버개폐부의 개폐암의 단부를 고정시키도록 암고정블록을 형성하고, 복수의 기어로 일정한 속도로 감속시키는 기어박스가 연결된 기어축과 개폐암을 연결시키도록 형성하며, 기어박스의 일측으로 회전하는 동력원인 구동구를 형성하여 구동구의 회전으로 기어박스에서 일정한 속도의 회전력을 기어축과 연결된 개폐암으로 전달시켜 힌지베어링으로 힌지 결합된 개폐암이 상하로 구동하면서 커버를 개폐시키도록 구성하는 것을 특징으로 한다. In addition, an arm fixing block is formed so as to fix an end of the opening and closing arm of the cover opening and closing portion, and a gear box which is decelerated at a constant speed with a plurality of gears is formed to connect the gear shaft and the opening and closing arm connected to one side of the gear box. By forming a drive port that is a power source to rotate the rotation of the drive mechanism to transmit the rotational force of a constant speed from the gearbox to the opening and closing arm connected to the gear shaft so that the opening and closing arm hinged by the hinge bearing to open and close the cover while driving up and down It is characterized by the configuration.
그리고, 상기 로드락챔버는 웨이퍼수납부의 하부에 상하로 이송되는 레벨플레이트를 형성하고, 레벨플레이트의 이송위치를 감지하는 수납위치센서를 측부에 형성하여 상하로 작동되는 웨이퍼수납부의 위치를 감지하도록 구성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the load lock chamber forms a level plate to be transported up and down in the lower part of the wafer storage part, and forms a storage position sensor for sensing the transport position of the level plate on the side to sense the position of the wafer storage part to be operated up and down. Characterized in that configured to.
또한, 상기 수납이송부는 웨이퍼수납부의 하부에 이송축을 형성하고, 이송축의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드에 베어링을 결합시킨 상태로 베어링의 상부에 볼스크류를 이송모터와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류를 연결브라켓으로 연동되도록 이송축과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드로 가이드하면서 베어링에 결합된 볼스크류가 상하로 구동하면서 연결브라켓으로 연결된 이송축을 상하로 이송하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the receiving and transporting portion is formed in the lower portion of the wafer storage portion and the transfer shaft, and the ball screw on the upper portion of the bearing in the state coupled to the guide to the linear movement in the lower portion of the lower transfer shaft is formed to interlock with the transfer motor, The ball screw, which is transported up and down, is connected to the feed shaft so as to be linked with the connecting bracket. The ball screw coupled to the bearing is driven up and down while the feed screw is driven up and down while the feed motor is driven up and down. It is characterized by.
그리고, 상기 수납이송부의 이송축의 하부에 볼부쉬로 벨로우즈블록과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the lower portion of the conveyance shaft of the storage conveying portion formed by coupling with the bellows block by the ball bush to improve the airtightness to the conveying shaft to be transported up and down in a vacuum state to conserve the vacuum environment.
또한, 상기 크린룸은 로드락챔버를 챔버안치부에 안치시키고, 챔버안치부의 일측으로 웨이퍼를 인출하는 공간인 수납부를 형성하며, 상부에 공기청정부를 형성하여 내부 오염물질을 제거하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the clean room is a load lock chamber is placed in the chamber settled, the chamber is formed a receiving portion which is a space for taking out the wafer to one side of the chamber set, characterized in that configured to form an air cleaner on the top to remove internal contaminants do.
아울러, 상기 크린룸은 일정한 간격으로 내벽과 외벽으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화하도록 구성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the clean room is formed by forming a double partition wall consisting of the inner wall and the outer wall at regular intervals to minimize the introduction of impurities to the outside by using the pressure difference in the interior of the double wall caused by the vacuum is released. It is done.
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비에 바람직한 실시예를 도면을 참조하면서 살펴보면 다음과 같다. Thus, a preferred embodiment of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention configured as described with reference to the drawings as follows.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 정면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조설비를 나타내는 평면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 트랜스퍼챔버를 나타내는 정면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 평면도 이며, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 웨이퍼이송부의 트랜스퍼암을 나타내는 정면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 평면도이며, 도 8은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 커버개폐부를 나타내는 정면도이고, 도 9는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 로드락챔버와 수납이송부를 나타내는 정면도이며, 도 10은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 나타내는 측면도이고, 도 11는 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 주요부분인 크린룸을 일부절개하여 확대한 일부절개 확대도이다.Figure 2 is a front view showing a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, Figure 3 is a plan view showing a semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, Figure 4 is a front view showing a transfer chamber which is a main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention. 5 is a plan view showing a transfer arm of a wafer transfer unit which is a main part of a semiconductor manufacturing facility according to the present invention, and FIG. 6 is a front view showing a transfer arm of a wafer transfer unit that is a main part of a semiconductor manufacturing facility according to the present invention. 7 is a plan view showing a cover opening and closing the main part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, Figure 8 is a front view showing a cover opening and closing part of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention, Figure 9 is a semiconductor manufacturing according to the present invention 10 is a front view showing a load lock chamber and a storage transfer part, which are main parts of the installation, and FIG. A side view showing the main part of the body of the clean room manufacturing facility, Figure 11 is an enlarged part section enlarged partially cut the main part of a clean room of a semiconductor manufacturing equipment according to the invention.
도 2 내지 도 12에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조설비(100)는 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼챔버(110)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)에서 공급되는 웨이퍼를 트랜스퍼암(121)으로 이송하는 웨이퍼이송부(121)와, 상기 웨이퍼이송부(120)의 이송위치변위에 따라 트랜스퍼암(121)을 회전시키는 웨이퍼회전부(130)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)의 상부을 개폐하는 커버개폐부(140)와, 상기 트랜스퍼챔버(110)에서 웨이퍼를 공급받아 진공상태에서 가공하는 로드락챔버(150)와, 상기 로드락챔버(150)에 웨이퍼를 수납하도록 이송하는 수납이송부(160)와, 상기 로드락챔버(150)를 안치하여 외기의 불순물 유입을 차단시키는 크린룸(170)을 포함하여 구성한다. 2 to 12, the
상기 트랜스퍼챔버(110)는 웨이퍼를 공급하도록 내부에 적재한 웨이퍼공급부(112)가 복수로 구비된 챔버바디(111)를 형성하고, 챔버바디(111)의 상부을 개폐하는 커버(115)를 형성하며, 챔버바디(111)의 일측으로 도어센서(118)로 감지하면서 웨이퍼를 공급하는 트랜스퍼도어(117)를 구비하고, 커버(114)가 폐쇄된 챔버바디(111)를 진공시키는 진공펌프(119)를 형성하도록 구성한다.The
여기서, 상기 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼공급부(112)는 웨이퍼의 수량을 감지하는 웨이퍼센서(113)를 더 구비하는 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 트랜스퍼챔버(110)는 챔버바디(111)의 측부에 복수로 챔버클램프(114)를 형성하고, 상부에 커버(115)의 대응되는 위치에 커버클램프(116)를 형성하여 내부에 진공환경을 유지하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the
상기 웨이퍼이송부(120)는 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼를 트랜스퍼암(121)으로 회전시켜 하부에 형성된 리니어베이스(126)로 가이드 되면서 리니어모터(125)의 구동으로 공급시키도록 구성한다.The
여기서, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부(122)를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구(123)의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사(124)로 결합시켜 트랜스퍼암(121)의 처짐현상을 탄성력으로 보완하도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 리니어베이스(126)의 하부에 락볼트(128)와 서포트볼트(129)로 레벨을 조정하는 레벨베이스(127)를 형성하여 레벨베이스(127)의 레벨 조정으로 트랜스퍼암(121)의 전체레벨을 조정하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the
상기 웨이퍼회전부(130)은 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)을 트랜스퍼도어(117) 측으로 회전시키도록 구성한다.The
여기서, 상기 웨이퍼회전부(130)는 트랜스퍼암(121)의 회전 중심에 중공축(131)을 형성하고, 중공축(131)과 회전모터(135)가 연동되도록 회전축(134)으로 결합하여 회전모터(135)의 구동으로 트랜스퍼암(121)이 회전하도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 웨이퍼회전부(130)는 회전되는 중공축(131)을 지지하도록 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)을 회전 시키는 중공축(131)의 하중을 견고하게 지지하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the
상기 커버개폐부(140)는 트랜스퍼챔버(110)의 커버(115)에 횡방향으로 개폐축(142)을 형성하고, 개폐축(142)에 양측으로 구동구(149)의 회전으로 상하로 작동하는 개폐암(141)을 형성하여 개폐암(141)의 구동으로 커버(115)를 개폐시키도록 구성한다. The cover opening and closing
여기서, 상기 커버개폐부(140)는 커버(115)의 상부 중앙에 횡측으로 개폐축(142)을 형성하여 양단에 힌지베어링(143)으로 힌지 결합시키고, 개폐축(142)의 양측으로 개폐암(141)을 형성하여 단부에 형성된 구동구(149)의 회전에 의해 힌지베어링(143)을 중심으로 커버(115)를 개폐시키도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the cover opening and closing
또한, 상기 커버개폐부(140)의 개폐축(142)에 양측에 형성된 개폐암(141)과 커버(115) 사이에 완충스프링(144)을 스프링고정구(145)에 고정 형성하여 커버(115) 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링(144)의 탄성력으로 흡수하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, between the opening and
아울러, 상기 커버개폐부(110)의 개폐암(141)의 단부를 고정시키도록 암고정 블록(146)을 형성하고, 복수의 기어로 일정한 속도로 감속시키는 기어박스(148)가 연결된 기어축(147)과 개폐암(141)을 연결시키도록 형성하며, 기어박스(148)의 일측으로 회전하는 동력원인 구동구(149)를 형성하여 구동구(149)의 회전으로 기어박스(148)에서 일정한 속도의 회전력을 기어축(147)과 연결된 개폐암(141)으로 전달시켜 힌지베어링(143)으로 힌지 결합된 개폐암(141)이 상하로 구동하면서 커버(115)를 개폐시키도록 구성하는 것이 바람직하다. In addition, the
상기 로드락챔버(150)는 트랜스퍼챔버(110)에서 공급된 웨이퍼를 웨이퍼수납부(151)에 상하로 이송하면서 순차적으로 공급시켜 전방에 개폐도어(152)를 클램프로 결합한 상태로 진공펌프(155)로 진공하여 웨이퍼를 가공하도록 구성한다.The
여기서, 상기 로드락챔버(150)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 상하로 이송되는 레벨플레이트(157)를 형성하고, 레벨플레이트(157)의 이송위치를 감지하는 수납위치센서(156)를 측부에 형성하여 상하로 작동되는 웨이퍼수납부(151)의 위치를 감지하도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the
상기 수납이송부(160)는 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151)를 상하로 이송시키도록 구성한다.The
여기서, 상기 수납이송부(160)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 이송축(161)을 형성하고, 이송축(161)의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드(166)에 베어링(165)을 결합시킨 상태로 베어링(165)의 상부에 볼스크류(167)를 이송모터(168)와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류(167)를 연결브라켓(164)으로 연동되도록 이송축(161)과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드(166)로 가이드하 면서 베어링(165)에 결합된 볼스크류(167)가 상하로 구동하면서 연결브라켓(164)으로 연결된 이송축(161)을 상하로 이송하도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 수납이송부(160)의 이송축(161)의 하부에 볼부쉬(163)로 벨로우즈블록(162)과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축(161)에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, by forming the
상기 크린룸(170)은 로드락챔버(150)를 안치하여 내부에 오염물질의 혼입을 방지하도록 구성한다.The
여기서, 상기 크린룸(170)은 로드락챔버(150)를 챔버안치부(171)에 안치시키고, 챔버안치부(171)의 일측으로 웨이퍼를 인출하는 공간인 수납부(172)를 형성하며, 상부에 공기청정부(173)를 형성하여 내부 오염물질을 제거하도록 구성하는 것이 바람직하다.Here, the
또한, 상기 크린룸(170)은 일정한 간격으로 내벽(175)과 외벽(174)으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화하도록 구성하는 것이 바람직하다.In addition, the
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비의 작용을 살펴보면 다음과 같다.Thus, look at the operation of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention configured as follows.
먼저, 트랜스퍼챔버(110)에 웨이퍼를 웨이퍼공급부(112)에 웨이퍼센서(113)로 감지하면서 적재시킨 상태에서 상부에 커버를 커버개폐부(140)의 구동구(149)를 작동시켜 기어박스(148)에서 일정한 속도로 감속한 상태에서 기어축(147)을 회전하 면 기어축(147)에 연결된 개폐암(141)이 커버에 고정된 개폐축(142)의 힌지베어링(143)을 중심으로 커버(115)를 개폐시키도록 이송하는 커버개폐부(140)를 구동시켜 챔버바디(111)의 상부에 커버(115)를 폐쇄한 상태로 챔버클램프(114)를 커버클램프(116) 측으로 클램핑하여 내부를 밀폐시키고 진공펌프(119)로 내부에 압력을 조절한다.First, in a state in which the wafer is transferred to the
이때, 상기 커버개폐부(140)의 개폐축(142)에 양측에 형성된 개폐암(141)과 커버(115) 사이에 완충스프링(144)을 스프링고정구(145)에 고정 형성하여 커버(115) 개폐시에 발생되는 충격을 완충스프링(144)의 탄성력으로 흡수하여 커버(115)의 파손을 방지하고 기밀성을 향상시킨다.At this time, between the opening and
이렇게, 트랜스퍼챔버(110)에 압력을 조절하면서 내부에 웨이퍼공급부(112)에 적재된 웨이퍼를 이송하기 위해서 웨이퍼회전부(130)의 회전모터(135)를 구동시켜 회전축(134)을 회전하면 연동되는 중공축(131)이 회전하면서 상부에 고정된 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)을 회전하여 웨이퍼공급부(112)의 위치로 이송한 상태로 트랜스퍼암(121)의 단부에 형성된 웨이퍼안착부(122)에 웨이퍼가 안착되도록 리니어베이스(126)로 가이드 되면서 리니어모터(127)의 구동으로 직선 운동하여 웨이퍼를 웨이퍼안착부(122)에 안착시키도록 전 후진 한다.In this way, in order to transfer the wafer loaded in the
이때, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 선단으로 웨이퍼를 안치하는 웨이퍼안치부(122)를 형성하고, 상부에 일정한 길이의 횡방향으로 탄성체인 텐션조절구(123)의 간격을 조절하여 텐션을 조절하는 조절나사(124)로 결합시켜 트랜스퍼암(121)의 처짐현상을 탄성력으로 보완하여 처짐에 의한 위치변위를 최소화 시키도록 한다.At this time, the
또한, 상기 웨이퍼이송부(120)의 트랜스퍼암(121)은 리니어베이스(126)의 하부에 락볼트(128)와 서포트볼트(129)로 레벨을 조정하는 레벨베이스(127)를 형성하여 레벨베이스(127)의 레벨 조정으로 트랜스퍼암(121)의 전체레벨을 간편하게 조정하도록 한다.In addition, the
아울러, 상기 웨이퍼회전부(130)는 회전되는 중공축(131)을 지지하도록 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)을 회전 시키는 중공축(131)의 가중되는 스러스트하중과 회전에 의한 원심하중을 복수의 베어링으로 견고하게 지지하여 수명을 증대시키는데 있다.In addition, the
상기와 같이, 리니어모터(125)의 구동으로 트랜스퍼암(121)을 전 후진하여 웨이퍼안착부(122)에 웨이퍼를 안착시킨 상태로 웨이퍼회전부(130)로 트랜스퍼암(121)을 회전시켜 로드락챔버(150)로 공급하는 트랜스퍼도어(117) 측으로 회전한 상태로 도어센서(118)에서 웨이퍼의 공급위치를 감지하면서 리니어모터(125)를 구동시켜 트랜스퍼도어(117)를 거쳐 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151) 측으로 공급한다.As described above, the
이렇게, 로드락챔버(150)의 웨이퍼수납부(151)로 트랜스퍼암(121)에 거치된 웨이퍼를 공급하면 웨이퍼수납부(151)의 하부에 형성된 수납이송부(160)로 상하 이송하면서 복수의 웨이퍼를 수납시키고, 웨이퍼 수납이 끝나면 트랜스퍼도어(117)를 폐쇄한 상태로 로드락챔버(150)의 전면에 형성된 개폐도어(152)를 폐쇄한 상태로 클램프(154)를 결합시켜 밀폐시킨 상태로 하부에 형성된 진공펌프(155)로 내부를 진공상태로 만든 상태에서 공정을 진행시킨다.In this way, when the wafer mounted on the
이때, 상기 수납이송부(160)는 웨이퍼수납부(151)의 하부에 이송축(161)을 형성하고, 이송축(161)의 하부에 상하 직선운동을 하도록 가이드(166)에 베어링(165)을 결합시킨 상태로 베어링(165)의 상부에 볼스크류(167)를 이송모터(168)와 연동되도록 형성하며, 상하로 이송하는 볼스크류(167)를 연결브라켓(164)으로 연동되도록 이송축(161)과 연결 형성하여 이송모터의 구동으로 가이드(166)로 가이드하면서 베어링(165)에 결합된 볼스크류(167)가 상하로 구동하면서 연결브라켓(164)으로 연결된 이송축(161)을 상하로 이송한다.In this case, the
또한, 상기 수납이송부(160)의 이송축(161)의 하부에 볼부쉬(163)로 벨로우즈블록(162)과 결합 형성하여 진공상태로 상하로 이송하는 이송축(161)에 기밀성을 향상시켜 진공환경을 보전시킨다.In addition, by forming the
상기와 같이, 로드락챔버(150)에서 웨이퍼를 가공한 후에 내부에 공기를 공기청정부(173)로 순환시켜 불순물의 혼입을 방지한 크린룸(170)의 내부에서 개폐도어(152)의 클램프(154)를 해제하여 내부에 가공된 웨이퍼를 크린룸(170)의 수납부(172) 측으로 인출시켜 생산된 웨이퍼를 이송한다.As described above, after the wafer is processed in the
이때, 상기 크린룸(170)은 일정한 간격으로 내벽(175)과 외벽(174)으로 구성된 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화시킨다.At this time, the
따라서, 트랜스퍼챔버(110)의 웨이퍼공급부(112)에 적재된 웨이퍼를 로드락챔버(150) 측으로 이송하는 트랜스퍼암(121)에 조절나사(124)로 텐션을 조절하는 텐션조절구(123)를 형성하여 회전하면서 이송하는 트랜스퍼암(121)의 처짐을 방지하고, 트랜스퍼암(121)을 회전하도록 하부에 회전모터(135)와 연결된 중공축(131)에 스러스트베어링(132)과 깊은홈볼베어링(133)을 형성하여 트랜스퍼암(121)에서 발생되는 스러스트하중과 회전에 따른 원심하중을 견고하게 지지시키며, 트랜스퍼챔버(110)의 상부를 개폐하는 커버(115)를 구동구(149)의 회전으로 개폐암(141)을 구동시켜 간편하게 커버(115)를 개폐시키고, 커버(115)와 개폐암(141) 사이에 완충스프링(144)을 형성하여 개폐에 따른 충격을 탄성으로 흡수하여 커버(115)의 파손을 최소화 하며, 이송된 웨이퍼를 로드락챔버(150)에 수납하도록 형성된 웨이퍼수납부(151)를 이송하는 수납이송부(160)에 이송축(161)을 볼부쉬(163)와 벨로우즈블록(162)으로 결합하여 기밀성을 향상시키도록 형성하고, 로드락챔버(150)에서 가공된 웨이퍼를 인출하는 크린룸(170)을 이중격벽으로 형성시켜 외부와의 기압차로 인한 불순물의 혼입을 방지시킨다.Therefore, the
이와 같이, 구성된 본 발명의 반도체 제조설비는 반도체의 웨이퍼를 제작하기 위해서 로드락챔버에 공급하도록 웨이퍼를 안치한 상태로 회전하면서 직선으로 이동하는 트랜스퍼챔버의 트랜스퍼암은 직선운동되도록 가이드하는 리니어베이스 하부에 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 조절하도록 형성한 레벨베이스를 형성하여 락볼트와 서포트볼트로 레벨을 손쉽게 조절함으로써, 회전과 직선운동을 반복하는 트랜스퍼암에서 발생되는 레벨의 변위를 조작하여 간편하게 변위된 트랜스퍼암을 레벨을 조작함에 따라 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention having the structure configured to rotate the wafer while the wafer is placed to supply the load lock chamber to manufacture the wafer of the semiconductor is moved in a straight line while the transfer arm of the transfer chamber is guided under the linear base. By forming the level base formed to adjust the level with the lock bolt and the support bolt, the level is easily adjusted with the lock bolt and the support bolt, and the displacement of the level generated by the transfer arm repeating rotation and linear movement can be easily displaced. Manipulating the transfer arm level provides the effect of improving productivity.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 웨이퍼를 회전하면서 직선이동시키는 트랜스퍼암의 처짐현상을 방지하기 위해서 탄성형 철편형태의 텐션조절구를 텐션을 조절하는 조절나사와 결합시켜 상부에 형성함으로써, 조절나사의 조절로 트랜스퍼암의 상부에 형성된 텐션조절구를 조절하여 처짐을 방지하도록 텐션을 용이하게 조절하여 트랜스퍼암의 처짐을 방지하여 정확한 이송위치를 확보하여 이동시에 파손을 최소화 시키는 효과를 제공한다.In addition, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is formed by combining the tension adjusting tool of the elastic iron piece type with the adjustment screw for adjusting the tension to prevent the deflection of the transfer arm that moves the wafer while rotating linearly, thereby adjusting the adjustment screw. By adjusting the tension control knob formed on the upper portion of the transfer arm by the control of the tension to easily prevent the sag to prevent sagging of the transfer arm to provide an accurate transfer position to provide the effect of minimizing damage during movement.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼암을 회전시키도록 레벨베이스 하부에 형성된 웨이퍼회전부에 회전되는 중공축과 회전축을 스러스트베어링과 깊은홈볼베어링으로 이중으로 고정 지지하여 웨이퍼이송부에서 전달되는 스러스트 하중과 웨이퍼가 수납회전하는 트랜스퍼암의 편중된 중량을 회전함에 따라 발생되는 원심하중을 이중으로 지지하여 회전모터의 회전력을 정확하고 지속적으로 전달시키면서 하중의 집중에 따른 파손을 방지하여 정확하게 원하는 위치에 회전하면서 수명을 증대시키는 효과를 제공한다.In addition, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is to support the hollow shaft and the rotating shaft rotated by the thrust bearing and the deep groove ball bearing to the wafer rotating portion formed on the lower portion of the level base to rotate the transfer arm and the thrust load transmitted from the wafer transfer portion While supporting the centrifugal load generated as the wafer rotates the unbalanced weight of the transfer arm that rotates, it rotates exactly at the desired position while preventing the damage due to the concentration of load while transmitting the rotational force of the rotating motor accurately and continuously. Provides the effect of increasing the lifespan.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버의 상부를 개폐하는 커버의 중앙으로 횡방향의 개폐축을 형성하고, 개폐축의 양단부에 힌지베어링을 형성한 상태로 양측으로 개폐암을 형성하며, 개폐암의 하부에 완충스프링을 형성하여 힌지베어링을 중심으로 회전하면서 상부로 커버를 개폐시키는 개폐암의 하부에 완충스프링을 형성하여 개폐에 대한 충격이 커버로 전달되는 것을 방지함으로써, 진공을 위해 기밀성을 향상시킨 커버의 개폐에 따른 충격을 최소화 하여 커버의 기밀성을 유지시켜 생산성을 향상시키는데 있다.In addition, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention forms the opening and closing shaft in the transverse direction to the center of the cover for opening and closing the upper portion of the transfer chamber, forming the opening and closing arm on both sides with the hinge bearings formed at both ends of the opening and closing shaft, The shock absorbing spring is formed on the lower part, and the shock absorbing spring is prevented from being transmitted to the cover by forming a shock absorbing spring on the lower part of the opening / closing arm which rotates around the hinge bearing to open and close the cover. Minimizes the impact of opening and closing the cover to maintain the airtightness of the cover to improve productivity.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버의 상부에 형성된 커버를 개폐하도록 연결한 개폐암을 힌지베어링을 중심으로 상승하도록 기어축에 연결하여 구동속도를 조절하는 복수의 기어가 연결형성된 기어박스에 연결하여 수동 및 전동의 구동구로 결합시켜 구동구의 회전으로 중량의 커버를 일정한 속도로 개폐함으로써, 작은 힘으로 일정한 속도로 개폐되는 최적의 감속비를 가지는 기어박스를 구동구와 연결하여 커버의 개폐를 용이하게 함에 따라 사용 편의성을 향상시키는 효과를 제공한다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is connected to a gearbox having a plurality of gears connected to the gear shaft so as to ascend about the hinge bearing to open and close the cover formed on the upper portion of the transfer chamber to adjust the driving speed. It is connected to the drive of manual and electric by connecting and opening and closing the cover of the weight at the constant speed by the rotation of the drive. The ease of use provides an effect of improving ease of use.
그리고, 본 발명의 반도체 제조설비는 트랜스퍼챔버에서 공급된 웨이퍼를 로드락챔버의 웨이퍼수납부에 복수로 적재하도록 상하강시키는 수납이송부와 결합되는 하부에 로드락챔버의 내부 진공환경에 누출을 방지하도록 벨로우즈블록과볼부쉬를 이송축에 형성하여 상하 작동 시에도 간극의 발생을 억제시켜 내부에 진공환경을 보존함으로써, 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention prevents leakage to the internal vacuum environment of the load lock chamber in a lower portion coupled with an accommodation transfer portion that vertically lowers and loads a plurality of wafers supplied from the transfer chamber to the wafer storage portion of the load lock chamber. The bellows block and the ball bush are formed on the feed shaft so that the gap is prevented even during vertical operation to preserve the vacuum environment therein, thereby improving productivity.
또한, 본 발명의 반도체 제조설비는 로드락챔버에서 가공된 웨이퍼를 청정공간에서 박스에 담는 작업을 실시하도록 외측에 형성된 크린룸을 이중격벽으로 형성하여 진공이 해제되면서 발생되는 내부 기압변화를 이중의 벽 내부에 기압차를 이용하여 외부에 불순물의 인입을 최소화함으로써, 생산된 웨이퍼의 불순물 접촉을 방지하여 웨이퍼의 불량률을 감소시킴에 따라 생산성을 향상시키는 효과를 제공한다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention forms a clean room formed on the outside as a double partition wall to carry out the wafer processed in the load lock chamber in a box in a clean space to double the internal pressure change generated when the vacuum is released. By minimizing the introduction of impurities to the outside by using a pressure difference therein, it prevents the contact of impurities on the produced wafer, thereby reducing the defect rate of the wafer, thereby improving productivity.
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2005
- 2005-12-01 KR KR1020050116613A patent/KR100729704B1/en not_active IP Right Cessation
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