KR20070047591A

KR20070047591A - Semiconductor diffusion equipment having a wafer protrusion sensing part

Info

Publication number: KR20070047591A
Application number: KR1020050104482A
Authority: KR
Inventors: 전성억
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-11-02
Filing date: 2005-11-02
Publication date: 2007-05-07

Abstract

본 발명은 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비를 제공한다, 상기 반도체 확산설비는 공정튜브와, 상기 공정튜브로부터 소정거리 이격되어 배치되며, 다수 매의 웨이퍼들이 적재되는 웨이퍼 보트와, 상기 웨이퍼 보트의 하부에 배치된 튜브캡과, 상기 튜브캡의 하부에 연결되는 리프트 및 상기 웨이퍼들이 일측방으로 돌출되는 것을 감지하는 웨이퍼 돌출감지부를 포함하되, 상기 웨이퍼 돌출감지부는 상기 웨이퍼 보트에 제공되는 감지부와, 상기 튜브캡의 하부에 제공되며 상기 감지부로부터 전기적 신호를 전송 받는 증폭부를 구비한다.The present invention provides a semiconductor diffusing apparatus having a wafer protrusion detecting unit, wherein the semiconductor diffusing apparatus is disposed at a predetermined distance from the process tube, a wafer boat having a plurality of wafers loaded thereon, and the wafer boat. A tube cap disposed at a lower portion of the tube cap, a lift connected to the lower portion of the tube cap, and a wafer protrusion detector configured to detect protrusions of the wafers to one side, wherein the wafer protrusion detector is provided on the wafer boat. And an amplification part provided under the tube cap and receiving an electrical signal from the sensing part.

Description

Semiconductor Diffusion Equipment with Wafer Protrusion Detection Unit {SEMICONDUCTOR DIFFUSION EQUIPMENT HAVING A WAFER PROTRUSION SENSING PART}

도 1은 본 발명의 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비를 개략적으로 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor diffusion apparatus having a wafer protrusion detecting unit of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 보트를 보여주는 정면도이다.FIG. 2 is a front view showing the wafer boat shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 돌출감지부를 보여주는 분해사시도이다.3 is an exploded perspective view showing the wafer protrusion detection unit shown in FIG.

** 도면의 주요부분에 대한 부호설명 **** Explanation of Signs of Major Parts of Drawings **

100 : 공정튜브(process tube)100: process tube

200 : 웨이퍼 보트(wafer boat)200: wafer boat

300 : 웨이퍼 돌출감지부300: wafer protrusion detection unit

320 : 센서커버(sensor cover)320: sensor cover

330 : 증폭부330: amplification unit

360 : 센싱부360: sensing unit

400 : 튜브캡(tube cap)400: tube cap

본 발명은 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 이탈감지부가 열화되는 것을 방지하는 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor diffusion facility having a wafer protrusion detection unit, and more particularly, to a semiconductor diffusion unit having a wafer protrusion detection unit for preventing the wafer departure detection unit from deteriorating.

일반적으로 반도체 소자는 확산공정, 증착공정, 노광공정, 식각공정, 금속배선공정, 세정공정과 같은 다수의 단위공정들을 반복적으로 또는 선택적으로 수행함으로써 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured by repeatedly or selectively performing a plurality of unit processes such as a diffusion process, a deposition process, an exposure process, an etching process, a metal wiring process, and a cleaning process.

이 중에서, 웨이퍼 상에 원하는 박막을 형성하는 증착공정 및 이온주입을 통해 주입된 웨이퍼 내의 불순물을 확산시키는 확산공정과 같은 열처리공정은 공정튜브를 구비한 반도체 확산설비에서 이루어진다.Among them, a heat treatment process such as a deposition process for forming a desired thin film on the wafer and a diffusion process for diffusing impurities in the wafer injected through ion implantation is performed in a semiconductor diffusion apparatus having a process tube.

종래의 상기의 공정이 수행될 웨이퍼들은 웨이퍼 보트에 적재된다. 상기 웨이퍼 보트는 그 하부에 리프트가 연결되어 공정이 진행되는 공정튜브의 내부로 로딩 및 언로딩되도록 배치된다. 상기 공정이 진행되는 공정튜브의 내부는 그 외측에 히터가 장착되어 공정 진행시 고온이 형성된다.The wafers on which the above conventional process is to be performed are loaded into a wafer boat. The wafer boat is arranged to be loaded and unloaded into a process tube through which a lift is connected to the bottom of the process tube. The inside of the process tube in which the process is carried out is equipped with a heater on the outside of the high temperature is formed during the process.

따라서, 다수 매의 웨이퍼들이 적재된 웨이퍼 보트는 상기 공정튜브의 내부에 로딩되어 공정이 진행되는 경우에, 상기 웨이퍼 보트는 상기 공정튜브의 내부에 형성된 고온의 열기에 노출된다.Therefore, when a wafer boat in which a plurality of wafers are loaded is loaded into the process tube and the process is performed, the wafer boat is exposed to hot heat formed in the process tube.

이와 같은, 상기 웨이퍼 보트는 상기 웨이퍼들 중 어느 하나라도 일측방으로 돌출되는 것을 감지하는 센서를 구비하여, 상기 웨이퍼가 상기 웨이퍼 보트에서 돌출되어 공정사고가 유발되는 것을 방지하도록 하고 있다.As such, the wafer boat includes a sensor for detecting any one of the wafers protruding to one side, thereby preventing the wafer from protruding from the wafer boat and causing an accident.

그러나, 상기 센서는 상기와 같이 웨이퍼 보트에 제공된 상태에서 고온의 열 기에 수회 노출되면, 고온의 열기로 인해 오작동이 발생되는 문제점이 있다.However, when the sensor is exposed to high temperature heat several times in the state provided in the wafer boat as described above, a malfunction occurs due to high temperature heat.

좀 더 구체적으로는 상기 센서는 웨이퍼 돌출을 감지하는 감지부와, 상기 감지부에서 감지된 신호를 증폭시켜 제어부로 전송하는 증폭부를 구비하는데, 상기 증폭부는 상기 감지부에 비해 상대적으로 고온의 열기에 취약하다.More specifically, the sensor includes a detector that detects the protrusion of the wafer and an amplifier that amplifies the signal detected by the detector and transmits the signal to the controller, wherein the amplifier is relatively hot compared to the detector. weak.

따라서, 상기 웨이퍼 보트에 적재된 웨이퍼들 중 어느 하나의 웨이퍼가 돌출 되는 경우에, 상기 감지부가 이를 감지하더라도, 상기 증폭부가 고온의 열기에 의해 오작동을 일으키면 상기 제어부로 감지신호를 정상적으로 전송할 수 없다. 이에 따라, 상기 웨이퍼 보트는 슬롯에서 웨이퍼가 돌출된 상태로 상기 공정튜브의 내부에 로딩되어 공정이 진행된다.Therefore, when any one of the wafers loaded on the wafer boat protrudes, even if the sensing unit detects this, if the amplification unit malfunctions due to high temperature heat, the sensing signal cannot be normally transmitted to the control unit. Accordingly, the wafer boat is loaded into the process tube with the wafer protruding from the slot to proceed with the process.

이와 같이 공정이 진행되면, 상기 돌출된 웨이퍼는 제품불량이 발생하고, 나아가 웨이퍼 보트에서 이탈하여 파손되는 경우에 공정사고를 유발하는 문제점이 있다.As such, when the process proceeds, the protruded wafer may have a product defect, and furthermore, there is a problem of causing a process accident when the wafer is broken off from the wafer boat.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 보트에 장착되어 웨이퍼의 돌출을 감지하는 센싱부와, 센싱부로부터 전송되는 전기적 신호를 증폭하는 증폭부를 고온의 열기로부터 보호하여, 상기 센싱부 및 증폭부의 오작동으로 인한 제품불량 및 공정사고를 방지할 수 있는 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비를 제공함에 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is mounted on the wafer boat sensing unit for detecting the protrusion of the wafer, and amplification unit for amplifying the electrical signal transmitted from the sensing unit high temperature The present invention provides a semiconductor diffusion device having a wafer protrusion detection unit that protects against heat from and prevents product defects and process accidents caused by malfunctions of the sensing unit and the amplification unit.

본 발명은 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비를 제공한다.The present invention provides a semiconductor diffusion device having a wafer protrusion detection unit.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 반도체 확산설비는 공정튜브와, 상기 공정튜브로부터 소정거리 이격되어 배치되며, 다수 매의 웨이퍼들이 적재되는 웨이퍼 보트와, 상기 웨이퍼 보트의 하부에 배치된 튜브캡과, 상기 튜브캡의 하부에 연결되는 리프트 및 상기 웨이퍼들이 일측방으로 돌출 되는 것을 감지하는 웨이퍼 돌출감지부를 포함하되, 상기 웨이퍼 돌출감지부는 상기 웨이퍼 보트에 제공되는 감지부와, 상기 튜브캡의 하부에 제공되며 상기 감지부로부터 전기적 신호를 전송 받는 증폭부를 구비한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a semiconductor diffusion apparatus including: a process tube, a wafer boat spaced apart from the process tube by a predetermined distance, and a plurality of wafers loaded thereon; a tube cap disposed below the wafer boat; A lift connected to the lower portion of the tube cap and a wafer protrusion detection unit for detecting that the wafers protrude to one side, wherein the wafer protrusion detection unit is provided on the wafer boat and a lower portion of the tube cap. And an amplifier receiving an electrical signal from the detector.

본 발명의 일 양태에 따른 일 실시예에 있어서, 상기 웨이퍼 보트는 상부플레이트와, 상기 상부플레이트의 하방으로 소정 거리 이격되어 배치되는 하부플레이트와, 상기 상부플레이트와 상기 하부플레이트를 서로 지지하도록 개재된 복수개의 연결바와, 상기 연결바에 형성된 복수개의 슬롯들을 구비할 수 있다.In one embodiment according to an aspect of the present invention, the wafer boat includes an upper plate, a lower plate disposed below the upper plate at a predetermined distance, and interposed to support the upper plate and the lower plate. A plurality of connection bars and a plurality of slots formed in the connection bar may be provided.

본 발명에 따른 다른 실시예에 있어서, 상기 감지부는 상기 상부플레이트의 하단부에 배치되는 센서커버와, 상기 센서커버의 내부에 배치되는 센싱부를 구비하되, 상기 센싱부는 상기 증폭부와 내열성의 통신케이블로 연결될 수 있다.In another embodiment according to the present invention, the sensing unit is provided with a sensor cover disposed in the lower end of the upper plate, and a sensing unit disposed inside the sensor cover, the sensing unit is a heat-resistant communication cable with the amplifier Can be connected.

본 발명에 따른 또 다른 실시예에 있어서, 상기 통신케이블은 상기 튜브캡에 천공되는 케이블공을 관통하여 상기 증폭부에 전기적으로 연결될 수 있다.In another embodiment according to the present invention, the communication cable may be electrically connected to the amplification unit through a cable hole drilled in the tube cap.

본 발명에 따른 또 다른 실시예에 있어서, 상기 감지부는 상기 상부플레이트의 하단부에 배치되는 센서커버와, 상기 센서커버의 내부에 배치되는 센싱부를 구비하되, 상기 센싱부는 상기 증폭부와 서로 무선 통신될 수도 있다.In another embodiment according to the present invention, the sensing unit is provided with a sensor cover disposed in the lower end of the upper plate, and a sensing unit disposed inside the sensor cover, the sensing unit is to be in wireless communication with the amplification unit It may be.

본 발명에 따른 또 다른 실시예에 있어서, 상기 통신케이블은 상기 상부플레 이트와 상기 연결바와 상기 하부플레이트 및 상기 튜브캡에 내설되어 상기 증폭부에 전기적으로 연결될 수 있다.In another embodiment according to the present invention, the communication cable is installed in the upper plate, the connection bar, the lower plate and the tube cap may be electrically connected to the amplifier.

이하, 첨부된 도면을 참조로 하여, 본 발명의 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described a preferred embodiment of a semiconductor diffusion device having a wafer protrusion detection of the present invention.

도 1은 본 발명의 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 보트의 정면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 웨이퍼 돌출감지부를 보여주는 분해사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a semiconductor diffusion apparatus having a wafer protrusion detecting unit of the present invention. FIG. 2 is a front view of the wafer boat shown in FIG. 1. 3 is an exploded perspective view showing the wafer protrusion detection unit shown in FIG.

도 1을 참조로 하면, 본 발명의 웨이퍼 돌출감지부를 구비한 반도체 확산설비는 공정튜브(100)와, 상기 공정튜브(100)의 하방으로 소정거리 이격되어 배치된 웨이퍼 보트(200)와, 상기 웨이퍼 보트(200)의 하부에 배치된 튜브캡(400)과, 상기 튜브캡(400)에 연결된 리프트(500)와, 상기 웨이퍼 보트(200)에 적재된 웨이퍼들(W)이 돌출 되는지 여부를 감지하는 웨이퍼 돌출감지부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor diffusion apparatus including the wafer protrusion detecting unit of the present invention includes a process tube 100, a wafer boat 200 spaced a predetermined distance downward from the process tube 100, and Whether the tube cap 400 disposed under the wafer boat 200, the lift 500 connected to the tube cap 400, and the wafers W mounted on the wafer boat 200 protrude. It includes a wafer protrusion detection unit 300 for sensing.

상기 공정튜브(100)는 돔형상의 외측튜브(110)와, 상기 외측튜브(110)의 내부에 배치되는 원통형상의 내측튜브(120)로 구성된다. 그리고, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 외측튜브(110)의 외측에는 상기 공정튜브(100)의 내부를 소정의 고온으로 형성시킬 수 있도록 히터가 배치된다.The process tube 100 includes a dome-shaped outer tube 110 and a cylindrical inner tube 120 disposed inside the outer tube 110. Although not shown in the drawings, a heater is disposed outside the outer tube 110 to form the inside of the process tube 100 at a predetermined high temperature.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 웨이퍼 보트(200)는 원판형상의 상부플레이트(210)와, 상기 상부플레이트(210)로부터 하방으로 소정 거리 이격되어 배치되는 원판형상의 하부플레이트(220)와, 상기 상부플레이트(210)와 상기 하부플레이트 (220)를 서로 연결하도록 상기 상/하부플레이트(210,220)의 사이에 개재되는 복수개의 연결바들(230)과, 다수 매의 웨이퍼들(W)이 적재되도록 상기 연결바들(230)에 형성되는 슬롯들(231)을 구비한다.1 and 2, the wafer boat 200 includes a disk-shaped upper plate 210 and a disk-shaped lower plate 220 spaced apart from the upper plate 210 by a predetermined distance. A plurality of connection bars 230 interposed between the upper and lower plates 210 and 220 to connect the upper plate 210 and the lower plate 220 to each other, and a plurality of wafers W are loaded. Slots 231 are formed in the connecting bars 230 to be provided.

상기 튜브캡(400)은 상기 하부플레이트(220)의 하부에 배치되되, 상기 공정튜브(100)의 저면을 밀폐할 수 있는 크기의 원판형상으로 이루어질 수 있다.The tube cap 400 is disposed below the lower plate 220, and may be formed in a disc shape having a size capable of sealing the bottom surface of the process tube 100.

상기 리프트(500)는 상기 튜브캡(400)의 하부에 연결되며, 외부로부터 동력을 전달받아 승강동작을 실시하여, 상기 튜브캡(400)의 상부에 배치되는 상기 웨이퍼 보트(200)를 상기 공정튜브(100)의 내부로 로딩 및 언로딩할 수 있다. 그리고, 상기 튜브캡(400)에는 통신케이블(340)이 관통하는 케이블공(410)이 형성될 수 있다.The lift 500 is connected to the lower portion of the tube cap 400, and receives the power from the outside to perform the lifting operation, the wafer boat 200 disposed on the upper portion of the tube cap 400 in the process It can be loaded and unloaded into the tube 100. The tube cap 400 may have a cable hole 410 through which the communication cable 340 passes.

상기 웨이퍼 돌출감지부(300)는 상기 상부플레이트(210)의 하단면에 배치되는 감지부와, 상기 튜브캡(400)의 하단면에 고정되며, 상기 감지부로부터 전기적 신호를 전송 받는 증폭부(330)를 구비할 수 있다.The wafer protrusion detecting unit 300 is a sensing unit disposed on the bottom surface of the upper plate 210, and fixed to the bottom surface of the tube cap 400, an amplifier for receiving an electrical signal from the sensing unit ( 330 may be provided.

여기서, 상기 감지부는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 상부플레이트(210)의 하단면에 장착되는 브라켓(310)과, 상기 브라켓(310)에 고정되는 센서커버(320)와, 상기 센서커버(320)의 내부에 배치되는 센싱부(360)를 구비할 수 있다.Here, as shown in Figure 3, the detection unit, the bracket 310 mounted on the lower surface of the upper plate 210, the sensor cover 320 fixed to the bracket 310, and the sensor cover ( The sensing unit 360 disposed inside the 320 may be provided.

상기 센서커버(320)는 내부에 센싱부(360)가 배치되는 공간(321)이 형성되며, 상기 공간(321)은 상기 센서커버(320)의 하부를 향하여 외부에 노출되도록 된다. 또한, 센서커버(320)는 측부에 제 1홀(321a)이 형성되고, 상기 브라켓(310)은 제 2홀(310a)이 형성된다. 따라서, 상기 센서커버(320)는 상기 제 1,2홀 (321a,310a)에 끼워지는 체결볼트(310b)에 의해 상기 브라켓(310)에 고정될 수 있다.The sensor cover 320 has a space 321 in which the sensing unit 360 is disposed, and the space 321 is exposed to the outside toward the bottom of the sensor cover 320. In addition, the sensor cover 320 has a first hole 321a formed at a side thereof, and the bracket 310 has a second hole 310a formed therein. Therefore, the sensor cover 320 may be fixed to the bracket 310 by fastening bolts 310b fitted into the first and second holes 321a and 310a.

여기서, 상기 센서커버(320)는 내열성을 지니고, 열전도율이 낮은 세라믹과 같은 재질로 이루어질 수 있다.Here, the sensor cover 320 may be made of a material such as ceramic having heat resistance and low thermal conductivity.

또한, 상기 센싱부(360)는 광을 발산하는 발광부(361)와 상기 발광부(361)로부터 발광된 광을 수광하는 수광부(362)를 구비한 광센서일 수 있다.In addition, the sensing unit 360 may be an optical sensor including a light emitting unit 361 for emitting light and a light receiving unit 362 for receiving light emitted from the light emitting unit 361.

다음, 상기 센싱부(360)와 상기 증폭부(330)의 구성을 설명하도록 한다.Next, the configuration of the sensing unit 360 and the amplifier 330 will be described.

상기 센싱부(360)에는 상단부에 제 3홀(360a)이 형성되고, 상기 센서커버(320)는 제 4홀(320a)이 형성된다. 따라서, 상기 센싱부(360)는 제 3,4홀(360a,320a)에 끼워지는 체결볼트(320b)에 의해 상기 센서커버(320)의 내부공간(321)에 배치되어 고정될 수 있다.A third hole 360a is formed at an upper end of the sensing unit 360, and a fourth hole 320a is formed at the sensor cover 320. Therefore, the sensing unit 360 may be disposed and fixed in the inner space 321 of the sensor cover 320 by the fastening bolt 320b fitted into the third and fourth holes 360a and 320a.

상기 증폭부(330)는 상기 튜브캡(400)의 하단면에 부착될 수 있다. 물론, 상기 증폭부(330)는 상기 튜브캡(400)에 상기와 같은 체결볼트(310b,320b)에 의해 스크류체결 될 수도 있다.The amplifying unit 330 may be attached to the bottom surface of the tube cap 400. Of course, the amplification part 330 may be screwed to the tube cap 400 by the fastening bolts 310b and 320b as described above.

특히, 상기 센싱부(360)와 상기 증폭부(330)는 서로 전기적으로 연결되되, 내열성을 지닌 통신케이블(340)로 서로 연결될 수 있다.In particular, the sensing unit 360 and the amplifying unit 330 may be electrically connected to each other, but may be connected to each other by a communication cable 340 having heat resistance.

상기 통신케이블(340)의 일단은 상기 센싱부(360)에 연결되고, 타단은 상기 튜브캡(400)에 형성된 케이블공(410)을 관통하여 상기 증폭부(330)에 연결될 수 있다.One end of the communication cable 340 may be connected to the sensing unit 360, and the other end may be connected to the amplifying unit 330 through the cable hole 410 formed in the tube cap 400.

물론, 도 2에 도시된 일점쇄선으로 보여지는 바와 같이, 상기 통신케이블 (340)의 일단은 상기 센싱부(360)에 연결되되, 상기 타단은 상기 상부플레이트(210)와 상기 연결바(230)와 상기 하부플레이트(220) 및 상기 튜브캡(400)에 내설 되어 상기 증폭부(330)에 전기적으로 연결될 수도 있다.Of course, as shown by the dashed-dotted line shown in Figure 2, one end of the communication cable 340 is connected to the sensing unit 360, the other end is the upper plate 210 and the connection bar 230 And installed in the lower plate 220 and the tube cap 400 may be electrically connected to the amplification unit 330.

여기서, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 통신케이블(340)이 내부에 배치된 상기 케이블공(410)의 내부는 내열성을 지닌 탄성재질의 부재로 실링되는 것이 바람직하다.Although not shown in the drawings, the inside of the cable hole 410 in which the communication cable 340 is disposed is preferably sealed by a member of elastic material having heat resistance.

다음은 상기와 같은 구성을 통해 본 발명의 웨이퍼 돌출감지부를 갖는 반도체 확산설비의 바람직한 실시예에 대한 작용 및 효과를 설명하도록 한다.Next will be described the operation and effect of the preferred embodiment of the semiconductor diffusion equipment having a wafer protrusion detection portion of the present invention through the configuration as described above.

도 1을 참조하면, 도시되지 않은 웨이퍼 이송장치는 다수 매의 웨이퍼들(W)을 상기 웨이퍼 보트(200)에 적재한다. 상기 웨이퍼들(W)은 연결바들(230)에 형성된 슬롯들(231)에 삽입되어 적재된다.Referring to FIG. 1, a wafer transfer apparatus (not shown) loads a plurality of wafers W into the wafer boat 200. The wafers W are inserted into and loaded into the slots 231 formed in the connection bars 230.

이어, 리프트(500)는 외부로부터 동력을 전달받아 상승동작하며, 이에 따라 튜브캡(400)의 상부에 배치된 웨이퍼 보트(200)는 상승하여 공정튜브(100)의 내부로 로딩된다.Subsequently, the lift 500 is moved upward by receiving power from the outside, so that the wafer boat 200 disposed on the upper portion of the tube cap 400 is lifted and loaded into the process tube 100.

상기 웨이퍼 보트(200)가 상기 공정튜브(100)의 내부로 로딩되면, 하부플레이트(220)의 하부에 배치된 튜브캡(400)은 그 상단면과 상기 공정튜브(100)의 하단면과 밀착되도록 됨으로써, 상기 공정튜브(100)의 내부를 밀폐할 수 있다.When the wafer boat 200 is loaded into the process tube 100, the tube cap 400 disposed under the lower plate 220 may be in close contact with the upper surface of the wafer boat 200 and the lower surface of the process tube 100. By doing so, it is possible to seal the inside of the process tube (100).

다음, 상기 공정튜브(100)의 외측에 배치되는 히터는 외부로부터 전원을 인가 받아 공정조건에 맞는 온도로 가열된다. 이에 따라 상기 공정튜브(100)의 내부는 고온의 분위기가 형성될 수 있다.Next, the heater disposed outside the process tube 100 is heated to a temperature suitable for the process conditions by receiving power from the outside. Accordingly, the inside of the process tube 100 may be a high temperature atmosphere.

이와 같은 상태에서 웨이퍼 돌출감지부(300)는 상기 웨이퍼 보트(200)에 적재되는 웨이퍼들(W)이 일측방으로 돌출 되는지의 여부를 연속적으로 감지할 수 있다.In this state, the wafer protrusion detecting unit 300 may continuously detect whether the wafers W mounted on the wafer boat 200 protrude to one side.

도 1 내지 도 3을 참조하여, 상기 웨이퍼 돌출감지부(300)의 작동을 설명하도록 한다.1 to 3, the operation of the wafer protrusion detecting unit 300 will be described.

상기 웨이퍼 보트(200)가 상기 공정튜브(100)의 내부에 로딩된 상태에서, 도 3에 도시된 바와 같이 센싱부(360)의 발광부(361)는 광을 상기 하부플레이트(220)의 상단면에 부착된 반사판(350)으로 발산하며, 웨이퍼(W)가 돌출 되어 광의 진행방향을 막지 않는 경우에, 상기 광은 반사판(350)에서 반사되는 광은 수광부(362)에서 수광된다. 만일, 상기 웨이퍼들(W) 중에 어느 하나라도 돌출 되는 경우에 수광부(362)는 상기 반사판(350)에서 반사되는 광을 수광하지 못한다. 따라서, 상기 수광부(362)에서 광을 수광하면, 웨이퍼들(W)이 정상적으로 적재된 것으로 판단하며, 상기 수광부(362)에서 광을 수광하지 못하면, 웨이퍼들(W) 중 적어도 어느 하나가 돌출 된 것으로 판단할 수 있다.In the state in which the wafer boat 200 is loaded inside the process tube 100, as illustrated in FIG. 3, the light emitting unit 361 of the sensing unit 360 emits light at an upper end of the lower plate 220. When the light is emitted to the reflecting plate 350 attached to the surface and the wafer W does not protrude to block the traveling direction of the light, the light reflected by the reflecting plate 350 is received by the light receiving unit 362. If any one of the wafers W protrudes, the light receiver 362 may not receive the light reflected from the reflector plate 350. Therefore, when the light receiving unit 362 receives the light, it is determined that the wafers W are normally loaded, and when the light receiving unit 362 does not receive the light, at least one of the wafers W protrudes. It can be judged that.

이어, 상기 센싱부(360)는 상기와 같은 경우에 통신케이블(340)을 통해 전기적으로 연결된 튜브캡(400)의 하단면에 장착된 증폭부(330)로 전기적 신호를 전송할 수 있다.Subsequently, the sensing unit 360 may transmit an electrical signal to the amplifying unit 330 mounted on the bottom surface of the tube cap 400 electrically connected through the communication cable 340 in the above case.

이때, 상기 증폭부(330)는 상기 센싱부(360)에 비해 상대적으로 고온의 열기에 취약할 수 있다. 따라서, 상기와 같이 공정튜브(100)의 외부에 위치하도록 상기 튜브캡(400)의 하단면에 장착한 것이다. 또한, 상기 통신케이블(340)도 상기 공정 튜브(100)의 고온이 열기가 형성되는 내부 공간에 노출되기 때문에 내열성을 지닌 재질로 제작되는 것이 바람직하다.In this case, the amplifying unit 330 may be more vulnerable to heat of high temperature than the sensing unit 360. Therefore, it is mounted on the bottom surface of the tube cap 400 to be located outside the process tube 100 as described above. In addition, the communication cable 340 is also preferably made of a material having heat resistance because the high temperature of the process tube 100 is exposed to the internal space in which heat is formed.

물론, 도 2에 도시된 일점쇄선에 나타난 바와 같이, 상기 통신케이블(340)을 상기 상/하부플레이트(210,220)와 연결바(230)와 튜브캡(400)의 내부에 내설하여 상기 센싱부(360)와 상기 증폭부(330)를 서로 연결하는 경우에, 상기 통신케이블(340)은 상기 공정튜브(100)의 내부 공간에 노출되지 않도록 장착될 수도 있다.Of course, as shown in the dashed-dotted line shown in FIG. 2, the communication cable 340 is installed inside the upper / lower plates 210 and 220, the connection bar 230, and the tube cap 400 by the sensing unit ( When connecting the 360 and the amplifier 330 to each other, the communication cable 340 may be mounted so as not to be exposed to the internal space of the process tube (100).

따라서, 상기 증폭부(330)는 상기 공정튜브(100)의 내부에 형성되는 고온의 열기로부터 보호될 수 있기 때문에 상기 센싱부(360)로부터 전송 받은 전기적 신호를 정성적으로 증폭시켜 제어부(370)로 용이하게 전송할 수 있다.Therefore, since the amplifier 330 can be protected from the high temperature heat formed inside the process tube 100, the controller 370 by qualitatively amplifying the electrical signal received from the sensing unit 360. It can be easily transmitted to.

한편, 이와 더불어 상기 센싱부(360)를 고정 및 커버하도록 브라켓(310)에 고정되는 센서커버(320)를 내열성을 갖고 열전도율이 낮은 재질인 세라믹재질로 제작함으로써, 고온의 열기로부터 발생된 열에너지가 상기 센싱부(360)의 전면(全面)에 쉽게 전달되지 않도록 하여, 상기 센싱부(360)에서의 열화발생으로 인한 고장을 방지할 수 있다.Meanwhile, by manufacturing the sensor cover 320 fixed to the bracket 310 to fix and cover the sensing unit 360 made of a ceramic material having heat resistance and low thermal conductivity, thermal energy generated from high temperature heat is generated. By not easily transmitted to the entire surface of the sensing unit 360, a failure due to deterioration of the sensing unit 360 may be prevented.

또 한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 증폭부(330)에 상기 센싱부(360)에서 발생하는 소정의 주파수를 감지할 수 있는 주파수 감지부를 더 마련함으로써, 상기 감지부와 상기 증폭부(330)가 서로 무선 통신을 할 수 있도록 할 수도 있다.On the other hand, although not shown in the figure, by providing a frequency detector for sensing a predetermined frequency generated by the sensing unit 360 in the amplifier 330, the detector and the amplifier 330 ) May enable wireless communication with each other.

본 발명에 의하면, 공정튜브로 로딩되는 웨이퍼 보트에 웨이퍼들의 돌출을 감지하는 센싱부를 마련하고, 상기 센싱부와 통신케이블로 연결되는 증폭부를 상기 공정튜브의 외부에 배치할 수 있도록 튜브캡의 하단면에 장착함으로써, 공정튜브의 내부에서 발생하는 고온의 열기로부터 상기 증폭부를 보호하고, 이에 따라 상기 증폭부의 오작동을 용이하게 방지하여 공정사고를 방지하는 효과가 있다.According to the present invention, a lower surface of the tube cap to provide a sensing unit for detecting the protrusion of the wafer in the wafer boat loaded into the process tube, the amplification unit connected to the sensing unit and the communication cable outside the process tube By attaching to, the amplification part is protected from the high temperature heat generated inside the process tube, thereby easily preventing malfunction of the amplification part, thereby preventing a process accident.

또한, 공정튜브의 내부 공간에 노출되는 센싱부를 세라믹과 같은 재질로 이루어지는 센서커버로 커버함으로써, 고온의 열기로부터 상기 센싱부를 보호하여 센싱부의 열화로 인한 오작동을 방지하여 상기와 같은 공정사고를 용이하게 방지하는 효과가 있다.In addition, by covering the sensing unit exposed to the inner space of the process tube with a sensor cover made of a material such as ceramic, it protects the sensing unit from high temperature heat to prevent malfunction due to deterioration of the sensing unit to facilitate the process accident It is effective to prevent.

Claims

Process tube;

A wafer boat disposed spaced apart from the process tube by a predetermined distance and loaded with a plurality of wafers;

A tube cap disposed under the wafer boat;

A lift connected to the lower portion of the tube cap; And

And a wafer protrusion detection unit for detecting the wafers protruding to one side, wherein the wafer protrusion detection unit is provided on the wafer boat and a lower portion of the tube cap to receive an electrical signal from the detection unit. A semiconductor diffusion facility having a wafer protrusion detection unit, characterized in that it comprises an amplifier.

The method of claim 1,

The wafer boat may include an upper plate, a lower plate disposed to be spaced apart from the upper plate by a predetermined distance, a plurality of connecting bars interposed to support the upper plate and the lower plate, and a plurality of slots formed in the connecting bar. A semiconductor diffusion apparatus having a wafer protrusion detecting portion, characterized in that provided.

The method of claim 2,

The sensing unit includes a sensor cover disposed at a lower end of the upper plate and a sensing unit disposed inside the sensor cover, wherein the sensing unit is connected to the amplifying unit with a heat resistant communication cable. Semiconductor diffusion equipment with a part.

The method of claim 3, wherein

And the communication cable is electrically connected to the amplifying unit through a cable hole drilled through the tube cap.

The method of claim 3, wherein

And the communication cable is installed in the upper plate, the connection bar, the lower plate, and the tube cap, and is electrically connected to the amplifier.