KR20070055116A - 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법 - Google Patents

반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070055116A
KR20070055116A KR1020050113463A KR20050113463A KR20070055116A KR 20070055116 A KR20070055116 A KR 20070055116A KR 1020050113463 A KR1020050113463 A KR 1020050113463A KR 20050113463 A KR20050113463 A KR 20050113463A KR 20070055116 A KR20070055116 A KR 20070055116A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clamp
jig
semiconductor manufacturing
manufacturing equipment
calibration
Prior art date
Application number
KR1020050113463A
Other languages
English (en)
Inventor
권형배
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050113463A priority Critical patent/KR20070055116A/ko
Publication of KR20070055116A publication Critical patent/KR20070055116A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 반도체 제조장비의 웨이퍼를 고정하기 위한 기계식 척에서 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그는 반도체 제조장비의 페데스탈, 클램프, 이음 고리를 사용하는 기계식 척에서 기다란 막대모양으로서 높이는 후술되는 지그 본체의 높이와 같거나 큰 지그 가동체;와 상기 지그 가동체가 삽입될 수 있도록 상기 지그 가동체의 외경과 같은 크기의 구멍을 내부에 형성하고 높이는 페데스탈의 높이와 같거나 작고 폭은 이음고리의 폭과 작거나 같게 형성한 지그 본체;를 결합하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 또한 반도체 제조장비의 클램프 교정 방법은 반도체 제조장비의 기계식 척에서 반도체 제조장비의 클램프의 수평도를 측정하기 위해 상기 클램프를 장착하는 제1단계; 상기 클램프 교정 지그를 웨이퍼가 놓여있는 페데스탈의 측면에 배치하는 제2단계; 상기 클램프를 하강시키는 제3단계; 상기 클램프 교정 지그를 제거하여 측정하는 제4단계; 상기 측정 결과를 비교하여 수평도를 확인하는 제5단계; 이음 고리를 장착하여 클램프 교정을 완료하는 제6단계;로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 의하면 클램프 교정 지그을 사용함으로써 보다 정확하고 효율적인 측정 데이터 관리가 가능하게 하여 장비의 유지 및 보수를 위한 시간을 절약함으로써 장비 가동률을 높이 고 웨이퍼의 손상을 줄일 수 있어 수율(yield)을 향상시키는 효과가 있다.
기계식 척, 클램프, 교정, 지그

Description

반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법{Clamp calibrating jig and method of semiconductor equipment}
도 1은 종래의 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치의 단면도,
도 2는 종래의 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치의 분해 사시도,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그의 분해 사시도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그의 결합 사시도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그가 설치된 웨이퍼 클램프 장치의 단면도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 장비의 클램프 교정 방법의 흐름도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 웨이퍼 20 : 페데스탈
30 : 클램프 40 : 이음 고리
50 : 클램프 교정 지그 51 : 지그 가동체
52 : 지그 본체
본 발명은 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게 반도체 제조장비의 웨이퍼를 고정하기 위한 기계식 척에서 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 일반적으로 웨이퍼(wafer)에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 원하는 형태로 패터닝(patterning)하기 위해서 감광제를 도포한 후 포토리쏘그래피(photolithography) 공정과 식각(etch)공정을 진행하여 불필요한 부분의 박막을 제거하는 복잡한 공정을 수행하여 제조된다. 이러한 각각의 공정은 밀폐된 용기인 챔버(chamber) 내에서 이루어지며, 챔버 내부에는 웨이퍼를 고정하는 수단으로써 척(chuck)이 설치된다.
이러한 척에는 웨이퍼를 고정하는 방식에 따라 기계식 척(mechanical chuck), 진공척(vacuum chuck) 그리고 정전척(electrostatic chuck) 등 다양한 방식이 있으며, 기계식 척은 클램프(clamp)를 사용하여 웨이퍼의 가장자리를 기계적으로 가압함으로써 웨이퍼를 고정하는 장치를 말한다.
도 1은 종래의 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치의 단면도이다.
식각공정이 진행되기 위하여 페데스탈(pedestal, 20)의 윗면에 놓인 웨이퍼(10)의 가장자리를 클램프(30)의 팁(tip, 30a)이 기계적으로 가압하여 웨이퍼(10)가 고정된다.
도 2는 종래의 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치의 분해 사시도이다.
페데스탈(20)은 챔버 내에 설치된 원기둥 형상으로 이루어진 것으로서, 공정 진행시 상기 페데스탈(20)의 윗면에 웨이퍼(10)가 놓여진다.
이음 고리(collar ring, 40)는 상기 페데스탈(20)의 측면을 따라서 설치된 원형의 고리 모양으로서, 식각 균일도(uniformity)를 향상시키기 위해 설치된다.
공정 진행시 웨이퍼(10)는 상기 페데스탈(20)의 윗면에 놓여진다.
클램프(30)는 원형 고리모양의 형상을 한 것으로서, 내측 방향으로 다수의 팁(30a)이 돌출되어 형성되어 있다. 상기 팁(30a)이 상기 웨이퍼(10)의 가장자리 윗면 일부분에 접촉하도록 구성되며, 상기 페데스탈(20)의 상부에 설치되고 상승/하강 운동을 하도록 구성되어 있다.
이러한 식각 장비의 유지 및 관리를 위한 챔버의 조립시에 클램프(30)의 수평도(level)를 맞추는 작업은 중요하다. 만약 클램프의 수평도가 불량한 상태에서 클램프(30)에 의하여 웨이퍼(10)의 가장자리 부분에 불균일한 힘이 가해지면 웨이퍼의 깨짐 현상(edge broken)이 유발된다. 또한 웨이퍼의 손상을 주지 않더라도 식각 공정의 식각률(etch rate) 및 식각 균일도의 저하를 유발한다.
상기의 구성을 갖는 종래기술에 따른 클램프(30)의 수평도를 교정하는 작업은 다음과 같다.
먼저 챔버에 클램프(30)를 장착하고 상기 클램프(30)를 아래로 이동시켜 웨이퍼(10)를 고정한다. 이때에 상기 클램프의 팁(30a)들이 동시에 웨이퍼(10)의 표면에 접촉하는 지를 육안으로 확인한다.
그리고나서 상기 클램프(30)에 의하여 고정된 상기 웨이퍼(10)가 움직이는지 여부를 수작업으로 확인한다. 즉 상기 클램프(30)에 의하여 고정된 상기 웨이퍼(10)를 손으로 움직였을 때 움직이는 지를 확인한다.
만약 상기의 팁(30a)이 동시에 웨이퍼(10)의 표면에 접촉하지 않거나 고정된 웨이퍼(10)가 수작업에 의해 움직이게 되면 클램프(30)를 다시 분리 및 조립하여 상기의 과정을 반복 수행하여 수평도를 교정한다.
따라서 종래의 육안 및 수작업에 의한 클램프 교정 방법은 정확도에 있어서 한계가 있기 때문에 수행하는 사람마다 다른 결과를 보이게 되고, 이러한 결과를 효과적으로 관리하기 어렵다는 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 클램프 교정 지그(jig)를 사용함으로써 보다 정확하고 효율적인 측정 데이터(data) 관리가 가능한 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그는 반도체 제조장비의 페데스탈, 클램프, 이음 고리를 사용하는 기계식 척에서 기다란 막대모양으로서 높이는 후술되는 지그 본체의 높이와 같거나 큰 지그 가동체;와 상기 지그 가동체가 삽입될 수 있도록 상기 지그 가동체의 외경과 같은 크기의 구멍을 내부에 형성하고 높이는 페데스탈의 높이와 같거나 작고 폭은 이음고리의 폭과 작거나 같게 형성한 지그 본체;를 결합하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지그 가동체와 상기 지그 본체는 테플론 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 제조장비의 클램프 교정 방법은 반도체 제조장비의 기계식 척에서 반도체 제조장비의 클램프의 수평도를 측정하기 위해 상기 클램프를 장착하는 제1단계; 상기 클램프 교정 지그를 웨이퍼가 놓여있는 페데스탈의 측면에 배치하는 제2단계; 상기 클램프를 하강시키는 제3단계; 상기 클램프 교정 지그를 제거하여 측정하는 제4단계; 상기 측정 결과를 비교하여 수평도를 확인하는 제5단계; 이음 고리를 장착하여 클램프 교정을 완료하는 제6단계;로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그의 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그의 결합 사시도이다.
본 발명의 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그(50)는 첨부된 도 3에 도시한 바와 같이 지그 가동체(51)와 상기 지그 가동체(51)가 삽입될 수 있도록 내부에 구멍을 형성한 지그 본체(52)가 결합하여 이루어진다.
상기 지그 가동체(51)는 기다란 막대모양의 형상을 한 것으로서, 윗부분은 상기 클램프(30)의 아랫면과 접촉하며 가압되는 부분이며, 상기 지그 가동체(51)의 측면은 상기 지그 가동체(51)를 지지할 수 있도록 후술되는 지그 본체(52)의 내부 구멍의 측벽과 접촉하여 마찰력에 의하여 지지가 되고 클램프(30)의 하강에 의하여 상기 지그 가동체(51)의 윗면이 가압됨에 따라 상기 지그 본체(52)의 내부 구멍을 따라서 움직일 수 있도록 구성되어 있다.
상기 지그 본체(52)는 상기 지그 가동체(51)가 삽입될 수 있도록 지그 본체(52)의 외경과 같은 크기의 구멍이 형성되어 상기 지그 가동체(51)의 측면과 상기 지그 본체(52)의 내부 구멍의 측벽이 접촉함으로써 상기 지그 가동체(51)를 지지하도록 구성되어 있다.
상기 지그 본체(52)의 높이는 상기 이음 고리를 제거한 공간에 놓일 수 있도록 상기 페데스탈의 높이와 같거나 작고, 상기 지그 본체의 폭은 이음고리의 폭과 작거나 같게 형성한다.
상기 지그 가동체의 높이는 후술되는 지그 본체의 높이와 같거나 크게 형성하여 상기 지그 가동체와 상기 지그 본체가 결합하여 형성된 클램프 교정 지그(50)의 높이가 클램프의 하강에 의하여 가압될 수 있도록 충분히 높아야 한다.
본 발명의 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그(50)를 구성하는 상기 지그 가동체(51) 및 지그 본체(52)는 반도체 생산 현장에서 간편히 제작/사용할 수 있는 테플론(Teflon) 재질로 형성하는 것이 바람직하다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 교정 지그가 설치된 웨이퍼 클램프 장치의 단면도이다.
첨부된 도 5에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 클램프 교정 지그(50)는 챔 버에서 이음 고리(40)을 제거한 후에 페데스탈(20)의 측면에 다수 개 설치된다.
첨부된 도 5는 챔버에 장착된 클램프(30)가 하강하여 웨이퍼(10)를 고정시킨 상태를 나타낸 것이다. 상기 클램프(30)의 수평도는 양호하지 아니한 상태로서 상기 클램프의 좌측 부분에 형성된 팁(30a)은 웨이퍼(10)의 가장자리를 가압하고 있지만, 상기 클램프의 우측 부분에 형성된 팁(30a)은 웨이퍼(10)와 접촉하지 않고 미세한 틈새를 보여주고 있다.
본 발명에 의한 클램프 교정 지그(50)는 상기 클램프(30)의 미세한 위치의 차이를 측정할 수 있도록 지그 가동체(51)의 윗부분은 상기 클램프(30)의 아랫면과 접촉하여 움직일 수 있도록 구성되어 있다.
따라서 도 5에 도시한 바와 같이 좌측 및 우측에 설치한 클램프 교정 지그(50)를 제거한 후에 소정의 측정 수단을 써서 각각의 위치에서의 상기 클램프 교정 지그(50)의 높이를 측정함으로써 클램프(30)의 수평도를 계산할 수 있다.
이 경우 측정 수단으로서 버어니어 켈리퍼스(Vernier Calipers) 또는 마이크로미터(Micrometer)를 사용함으써 10 미크론 내지 1 미크론의 측정오차를 갖는 높은 정확도의 측정 데이터를 얻을 수 있다.
상기의 구성을 갖는 본 발명에 따른 클램프 교정 지그(50)를 사용하여 클램프의 수평도를 교정하는 작업을 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조 장비의 클램프 교정 방법의 흐름도이다.
제1단계는 챔버에 클램프(30)를 장착하는 단계로서, 상기 클램프(30)의 수평 도가 측정되는 것이다.
제2단계는 이음 고리(40)를 제거하고 이음고리(40)가 놓였던 페데스탈(20)의 측면에 다수의 클램프 교정 지그(50)를 일정한 간격으로 배치한다.
제3단계는 장착된 클램프(30)를 하강시켜 웨이퍼 고정위치로 이동시킨다.
제4단계는 클램프(30)를 상승시키고 각각의 위치에서의 상기 클램프 교정 지그(50)를 챔버로부터 분리하여 각 클램프 교정 지그(50)의 높이를 소정의 측정수단으로 측정한다.
제5단계는 상기 측정된 결과를 비교하여 클램프(30)의 수평도를 확인한다.
제6단계는 수평도가 양호하지 아니한 경우에는 클램프(30)를 제거하고 다시 장착한 후에 상기의 과정을 반복 수행하고, 수평도가 양호한 경우에는 이음 고리(40)를 페데스탈(20)의 측면에 설치하고 클램프(30)의 수평을 교정하는 작업을 완료한다.
이상에서 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치를 교정하기 위한 하나의 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시한 예에 한정되지 않고 본 발명의 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법에 의하면 클램프 교정 지그을 사용함으로써 보다 정확하고 효율적인 측정 데이타 관리가 가능하게 하여 장비의 유지 및 보수를 위한 시 간을 절약함으로써 장비 가동률을 높이고 웨이퍼의 손상을 줄일 수 있어 수율(yield)을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 반도체 제조장비의 페데스탈, 클램프, 이음 고리를 사용하는 기계식 척에서 기다란 막대모양으로서 높이는 후술되는 지그 본체의 높이와 같거나 큰 지그 가동체;와 상기 지그 가동체가 삽입될 수 있도록 상기 지그 가동체의 외경과 같은 크기의 구멍을 내부에 형성하고 높이는 페데스탈의 높이와 같거나 작고 폭은 이음고리의 폭과 작거나 같게 형성한 지그 본체;를 결합하여 이루어진 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지그 가동체와 상기 지그 본체는 테플론 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그.
  3. 반도체 제조장비의 기계식 척에서 반도체 제조장비의 클램프의 수평도를 측정하기 위해 상기 클램프를 장착하는 제1단계; 상기 클램프 교정 지그를 웨이퍼가 놓여있는 페데스탈의 측면에 배치하는 제2단계; 상기 클램프를 하강시키는 제3단계; 상기 클램프 교정 지그를 제거하여 측정하는 제4단계; 상기 측정 결과를 비교하여 수평도를 확인하는 제5단계; 이음 고리를 장착하여 클램프 교정을 완료하는 제6단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 클램프 교정 방법.
KR1020050113463A 2005-11-25 2005-11-25 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법 KR20070055116A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050113463A KR20070055116A (ko) 2005-11-25 2005-11-25 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050113463A KR20070055116A (ko) 2005-11-25 2005-11-25 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070055116A true KR20070055116A (ko) 2007-05-30

Family

ID=38276700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050113463A KR20070055116A (ko) 2005-11-25 2005-11-25 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070055116A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001105U (ko) 2016-10-12 2018-04-20 주식회사 잉크테크 잉크 카트리지 충전용 잉크 용기 캡

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180001105U (ko) 2016-10-12 2018-04-20 주식회사 잉크테크 잉크 카트리지 충전용 잉크 용기 캡

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI512875B (zh) 用於調整聯結於一晶圓處理機器人之一進給手臂之校直及位置之系統以及用於調整聯結於一晶圓處理機器人之一進給手臂之校直及位置之方法
JP4794624B2 (ja) プローブカードの製造方法及び製造装置
EP2752870A1 (en) Chuck, in particular for use in a mask aligner
KR20000068713A (ko) 좌표 측정기의 측정 오차 보정 방법
DE60215090D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Testen von Halbleiterwafern
JP6754447B2 (ja) 測定台上のマスクホルダの位置を検出する方法
JP5732858B2 (ja) 基板厚み測定装置及び基板厚み測定方法
KR20070055116A (ko) 반도체 제조장비의 클램프 교정 지그 및 교정 방법
US6014886A (en) Gauge block holder apparatus
KR102412223B1 (ko) 흡착력 감지센서를 갖는 모니터링 웨이퍼를 이용하여 정전척 상에서의 흡착력 판단 방법
TWM545899U (zh) Mocvd溫度探測器及其安裝機構
JP5661937B2 (ja) ウェハコーティング装置
US10190865B2 (en) Verifying end effector flatness using electrical continuity
US11881424B2 (en) Electrostatic charge measurement tool
KR100956209B1 (ko) 광학검사장치 교정용 멀티 스탠다드 스케일
TWM509424U (zh) 晶片承載裝置
TW202026259A (zh) 桌台
JPH05283511A (ja) 真空吸着装置
JP4578315B2 (ja) ウエーハ位置決め用治具及びウエーハ固定用スタンド並びにウエーハ分析方法
TW202037887A (zh) 玻璃板測定裝置以及玻璃板的製造方法
CN219626624U (zh) 机械手目标位置校准辅助工具
CN111141191A (zh) 用于确定产品的边缘部分的高度的方法和装置
KR101386519B1 (ko) 칫솔 홀 깊이 측정장치
KR100821096B1 (ko) 표준 웨이퍼 및 그를 이용한 기준 선폭 설정 방법
CN117602805A (zh) 石英管棒件校正设备及校正方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination