KR20070049784A - 공정 챔버의 압력 측정 장치 - Google Patents

공정 챔버의 압력 측정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20070049784A
KR20070049784A KR1020050106937A KR20050106937A KR20070049784A KR 20070049784 A KR20070049784 A KR 20070049784A KR 1020050106937 A KR1020050106937 A KR 1020050106937A KR 20050106937 A KR20050106937 A KR 20050106937A KR 20070049784 A KR20070049784 A KR 20070049784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
pressure measuring
unit
process chamber
measuring unit
Prior art date
Application number
KR1020050106937A
Other languages
English (en)
Inventor
김종환
이석민
백승용
장점수
장덕영
서은성
김정훈
김호남
장영호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050106937A priority Critical patent/KR20070049784A/ko
Publication of KR20070049784A publication Critical patent/KR20070049784A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

세정 공정시 손상이 최소화되는 챔버의 압력 측정 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 기판에 막을 형성하기 위한 공정 및 세정 공정이 수행되는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하는 압력 측정부와 막 형성 공정할 때 상기 압력 측정부에 포함된 발열부에 전원 공급하고, 상기 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단하는 전원 제어부를 포함하는 구성을 갖는다. 이러한 구성을 갖는 장치는 공정 부산물의 흡착으로 인해 상기 압력 측정부의 영점 및 스팬이 비정상적으로 변화되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 그 손상을 최소화 할 수 있다.

Description

공정 챔버의 압력 측정 장치{Apparatus for measuring the pressure in a processing chamber}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 공정 챔버 12, 14 : 제1, 제2 배기 라인
20 : 자동 압력 제어기 22 : 배기 조절판 밸브
30 : 펌프 100 : 압력 측정부
110 : 케이스 120 : 히터 케이스
130 : 히터 140 : 압력 센서
150 : 전자 회로기판 160 : 신호 조절부
200 : 전원 제어부 202 : 히터 전원 제어부
본 발명은 압력 측정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치에 관한 것이다.
반도체 장치는 일반적으로 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼에 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 확산 공정 등과 같은 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로써 제조된다. 상기 단위 공정들을 수행함에 있어서, 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해 압력, 온도 등의 공정 조건들을 보다 정밀하게 제어하는 것이 필수적인 요구 조건으로 대두되었다.
반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 저압 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스(source gas)들이 사용된다. 이 때, 상기 공정은 반도체 기판이 대기와 반응하지 않도록 하기 위해 소정의 진공 상태에서 수행되는 것이 일반적이다.
구체적으로, 공정 챔버로 상기 반응 가스들이 투입되면 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승하게 된다. 이 때, 상기 상승된 압력을 기 설정된 공정 조건으로 유지하기 위한 펌프 시스템이 가동된다. 또한, 상기 펌프 시스템은 상기 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.
상기 펌프 시스템의 방식은 가공 장치에 따라 다양하며, 공정 조건의 제어를 위하여 공정 챔버의 배기 라인에는 다양한 밸브들이 설치된다. 저압 화학 기상 증착(low-pressure chemical vapor deposition; LPCVD)이나 건식 식각(dry etching) 공정이 진행되는 장치에서는 저진공 펌프를 이용하여, 소정의 공정이 종료된 후 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 공정 가스를 배출한다. 상기 공정 가스를 배출하기 위한 배기 가스 처리 시스템은 크게 공정 챔버와 연결되는 배기 라인, 배기 라인 상에 설치되는 밸브 및 배기 라인을 통해 공정 챔버와 연결되는 진공 펌프를 포함한다.
상기 배기 라인 상에는 공정 챔버의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치와 공정 챔버의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어기(Auto Pressure Controller : APC)가 구비되는 것이 일반적이다. 상기 압력 측정 장치의 예를 들면, 피라니 게이지(pirani gauge), 열전쌍 게이지(thermocouple gauge), 이온 게이지(ion gauge) 등이 있다. 특히, 공정 챔버의 실제 압력을 정확하게 측정할 수 있고, 측정되는 가스 종류의 영향을 받지 않는 바라트론 사의 용량형 압력계(Baratron　capacitance manometer; 이하, '바라트론 게이지'라 지칭함)가 산업 현장에서 널리 사용되고 있다.
상기 자동 압력 제어기는 압력 측정 장치의 출력 전압에 따라 배기 조절판 밸브(exhaust throttle valve)가 조정되어 공정 챔버의 압력을 조절하게 된다. 여기서, 압력 측정 장치의 출력 전압은 공정 챔버의 측정 압력과 선형적으로 비례하는 특성을 가진다.
한편, 공정 챔버에서 소정의 기판 가공 공정이 진행되면서 다양한 공정 부산물이 생성될 수 있다. 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 발생할 경우, 상기 파티클은 압력 측정 장치 내부로 유입되어 압력 센서에 응집될 수 있다. 그러면, 상기 센서가 오작동하여 상기 출력 전압에 오차가 발생한다. 즉, 압력 측정 장치의 영점(zero)과 스팬(span)이 플러스 또는 마이너스 방향으로 쉬프트(shift)된다. 따라서, 공정 챔버의 압력은 기 설정된 압력으로 유지되지 못하여 이상 공정이 수행 될 수 있다. 이러한 파티클 문제를 해결하기 위하여 파티클의 흡착을 방지하기 위한 자체 발열부를 갖는 압력 측정 장치가 사용하고 있다.
그러나, 상기 자체 발열부를 갖는 압력 측정 장치를 사용하는 경우, 상기 발열부는 상기 압력 측정 장치의 전원이 연결되고 내부 압력이 측정되는 동안 계속 기 설정된 온도를 유지한다. 상기 온도에서는 상기 공정 챔버 내 상기 가공 공정 중 생성된 공정 부산물을 제거하는 세정 공정을 수행할 때 사용되는 세정 가스의 산화성을 증가시킨다. 따라서, 압력 측정 장치 내부의 산화를 초래함으로써 그 사용 수명을 단축시킬 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 가스 세정 공정시 손상을 최소화하기 위해 발열부로 제공되는 전원을 차단하는 전원 제어부를 포함하는 압력 측정 장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 압력 측정 장치는 기판에 막을 형성하기 위한 공정 및 세정 공정이 수행되는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고, 상기 공정 챔버 내부의 압력을 측정할 때 상기 공정 챔버 내부로 제공되는 공정가스로 인해 생성되는 파티클의 흡착을 방지하기 위한 발열부를 포함하는 압력 측정부를 포함한다. 상기 압력 측정부와 연결되고, 상기 막 형성 공정 시 상기 발열부에 전원 공급하고, 상기 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단하는 전원 제어부를 포함한 다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전원 제어부는 상기 압력 측정부에서 측정된 제1 전기 신호와 기 설정된 압력을 나타내는 제2 전기 신호와의 비교를 통해 상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 자동 압력 제어기를 통하여 상기 압력 측정부와 연결된다. 또한, 상기 압력 측정부와 상기 압력 변환 제어기 사이에는 측정 압력의 영점 조절 및 상기 압력 측정부의 제어용 신호를 전송하는 신호 조절부가 연결된다.
상술한 구성을 갖는 공정 챔버의 압력 측정 장치는 압력 측정부에 포함된 발열부에 제공되는 전원을 선택적으로 차단하는 별도의 전원 제어부를 포함한다. 상기 전원 제어부는 공정 챔버 내부에서 기판에 막을 형성하는 공정이 수행될 경우 상기 압력 측정부 내부에서 파티클이 생성되는 것을 방지하기 위해 상기 발열부에 전원을 제공하고, 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때, 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단할 수 있다. 따라서, 상기 세정 공정시 적용되는 세정 가스로 인해 상기 압력 측정 장치가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 공정 챔버의 압력 측정 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 압력 측정 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 도시된 공정 챔버(10)의 압력 측정 장치(101)는 압력 측정부(100), 신호 조절부(160) 및 전원 제어부(200)를 포함한다.
상기 압력 측정부(100)는 발열부(135), 압력 센서(140), 전자 회로기판(150) 및 상기 발열부(135)와 상기 압력 센서(140)와 상기 전자 회로기판(150)을 수용하는 케이스(110)를 포함하는 구성을 갖는다. 여기서, 상기 압력 측정부(100)는 공정 챔버(10)의 내부 압력을 압력 센서(140)를 통해 측정하고, 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하는 역할을 한다. 일 예로 상기 압력 측정부(100)는 바라트론 게이지로 0 내지 1000Torr 사이의 압력이 측정가능하며, 0.01Torr단위까지도 측정될 수 있다.
구체적으로 상기 압력 측정부(100)에 포함된 발열부(135)는 전원이 인가되어 열을 생성하는 히터(130)와 상기 히터(130)를 수용하는 히터 케이스(120)를 포함하는 구성을 갖는다. 상기 히터 케이스(120)는 캔(can, 122)과 커버(cover, 124)를 포함한다. 상기 히터(130)는 배럴 히터(barrel heater, 132)와 엔드 히터(end heater, 134)를 포함한다. 배럴 히터(132)는 캔(122)의 외부 원통형 측벽 주위를 둘러싸고, 엔드 히터(134)는 캔(122)의 바닥에 배치된다. 배럴 히터(132)와 엔드 히터(134)는 단일 전기 신호에 의해 동시에 제어되도록 배선(136)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
히터는 전기 저항을 갖는 배선 또는 트레이스(예컨대, 구리)를 배치함으로써 형성된다. 상기 트레이스로 특정의 전기 신호가 인가될 때 히터 케이스(120)는 기 설정된 온도로 가열한다. 히터 케이스(120)는 가요성이고 전기 절연성이며 열전도 성이 있는 얇은 실리콘 고무층 또는 캡톤(듀폰사가 Kapton이란 상표명으로 판매하고 있는 폴리이미드 고온막)으로 제조되는 것이 바람직하다.
상기 압력 센서(140)는 공정 챔버(10) 내에 위치된 기판에 막을 형성하는 공정시 상기 공정 챔버(10) 내부의 압력을 측정하는 역할을 수행한다. 압력 센서(140)는 원형이고, 전도성이 있는 금속제의 가요성(flexibility) 격막(142)과 압력 관(144) 및 전극(미도시)을 포함한다. 상기 전극과 격막(142)은 압력 센서(140) 내부에서 재 진공을 유지하는 하우징(미도시) 내에 장착되어 커패시터를 형성한다. 상기 전극은 세라믹 블록(미도시)과 도전성 판(미도시)을 포함한다. 격막(142)은 압력 관(144) 내의 압력 변화에 의하여 위쪽 또는 아래쪽으로 휘어진다. 격막(142)과 전극(246) 사이의 공간이 변함에 따라 결정되는 커패시터의 용량은 압력 관(144)과 연결된 공정 챔버(10)의 압력을 나타낸다.
상술한 구성을 갖는 압력 센서(140)에는 관(미도시) 및 게터(getter, 미도시)를 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 관은 격막(142)의 상부의 상기 하우징 일측에 진공 펌프를 부착함으로써 기준 압력(예컨대, 진공)을 형성하는 역할을 한다. 일단 기준 압력이 형성되면 상기 관의 상부를 폐쇄하여, 상기 하우징 상부와 상기 전극 사이의 공간이 원하는 기준 압력으로 유지되도록 한다. 상기 게터는 상기 관과 이격되게 배치되어, 상기 관이 폐쇄된 후에 상기 하우징의 상부로 침투하는 가스 분자를 흡수하기 위하여 포함한다. 또한, 격막(142)이 높은 압력에 의해 손상되는 것을 방지하기 위하여 압력 관(144) 앞에는 배플(baffle, 미도시)을 포함할 수 있다.
상기 전자 회로기판(150)은 압력 측정부(100)의 상부 커버(112) 내부에 구비되어 상기 히터(130)와 전기적으로 연결라인(152)을 통해 연결된다. 상기 전자 회로기판(150)은 반도체 기판의 막 형성 공정을 수행할 때 공정 부산물인 파티클이 흡착되는 것을 방지하는 역할을 수행하는 발열부(135)의 온도를 균일하게 유지시키는 역할을 한다.
상기 케이스(110)는 상기 상부 케이스(112)와 하부 케이스(114) 및 상기 상부 케이스(112)와 하부 케이스(114)를 연결하는 결합부(116)를 포함하는 구성을 갖고, 상기 발열부(135), 압력 센서(140) 및 전자 회로기판(150)을 수용한다.
일 예로, 상기 압력 측정부(100)는 상기 히터 케이스(120)의 내부 표면 일측에 배치되는 온도 센서(138)를 더 포함할 수 있다. 상기 온도 센서(138)의 예로서는 온도에 따라 전기 저항치가 달라지는 반도체 회로 소자인 서미스터(thermistor)를 들 수 있다.
상기 신호 조절부(160)는 압력 측정부(100)와 전원 제어부(200) 사이에 연결된다. 신호 조절부(160)는 압력 측정부(100)에서 출력된 압력에 대응하는 출력 신호와 전원 제어부(200)에서의 표시 압력 사이의 스팬 및 비례(linearity) 변수를 조절하여 기 설정된 허용 범위에 맞추는 역할을 한다. 또한, 출력 신호의 조정을 위해 압력 측정부(100)에 대한 영점 조정을 수행한다. 이와 동시에 압력 측정부(100)로 상기 발열부(135)의 히터(130)에 전원 공급하고, 전원 제어부(200)로 상기 스팬, 비례 변수 및 영점 조정을 통해 표시 압력 범위로 제어된 신호를 전송하는 중간 역할을 한다. 상기 스팬, 비례 변수 및 영점의 조정은 신호 조절부(160)의 일 측에 구비된 스팬 조절부(미도시), 비례 변수 조절부(미도시) 및 영점 조절부(미도시)에서 이루어진다.
신호 조절부(160)는 압력 측정부(100)와 상기 압력 측정부(100)의 상부 케이스(112)에 연결된 압력 측정부 제어용 케이블(162) 및 히터 전원 공급용 케이블(164)을 통해 연결되며, 전원 제어부(200)와 출력 신호 전송용 케이블(166)을 통해 연결된다.
상기 전원 제어부(200)는 압력 측정부(100)에서 전송된 출력 신호를 제1 전기 신호라 할 때, 상기 제1 전기 신호에 대응하는 압력을 표시하고, 자동 압력 제어기(APC, 20)와 연결되어, 공정 챔버(10)의 내부 압력을 조절하는 역할을 한다. 상기 제1 전기 신호 범위는 0 내지 15Volt이며, 이 때, 상기 출력 전압은 감지된 압력과 선형적으로 비례한다. 상기 출력 전압은 압력 측정부(100)와 연결된 전원 제어부(200)를 통해 공정 챔버(10)의 내부 압력을 조절하는 자동 압력 제어기(20)로 전달된다. 따라서, 자동 압력 제어기(20)는 압력 측정부(100)에서 측정된 상기 제1 전기 신호와 기 설정된 기준 압력을 나타내는 제2 전기 신호와의 비교를 통해 공정 챔버(10)의 내부 압력이 상기 제2 전기 신호를 유지하도록 배기 조절판 밸브(22)의 개폐 정도를 조절한다. 배기 조절판 밸브(22)는 공정 챔버(10)와 상기 챔버 내부에 진공 환경을 형성하기 위한 펌프(30)를 연결시키는 제1 배기 라인(12) 상에 구비되어, 펌핑되는 정도를 조절함으로써 공정 챔버(10)의 압력을 기 설정된 기준 압력으로 일정하게 유지시킨다.
또한, 전압 공급기로서 상기 발열부(135)를 포함하는 압력 측정부(100)에 전 원 전압을 공급한다. 상기 압력 측정부(100)의 발열부(120, 130)는 기판에 막을 형성하기 위한 공정이 진행되는 동안 공정 챔버(10) 내부의 압력을 측정할 때 공정 챔버(10) 내부로 제공되는 공정 가스로 인해 생성되는 공정 부산물 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 압력 측정부(100) 내부에 흡착되는 것을 방지한다. 따라서, 상기 파티클에 의한 압력 측정부(100)의 오작동을 감소시킨다.
예를 들면, 기판 상에 실리콘 질화막(Si3N4)을 형성하는 공정이 수행될 때 디클로로실란(SiH2Cl2)과 암모니아(NH3) 가스가 사용된다. 이 때, 공정 부산물로서 염화암모늄(NH4Cl)이 발생된다. 상기 염화암모늄은 응축성을 갖기 때문에 파우더 형태로 생성되며, 압력 측정부(100)에 유입되었을 때 격막(142) 상에 응집될 수 있다. 상기 응집된 염화암모늄은 격막(142)의 탄성을 악화시킨다. 그러므로, 도전성 판(252) 및 격막(142) 사이의 이격 거리가 유체의 압력에 따라 정확하게 변화되지 않고, 출력 전압의 영점은 지속적으로 쉬프트되는 문제가 발생된다. 따라서, 영점 조정을 실시하는 것이 필수적이다. 이때, 상기 발열부(135)를 이용하여 상기 실리콘 질화막 형성 공정 동안 압력 측정부(100) 내부를 고온 환경으로 유지시키는 경우, 격막(142)에 파티클 흡착이 방지되고 상기 격막(142)을 포함하는 압력 센서(140)가 정상 작동될 수 있다.
따라서, 상기 질화막 형성 공정 동안 공정 챔버(10) 내부를 기 설정된 압력으로 유지시키지 못하여 이상 공정이 진행되는 것을 방지할 수 있다. 일 예로서, 상기 공정 동안 상기 발열부는 압력 측정부(100) 내부의 온도를 100, 125 및 150℃ 을 유지시킬 수 있다.
그러나, 상기 기판에 실리콘 질화막을 형성 공정 이후, 공정 챔버(10) 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정이 수행될 때는 상기 발열부(180)에 전원 공급을 차단시킨다.
본 발명의 일 예로서, 전원 제어부(200)는 발열부(135)의 히터(130)로 제공되는 전원을 온/오프 시킬 수 있는 전원 스위칭 회로(202)를 포함한다. 여기서, 전원 제어부(200) 내의 상기 전원 스위칭 회로(202)를 이용하기 위해서는 온/오프 신호가 신호 조절부(160)의 외벽에 출력 신호 전송용 케이블(166)이 부착되는 전자 커넥터(미도시)를 통해 전송되도록 연결시켜 준다. 상기 전자 커넥터의 신호 전송 핀 중 사용되지 않은 핀을 상기 히터(130) 전원을 위한 상기 온/오프 신호 전송용으로 연결한다. 이때, 상기 온/오프 신호의 연결은 하나의 신호라인을 통해 연결시키거나 온 라인과 오프 라인으로 각각 연결시켜 줄 수 있다.
또한, 다른 예로서 전원 스위칭 회로(202)가 구비되지 않은 전원 제어부(200)를 사용할 경우에는 압력 측정부(100)나 신호 조절부(160) 중 어느 하나의 히터 전압 공급에 관련된 회로에 전원 제어 스위치(미도시)를 부착할 수 있다. 상기 전원 제어 스위치는 상기 세정 공정 진행 시 인위적으로 상기 히터(130) 전원을 온/오프할 수 있다.
이와 같이, 상기 세정 공정 동안 상기 압력 측정부 내부의 발열을 차단시키는 주된 이유는 공정 챔버(10) 내부로 제공되는 세정 가스가 온도 상승에 따라 산화성이 증가되기 때문이다. 이때, 상기 세정 공정 동안 주입되는 세정 가스는 플루 오르 가스이다. 상기 플루오르 가스는 열이 가해지면 압력 측정부(100)의 내부에서 산화 반응이 활발히 진행된다. 따라서, 상기 세정 공정이 진행되는 동안 상기 발열부(135) 내 히터(130) 전원을 차단시키는 전원 스위치 회로(202)를 사용하여 온도를 낮추어 준다. 따라서, 상기 세정 공정시 적용되는 세정 가스로 인해 상기 압력 측정부(100)가 내부 산화 정도를 감소시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 공정 챔버의 압력 측정 장치는 압력 측정부에 포함된 발열부에 제공되는 전원을 선택적으로 차단하는 별도의 전원 제어부를 포함한다. 상기 전원 제어부는 공정 챔버 내부에서 기판에 막을 형성하는 공정이 수행될 경우 상기 압력 측정부 내부에서 파티클이 생성되는 것을 방지하기 위해 상기 발열부에 전원을 제공하고, 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때, 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단할 수 있다. 따라서, 상기 세정 공정시 적용되는 세정 가스로 인해 상기 압력 측정 장치가 손상되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (4)

  1. 기판에 막을 형성하기 위한 공정 및 세정 공정이 수행되는 공정 챔버의 내부 압력을 측정하고, 상기 공정 챔버 내부의 압력을 측정할 때 상기 공정 챔버 내부로 제공되는 공정가스로 인해 생성되는 파티클의 흡착을 방지하기 위한 발열부를 포함하는 압력 측정부; 및
    상기 압력 측정부와 연결되고, 상기 막 형성 공정을 수행할 때 상기 발열부에 전원 공급하고, 상기 공정 챔버 내 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정을 수행할 때 상기 발열부로 제공되는 전원을 차단하는 전원 제어부를 포함하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 전원 제어부는 상기 압력 측정부에서 측정된 제1 전기 신호와 기 설정된 압력을 나타내는 제2 전기 신호를 비교를 하여 상기 챔버의 내부 압력을 조절하는 자동 압력 제어기를 통해 상기 압력 측정부와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 압력 측정부와 상기 전원 제어부 사이에는 측정 압력의 영점 조절 및 상기 압력 측정부의 제어용 신호를 전송하는 신호 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 압력 측정부는 가요성 격막과 전극과 압력 관을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 챔버의 압력 측정 장치.
KR1020050106937A 2005-11-09 2005-11-09 공정 챔버의 압력 측정 장치 KR20070049784A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050106937A KR20070049784A (ko) 2005-11-09 2005-11-09 공정 챔버의 압력 측정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050106937A KR20070049784A (ko) 2005-11-09 2005-11-09 공정 챔버의 압력 측정 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070049784A true KR20070049784A (ko) 2007-05-14

Family

ID=38273611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050106937A KR20070049784A (ko) 2005-11-09 2005-11-09 공정 챔버의 압력 측정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070049784A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023054358A (ja) 真空計
US20060275933A1 (en) Thermally conductive ceramic tipped contact thermocouple
US20130260328A1 (en) Heat treatment system, heat treatment method, and program
KR102017300B1 (ko) 압력 센서
TWI494030B (zh) 供使用於電漿處理腔室中之含真空間隙的面向電漿之探針裝置
KR20080012628A (ko) 기판 처리 장치
KR20080031669A (ko) 가열된 압력 변환기용 열 장착 플레이트
TWI759417B (zh) 用於測量高溫環境中之射頻電功率之電壓-電流探針及其校準方法
US20080314320A1 (en) Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters
KR102192602B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 플라스마 생성부, 프로그램, 플라스마 생성 방법, 전극 및 반응관
KR20070049784A (ko) 공정 챔버의 압력 측정 장치
US20080181825A1 (en) Substrate mounting structure and substrate processing apparatus
KR20180112794A (ko) 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드
JP4519695B2 (ja) 薄膜製造装置及び薄膜製造方法
KR20060094326A (ko) 압력 측정 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법
KR20070025432A (ko) 배기 장치
KR101486716B1 (ko) 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치
KR20230166495A (ko) 기판 지지 장치 및 이의 운용 방법
KR20060118890A (ko) 가열 시스템을 갖는 압력감지장치
TW201921202A (zh) 具有熱控制的處理室及方法
KR20060059317A (ko) 박막 가공 장치
KR20070012953A (ko) 자동 온도 및 습도 보정 장치
KR20060071670A (ko) 히팅 재킷을 갖는 반도체 소자 제조 장치
US20230094546A1 (en) Apparatus for processing substrate, gas shower head, and method for processing substrate
JP2006066552A (ja) 周波数測定装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination