KR20070042783A - Gas injector and apparatus for treating substrates using the same - Google Patents

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KR20070042783A
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최해문
박윤세
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안현수
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Abstract

본 발명은 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 개시한 것으로서, 공정챔버; 공정챔버에 연결된 가스공급관; 공정챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재; 기판 지지부재에 놓여진 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와, 가스공급관과 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부를 포함하는 가스분사장치; 및 공정챔버에 연결된 진공배기장치;를 포함하며, 유로연결부는 일단에 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치된 상태에서 가스공급관의 내측에 삽입 설치되도록 한 구성을 가진다.The present invention discloses a gas injection device and a substrate processing device using the same, comprising: a process chamber; A gas supply pipe connected to the process chamber; A substrate support member installed in the process chamber to support the substrate; A gas injection device including a gas injection part installed to face the substrate placed on the substrate support member and injecting a gas, and a flow path connecting part installed to communicate between the gas supply pipe and the gas injection part; And a vacuum exhaust device connected to the process chamber, wherein the flow path connector has a configuration such that one or more O-rings are inserted at one end and inserted into the gas supply pipe.

이러한 구성에 의하면, 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 유로연결부의 실링 성능을 향상시켜, 가스분사장치 내에서의 반응가스의 누출로 인한 반응가스 간의 혼합 및 반응을 방지함으로써, 반응가스들이 공정챔버 내의 기판과 가스분사장치 사이의 반응영역에 도달될 때까지 반응가스들의 유동 경로를 분리하여 공급할 수 있는 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 제공할 수 있다.According to this constitution, the sealing performance of the flow path connecting portion inserted into the gas supply pipe is improved, thereby preventing the reaction gases from mixing and reacting due to the leakage of the reaction gas in the gas injector, thereby causing the reaction gases to enter the process chamber. A gas injection device capable of separating and supplying a flow path of reaction gases until reaching a reaction region between the substrate and the gas injection device, and a substrate processing device using the same can be provided.

가스분사장치, 샤워 헤드, 반응가스, 실링 Gas injection device, Shower head, Reaction gas, Sealing

Description

가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치{GAS INJECTOR AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES USING THE SAME}GAS INJECTOR AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATES USING THE SAME}

도 1은 종래의 샤워 헤드가 장착된 기판처리장치의 구성을 예시해 보인 개략적 구성도,1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus equipped with a conventional shower head;

도 2는 본 발명에 따른 가스분사장치가 적용된 기판처리장치를 도시해 보인 개략적 구성도,2 is a schematic configuration diagram showing a substrate processing apparatus to which a gas injection apparatus according to the present invention is applied;

도 3은 본 발명에 따른 가스분사장치의 개략적 분해 사시도이다.3 is a schematic exploded perspective view of a gas injection device according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 공정챔버 200 : 가스공급유닛100: process chamber 200: gas supply unit

220 : 제 1 가스공급관 222 : 단차부220: first gas supply pipe 222: stepped portion

240 : 제 2 가스공급관 300 : 기판지지부재240: second gas supply pipe 300: substrate support member

400 : 가스분사장치 410 : 가스분사부400: gas injection device 410: gas injection unit

412 : 제 1 분사판 414 : 제 2 분사판412: first jet plate 414: second jet plate

420 : 유로연결부 422 : 제 1 커넥터420: flow path connecting portion 422: first connector

424 : 제 2 커넥터 426 : 오링(O-Ring)424: second connector 426: O-ring

428 : 금속실링부재 429 : 체결나사428: metal sealing member 429: tightening screw

500 : 진공배기장치 510 : 배기관500: vacuum exhaust device 510: exhaust pipe

본 발명은 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응가스의 누출을 방지하도록 실링성능이 개선된 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a gas injection device and a substrate processing device using the same, and more particularly, to a gas injection device and a substrate processing device using the same improved sealing performance to prevent the leakage of the reaction gas.

일반적으로 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 이온주입공정, 증착공정, 사진공정 및 식각공정 등과 같은 다수의 공정들이 요구된다. 이러한 공정들 중에서 증착공정은 기판상에 일정한 물질막을 형성하는 공정으로, 물리적 기상 증착법(PVD:Physical Vapor Deposition)과 화학적 기상 증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition) 등이 있다.In general, a plurality of processes, such as an ion implantation process, a deposition process, a photo process, and an etching process, are required to manufacture a semiconductor device. Among these processes, a deposition process is a process of forming a uniform material film on a substrate, and there are physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD).

그 중 화학적 기상 증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition)은, 공정챔버 내의 기판상으로 물질막을 구성하는 여러 가지 성분의 반응가스들을 공급하면서 공정챔버 내의 물리적 조건을 물질막 증착에 적합하게 유지하여 기판상에 물질막을 증착하는 방법이다.Among them, chemical vapor deposition (CVD) is performed by supplying the reaction gases of various components constituting the material film onto the substrate in the process chamber while maintaining physical conditions in the process chamber suitable for the deposition of the material film. A method of depositing a material film.

화학적 기상 증착법(CVD)을 이용한 물질막의 증착에는 대부분 두 가지 성분 이상의 반응가스들이 사용된다. 반응가스들이 공정챔버에 공급되는 방식은 초기에는 별도로 믹싱챔버를 준비하여 반응가스들을 먼저 균일하게 혼합한 다음, 공정챔버의 샤워 헤드를 통해 공급하는 방식이었다. 그러나, 이러한 반응가스 공급방식은 혼합된 가스들이 반응하여 믹싱챔버에 증착되고, 생성 반응물이 샤워 헤드에 적층 되거나 오염물질로 배출되는 등의 문제점이 있었다. 이로 인해, 최근에는 반응가스들이 기판과 샤워 헤드 사이의 반응영역에 도달될 때까지 반응가스들을 분리하여 공급하는 포스트 믹싱(Post-Mixing) 방식이 널리 이용되고 있다.In general, two or more reactant gases are used to deposit a material film using chemical vapor deposition (CVD). The reaction gas was initially supplied to the process chamber by preparing a separate mixing chamber, mixing the reaction gases uniformly first, and then supplying them through the shower head of the process chamber. However, this reaction gas supply method has a problem such that the mixed gases are reacted and deposited in the mixing chamber, the resulting reactants are laminated to the shower head or discharged as contaminants. For this reason, in recent years, a post-mixing method of separating and supplying the reaction gases until the reaction gases reach the reaction region between the substrate and the shower head has been widely used.

종래의 포스트 믹싱(Post Mixing) 방식의 샤워 헤드(40)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 다층의 가공된 제 1 분사판(42) 및 제 2 분사판(44)이 적층되고, 가스공급원(21,23)으로부터 공급된 두 가지 성분의 반응가스들이 분리된 경로를 따라 공정챔버(10)에 유입되도록 공간을 구획하여, 분사홀(45a,45b)을 통해 분출된 반응가스들이 기판 지지부재(30) 상에 놓여진 기판(W)과 샤워 헤드(40) 사이의 반응영역에서 혼합되도록 한 구성을 갖는다.In the conventional post mixing shower head 40, as illustrated in FIG. 1, a multi-layered processed first jet plate 42 and a second jet plate 44 are stacked, and a gas supply source is provided. The space is partitioned so that the reaction gases of the two components supplied from (21, 23) flow into the process chamber 10 along the separated path, and the reaction gases ejected through the injection holes 45a and 45b are supported by the substrate support member. It has a configuration such that it is mixed in the reaction region between the substrate (W) placed on the 30 and the shower head 40.

여기서, 가스공급원(21,23)으로부터 공급된 반응가스들이 샤워 헤드(40)의 내부로 유입되는 경로를 분리하기 위해, 공정챔버(10) 외벽과 제 1 분사판(42)의 사이에는 제 1 가스공급원(21)으로부터 공급되는 반응가스의 인입구 역할을 수행하는 가스포트(Gas Port,46)가 연통 설치된다. 그리고 가스포트(46)와 공정챔버(10) 외벽과의 사이에는 실링부재(48)가 개재되어 가스공급원(21,23)으로부터 공급되는 반응가스들의 기밀을 유지하게 된다. 그리고 공정챔버(10) 내의 고온 환경으로 인하여, 가스포트(46)와 공정챔버(10) 외벽의 사이에 개재되는 실링부재(48)로는 오링(O-Ring)의 사용이 불가능하므로, 금속 재질의 실링부재(48)가 사용되고 있다.Here, in order to separate the path from which the reaction gases supplied from the gas supply sources 21 and 23 enter the inside of the shower head 40, a first space is formed between the outer wall of the process chamber 10 and the first injection plate 42. A gas port 46 serving as an inlet of the reaction gas supplied from the gas supply source 21 is installed in communication. The sealing member 48 is interposed between the gas port 46 and the outer wall of the process chamber 10 to maintain the airtightness of the reaction gases supplied from the gas supply sources 21 and 23. In addition, due to the high temperature environment in the process chamber 10, the O-ring may not be used as the sealing member 48 interposed between the gas port 46 and the outer wall of the process chamber 10. The sealing member 48 is used.

그런데, 공정챔버(10) 내의 공정 환경은 360℃ 이상의 고온이며, 이로 인해 샤워 헤드(40)의 가스포트(46) 실링부에 열변형이 발생되어, 공정챔버(10) 외벽과 가스포트(46) 사이의 접촉면을 통한 가스 누출이 발생함으로써, 반응가스들이 샤워 헤드(40) 내부에서 혼합되어 반응하는 문제점이 있었다.However, the process environment in the process chamber 10 is a high temperature of 360 ° C. or more, which causes heat deformation of the sealing portion of the gas port 46 of the shower head 40, and thus the outer wall and the gas port 46 of the process chamber 10. By leaking gas through the contact surface between the), there was a problem that the reaction gases are mixed inside the shower head 40 to react.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 통상적인 가스분사장치(Shower Head)가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반응가스들이 공정챔버 내의 기판과 가스분사장치 사이의 반응영역에 도달될 때까지 반응가스들의 유동 경로를 분리하여 공급할 수 있는 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 제공하기 위한 것이다.Therefore, the present invention was created to solve the problems in view of the conventional conventional gas injection device (Shower Head) as described above, the object of the present invention is that the reaction gas is a substrate and gas injection device in the process chamber It is an object of the present invention to provide a gas injector capable of separating and supplying a flow path of reaction gases until a reaction region therebetween and a substrate treating apparatus using the same.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스분사장치는, 가스공급관을 통해 챔버에 공급된 가스를 분사하는 가스분사장치에 있어서, 상기 챔버 내의 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와; 상기 가스공급관과 상기 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부;를 포함하며, 상기 유로연결부는 일단이 상기 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the gas injection device according to the present invention is a gas injection device for injecting a gas supplied to a chamber through a gas supply pipe, the gas injection unit is installed to face the substrate in the chamber to inject the gas Wow; And a flow path connecting part installed to communicate between the gas supply pipe and the gas injection part, wherein one end of the flow path connecting part is inserted into the gas supply pipe.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 가스분사장치에 있어서, 상기 가스공급관의 내측면과 상기 유로연결부의 사이로 가스가 누설되는 것을 방지하도록 상기 유로연결부의 일단에는 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치되는 것이 바람직하다.In the gas injection device according to the present invention having the configuration as described above, at least one O-ring at one end of the flow path connecting portion to prevent gas leakage between the inner surface of the gas supply pipe and the flow path connecting portion. Is preferably installed.

본 발명의 일측면에 따르면, 상기 가스공급관의 내측에 상기 유로연결부의 삽입 설치시 상기 오링(O-Ring)과 상기 가스공급관 사이의 마찰면적을 줄이도록 상기 가스공급관의 내측에는 단차부가 형성되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the stepped portion is formed on the inner side of the gas supply pipe to reduce the friction area between the O-ring and the gas supply pipe when the insertion of the flow path connecting portion inside the gas supply pipe. desirable.

본 발명의 일특징에 따르면, 상기 유로연결부는, 상기 가스공급관과 연통되도록 설치되는 제 1 커넥터와; 상기 가스분사부와 연통되도록 설치되는 제 2 커넥터;를 포함하며, 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터는 착탈가능도록 결합되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the invention, the flow path connecting portion, the first connector is installed to communicate with the gas supply pipe; And a second connector installed to communicate with the gas injection part, wherein the first connector and the second connector are detachably coupled to each other.

그리고, 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터의 사이에는 금속 재질의 실링부재가 설치되는 것이 바람직하다.In addition, a metal sealing member may be disposed between the first connector and the second connector.

또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 가스분사장치를 이용한 기판처리장치는, 공정챔버와; 상기 공정챔버에 연결된 가스공급관과; 상기 공정챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재와; 상기 기판 지지부재에 놓여진 상기 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와, 상기 가스공급관과 상기 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부를 포함하는 가스분사장치와; 상기 공정챔버에 연결된 진공배기장치;를 포함하며, 상기 유로연결부는 일단이 상기 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate processing apparatus using the gas injection device according to the present invention in order to achieve the above object, the process chamber; A gas supply pipe connected to the process chamber; A substrate support member installed in the process chamber to support a substrate; A gas injection device including a gas injection part installed to face the substrate placed on the substrate support member and injecting a gas, and a flow path connecting part installed to communicate between the gas supply pipe and the gas injection part; And a vacuum exhaust device connected to the process chamber, wherein one end of the flow path connector is inserted into the gas supply pipe.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판처리장치에 있어서, 상기 가스공급관의 내측면과 상기 유로연결부의 사이로 가스가 누설되는 것을 방지하도록 상기 유로연결부의 일단에는 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치되는 것이 바람직하다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, at least one O-ring at one end of the flow path connecting portion to prevent gas leakage between the inner surface of the gas supply pipe and the flow path connecting portion. Is preferably installed.

본 발명의 일측면에 따르면, 상기 가스공급관의 내측에 상기 유로연결부의 삽입 설치시 상기 오링(O-Ring)과 상기 가스공급관 사이의 마찰면적을 줄이도록 상기 가스공급관의 내측에는 단차부가 형성되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the present invention, the stepped portion is formed on the inner side of the gas supply pipe to reduce the friction area between the O-ring and the gas supply pipe when the insertion of the flow path connecting portion inside the gas supply pipe. desirable.

본 발명의 일특징에 따르면, 상기 유로연결부는, 상기 가스공급관과 연통되도록 설치되는 제 1 커넥터와; 상기 가스분사부와 연통되도록 설치되는 제 2 커넥터;를 포함하며, 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터는 착탈가능도록 결합되는 것이 바람직하다.According to one aspect of the invention, the flow path connecting portion, the first connector is installed to communicate with the gas supply pipe; And a second connector installed to communicate with the gas injection part, wherein the first connector and the second connector are detachably coupled to each other.

그리고, 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터의 사이에는 금속 재질의 실링부재가 설치되는 것이 바람직하다.In addition, a metal sealing member may be disposed between the first connector and the second connector.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a gas injection device and a substrate treating apparatus using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are used as much as possible even if displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시예 )(Example)

도 2는 본 발명에 따른 가스분사장치가 적용된 기판처리장치를 도시해 보인 개략적 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 가스분사장치의 개략적 분해 사시도이다.2 is a schematic configuration diagram showing a substrate processing apparatus to which a gas injection apparatus according to the present invention is applied, and FIG. 3 is a schematic exploded perspective view of the gas injection apparatus according to the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 가스분사장치가 장착된 기판처리장치는, 공정챔버(100), 가스공급유닛(200), 기판지지부재(300), 가스분사장치(400) 및 진공배기장치(500)를 포함한다.2 and 3, a substrate processing apparatus equipped with a gas injection apparatus according to the present invention includes a process chamber 100, a gas supply unit 200, a substrate support member 300, and a gas injection apparatus 400. And a vacuum exhaust device 500.

공정챔버(100)는, 기판상에 물질막의 증착을 위해 반응가스를 공급하도록 구성된 화학기상증착(CVD)챔버로 구비된다. 그리고 공정챔버(100)는 증착된 물질막의 식각을 위해 가스를 공급하도록 구성된 식각챔버로 구비될 수도 있다.The process chamber 100 is provided with a chemical vapor deposition (CVD) chamber configured to supply a reaction gas for deposition of a material film on a substrate. In addition, the process chamber 100 may be provided as an etching chamber configured to supply a gas for etching the deposited material film.

가스공급유닛(200)은, 물질막을 구성하는 여러 가지 성분의 반응가스들을 공정챔버(100) 내로 공급하기 위한 것으로, 제 1 가스공급원(210)과 제 2 가스공급원(230)에 각각 연결된 제 1 가스공급관(220)과 제 2 가스공급관(240)을 통해 서로 다른 성분의 반응가스들을 공정챔버(100)에 공급한다.The gas supply unit 200 is for supplying the reaction gases of various components constituting the material film into the process chamber 100, and includes a first gas source connected to the first gas supply source 210 and the second gas supply source 230, respectively. The reaction gases of different components are supplied to the process chamber 100 through the gas supply pipe 220 and the second gas supply pipe 240.

기판지지부재(300)는, 기판(W)이 놓여지는 부분으로 공정챔버(100) 내의 저면에 설치된다. 공정챔버(100) 내부를 공정온도로 유지하고 기판(W)상에 반응가스들의 증착이 원활하게 이루어지도록 기판(W)을 고온으로 가열하는 히터(미도시)가 기판지지부재(300)의 내부에 설치될 수 있다.The substrate support member 300 is provided on the bottom surface of the process chamber 100 as a portion on which the substrate W is placed. A heater (not shown) for maintaining the inside of the process chamber 100 at a process temperature and heating the substrate W to a high temperature so as to smoothly deposit reaction gases on the substrate W has an interior of the substrate support member 300. Can be installed on

가스분사장치(400)는, 기판 지지부재(300)에 놓여진 기판(W)과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부(410)와, 제 1 가스공급관(220)과 가스분사부(410)의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부(420)를 포함한다.The gas injection device 400 is provided so as to face the substrate W placed on the substrate support member 300 to inject a gas, the first gas supply pipe 220 and the gas injection part 410. It includes a flow path connecting portion 420 is installed to communicate between.

가스분사부(410)는, 다층의 가공된 제 1 분사판(412) 및 제 2 분사판(414)이 적층되고, 가스공급원(210,230)으로부터 공급된 두 가지 성분의 반응가스들이 분리된 경로를 따라 공정챔버(100)에 유입되도록 공간을 구획하여, 분사홀(415a,415b)을 통해 분출된 반응가스들이 기판 지지부재(300) 상에 놓여진 기판(W)과 가스분사장치(400) 사이의 반응영역에서 혼합되도록 한 구성을 갖는다.The gas injection unit 410 is formed by stacking the multi-layered processed first injection plate 412 and the second injection plate 414 and separating the reaction gas of the two components supplied from the gas sources 210 and 230. The space is divided so as to flow into the process chamber 100, and the reaction gases ejected through the injection holes 415a and 415b are disposed between the substrate W and the gas injection device 400 placed on the substrate support member 300. It is configured to be mixed in the reaction zone.

유로연결부(420)는, 가스공급원(210,230)으로부터 공급된 반응가스들이 가스 분사장치(400)의 내부로 유입되는 경로를 분리하기 위해, 제 1 가스공급관(220)과 가스분사부(410)의 사이에 연통되도록 설치되어 제 1 가스공급원(210)으로부터 공급되는 반응가스의 인입구 역할을 수행한다. 여기서, 유로연결부(420)의 일단은 제 1 가스공급관(220)의 내측에 삽입 설치된다.The flow path connector 420 may be configured to separate the path from which the reaction gases supplied from the gas supply sources 210 and 230 flow into the gas injector 400. It is installed to communicate between and serves as an inlet of the reaction gas supplied from the first gas supply source (210). Here, one end of the flow path connecting portion 420 is inserted into the first gas supply pipe 220 is installed.

유로연결부(420)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 가스공급관(220)과 연통되도록 설치되는 제 1 커넥터(422)와, 가스분사부(410)와 연통되도록 설치되는 제 2 커넥터(424)를 가지며, 제 1 커넥터(422)와 제 2 커넥터(424)는 체결나사(429)의 체결력에 의해 착탈가능도록 결합된다. 그리고, 제 1 커넥터(422)와 제 2 커넥터(424)의 사이에는 반응가스의 기밀을 유지하기 위해 금속 재질의 실링부재(428)가 설치된다. 또한, 유로연결부(420)는 제 1 커넥터(422)와 제 2 커넥터(424)가 일체형으로 구비될 수도 있다.As illustrated in FIG. 3, the flow path connecting part 420 may include a first connector 422 installed to communicate with the first gas supply pipe 220, and a second connector installed to communicate with the gas injection part 410. 424, the first connector 422 and the second connector 424 are detachably coupled by the fastening force of the fastening screw 429. In addition, a metal sealing member 428 is installed between the first connector 422 and the second connector 424 to maintain the airtightness of the reaction gas. In addition, the flow path connecting portion 420 may be provided integrally with the first connector 422 and the second connector 424.

제 1 가스공급관(220)의 내측에 삽입 설치되는 유로연결부(420)의 일단에는 제 1 가스공급관(220)의 내측면과 유로연결부(420)의 사이로 가스가 누설되는 것을 방지하도록 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring,426)이 설치된다. 여기서, 공정챔버(100) 내의 고온의 공정환경이 오링(426)에 미치는 영향을 최소화하기 위해, 제 1 가스공급관(220)의 내측에 삽입 설치되는 유로연결부(420)의 일단은 오링 사용이 가능한 온도 범위(대략 250℃ 이하)를 갖는 가스공급관(220)의 부분까지 연장되어 설치될 수 있다. At least one O-ring at one end of the flow path connecting portion 420 inserted into the first gas supply pipe 220 to prevent gas from leaking between the inner surface of the first gas supply pipe 220 and the flow path connecting portion 420. (O-Ring, 426) is installed. Here, in order to minimize the effect of the high temperature processing environment in the process chamber 100 on the O-ring 426, one end of the flow path connecting portion 420 inserted into the first gas supply pipe 220 may be used for the O-ring. It may be installed to extend to the portion of the gas supply pipe 220 having a temperature range (about 250 ℃ or less).

그리고, 제 1 가스공급관(220)의 내측에는 유로연결부(420)의 삽입 설치시 오링(426)과 제 1 가스공급관(220) 사이의 마찰면적을 줄여줄 수 있도록 단차부 (222)가 형성된다. 제 1 가스공급관(220)의 내측에 형성된 단차부(222)에 의해 내경이 상대적으로 큰 부분에서는 오링(426)이 마찰저항을 받지않게 되며, 소정의 조립 위치에 도달했을 때 오링(426)과 제 1 가스공급관(220)의 내측면 사이에 마찰저항이 발생하게 된다. 이러한 구조에 의해 유로연결부(420)가 보다 용이하게 제 1 가스공급관(220)의 내측에 삽입 설치될 수 있다.In addition, a stepped portion 222 is formed inside the first gas supply pipe 220 to reduce a friction area between the O-ring 426 and the first gas supply pipe 220 when the flow path connecting portion 420 is inserted and installed. . O-ring 426 is not subjected to frictional resistance in a portion having a relatively large inner diameter by the stepped portion 222 formed inside the first gas supply pipe 220, and when the predetermined position is reached, the O-ring 426 and Friction resistance is generated between the inner surfaces of the first gas supply pipe 220. Due to this structure, the flow path connecting portion 420 may be more easily inserted into the first gas supply pipe 220.

진공배기장치(500)는, 배기관(510)을 통해 공정챔버(100)와 연결되어 공정 진행 중 공정챔버(100) 내의 압력을 공정압력으로 유지하고, 공정챔버(100) 내에서 발생되는 부산물을 배출한다. The vacuum exhaust device 500 is connected to the process chamber 100 through the exhaust pipe 510 to maintain the pressure in the process chamber 100 as the process pressure during the process, and to remove the by-products generated in the process chamber 100. Discharge.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 유로연결부의 실링 성능을 향상시켜, 가스분사장치 내에서의 반응가스들의 누출로 인한 반응가스 간의 혼합 및 반응을 방지함으로써, 반응가스들이 공정챔버 내의 기판과 가스분사장치 사이의 반응영역에 도달될 때까지 반응가스들의 유동 경로를 분리하여 공급할 수 있다.As described above, according to the present invention, by improving the sealing performance of the flow path connecting portion inserted into the inside of the gas supply pipe, by preventing the reaction and mixing between the reaction gases due to leakage of the reaction gases in the gas injection device, The flow paths of the reaction gases may be separated and supplied until the gases reach the reaction region between the substrate and the gas injection device in the process chamber.

Claims (10)

가스공급관을 통해 챔버에 공급된 가스를 분사하는 가스분사장치에 있어서,In the gas injection device for injecting the gas supplied to the chamber through the gas supply pipe, 상기 챔버 내의 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와;A gas injection unit installed to face the substrate in the chamber to inject a gas; 상기 가스공급관과 상기 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부;를 포함하며,And a flow path connecting part installed to communicate between the gas supply pipe and the gas injection part. 상기 유로연결부는 일단이 상기 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.The gas injection device, characterized in that one end of the passage connecting portion is inserted into the gas supply pipe. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가스공급관의 내측면과 상기 유로연결부의 사이로 가스가 누설되는 것을 방지하도록 상기 유로연결부의 일단에는 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.At least one O-ring (O-Ring) is provided at one end of the flow path connecting portion to prevent the leakage of gas between the inner surface of the gas supply pipe and the flow path connecting portion. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가스공급관의 내측에 상기 유로연결부의 삽입 설치시 상기 오링(O-Ring)과 상기 가스공급관 사이의 마찰면적을 줄이도록 상기 가스공급관의 내측에는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치. And a stepped portion is formed inside the gas supply pipe so as to reduce a friction area between the O-ring and the gas supply pipe when the flow path connecting portion is inserted into the gas supply pipe. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 유로연결부는,The flow path connecting portion, 상기 가스공급관과 연통되도록 설치되는 제 1 커넥터와;A first connector installed to communicate with the gas supply pipe; 상기 가스분사부와 연통되도록 설치되는 제 2 커넥터;를 포함하며,And a second connector installed to communicate with the gas injection unit. 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터는 착탈가능도록 결합되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.And the first connector and the second connector are detachably coupled to each other. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터의 사이에는 금속 재질의 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 가스분사장치.A gas injection device, characterized in that a metal sealing member is installed between the first connector and the second connector. 기판처리장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 공정챔버와;A process chamber; 상기 공정챔버에 연결된 가스공급관과;A gas supply pipe connected to the process chamber; 상기 공정챔버의 내부에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부재와;A substrate support member installed in the process chamber to support a substrate; 상기 기판 지지부재에 놓여진 상기 기판과 대향되도록 설치되어 가스를 분사하는 가스분사부와, 상기 가스공급관과 상기 가스분사부의 사이에 연통되도록 설치되는 유로연결부를 포함하는 가스분사장치와;A gas injection device including a gas injection part installed to face the substrate placed on the substrate support member and injecting a gas, and a flow path connecting part installed to communicate between the gas supply pipe and the gas injection part; 상기 공정챔버에 연결된 진공배기장치;를 포함하며,A vacuum exhaust device connected to the process chamber; 상기 유로연결부는 일단이 상기 가스공급관의 내측에 삽입 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And one end of the passage connecting portion is inserted into the gas supply pipe. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 가스공급관의 내측면과 상기 유로연결부의 사이로 가스가 누설되는 것을 방지하도록 상기 유로연결부의 일단에는 적어도 하나 이상의 오링(O-Ring)이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.At least one O-ring (O-Ring) is provided at one end of the flow path connecting portion to prevent the leakage of gas between the inner surface of the gas supply pipe and the flow path connecting portion. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 가스공급관의 내측에 상기 유로연결부의 삽입 설치시 상기 오링(O-Ring)과 상기 가스공급관 사이의 마찰면적을 줄이도록 상기 가스공급관의 내측에는 단차부가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a stepped portion is formed inside the gas supply pipe so as to reduce a friction area between the O-ring and the gas supply pipe when the flow path connecting portion is inserted into the gas supply pipe. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 6 to 8, 상기 유로연결부는,The flow path connecting portion, 상기 가스공급관과 연통되도록 설치되는 제 1 커넥터와;A first connector installed to communicate with the gas supply pipe; 상기 가스분사부와 연통되도록 설치되는 제 2 커넥터;를 포함하며,And a second connector installed to communicate with the gas injection unit. 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터는 착탈가능도록 결합되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the first connector and the second connector are detachably coupled to each other. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 1 커넥터와 상기 제 2 커넥터의 사이에는 금속 재질의 실링부재가 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Substrate processing apparatus, characterized in that a metal sealing member is provided between the first connector and the second connector.
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