KR20070045938A - 안테나 및 배선 기판 - Google Patents

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KR20070045938A
KR20070045938A KR1020060104288A KR20060104288A KR20070045938A KR 20070045938 A KR20070045938 A KR 20070045938A KR 1020060104288 A KR1020060104288 A KR 1020060104288A KR 20060104288 A KR20060104288 A KR 20060104288A KR 20070045938 A KR20070045938 A KR 20070045938A
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도모하루 후지이
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

다층 배선 기판에 내장된 안테나(1)는 배선 기판(2)의 각 A층, B층, 및 C층의 면 상에 각각 포설된 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)와, 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)에 급전하도록 각 층의 면 상에 각각 포설된 급전부(12-1, 12-2, 12-3, 12-4)와, 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)를 접지하도록 각 층의 면 상에 각각 포설된 단락부(13-1, 13-2, 13-3, 13-4)와, 배선 기판(2)의 A층, B층, 및 C층을 관통하고, 급전부(12-1, 12-2, 12-3, 12-4)를 서로 전기적으로 접속하는 접속부를 가진다.
다층 배선 기판, 안테나, 방사 소자, 급전부, 단락부, 접속부, 역F형, 역-L형

Description

안테나 및 배선 기판{ANTENNA AND WIRING BOARD}
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 안테나와 배선 기판의 사시도.
도 2는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최상위층의 상면에 형성된 역(逆)-F형 안테나를 나타내는 사시도.
도 3은 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 중간층의 상면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도.
도 4는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최하위층의 상면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도.
도 5는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최하위층의 하면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도.
도 6은 안테나의 방사 소자(radiating element)의 길이와 공진 주파수(resonance frequency) 사이의 관계를 예시적으로 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예의 다층 배선 기판의 한 층에 형성된 역-L형 안테나를 나타내는 사시도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 안테나와 배선 기판의 사시도.
도 9는 본 발명의 제 2 실시예의 변형예의 역-L형 안테나의 사시도.
도 10의 (a)는 일반적인 1/4 파장 안테나 중 하나인 단극 안테나(monopole antenna)를 나타냄.
도 10의 (b)는 일반적인 1/4 파장 안테나 중 하나인 역-L형 안테나를 나타냄.
도 10의 (c)는 일반적인 1/4 파장 안테나 중 하나인 역-F형 안테나를 나타냄.
도 11은 일반적인 역-F형 안테나의 기본 원리를 나타내는 도면.
도 12는 일반적인 3차원 역-F형 안테나를 예시적으로 나타내는 사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 안테나
2 : 배선 기판
11-1, 11-2, 11-3, 11-4, 11-a, 11-b : 방사 소자
12, 12-1, 12-2, 12-3, 12-4 : 급전부
13, 13-1, 13-2, 13-3, 13-4 : 단락부
14 : 접속부
15 : 접지선
16 : 급전선
본 발명은 다층 배선 기판에 내장되는 안테나 및 그 배선 기판에 관한 것이 다.
무선 기술의 진보에 따라, 주파수 대역(frequency band)과 이득(gain) 등의 안테나의 특성의 향상과 안테나 구조의 소형화가 더 요구되고 있다. 도 10은 일반적인 1/4 파장 안테나를 나타내는 도면이고, 도 10의 (a)는 단극 안테나를 나타내며, 도 10의 (b)는 역-L형 안테나를 나타내고, 도 10의 (c)는 역-F형 안테나를 나타낸다.
도 10의 (b)에 나타낸 역-L형 안테나는 도 10의 (a)에 나타낸 단극 안테나의 소형화를 목적으로 방사 소자가 중간에서 구부러진 안테나이다. 역-L형 안테나는 도시된 방사 소자에서 Y부분이 이하의 이유 때문에 소형화될 수 없다는 결점을 갖는다. 방사 소자의 Y부분이 작아질수록, 방사 소자의 X부분과 GND(그라운드) 사이의 커패시턴스 성분이 더 증가된다. 그 결과, 안테나의 리액턴스 성분이 변화되고, 급전부와 안테나 사이의 임피던스 매칭(impedance matching)을 얻지 못한다. 따라서, 역-L형 안테나의 소형화에는 한계가 있다.
도 10의 (c)에 나타낸 역-F형 안테나는 역-L형 안테나의 임피던스 매칭을 용이하게 얻도록 하기 위해 급전부의 부근에 단락부가 설치된 구조를 갖는 안테나이다. 역-F형 안테나는 수직 편파(vertically polarized wave) 및 수평 편파(horizontally polarized wave)의 양 편파를 방사하는 특성을 갖고, 휴대 전화와 같은 다양한 소형 무선 기기에서 소형의 무지향성 안테나로서 사용된다. 도 11은 일반적인 역-F형 안테나의 기본 원리를 나타내는 도면이다. 도면에서 L부분은 역-F형 안테나(50)의 주파수를 결정한다. 커패시턴스 성분은 L부분을 GND에 근접시킴 으로써 β영역의 부근에 형성된다. 대조적으로, 급전부(51) 부근에서 방사 소자(52)를 GND에 단락시킴으로써, 리액턴스 성분을 α영역 부근에 형성해서, 안테나와 급전부 사이의 임피던스 매칭을 얻는다. 역-F형 안테나로서는, 도 11에 나타낸 평면 타입의 안테나에 부가하여, 도 12에 나타낸 바와 같은 3차원의 안테나가 있다. 도 12는 일반적인 3차원의 역-F형 안테나를 예시적으로 나타내는 도면이다. 3차원의 역-F형 안테나(50)에서, 방사 소자(52)는 평면 타입의 안테나와 동일한 방식으로 급전부(51) 부근에서 GND에 단락된다.
한층더 소형화를 목적으로 하는 안테나로서, 역-L형 안테나와 역-F형 안테나를 서로 결합한 안테나가 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
또한, 안테나의 특성을 유지 또는 향상시키는 동시에 안테나 구성의 소형화를 목적으로 하는 몇몇 안테나가 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 및 3 참조).
[특허 문헌 1] 일본국 특허 공개 공보 제 2003-124742호
[특허 문헌 2] 일본국 특허 공개 공보 제 2005-110109호
[특허 문헌 3] 일본국 특허 공개 공보 제 2005-110110호
상술한 종래 기술에서, 안테나 본체는 어느 정도까지 소형화가 가능하지만, 한층더 소형화를 이루기 어렵다. 예를 들어, 특허 문헌 1에 기재된 안테나는 역-L형 안테나에 대응하는 구조를 가지며, 따라서 소형화에 한계가 있다.
일반적으로, 안테나의 크기가 크면, 안테나의 특성은 더욱 우수하고, 안테나 의 크기가 작으면, 안테나의 특성이 더욱 저하된다. 안테나의 특성을 향상시키기 위해, 안테나의 어레이(array)화도 계획될 수도 있다. 하지만, 안테나가 넓은 영역을 점유하면, 소형화가 어렵다는 문제가 발생한다.
또한, 안테나를 내장하는 소형 무선 기기의 소형화가 지속적으로 더 이루어질 것으로 기대된다. 그와 같은 기기의 제조 프로세스에서, 기기에 안테나를 내장하는 작업이 점점 어려워질 것이다.
본 발명의 목적은 상기한 바를 감안하여 소형화되고, 고성능을 가지며, 제조가 용이한 안테나와 그 안테나를 내장하는 배선 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 하나 이상의 실시예의 제 1 관점에 따르면, 안테나의 방사 소자(radiating element)는 다층 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설(布設)된다. 본 발명의 제 1 관점에서, 다층 배선 기판에 내장되는 안테나는 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설된 방사 소자와, 방사 소자에 급전하도록 각 층의 면 상에 각각 포설된 급전부(power supplying portion)와, 방사 소자를 접지시키기 위해 각 층의 면 상에 각각 포설된 단락부(short-circuiting portion)와, 배선 기판의 각 층을 관통하고, 급전부를 서로 전기적으로 접속하는 접속부를 포함한다.
배선 기판의 각 층의 각각에서, 방사 소자 중 하나와, 급전부 중 하나와, 단락부 중 하나에 의해 구성된 역-F형 안테나가 형성된다. 배선 기판의 각 층에 각각 형성된 역-F형 안테나의 각 급전부는 배선 기판의 각 층을 관통하는 접속부에 의해 서로 접속된다. 예를 들어, 접속부는 쓰루홀(through hole)로 구성된다. 대 안으로, 접속부는 다른 구성 또는 형태를 갖는 도전 부재일 수도 있다.
방사 소자는 다른 길이를 갖는 것이 바람직하다. 그러한 구성에 따르면, 넓은 주파수 대역의 확보가 가능하다.
방사 소자, 급전부, 및 단락부는 각 층에 대해 패턴화되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 안테나를 내장하는 배선 기판의 제조 프로세스에서, 배선 기판의 각 층의 배선 패턴을 형성하는 동시에, 역-F형 안테나를 구성하는 방사 소자, 급전부, 및 단락부가 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 관점의 안테나를 내장하는 다층 배선 기판은, 방사 소자, 방사 소자에 급전하기 위한 급전부, 및 방사 소자를 접지하기 위한 단락부에 의해 구성되어, 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설되는 역-F형 안테나와, 배선 기판의 각 층을 관통하고, 각 급전부를 서로 전기적으로 접속하는 접속부를 포함한다.
본 발명의 제 2 관점의 안테나는 복수의 방사 소자, 각 방사 소자에 급전하는 급전부, 및 각 방사 소자와 접지판을 서로 접속하는 접속부를 포함하고, 방사 소자, 급전부, 및 단락부에 의해 구성된 안테나로서 역-F형 안테나가 형성된다. 방사 소자는 다른 길이를 갖는 것이 바람직하다.
다양한 구현이 이하의 하나 이상의 이점을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 소형화되고, 고성능을 가지며, 제조가 용이한 안테나와 그 안테나를 내장하는 배선 기판을 실현하는 것이 가능하다. 본 발명은 모듈 기능을 갖고 안테나가 포함되는 배선기판으로서 실현되기 때문에, 소형 무선 기기를 더 소형화하고 정교하게 하는 데 기여할 수 있다.
안테나를 내장하는 배선 기판의 제조 프로세스에서, 배선 기판의 각 층의 배선 패턴을 형성하는 동시에, 역-F형 안테나를 구성하는 방사 소자, 급전부, 및 단락부를 형성할 수 있다. 역-F형 안테나와 역-F형 안테나를 포함하는 소형 무선 기기의 제조에 있어서, 그 제조 시간을 단축하고, 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 방사 소자는 다른 길이를 갖도록 형성되고, 따라서 넓은 주파수 대역의 확보가 가능하다. 방사 소자가 동일한 길이를 갖도록 형성되는 경우, 이득이 향상된다. 본 발명의 안테나는 복수의 역-F형 안테나가 적층되어 있는 구조를 갖는다. 종래의 단독의 역-F형 안테나와 달리, 안테나의 특성은 안테나에 의한 점유 면적의 변화없이 향상될 수 있다.
이하, 다른 특징과 이점들은 상세한 설명, 첨부한 도면, 및 청구 범위로부터 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예의 안테나와 배선 기판의 사시도이다. 예를 들어, 안테나(1)가 3층 배선 기판에 내장된 경우를 기술한다. 하지만, 본 발명의 적용을 3층 구조로 제한하지 않는다. 본 발명은 임의의 층수의 적층 구조를 갖는 배선 기판에 적용될 수 있다. 도 2는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최상위층의 상면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도이다. 도 3은 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 중간층의 상면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도이다. 도 4는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최하위층의 상면에 형성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 1에 나타낸 3층 배선 기판의 최하위층의 하면에 형 성된 역-F형 안테나를 나타내는 사시도이다. 이하, 편의를 위해, 3층 배선 기판(2)의 최상위층을 A층으로, 중간층을 B층으로, 최하위층을 C층으로 참조한다.
3층 배선 기판(2)의 최상위층인 A층의 상면에, 방사 소자(11-1), 방사 소자(11-1)에 급전하는 급전부(12-1), 및 방사 소자(11-1)를 접지시키는 단락부(13-1)가 역-F형 안테나를 형성하도록 포설된다. 배선 기판(2)의 중간층인 B층의 상면에, 방사 소자(11-2), 방사 소자(11-2)에 급전하는 급전부(12-2), 및 방사 소자(11-2)를 접지시키는 단락부(13-2)가 역-F형 안테나를 형성하도록 포설된다. 배선 기판(2)의 최하위층인 C층의 상면에, 방사 소자(11-3), 방사 소자(11-3)에 급전하는 급전부(12-3), 및 방사 소자(11-3)를 접지시키는 단락부(13-3)가 역-F형 안테나를 형성하도록 포설된다. 배선 기판(2)의 C층의 하면에, 방사 소자(11-4), 방사 소자(11-4)에 급전하는 급전부(12-4), 및 방사 소자(11-4)를 접지시키는 단락부(13-4)가 역-F형 안테나를 형성하도록 포설된다. 배선 기판(2)의 각 A층, B층, 및 C층의 각각에서의 역-F형 안테나의 형성은, 배선 기판을 제조하는 프로세스에서의 각 층의 배선 패턴의 형성과 동시에, 각 층에 대해 도전 부재를 사용하여 패터닝 프로세스를 수행하여 실현하는 것이 바람직하다.
접속부(14)는 배선 기판(2)의 A층, B층, 및 C층을 관통하여, 급전부(12-1, 12-2, 12-3, 12-4)를 서로 전기적으로 접속한다. 예를 들어, 접속부(14)는 쓰루홀 기술을 사용하여 형성된다. 대안으로, 접속부(14)는 비아(via)에 의한 접속 형태로 실현될 수도 있다. 한편으로, 접속부(14)는 다른 구성 또는 형상을 갖는 도전 부재에 의해 실현될 수도 있다. 바람직하게는, RF 모듈과 급전부(12-1, 12-2, 12- 3, 12-4) 사이의 전기적 접속은 RF 모듈이 실장되는 층의 급전부를 RF 모듈이 접속되는 급전선에 접속함으로써 실현된다. 도시된 예에서, RF 모듈(도시 생략)은 배선 기판(2)의 A층의 상면에 실장되는 것으로 가정한다. 이 경우, 배선 기판(2)의 A층의 상면에 포설된 급전부(12-1)는 급전선(16)을 통해 RF 모듈(도시 생략)에 접속된다. 예를 들어, 급전선(16)은 마이크로스트립(microstrip) 선이다.
단락부(13-1, 13-2, 13-3, 13-4)는 배선 기판(2)의 A층, B층, 및 C층에서 접지선(15)에 접속된다.
본 실시예에서, 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)의 길이는 서로 다르다. 그러한 구성에 따르면, 넓은 주파수 대역의 확보가 가능하다. 도 6은 안테나의 방사 소자의 길이와 공진 주파수 사이의 관계를 예시적으로 나타내는 도면이다. 도시된 예에서, 2개의 방사 소자의 경우가 나타내어진다. 2개의 방사 소자의 길이가 서로 약간 다르게 설정되는 경우, 주파수 특성은 서로 약간 다르다. 안테나에 급전되는 전력에 근접하는 주파수에서 2개의 공진이 발생하도록 방사 소자의 길이를 설계하면, 안테나의 주파수 대역이 넓어질 수 있다. 안테나의 특성을 향상시키기 위해, 배선 기판(2)의 각 층에 설치된 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4), 급전부(12-1, 12-2, 12-3, 12-4), 및 단락부(13-1, 13-2, 13-3, 13-4)는 배선 기판(2)을 상면 측(또는 하면 측)으로부터 평면적으로 볼 경우, 그들 각각이 서로 중첩하는 위치에 형성된다. 이 경우, 주파수 대역의 향상을 목적으로 방사 소자(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)가 다른 길이를 갖기 때문에, 평면적으로 보면, 방사 소자의 길이차에 대응하는 정도에 의해 서로 중첩하지 않는 부분이 각 층에 형성된다.
방사 소자가 동일한 길이를 갖도록 형성되는 경우, 얻어지는 이득이 증가한다. 동일한 길이를 갖는 방사 소자의 세트(set)가 적절하게 조합되는 경우, 주파수 대역에 부가하여 이득도 조정될 수 있다.
본 발명의 안테나를 내장한 배선 기판(2)에는, 예를 들어, 글라스 에폭시 기판을 적층한 배선 기판 또는 빌드-업 기판에 의해 구성된 배선 기판이 사용될 수 있다.
글라스 에폭시 기판을 사용하는 배선 기판의 경우, 예를 들어, 제거법(subtractive method)에 의해 안테나 등의 패턴을 형성하고, 드릴링 가공에 의해 글라스 에폭시 기판에 관통홀(penetration hole)을 형성하고, 그 관통홀의 내벽에 배치되는 도금층에 의해 쓰루홀(접속부(14))을 형성함으로써 안테나를 내장한 배선 기판(2)이 형성된다.
빌드-업(build-up) 기판을 사용하는 배선 기판의 경우, 절연층과 안테나 등을 갖는 각 배선층이 빌드-업 법에 의해 적층되고, 각 배선층은 절연층에 형성된 비아를 통해 서로 접속된다.
배선층의 패턴과 비아는 예를 들어, 반-부가법(semi-additive method)에 의해 형성된다. 반-부가법이 적용되는 경우, 레이저 프로세스에 의해, 하부 배선층의 배선층을 노출시키는 개구를 형성하고, 그 개구의 내벽에 도금층을 도포함으로써 비아가 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 다층 배선 기판에서, 방사 소자, 방사 소자에 급전하는 급전부, 및 방사 소자를 접지시키는 단락부에 의 해 각각 구성된 역-F형 안테나가 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설되고, 각 층에 위치하는 급전부는 배선 기판의 각 층을 관통하는 접속부에 의해 서로 접속된다. 도 1 내지 5에 나타낸 제 1 실시예의 배선 기판에서, 역-F형 안테나는 배선 기판의 전체 층의 각각에 형성된다. 변형예에서, 역-F형 안테나는 각 층의 한정된 층의 각각에 형성될 수도 있다. 대안으로, 방사 소자, 급전부, 및 단락부는 역-F형 안테나로 형성되지 않고, 각 층의 몇몇 층에 또는 전체 층에, 역-L형 아테나로 형성될 수도 있다. 역-L형 안테나에서는, 단락부가 급전부로도 기능한다. 예를 들어, 도 7은 다층 배선 기판의 한 층에 형성된 역-L형 안테나의 구조를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 안테나와 배선 기판의 사시도이다. 본 실시예의 안테나(1)는 두 개의 방사 소자(11-a, 11-b), 방사 소자(11-a, 11-b)에 급전하는 급전부(12), 및 접지판(GND)(20)에 방사 소자(11-a, 11-b)를 접속하는 단락부(13)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 두 개의 방사 소자(11-a, 11-b), 급전부(12), 및 단락부(13)에 의해 구성된 역-F형 안테나는 3차원적으로 형성된다. 방사 소자(11-a, 11-b)는 다른 길이를 갖는다. 그러한 구성에 따르면, 넓은 주파수 대역의 확보가 가능하다. 방사 소자가 제 1 실시예와 동일한 방법으로 동일한 길이를 갖도록 형성되는 경우, 이득이 향상된다. 본 실시예에서, 방사 소자의 수는 두 개이다. 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 대안으로, 방사 소자가 복수 개일 수도 있다. 또한, 방사 소자, 급전부, 및 단락부는 도 9에 나타낸 바와 같이 역-L형 안테나로서 형성된다.
본 발명은 소형 무선 기기에 포함된 안테나에 적용될 수 있다. 본 발명이 적용될 수 있는 소형 무선 기기의 예는 휴대 전화, PDA, IC 카드 리더/라이터, 음향 기기, 영상 기기, 게임기, 바코드 리더, 및 시계이다.
본 발명에 따르면, 소형이고, 고성능을 가지며, 제조가 용이한 안테나와 그 안테나를 내장한 다층 배선 기판이 실현된다. 따라서, 본 발명은 소형 무선 기기의 소형화와 정밀화에 더욱 기여한다.
본 발명에 따르면, 제조 프로세스에서, 소형 무선 기기에 안테나를 조립하는 단계가 용이하다. 배선 기판의 각 층의 배선 패턴의 형성에서, 역-F형 안테나를 구성하는 방사 소자, 급전부, 및 단락부는 동시에 형성됨으로써, 역-F형 안테나와 역-F형 안테나를 포함하는 소형 무선 기기에서 제조 시간의 단축과 제조 비용의 감소가 실현될 수 있다.
방사 소자가 다른 길이를 갖기 때문에, 넓은 주파수 대역의 확보가 가능하다. 본 발명의 안테나는 복수의 역-F형 안테나의 적층 구조를 갖는다. 종래의 단독의 역-F형 안테나와 달리, 안테나에 의한 점유 영역의 변화없이 안테나의 특성이 향상될 수 있다.

Claims (13)

  1. 다층 배선 기판에 내장되는 안테나로서,
    상기 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설(布設)되는 방사 소자(radiating element)와,
    상기 방사 소자에 급전하도록 상기 각 층의 상기 면 상에 각각 포설된 급전부(power supplying portion)와,
    상기 방사 소자를 접지시키도록 상기 각 층의 상기 면 상에 각각 포설되는 단락부(short-circuiting portion)와,
    상기 배선 기판의 상기 각 층을 관통하고, 상기 급전부를 서로 전기적으로 접속시키는 접속부를 포함하는 안테나.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 소자, 상기 급전부, 및 상기 단락부에 의해 구성되는 역-F형 안테나가 상기 각 층에 각각 형성되는 안테나.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 소자는 다른 길이를 갖는 안테나.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사 소자, 상기 급전부, 및 상기 단락부는 상기 각 층에 패턴화되는 안테나.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접속부는 쓰루홀(through hole)에 의해 구성되는 안테나.
  6. 방사 소자와, 상기 방사 소자에 급전하는 급전부와, 상기 방사 소자를 접지시키는 단락부에 의해 구성되고, 상기 배선 기판의 각 층의 면 상에 각각 포설되는 안테나와,
    상기 배선 기판의 각 층을 관통하고, 상기 급전부를 서로 전기적으로 접속하는 접속부를 포함하는 다층 배선 기판.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 안테나는 역(逆)-F형 안테나인 배선 기판.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사 소자는 다른 길이를 갖는 배선기판.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 접속부는 쓰루홀에 의해 구성되는 배선 기판.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 방사 소자, 상기 급전부, 및 상기 단락부는 상기 각 층에 패턴화되는 배선 기판.
  11. 복수의 방사 소자와,
    상기 방사 소자에 급전하는 급전부와,
    상기 방사 소자와 접지판을 서로 접속하는 단락부를 포함하는 안테나.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 안테나는 상기 방사 소자, 상기 급전부, 및 상기 단락부에 의해 구성되는 역-F형 안테나인 안테나.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 방사 소자는 다른 길이를 갖는 안테나.
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