KR20070056583A

KR20070056583A - 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법

Info

Publication number: KR20070056583A
Application number: KR1020050115474A
Authority: KR
Inventors: 도문회
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2005-11-30
Filing date: 2005-11-30
Publication date: 2007-06-04
Also published as: KR100820561B1

Abstract

본 발명은 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 제조공정에서 복수의 서브패턴을 포함하는 레이아웃 패턴을 이용하여 소정의 패턴보정을 통해 마스크패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 레이아웃패턴에 소정의 Rule based OPC에 의해 보정된 제1 결과물을 형성하는 단계와, 상기 서브패턴 경계선의 연장선으로 구분되는 각각의 세그먼트존(segement-zone)에 따라 상기 레이아웃패턴에 소정의 Model based OPC에 의해 보정된 제2 결과물을 형성하는 단계와, 상기 각각의 세그먼트존 내에 상기 제1 결과물과 상기 제2 결과물 중 어느 하나 이상이 존재하는 경우에 상기 제1 결과물과 상기 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 최종 OPC결과물의 마스크패턴에 대한 충실도 향상을 이루며 패턴 브리지(Pattern bridge)를 미리 제거하고, 불필요한 패턴이 없어짐에 따라 OPC 보정속도를 월등히 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

마스크(Mask), 패턴(pattern), 근접효과보정(Optical Proximity Correction: OPC), 하이브리드(Hybrid)

Description

반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법{Mask pattern and the forming method thereof in the semiconductor manufacturing process}

도 1 내지 도 7은 종래의 반도체공정에서의 마스크패턴의 형성방법을 개략적으로 나타내는 도면.

도 8 내지 도 15는 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법의 일실시예의 공정도를 나타내는 도면.

도 16은 종래의 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법과 본 발명에 따른 마스크패턴 형성방법의 비교도.

본 발명은 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법에 관한 것으로서, 특히 Rule based OPC 후 Model based OPC를 적용하는 하이브리드(Hybrid) 근접효과보정(Optical Proximity Correction, 이하 "OPC"라 함)에 관한 것이다.

일반적으로, OPC라 함은 마스크패턴을 기판에 비출 때, 미리 변형될 값을 계산하여, 이 변형 값을 보정하는 패턴을 말하며 "근접효과보정", "광근접보상"이라고도 한다.

OPC를 좀더 상세히 설명하면, 광의 회절을 이용하여 노광공정을 하는 경우에 기판에 투영되는 회로패턴인 레이아웃패턴의 이미지는 실제 마스크패턴의 모양과 다르다. 특히 마스크 상에서 인접한 패턴의 간격이 가까운 경우 서로에게 영향을 주어 설계 수치와는 많은 차이가 발생하는데 이러한 현상을 광근접효과(Optical Proximity Effect, OPE)라고 한다. 따라서 이러한 광 근접효과를 보정하기 위해서는 설계용 CAD 데이터에 추가적인 시뮬레이션을 통하여 패턴의 크기 혹은 마스크의 모서리 주변을 강화하여 마스크의 데이터에 근접하도록 하여야 한다.

OPC 초기의 경우 1차원적인 회로패턴의 선 폭을 늘이거나 줄이는 기능만을 하였지만 지금은 회로패턴의 에지(Edge)가 짧아지는 2차원적인 OPC가 가능하다. 최근에는 반복적인 셀(Cell) 패턴뿐만 아니라 셀 주변(Periphery) 및 코어(Core) 지역까지 OPC를 하는 Full Chip OPC가 많이 이용된다.

OPC는 패턴 크기별 규칙을 제시하는 경우(이하 "Rule based OPC"라 함)와 시뮬레이션 모델을 중심으로 하는 OPC(이하 "Model based OPC"라 함)로 구분되는데, Rule based OPC의 경우에는 OPC가 용이한 반면 정확도가 떨어지고, Model based OPC의 경우에는 정확성은 높은데 반하여 데이터 양이 많은 관계로 마스크 제작이 용이하지 않다. 일반적으로 DRAM 경우에는 회로패턴이 단순하고 반복적이므로 Rule based OPC를 적용하는 편이 좋고, LOGIC의 경우에는 회로패턴이 다양하게 존재하므로 Model based OPC 방법이 추천되고 있다.

그런데 현재에는 좀 더 정확한 OPC결과를 얻기 위해 Rule based OPC와 Model based OPC를 혼합한 형태의 Hybrid OPC를 많이 사용하고 있다. Hybrid OPC는 서로 단점을 상호 보완함으로써 OPC 결과물에 대한 만족도를 최대한으로 끌어올리는데 그 목적이 있다.

그러나 보통 Hybrid OPC는 Rule based OPC후에 Model based OPC를 적용하는데, Rule based OPC 후 Model based OPC를 수행하게 되면, 일부 패턴에서 불필요한 결과물이 생기게 되며, 이것이 패턴 복잡성을 증가시켜, 마스크 제작납기(Turn Around Time; 1/Programmability, 이하 "TAT"라 함)를 저하하게 되며, 심한 경우 떨어져 있어야 할 서로 다른 패턴이 붙어버리는 현상인 패턴 브리지(Pattern bridge)까지 일으킬 수 있다. 이하, 이러한 종래 기술의 문제점을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1은 OPC 보정되기 전의 레이아웃 패턴을 나타내는 도면으로서, 도 1에서 11과 12로 표시되는 패턴이 있을 경우, Rule based OPC를 적용함에 따라 13과 14로 표시되는 부분은 후술하듯이 변형이 오게 된다.

도 2는 도 1에 대하여 Rule based OPC를 적용에 따른 변형을 나타내는 도면으로서 23, 24, 25와 같은 패턴들이 추가로 생성이 되었고, 이에 따라 도 1의 13과 14로 표시하였던 부분들이 도 2에서는 21과 22로 스텝(STEP)이 생기게 되었다.

도 3은 종래의 마스크패턴 형성방법에 의해 Rule based OPC후 Model based OPC를 적용함으로 인해 생성된 마스크패턴을 나타내는 도면이다.

즉, 도 2의 Rule based OPC결과를 Model based OPC의 Input으로 사용하게 되면 32와 33의 레이아웃패턴에 31, 34, 35, 36과 같은 패턴들이 생성이 되었다.

그러나 도 3의 35와 36은 Rule based OPC후 Model based OPC를 적용함으로 인해 불필요하게 생성된 패턴들을 보여주고 있다.

즉, 종래의 마스크패턴 형성방법에 의하면 레이아웃 패턴에 Rule based OPC를 적용하고, 그 결과물이 다시 Model based OPC의 Input으로 들어가면서, 최종 OPC결과물에 원하지 않는 패턴이 생성이 되고 있다. 이러한 결과는 디섹션(분할, 이하 "Dissection"이라 함)이라고 불리는 Model based OPC 특성 때문에 생기고 있다.

Model based OPC는 패턴의 보정을 위해 보정하고자 하는 레이아웃패턴을 잘게 분할을 하고, 분할된 하나의 세그먼트존(segment-zone)들이 시뮬레이션 결과에 의해 생기는 보정비중(Correction weight)을 적용하여 움직이게 된다. 그 보정비중이 플러스(+)인 경우에는 패턴이 덧붙여지게 되고, 마이너스(-)인 경우에는 패턴을 깎아내게 되는 것이며, 제로(0)인 경우에는 보정이 되지 않는 것이다.

이하, 이러한 종래 기술의 문제점을 도면을 참조하여 좀더 상세히 설명한다.

도 4는 도 1에 보였던 레이아웃 패턴에 일반적인 Model based OPC의 Dissection을 적용한 것이다. 레이아웃 패턴에 일반적인 Model based OPC의 Dissection을 하게 되면, 도 1의 12로 표시되는 패턴이 도 4의 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47로 표현되는 것처럼 Dissection이 이루어지게 된다. 이중 41, 42, 46, 47은 패턴의 코너 라운딩(Corner Rounding)을 막기 위해 "VERT"라는 세그먼트존(segement-zone)으로 구분되고 43, 44, 45는 패턴의 선 폭의 보정에 관계되는 "RUN"이라는 세그먼트존으로 구분이 된다. 이중 "VERT"는 코너 라운딩을 해결하기 위해 "RUN"과는 다른 크기를 같은 세그먼트존으로 나누어지게 된다. 44는 같은 "RUN"에 속하는 43과 45와는 다른 사이즈(Size)를 갖는데, 양쪽 "VERT"로부터 Dissection이 되면서 자연적으로 남게 된 것이다.

도 5는 도 4에 따른 Dissection이 이루어진 후에 일반적인 Model based OPC가 적용된 도면이다. 도 4와 같은 Dissection을 통해 OPC가 되면, 54로 표시되는 레이아웃 패턴에 51, 52, 53, 55, 56, 57과 같은 보정된 패턴이 생기게 되는 것이다. 도 5에 도시된 대로 일반적인 Model based OPC가 이루어지는 경우에는 문제가 생기지 않는다.

그러나 아이솔레이티드 라인(Isolated Line)과 같은 패턴에 에찌 바이어스(Etch bias)와 같은 것을 추가 보정하기 위해서 사용하는 Hybrid OPC의 경우에는 상황이 달라진다.

도 6은 Rule based OPC결과가 Model based OPC의 INPUT이 됨으로써 레이아웃 패턴이 아닌 Rule based OPC의 결과물에 Dissection이 이루어지는 상황을 도시한 것이다. 이에 따라 도 4와 도 6을 비교하면, 도 6의 61은 도 4의 41과 같이 Dissection에 아무런 변화가 없다. 그러나 도 6의 62, 63, 64, 65, 66, 67은 분할되는 포인트가 Rule based OPC가 적용으로 인해 패턴이 보정된 후의 패턴으로 옮겨지게 된다. 특히 패턴에 스텝(STEP)이 생기는 68, 69는 도 5의 58에 보이는 것과는 전혀 다른 세그먼트존으로 변하게 된다. 도 5의 58은 "RUN"이라는 세그먼트존으로 구분이 되지만, Rule based OPC로 인해 도 6의 68과 69는 "VERT"라는 세그먼트존으로 구분이 된다.

즉, Rule based OPC후 Model based OPC가 적용됨에 따라 하나의 "RUN" 세그 먼트존이 2개의 "VERT" 세그먼트존으로 변하게 된 것이다. 그만큼, Dissection 후 세그먼트존이 많아지게 된 것이다.

도 7은 도 6의 Dissection에 Model based OPC가 적용되는 패턴의 결과를 나타내는 도면이다. Rule based OPC 후 Model based OPC 적용으로 인해 도 7의 71, 72, 73, 74, 75 76, 77, 78과 같은 패턴 보정이 생겼다.

그러나 도 7의 77과 78은 불필요하며, 원하지 않은 패턴보정이 생기게 된 것을 보여주고 있다.

또한, 이로 인해 앞서 설명된 것처럼 패턴 복잡성이 증가하고, Mask 제작 TAT가 나빠지게 된다.

특히, 도 7의 78과 같은 불필요한 패턴이 생김으로 인해 패턴 브리지까지 발생할 수 있어 공정진행의 어려움이 발생하게 된다.

따라서 본 발명은 Hybrid OPC(Optical Proximity Correction)의 최종결과에 원하지 않은 마스크 패턴이 생성되는 것을 막음은 물론이고, 패턴 브리지 까지 막을 수 있으면서 OPC의 궁극적인 목표인 패턴충실도(Pattern fidelity)를 극대화하고 나아가 Mask 제작시의 TAT(Turn Around Time)을 줄일 수 있는 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법은 반도체 제조공정에서 복수의 서브패턴을 포함하는 레이아웃 패턴을 이 용하여 소정의 패턴보정을 통해 마스크패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 레이아웃패턴에 소정의 Rule based OPC를 적용하여 보정된 제1 결과물을 형성하는 단계;와 상기 레이아웃패턴에 상기 서브패턴 경계선의 연장선으로 구분되는 각각의 세그먼트존(segement-zone)에 따라 소정의 Model based OPC를 적용하여 보정된 제2 결과물을 형성하는 단계; 및 상기 각각의 세그먼트존 내의 상기 제1 결과물 또는 제2 결과물의 값이 존재하는 경우에 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 상호 상쇄하여 보정할 수 있다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값이 모두 플러스(plus)인 경우에는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 합한 만큼 덧붙여 보정할 수 있다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값이 모두 마이너스(minus)인 경우에는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 합한 만큼 깎아내어 보정할 수 있다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 제1 결과물과 제2 결과물 중 어느 하나만 제로인 경우에는 제로가 아닌 결과물의 값만큼 보정할 수 있다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 제1 결과물과 제2 결과물 중 어느 하나는 플러스이고 다른 하나는 마이너스인 경우에 상기 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 상호 상쇄하여 보정할 수 있다.

또한, 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 상호 상쇄한 값이 각각 플러스이면 덧붙이는 보정을 하고, 제로이면 보정을 하지않고, 마이너스이면 깎아내는 보정할 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴은 반도체제조공정에서의 마스크패턴에 있어서, 상기 마스크패턴 형성방법 중 어느 하나의 마스크패턴 형성방법에 의해 만들어지는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 최종 OPC결과물의 마스크 패턴에 대한 충실도 향상을 이루게 되며, Hybrid OPC 수행에 의하여 필터링 과정을 거친 효과에 의하여 원치 않은 패턴 브리지(Pattern bridge)를 미리 제거할 수 있게 되며, 불필요한 패턴이 없어짐에 따라 OPC 보정속도(Correction Speed)를 월등히 향상시킬 수 있게 되고 본 발명에서 제기한 방법대로 OPC가 된다면, 패턴의 수를 현저히 줄임으로 인하여 Mask 제작시간에 걸리는 TAT(Turn Around Time)를 월등히 단축할 수 있게 되는 장점이 있다.

이하, 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법의 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명에서는 Rule based OPC 후 Model based OPC를 적용할 때 레이아웃 패 턴에 대한 Dissection을 그대로 유지하고 각각의 세그먼트존에 Rule based OPC결과와 Model based OPC결과를 상호 상쇄하여 최종 결과물에 나타나도록 하고자 함에 그 특징이 있다.

도 8(a)는 Rule based OPC 결과물에 원래의 Dissection을 그대로 적용한 것을 나타내는 도면이다. 여기에 적용된 Dissection은 도 4에 표시된 Dissection과 동일하나 종래의 기술에 의한 도 6에 표시된 것과는 다른 Dissection을 가지는 것이다.

레이아웃패턴에서 Dissection에 의해 구분된 각각의 패턴을 서브패턴이라 한다.

도 8(b)는 본 발명에 따른 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법의 가장 큰 특징인 Rule based OPC 후 Model based OPC를 적용할 때 레이아웃 패턴에 대한 Dissection을 그대로 유지하고 각각의 세그먼트존에 Rule based OPC결과와 Model based OPC결과를 합하여 최종 결과물에 나타나도록 하는 과정을 연산을 통해 나타내는 도면이다.

즉, 각각의 세그먼트존의 ⓐ 와 ⓑ를 대조하여 ⓐ 및 ⓑ의 값이 모두 존재하지 않는 경우{(ⓐ OR ⓑ)=0}에는 ⓚ = 0이 되어 최종 결과물(ⓒ)에는 전혀 보정된 패턴이 나타나지 않고, 반면에 ⓐ 또는 ⓑ의 값이 어느 하나라도 존재하는 경우{(ⓐ OR ⓑ)≠0}에는 ⓚ = 1이 되어 최종 결과(ⓒ)는 "ⓐ + ⓑ"의 값이 전달되는 것이다.

도 9는 Rule based OPC 후에도 레이아웃패턴에 대한 Dissection을 가지고 OPC되는 과정을 나타내는 도면이다.

도 10 내지 14는 도 9에서 91, 92, 93, 94와 같이 Rule based OPC 후 문제가 되는 부분을 구분하여 Hybrid OPC가 적용되는 과정을 나타내는 도면이다.

도 10은 본 발명에 따른 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법에 따라 도 9의 91의 부분에 Hybrid OPC가 적용되는 과정을 나타내는 도면이다.

즉, 도 10(a)에서 101은 Rule based OPC가 적용되어 보정된 결과(ⓐ, +)이고(도 6 참조), 도 10(b)에서 102는 Model based OPC가 적용되어 보정된 결과(ⓑ, 0)이다(도 5 참조).

도 11은 본 발명에 따라 도 9의 92의 부분에 Hybrid OPC가 적용되는 과정을 나타내는 도면이다. 이는 도 10과 같은 방식으로 보정이 이루어진다.

즉, 도 11(a)에서 111로 표시되는 것이 도 9에서 92로 표시된 것과 같은 Rule based OPC가 적용된 보정결과(ⓐ, +)이고, 도 11(b)에서 112로 표시되는 부분이 레이아웃패턴에 대한 Model based OPC가 적용된 보정결과(ⓑ, 0)이다. 마찬가지로, ⓐ 또는 ⓑ의 값 중 어느 하나라도 존재하는 경우{(ⓐ OR ⓑ)≠0}에는 ⓚ=1이 되어 최종 결과물(ⓒ)에는 11(c)에서 113과 같이 "ⓐ + ⓑ"의 값이 전달되는 것이다.

도 12는 본 발명에 따라 도 9의 93의 부분의 Hybrid OPC가 적용되는 과정을 나타내는 도면이다. 마찬가지로 ⓐ(121) 또는 ⓑ(122)의 값 중 어느 하나라도 존재하는 경우{(ⓐ OR ⓑ)≠0}로서 ⓚ=1이 되어 최종 결과물(ⓒ)에는 12(c)에서 123과 같이 "ⓐ + ⓑ"의 값이 전달된다.

도 13은 본 발명에 따라 도 9의 94부분에 Hybrid OPC가 적용되는 과정을 나타내는 도면이다. 마찬가지로 ⓐ(131) 또는 ⓑ(132)의 값 중 어느 하나라도 존재하는 경우{(ⓐ OR ⓑ)≠0}로서 ⓚ=1이 되어 최종 결과물(ⓒ)에는 13(c)에서 133과 같이 "ⓐ + ⓑ"의 값이 전달된다.

도 14는 도 10 내지 도 13까지 각 부분에 대한 OPC결과를 하나로 정리하여 도시한 것으로서 141, 142, 143, 144로 표시되는 것과 같은 결과를 얻게 되는 것이다.

도 15는 본 발명에 따른 마스크패턴의 최종 결과를 나타내는 도면이다. 도 15에 도시된 것처럼 본 발명에 따른 마스크패턴은 종래의 발명에 의한 마스크패턴인 도 7과는 달리 불필요한 패턴(77, 78)이 사라져 있을 뿐만 아니라 패턴 브리지 방지 측면에서도 탁월함을 보여주고 있다.

도 16은 마스크패턴을 라이팅(이하 "Writing") 하는 모습을 나타내는 도면이다. 그런데 종래의 방법에 의한 Hybrid OPC가 적용되는 경우에는 마스크 제작 측면에서 패턴 복잡성(Pattern complexity)이 주는 단점 때문에, 도 18(a)에서 볼 수 있는 것처럼 하나의 패턴을 Writing하기 위해 8개의 패턴을 각기 Writing해야 하는 번거로움이 있었다.

그러데 패턴이 도 18의 (b)에서 도시된 것과 같이 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법에 따라 Hybrid OPC 된다면, 6개의 패턴을 Writing함으로써 마스크 제작에 대한 TAT가 현저히 향상될 수 있는 효과가 발생한다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체공정에서의 마스크패턴 및 마스크패턴 형성방법에 의하면 기존의 Hybrid OPC에서 Rule based OPC결과에 Dissection을 하여 Model based OPC를 적용하는 것보다는 Rule based OPC의 결과와는 별개로 레이아웃패턴에 대한 Dissection을 유지하여 Model based OPC를 적용함으로써 최종 OPC결과물의 마스크패턴에 대한 충실도 향상을 이루게 되는 효과가 있다.

또한, 본 발명에 의하면, Hybrid OPC 수행에 의하여 패턴의 충실도의 향상에 따라 원치 않은 패턴 브리지(Pattern bridge)를 미리 제거할 수 있게 되고 나아가 불필요한 패턴이 없어짐에 따라 OPC 보정속도(Correction Speed)를 월등히 향상시킬 수 있는 장점도 있다.

그리고 본 발명에 의하면, 마스크 패턴의 수를 현저히 줄임으로 인하여 Mask 제작시간에 걸리는 TAT를 월등히 단축할 수 있게 되어 더 많은 고객을 확보할 수 있게 되고, 그 결과 많은 시간적, 경제적인 이득을 가져오게 되는 효과도 있다.

Claims

반도체 제조공정에서 복수의 서브패턴을 포함하는 레이아웃 패턴을 이용하여 소정의 패턴보정을 통해 마스크패턴을 형성하는 방법에 있어서,

상기 레이아웃패턴에 소정의 Rule based OPC를 적용하여 보정된 제1 결과물을 형성하는 단계;

상기 레이아웃패턴에 상기 서브패턴 경계선의 연장선으로 구분되는 각각의 세그먼트존(segement-zone)에 따라 소정의 Model based OPC를 적용하여 보정된 제2 결과물을 형성하는 단계; 및

상기 각각의 세그먼트존 내의 상기 제1 결과물 또는 제2 결과물의 값이 존재하는 경우에 상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 상호 상쇄하여 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값이 모두 플러스(plus)인 경우에는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 합한 만큼 덧붙여 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값이 모두 마이너스(minus)인 경우에는 상기 각각의 세그먼트존에 대한 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 합한 만큼 깎아내어 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 제1 결과물과 제2 결과물 중 어느 하나만 제로인 경우에는 제로가 아닌 결과물의 값만큼 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 제1 결과물과 제2 결과물 중 어느 하나는 플러스이고 다른 하나는 마이너스인 경우에 상기 제1 결과물과 제2 결과물의 값을 상호 상쇄하여 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항에 있어서,

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 모두 적용하여 보정하는 단계는

상기 제1 결과물과 제2 결과물을 상호 상쇄한 값이 각각 플러스이면 덧붙이는 보정을 하고, 제로이면 보정을 하지않고, 마이너스이면 깎아내는 보정을 하는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴 형성방법.
제1 항 내지 제7 항 중 어느 하나의 마스크패턴 형성방법에 의해 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체공정에서의 마스크패턴.