KR20070053540A - Bake apparatus - Google Patents

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Abstract

베이크 장치를 제공한다. 상기 베이크 장치는 베이크 공정의 처리 공간을 제공하는 본체와, 상기 본체 내부에 배치되어 안치되는 웨이퍼를 가열하는 베이크 플레이트, 및 상기 베이크 플레이트로부터 소정 거리 이격되어 배치되고 상기 베이크 플레이트로부터 동일 레벨 상에 위치하는 다수의 거리 감지 센서들을 구비한다. 상기 거리 감지 센서들은 하부의 웨이퍼에 대해 빛을 조사함으로써 측정된 거리편차가 기준 범위 내에 있는지 여부로 웨이퍼의 레벨링을 판단하게 된다.Provides a baking device. The baking apparatus includes a main body that provides a processing space for a baking process, a baking plate for heating a wafer disposed and placed inside the main body, and a predetermined distance from the baking plate and positioned on the same level from the baking plate. It is provided with a plurality of distance sensing sensors. The distance sensors detect the leveling of the wafer based on whether the measured distance deviation is within a reference range by irradiating light onto the lower wafer.

거리 감지 센서, 베이크 장치, 컨트롤러 Distance Sensing Sensor, Bake Device, Controller

Description

베이크 장치{Bake apparatus}Bake apparatus

도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a baking apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치에서 웨이퍼가 베이크 플레이트에 제대로 안치되지 못한 상태를 나타낸 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a state that the wafer is not properly placed on the baking plate in the baking apparatus according to the present invention.

**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

100 : 베이크 장치 110 : 본체100: baking device 110: main body

120 : 거리 감지 센서 130 : 베이크 플레이트120: distance detection sensor 130: baking plate

132 : 가열 장치 134 : 웨이퍼 가이드핀132: heating device 134: wafer guide pin

140 : 리프트 유닛 142 : 리프트 플레이트140: lift unit 142: lift plate

144 : 리프트핀 150 : 컨트롤러144: lift pin 150: controller

본 발명은 사진 공정과 관련한 반도체 제조 설비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 상기 공정에서 웨이퍼 상에 형성된 막질에 대한 경화를 돕는 베이크 장치에서 상기 베이크 장치의 베이크 플레이트 상에 놓여지는 웨이퍼가 제대로 놓여졌는지 여부를 판단하기 위한 거리 감지 센서를 구비한 베이크 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility relating to a photographic process, and more particularly to whether a wafer placed on a bake plate of the bake device is properly placed in a bake device that helps to cure the film formed on the wafer in the process. It relates to a baking device having a distance sensor for determining.

일반적으로, 포토리소그래피(photolithography) 공정은 웨이퍼의 포토레지스트막을 선택적으로 제거하여 미세패턴을 형성하는 기술이다. 이러한 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트막(photoresist layer)을 형성하는 포토레지스트 도포 단계, 마스크 상에 형성된 소정의 회로 패턴들을 축소시켜 포토레지스트막에 노광하는 노광 단계, 노광으로 인해 성질이 변화된 포토레지스트막을 선택적으로 제거하는 현상 단계를 포함하며, 후속 공정으로서 현상 단계를 거쳐 형성된 포토레지스트막 패턴을 제거하는 식각 공정 및 남아있는 포토레지스트막 패턴을 제거하는 스트리핑 공정이 진행된다. 상술한 공정들 중에서 포토레지스트막을 도포하기 전과 포토레지스트막을 도포한 후 그리고, 현상 공정을 진행한 후에 웨이퍼를 소정의 온도로 열처리하는 베이크 공정이 진행된다.In general, a photolithography process is a technique of forming a fine pattern by selectively removing a photoresist film of a wafer. Such a photolithography process includes a photoresist coating step of forming a photoresist layer on a wafer, an exposure step of reducing predetermined circuit patterns formed on a mask and exposing the photoresist film to a photoresist film, and a photo having a changed property due to exposure. A development step of selectively removing the resist film is included. As a subsequent process, an etching process of removing the photoresist film pattern formed through the development step and a stripping process of removing the remaining photoresist film pattern are performed. Among the above-described processes, a baking process is performed before the photoresist film is applied, after the photoresist film is applied, and after the development process, the wafer is heat-treated to a predetermined temperature.

포토레지스트 도포 공정을 진행하기 전에 진행하는 베이크 공정은 웨이퍼 표면에 잔존하는 수분을 제거하는 드라이 베이크(dry bake)이고, 포토레지스트 도포 공정 후에 진행하는 베이크 공정은 액체 상태의 포토레지스트를 고체 필름으로 변화시키는 선 베이크(Pre bake)이다. 마지막으로, 현상 공정을 진행한 후에 진행하는 베이크 공정은 현상액에 의해 하부막과 접착력이 약화된 포토레지스트막의 접착력을 보강하기 위한 후 베이크(post bake)이다.The baking process performed before the photoresist coating process is a dry bake to remove moisture remaining on the wafer surface, and the baking process performed after the photoresist coating process converts the liquid photoresist into a solid film. Pre bake. Lastly, the baking process performed after the developing process is a post bake for reinforcing the adhesive strength of the photoresist film whose adhesive strength has been weakened by the developing film.

이러한 베이크 공정은 소정의 온도로 웨이퍼를 가열하여 굽는 베이크 장치에서 진행된다. 상기 베이크 장치는 베이크 공정의 처리 공간을 제공하는 본체와, 상기 본체 내부에 배치되어 웨이퍼가 안치되는 베이크 플레이트를 구비한다.This baking process is performed in the baking apparatus which heats and bakes a wafer to predetermined | prescribed temperature. The baking apparatus includes a main body that provides a processing space of a baking process, and a baking plate disposed inside the main body to accommodate a wafer.

종래의 베이크 장치는 외부에서 이송 로봇에 의해 상기 본체 내부의 베이크 플레이트에 웨이퍼가 안착되는데, 웨이퍼의 레벨링(levelling, 한쪽 방향으로 기울어짐) 여부를 확인하는 기능이 없어 베이크 공정을 그대로 진행하게 되고, 후속 계측 공정에서 불량을 감지한 후에 상기 베이크 공정으로 피드백하는 사이에 상당 부분의 불량이 발생한다.In the conventional baking apparatus, the wafer is seated on the baking plate inside the main body by a transfer robot from the outside, and there is no function of checking the leveling of the wafer (tilting in one direction), and the baking process is performed as it is. A significant portion of the failure occurs between feedback to the bake process after the failure is detected in a subsequent measurement process.

상기에서처럼 레벨링이 발생한 채로 베이크 공정을 진행하면 베이크 플레이트에 상대적으로 가까운 웨이퍼 부위가 더 많이 가열되어 결과적으로는 포토레지스트 공정의 주요 공정 변수인 CD(Critical Dimention), Tpr(포토 레지스트의 두께)의 차이가 발생하는 문제점이 발생할 수 있다.When the baking process is performed with the leveling occurring as described above, the wafer portion relatively close to the baking plate is heated more, and as a result, the difference between the critical process variables (Critical Dimention) and Tpr (thickness of photoresist), which are the main process variables of the photoresist process A problem may occur.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 베이크 장치 내에 안착된 웨이퍼의 레벨링 여부를 거리 감지 센서를 통해 확인하여 상기 웨이퍼의 틸팅(tilting)에 의한 불량 발생을 감소시키는 베이크 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, by checking whether the level of the wafer seated in the baking apparatus through a distance sensor to reduce the occurrence of defects due to the tilting (wafer) of the wafer Providing a device is a technical problem.

이와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명에 따른 상기 베이크 장치는 베이크 공정의 처리 공간을 제공하는 본체와, 상기 본체 내부에 배치되어 안치되는 웨이퍼를 가열하는 베이크 플레이트, 및 상기 베이크 플레이트로부터 소정 거리 이격되어 배치되고, 상기 베이크 플레이트로부터 동일 레벨 상에 위치하는 다수의 거리 감지 센서들을 구비한다. 상기 거리 감지 센서들은 하부의 웨이퍼에 대해 빛을 조사함으로써 측정된 거리편차가 기준 범위 내에 있는지 여부로 웨이퍼의 레벨링을 판단하 게 된다.The baking apparatus according to the present invention for achieving the above object is spaced apart from the bake plate, and the bake plate for heating the wafer disposed in the main body, and the bake plate disposed in the main body to provide a processing space of the baking process; And a plurality of distance sensing sensors disposed on the same level from the baking plate. The distance sensing sensors determine the leveling of the wafer based on whether the measured distance deviation is within a reference range by irradiating light onto the lower wafer.

여기에서, 상기 거리 감지 센서들은 상기 본체 내부 상단에 설치되어 상기 웨이퍼의 레벨링을 측정할 수 있다.Here, the distance sensors may be installed on the upper end of the body to measure the leveling of the wafer.

바람직하게, 상기 거리 감지 센서들은 상기 웨이퍼에 빛을 조사하도록 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 직경을 갖는 동심원을 따라 일정 간격으로 배치되는 적어도 3개 이상으로 구성될 수 있다.Preferably, the distance sensing sensors may be configured of at least three or more spaced intervals along concentric circles having a diameter smaller than the diameter of the wafer to irradiate light onto the wafer.

그리고, 상기 거리 감지 센서들과 전기적으로 접속되는 컨트롤러 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 접속되는 경보 발생기를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a controller electrically connected to the distance detecting sensors and an alarm generator electrically connected to the controller.

여기에서, 상기 베이크 플레이트를 가열하는 가열부와 상기 가열부에 열을 제공하는 가열원을 더 포함하되, 상기 가열원은 상기 컨트롤러에 전기적으로 접속될 수 있다.The apparatus may further include a heating unit for heating the baking plate and a heating source for providing heat to the heating unit, wherein the heating source may be electrically connected to the controller.

이하에서는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 한편, 첨부된 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위해 다소 과장되어진 것으로 이해되는 것이 바람직하며, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. On the other hand, the shape and the like of the elements in the accompanying drawings are preferably understood to be somewhat exaggerated for more clear description, the same reference numerals throughout the specification represent the same components.

도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치의 일 실시예를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a baking apparatus according to the present invention.

먼저, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 베이크 장치(100)의 구 성을 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 베이크 장치(100)는 베이크 공정의 처리 공간을 제공하는 본체(110)와, 상기 본체(110) 내부에 배치되어 웨이퍼(W)가 안치되는 베이크 플레이트(120), 및 상기 본체(110) 내부 상단에 설치되어 하부에 위치한 웨이퍼(W)를 향해 빛을 조사하는 다수의 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)을 구비한다. First, the configuration of the baking apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1. As shown in FIG. 1, the baking apparatus 100 according to the present invention includes a main body 110 providing a processing space of a baking process, and a baking plate disposed inside the main body 110 to place a wafer W therein. 120, and a plurality of distance sensing sensors 140a, 140b, and 140c installed at an upper end of the main body 110 to irradiate light toward a wafer W positioned at a lower portion thereof.

상기 베이크 플레이트(120)는 내부에 가열부(122)가 내장되고, 상기 베이크 플레이트(120)의 상하단면과 직교된 방향으로 상기 베이크 플레이트(120)를 관통하도록 형성된 복수개의 리프트핀 홀(126)이 형성된다. 상기 가열부(122)는 가열원(125)으로부터 열을 제공받게 되고, 상기 가열원(125)은 후술할 컨트롤러(150)에 전기적으로 접속되어 있다.The plurality of lift pin holes 126 are formed in the baking plate 120 to penetrate the baking plate 120 in a direction orthogonal to the upper and lower end surfaces of the baking plate 120. Is formed. The heating unit 122 receives heat from the heating source 125, and the heating source 125 is electrically connected to a controller 150 to be described later.

이 때, 상기 베이크 플레이트(120)에 웨이퍼(W)가 안전하게 안착될 수 있도록 하기 위해 본체(110) 내부에 리프트 유닛(130)이 설치된다. 상기 리프트 유닛(130)은 상기 베이크 플레이트(120)의 하부에 설치된 리프트 플레이트(132)와, 상기 리프트 플레이트(132)의 상면에 직립되게 설치되어 상기 리프트핀 홀(126)내에서 승하강되는 리프트핀(134), 및 상기 리프트 플레이트(132)의 승하강을 가능하게 하는 구동축(136)으로 구성된다. 상기 구동축(136)은 미도시된 구동 수단에 의해 상하로 이동 가능하고, 상기 리프트핀(134)은 외부의 이송장치(미도시)에 의해 그 상단에 웨이퍼(W)가 놓여진다.At this time, the lift unit 130 is installed inside the main body 110 to allow the wafer W to be safely seated on the baking plate 120. The lift unit 130 is a lift plate 132 installed below the bake plate 120 and a lift installed upright on an upper surface of the lift plate 132 to be lifted up and down within the lift pin hole 126. A pin 134 and a drive shaft 136 to allow the lift plate 132 to move up and down. The drive shaft 136 is movable up and down by a driving means not shown, and the lift pin 134 is placed on the top of the wafer (W) by an external transfer device (not shown).

이러한 베이크 플레이트(120)는 웨이퍼(W)와 동일한 원 형상으로 형성되며, 웨이퍼(W)의 직경보다 큰 직경을 갖는다. 베이크 플레이트(120) 상에는 복수개의 가이드 핀(124)이 형성된다. 가이드 핀(124)은 웨이퍼(W)의 직경보다 약간 더 큰 직경을 갖도록 베이크 플레이트(120)의 가장자리를 따라 일정간격으로 배치된다. 상기 가이드 핀(124)은 웨이퍼(W)가 베이크 플레이트(120)의 중앙에 위치하도록 가이드한다. 상기 리프트핀 홀(126)들은 가이드 핀(124)의 안쪽에 형성되며, 웨이퍼(W)가 리프트 핀(134)에서 떨어지지 않도록 서로 등 간격으로 배치된다.The bake plate 120 is formed in the same circular shape as the wafer W, and has a diameter larger than the diameter of the wafer W. A plurality of guide pins 124 are formed on the baking plate 120. The guide pins 124 are disposed at regular intervals along the edge of the bake plate 120 to have a diameter slightly larger than the diameter of the wafer W. The guide pin 124 guides the wafer W to be positioned at the center of the baking plate 120. The lift pin holes 126 are formed inside the guide pin 124 and are disposed at equal intervals so that the wafers W do not fall off the lift pin 134.

상기 리프트핀(134)은 리프트핀 홀(126)의 개수와 동일하며, 리프트핀 홀(126)에 각각 삽입된다.The lift pins 134 are equal to the number of lift pin holes 126 and are respectively inserted into the lift pin holes 126.

상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)은 상기 베이크 플레이트(120)로부터 소정거리 이격되어 배치된다. 또한, 상기 베이크 플레이트(120)로부터 동일한 높이에 위치할 수 있다.The distance detecting sensors 140a, 140b, and 140c are spaced apart from the bake plate 120 by a predetermined distance. In addition, it may be located at the same height from the baking plate 120.

상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)은 하부의 웨이퍼(W)에 대해 빛을 조사함으로써 측정된 거리편차가 기준 범위 내에 있는지 여부로 웨이퍼(W)의 레벨링을 판단하게 된다. 상기 기준 범위의 경우 예를 들면, 3개의 거리 감지 센서(140a,140b,140c)에 의해 측정된 최대, 최소 거리의 차가 700㎛ 이내일 경우에는 웨이퍼(W)의 기울어짐이 없는 것으로 판단할 수 있다.The distance sensors 140a, 140b, and 140c determine the leveling of the wafer W based on whether the measured distance deviation is within a reference range by irradiating light onto the lower wafer W. For the reference range, for example, when the difference between the maximum and minimum distances measured by the three distance sensors 140a, 140b, and 140c is within 700 µm, it may be determined that there is no inclination of the wafer W. have.

상기와 같이, 바람직하게 상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)은 상기 웨이퍼(W)에 빛을 조사하도록 상기 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 갖는 동심원을 따라 일정 간격으로 배치되는 적어도 3개 이상으로 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 센서들은 3개에 한정되지는 않고 거리 편차의 정밀도를 높이기 위해서 웨이퍼(W)의 직경보다 작은 직경을 갖는 동심원을 따라 일정 간격으로 4~6개 정도로 구성 이 가능하다.As described above, the distance sensors 140a, 140b, 140c are preferably arranged at regular intervals along a concentric circle having a diameter smaller than the diameter of the wafer W to irradiate the wafer W with light. It may consist of three or more. Here, the sensors are not limited to three, but may be configured to about 4 to 6 at regular intervals along concentric circles having a diameter smaller than the diameter of the wafer (W) in order to increase the accuracy of the distance deviation.

사진 공정에서 웨이퍼(W)에 도포된 감광막에 패턴을 형성하기 위해 노광하는 방법은 빛의 파장에 따른 것으로 g-line(436nm), i-line(365nm), DUV(Deep Ultra-Violet:248nm), ARF(193nm) 등으로 구분하며, 단파장인 상기 DUV가 상기 i-line(365nm)보다 높은 해상도을 갖는다.The exposure method for forming a pattern on the photosensitive film coated on the wafer W in the photolithography process depends on the wavelength of light, and is g-line (436 nm), i-line (365 nm), and DUV (Deep Ultra-Violet: 248 nm). And ARF (193 nm), and the short wavelength of the DUV has a higher resolution than the i-line (365 nm).

상기에서처럼 감광막을 도포한 후에 노광을 수행하게 되는데 베이크 공정에서 상기 감광막을 노광할 수 있는 특정 파장 영역대의 빛을 조사하면 감광막 전체의 성상이 변하게 되므로 패턴 형성이 불가하다. 예를 들면, i-line(365nm) 에 따르는 노광을 실시할 경우, 감광막은 365nm 파장 영역대에서만 반응하는 성질을 가지고 있으므로 그 이외의 파장 영역대에서는 반응하지 않는다.Exposure is performed after the photosensitive film is applied as described above. However, when the light is irradiated in a specific wavelength range in which the photosensitive film can be exposed, the pattern of the entire photosensitive film is changed. For example, when performing exposure according to i-line (365 nm), the photosensitive film has a property of reacting only in the 365 nm wavelength range, and thus does not react in the other wavelength range.

따라서, 상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)은 상기 웨이퍼(W) 상에 도포된 감광막의 성질을 변형시키는 특정 영역대의 파장이 아닌 다른 역영대의 파장을 지닌 빛을 조사할 수 있다.Accordingly, the distance sensors 140a, 140b, and 140c may irradiate light having a wavelength other than that of a specific region that modifies the properties of the photoresist film coated on the wafer W.

그리고, 상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)과 접속되어 측정된 거리 편차가 기준 범위를 벗어날 경우에는 경보 발생기(160)를 통하여 알람을 발생하도록 제어하는 컨트롤러(150)를 더 포함할 수 있다.The controller 150 may further include a controller 150 that is connected to the distance detecting sensors 140a, 140b, and 140c and controls to generate an alarm through the alarm generator 160 when the measured distance deviation is out of a reference range. have.

상기 컨트롤러(150)는 상기 거리 편차의 기준 범위가 미리 입력되어 있으며, 상기 기준 범위를 벗어날 경우에는 컨트롤러(150)가 경보 발생기(160)를 통해 알람을 발생토록 하고, 가열원(125)을 제어하여 가열부(122)로 열이 공급되지 않도록 한다. 또한, 리프트 유닛(130)을 구동하는 구동 수단(미도시)을 제어함으로써 웨이 퍼(W)를 상승시킨후, 상기 베이크 장치(100) 외부의 웨이퍼 이송 장치(미도시)에 의해 이송할 수 있도록 제어할 수 있다.The controller 150 is previously input the reference range of the distance deviation, if the reference range is out of the controller 150 to generate an alarm through the alarm generator 160, and controls the heating source 125 To prevent heat from being supplied to the heating part 122. In addition, by raising the wafer (W) by controlling the driving means (not shown) for driving the lift unit 130, so that it can be transferred by a wafer transfer device (not shown) outside the baking apparatus 100. Can be controlled.

도 2는 본 발명에 따른 베이크 장치(100)에서 웨이퍼(W)가 베이크 플레이트(120)에 제대로 안착되지 못한 상태를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 외부의 이송 장치에 의해 리프트 유닛(130)의 리프트 핀(134)에 공정이 진행될 웨이퍼(W)가 잘못 안착된 경우에는, 상기 리프트 유닛(130)의 하강에 의해서 웨이퍼(W)의 일측 가장자리 하단이 가이드 핀(124) 상단에 놓여진다. 이 경우에는 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)에서 측정된 거리 편차가 기준 범위(예를 들어 700㎛)를 벗어날 경우에 공정 진행이 불가하도록 컨트롤러(150)에 설정할 수 있다.2 is a cross-sectional view illustrating a state in which the wafer W is not properly seated on the bake plate 120 in the baking apparatus 100 according to the present invention. Referring to FIG. 2, when the wafer W to be processed is incorrectly seated on the lift pin 134 of the lift unit 130 by an external transfer device, the wafer may be lowered by the lift unit 130. The lower edge of one side of W) is placed on the top of the guide pin 124. In this case, when the distance deviation measured by the distance detecting sensors 140a, 140b, and 140c is out of the reference range (for example, 700 μm), the controller 150 may be set to prevent the process from proceeding.

이하, 본 발명에 따른 베이크 장치(100)의 작동에 대해 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the baking apparatus 100 according to the present invention will be described with reference to FIGS.

도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 베이크 장치(100)는 웨이퍼 이송 장치(미도시)에 의해 카세트로부터 웨이퍼를 가져오고, 리프트 유닛(130)이 상승하면 상기 웨이퍼 이송 장치가 웨이퍼(W)를 리프트핀(134) 상단에 안착시킨다. 그 후 리프트 유닛(130)이 하강하면 리프트핀(134)이 리프트핀 홀(126)을 통해 내려와 웨이퍼(W)가 베이크 플레이트(120)상에 놓여진다.1 and 3, the baking apparatus 100 takes a wafer from a cassette by a wafer transfer apparatus (not shown), and when the lift unit 130 is raised, the wafer transfer apparatus lifts the wafer W. As shown in FIG. The lift pin 134 is seated on top. Thereafter, when the lift unit 130 descends, the lift pin 134 descends through the lift pin hole 126 so that the wafer W is placed on the baking plate 120.

다음으로, 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)에서 비노광빔을 조사함으로써 상기 센서들(140a,140b,140c)과 웨이퍼(W) 사이의 거리를 측정한 후 측정된 거리 편차가 기준 범위 내인지 여부를 컨트롤러(150)에서 판단하게 된다. 상기 거리 편차가 기준 범위 내이면, 베이크 플레이트(120)는 가열 동작을 실시하여 그 상면에 안착된 웨이퍼(W)의 베이킹 공정을 실시한다. 상기 베이킹 공정이 완료되면 리프트 유닛(130)은 다시 상승하고 웨이퍼 이송 장치가 상기 리프트핀(134)에 놓여진 웨이퍼(W)를 카세트로 이동시킨다.Next, the distance deviation measured after measuring the distance between the sensors 140a, 140b, 140c and the wafer W by irradiating a non-exposure beam from the distance sensing sensors 140a, 140b, 140c. The controller 150 determines whether or not it is inside. When the distance deviation is within the reference range, the baking plate 120 performs a heating operation to perform a baking process of the wafer W seated on the upper surface. When the baking process is completed, the lift unit 130 is raised again and the wafer transfer device moves the wafer W placed on the lift pin 134 to the cassette.

도 2 및 도 3을 참조하면, 외부의 이송 장치에 의해 리프트핀(134)에 웨이퍼(W)가 잘못 안착된 경우에는 상기 거리 감지 센서들(140a,140b,140c)에서 측정된 거리 편차가 기준 범위를 벗어나게 된다. 상기의 경우에는 컨트롤러(150)가 경보 발생기(160)를 통해 알람을 발생토록 하고, 가열원(125)를 제어함으로써 더 이상 열이 가열부(122)로 공급되지 못하도록 할 수 있다.2 and 3, when the wafer W is incorrectly seated on the lift pin 134 by an external transfer device, the distance deviation measured by the distance detecting sensors 140a, 140b, and 140c is used as a reference. It is out of range. In this case, the controller 150 may generate an alarm through the alarm generator 160 and control the heating source 125 so that no more heat may be supplied to the heating unit 122.

본 발명에 따른 베이크 장치는 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 베이크 장치 내부에서 공정이 진행되기 전에 다수의 거리 감지 센서에 의해 거리 편차를 확인함으로써 웨이퍼의 레벨링에 의해 발생할 수 있는 제 문제점을 방지할 수 있다.The baking apparatus according to the present invention is designed to overcome the disadvantages of the prior art as described above, and may be caused by the leveling of the wafer by checking the distance deviation by a plurality of distance sensing sensors before the process is performed inside the baking apparatus. I can prevent the 1st problem that there is.

Claims (5)

베이크 공정의 처리 공간을 제공하는 본체;A main body providing a processing space of a baking process; 상기 본체 내부에 배치되어, 안치되는 웨이퍼를 가열하는 베이크 플레이트; 및A baking plate disposed inside the main body to heat a wafer to be placed; And 상기 베이크 플레이트로부터 소정 거리 이격되어 배치되고, 상기 베이크 플레이트로부터 동일 레벨 상에 위치하는 다수의 거리 감지 센서들을 포함하는 베이크 장치.And a plurality of distance sensing sensors disposed at a predetermined distance from the baking plate and positioned on the same level from the baking plate. 제 1항에 있어서, 상기 거리 감지 센서들은 상기 본체 내부 상단에 설치되어 상기 웨이퍼의 레벨링을 측정하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.The baking apparatus according to claim 1, wherein the distance detecting sensors are installed on an upper end of the main body to measure leveling of the wafer. 제 2항에 있어서, 상기 거리 감지 센서들은 상기 웨이퍼에 빛을 조사하도록 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 직경을 갖는 동심원을 따라 일정 간격으로 배치되는 적어도 3개 이상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.3. The baking apparatus according to claim 2, wherein the distance sensing sensors are composed of at least three or more spaced intervals along concentric circles having a diameter smaller than the diameter of the wafer to irradiate light to the wafer. 제 1항에 있어서, 상기 거리 감지 센서들과 전기적으로 접속되는 컨트롤러 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 접속되는 경보 발생기를 더 포함하는 베이크 장치.The bake device of claim 1, further comprising a controller electrically connected to the distance sensing sensors and an alarm generator electrically connected to the controller. 제 4항에 있어서, 상기 베이크 플레이트를 가열하는 가열부와 상기 가열부에 열을 제공하는 가열원을 더 포함하되, 상기 가열원은 상기 컨트롤러에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.5. The baking apparatus according to claim 4, further comprising a heating portion for heating the baking plate and a heating source for providing heat to the heating portion, wherein the heating source is electrically connected to the controller.
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