KR20070039308A - Mornitoring system for drain line of cleaning apparatus and method for controlling interlock thereof - Google Patents

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KR20070039308A
KR20070039308A KR1020050094493A KR20050094493A KR20070039308A KR 20070039308 A KR20070039308 A KR 20070039308A KR 1020050094493 A KR1020050094493 A KR 1020050094493A KR 20050094493 A KR20050094493 A KR 20050094493A KR 20070039308 A KR20070039308 A KR 20070039308A
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semiconductor cleaning
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김성구
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 모니터링하는 모니터링 시스템 및 그의 설비 인터락 제어 방법에 관한 것이다. 반도체 세정 장치는 세정 공정 후 약액을 드레인 라인으로 배출한다. 이 때, 약액에 의해 드레인 라인 내부에서 찌거기가 형성되어 드레인 라인이 막히는 현상이 발생된다. 본 발명의 모니터링 시스템은 드레인 라인에 유량 센서를 구비하고, 드레인 라인 재질을 투명 재질로 구비한다. 따라서 모니터링 시스템은 유량 센서로부터 검출된 약액의 유량 정보를 받아서 드레인 라인이 막혀있는지 또는 유량이 역류하는지를 판별하고, 이상이 발생되면 설비 인터락을 발생시킨다. 또한, 드레인 라인 내부를 육안으로 확인하여 약액의 증기 및 물때 등에 의해 막혀있는지를 확인할 수 있다.The present invention relates to a monitoring system for monitoring a drain line of a semiconductor cleaning device and a method for controlling an interlock thereof. The semiconductor cleaning device discharges the chemical liquid to the drain line after the cleaning process. At this time, debris is formed inside the drain line by the chemical liquid, which causes clogging of the drain line. The monitoring system of the present invention includes a flow sensor in the drain line, and includes the drain line material as a transparent material. Therefore, the monitoring system receives the flow rate information of the chemical liquid detected from the flow rate sensor to determine whether the drain line is blocked or the flow rate is reversed, and if an abnormality occurs, the facility interlock is generated. In addition, it is possible to visually check the inside of the drain line to determine whether it is blocked by steam or scale of the chemical liquid.

반도체 세정 장치, 약액, 드레인 라인, 투명 재질, 유량 센서, 설비 인터락 Semiconductor cleaning equipment, chemicals, drain lines, transparent materials, flow sensors, facility interlocks

Description

반도체 세정 장치의 드레인 라인 모니터링 시스템 및 그의 인터락 제어 방법{MORNITORING SYSTEM FOR DRAIN LINE OF CLEANING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING INTERLOCK THEREOF}Drain line monitoring system of semiconductor cleaning device and its interlock control method {MORNITORING SYSTEM FOR DRAIN LINE OF CLEANING APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLING INTERLOCK THEREOF}

도 1은 일반적인 반도체 세정 장치의 배출되는 약액에 의한 막힘 현상을 나타내는 드레인 라인의 단면도;1 is a cross-sectional view of a drain line showing a clogging phenomenon caused by a chemical liquid discharged from a general semiconductor cleaning apparatus;

도 2은 본 발명에 따른 반도체 세정 장치의 드레인 라인 막힘을 방지하기 위한 모니터링 시스템의 구성을 도시한 도면;2 illustrates a configuration of a monitoring system for preventing drain line clogging in a semiconductor cleaning apparatus according to the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 모니터링 시스템의 구성을 도시한 블럭도; 그리고3 is a block diagram showing the configuration of the monitoring system shown in FIG. 2; And

도 4는 본 발명에 따른 드레인 라인 모니터링 시스템의 제어 수순을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a control procedure of the drain line monitoring system according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 모니터링 시스템 102 : 챔버(세정조)100: monitoring system 102: chamber (cleaning tank)

104 : 흡입 밸브 106 : 드레인 라인104: intake valve 106: drain line

108 : 유량 센서 110 : 제어부108: flow sensor 110: control unit

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 세정 장치의 드레인 라인의 막힘을 모니터링하기 위한 모니터링 시스템 및 그의 설비 인터락 제어 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a monitoring system for monitoring clogging of a drain line of a semiconductor cleaning apparatus and a method for controlling the interlock thereof.

반도체 장치의 제품 특성에 영향을 줄 수 있는 파티클 또는 오염 물질을 제거하고, 다른 불순물들로부터 기판 표면을 보호하기 위해 세정 공정은 반도체 제조 공정에서 필수적인 공정이다. 세정 공정은 사용되는 방법에 따라, 크게 습식 세정과 건식 세정으로 분류되며, 현재 많은 양의 웨이퍼를 처리할 수 있으며 공정 처리 비용이 저렴한 습식 공정을 주로 사용하고 있는 실정이다.The cleaning process is an essential process in the semiconductor manufacturing process to remove particles or contaminants that may affect the product characteristics of the semiconductor device and to protect the substrate surface from other impurities. The cleaning process is classified into wet cleaning and dry cleaning, depending on the method used. Currently, the cleaning process mainly uses a wet process capable of processing a large amount of wafers and having a low processing cost.

습식 세정 공정은 약액 즉, 습식 세정액을 사용하여 웨이퍼 기판을 세정한 후, 린스(rinse) 공정 및 드라이(dry) 공정을 실시한다. 습식 세정 공정은 그 목적에 따라, 다양한 세정액들이 사용된다.In the wet cleaning process, the wafer substrate is cleaned using a chemical solution, that is, a wet cleaning solution, followed by a rinse process and a dry process. In the wet cleaning process, various cleaning liquids are used depending on the purpose.

종래 기술에 따른 반도체 세정 설비(예를 들어, 세메스 주식회사의 모델명 SWP-3004)는 300 mm웨이퍼의 세정 공정을 처리하는 설비로서, VIA WET ETCH, BEVEL WET ETCH 공정을 진행하는 장비이다. VIA WET ETCH, BEVEL WET ETCH 공정시 고농도의 약액 예를 들어, LAL, HF (2 : 1)을 사용하기 때문에 도 1에 도시된 바와 같이, 약액의 증기(fume) 및 물때(scale)(12)에 의해 자주 드레인 라인(drain line)(10)이 막히는 현상이 발생된다.The semiconductor cleaning equipment according to the prior art (for example, model name SWP-3004 of Semes Co., Ltd.) is a equipment for processing a 300 mm wafer cleaning process, and is a equipment for performing VIA WET ETCH and BEVEL WET ETCH processes. VIA WET ETCH, BEVEL WET ETCH In the process of using a high concentration of the chemical liquid, for example, LAL, HF (2: 1), as shown in Figure 1, the vapor (fume) and scale (12) of the chemical liquid As a result, clogging of the drain line 10 occurs frequently.

이는 드레인 라인(10)의 재질이 HT PVC 재질로 구비되어, 드레인 라인(10)이 약액과 반응하여 증기 및 물때(12)가 드레인 라인 내부 형성되어 드레인 라인(10)이 막히게 된다.This is because the drain line 10 is made of HT PVC material, the drain line 10 reacts with the chemical liquid, and the steam and scale 12 are formed inside the drain line, thereby clogging the drain line 10.

이 때, 작업자는 약액이 드레인 라인(10)으로 배출될 때, 증기 및 물때 등이 발생되어 드레인 라인 내부가 막혀 있는지를 육안으로 확인할 수 없다. 그 결과, 드레인 시간이 증가되어 설비 및 웨이퍼가 오염되는 문제점이 발생된다.At this time, when the chemical liquid is discharged to the drain line 10, the operator cannot visually check whether the inside of the drain line is clogged due to steam and scale. As a result, the drain time is increased, resulting in a problem of contamination of the equipment and the wafer.

본 발명의 목적은 반도체 세정 장치의 드레인 라인 내부를 육안으로 확인하기 위한 모니터링 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a monitoring system and method for visually checking the inside of a drain line of a semiconductor cleaning device.

본 발명의 다른 목적은 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 모니터링하기 위한 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a system and method for monitoring the drain line of a semiconductor cleaning device.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 모니터링하여 설비 인터락을 제어하기 위한 모니터링 시스템 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is yet another object of the present invention to provide a monitoring system and method for controlling facility interlock by monitoring the drain line of a semiconductor cleaning device.

상기 목적들을 달성하기 위한, 반도체 세정 장치는 드레인 라인을 투명 재질로 구비하고, 유량 센서를 구비하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 반도체 세정 장치의 모니터링 시스템은 드레인 라인 내부 및 드레인 유량를 확인하여 드레인 라인이 막히거나 약액이 역류하면 설비 인터락 제어를 가능하게 한다. In order to achieve the above objects, the semiconductor cleaning apparatus includes a drain line made of a transparent material and a flow sensor. As such, the monitoring system of the semiconductor cleaning apparatus checks the inside of the drain line and the drain flow rate to enable facility interlock control when the drain line is blocked or the chemical liquid flows backward.

본 발명의 모니터링 시스템은, 상기 반도체 세정 장치의 챔버와 연결되고, 상기 챔버로부터 약액을 배출하는 드레인 라인과; 상기 드레인 라인에 구비되어 상기 배출되는 약액의 유량 정보를 측정하는 유량 센서 및; 상기 유량 정보를 받아서 상기 드레인 라인 내부에 상기 약액의 증기 및 물때에 의해 일정 기준 이상으로 막혀 있으면, 상기 반도체 세정 장치의 설비 인터락을 발생시키는 제어부를 포함한 다.The monitoring system of the present invention includes: a drain line connected to a chamber of the semiconductor cleaning device and discharging a chemical liquid from the chamber; A flow rate sensor provided in the drain line and measuring flow rate information of the discharged chemical liquid; And a control unit for generating facility interlocks of the semiconductor cleaning apparatus when the flow rate information is received and blocked in the drain line by a steam or a scale of the chemical liquid more than a predetermined standard.

한 실시예에 있어서, 상기 드레인 라인은 내부가 육안으로 확인 가능한 투명 재질로 구비된다.In one embodiment, the drain line is provided with a transparent material that can be visually confirmed inside.

다른 실시예에 있어서, 상기 드레인 라인은 상기 배출되는 약액의 역류를 방지하도록 상기 챔버 측에 흡입 밸브를 더 구비한다.In another embodiment, the drain line is further provided with a suction valve on the chamber side to prevent the backflow of the discharged chemical liquid.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 유량 정보를 받아서 상기 배출되는 약액이 역류하는지를 더 판별하여 설비 인터락을 제어한다.In another embodiment, the control unit receives the flow rate information to further determine whether the discharged chemical liquid flows back to control the facility interlock.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 모니터링하는 시스템의 인터락 제어 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 반도체 세정 장치의 챔버로부터 약액을 배출한다. 상기 배출되는 약액의 유량을 측정한다. 상기 측정 결과, 상기 드레인 라인이 일정 기준 이상 막혀있는지를 판별한다. 이어서 상기 드레인 라인이 막혀있으면, 상기 반도체 세정 장치의 설비 인터락을 발생시킨다.According to another aspect of the present invention, an interlock control method of a system for monitoring a drain line of a semiconductor cleaning device is provided. According to this method, the chemical liquid is discharged from the chamber of the semiconductor cleaning device. The flow rate of the discharged chemical liquid is measured. As a result of the measurement, it is determined whether the drain line is blocked by a predetermined reference or more. Subsequently, if the drain line is clogged, facility interlock of the semiconductor cleaning device is generated.

한 실시예에 있어서, 상기 유량을 측정하는 것은, 투명 재질로 구비된 상기 드레인 라인 내부를 육안으로 더 확인한다.In one embodiment, measuring the flow rate further visually checks the inside of the drain line provided with a transparent material.

다른 실시예에 있어서, 상기 판별하는 것은, 상기 측정 결과, 상기 배출되는 약액이 역류하는지를 더 판별한다. 이에 대응하여 상기 약액이 역류하면, 상기 반도체 세정 장치로 설비 인터락을 더 발생시킨다.In another embodiment, the determining further determines whether the discharged chemical liquid flows back as a result of the measurement. Correspondingly, when the chemical liquid flows back, an interlock is further generated by the semiconductor cleaning device.

본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 세정 장치의 일부 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 위한 모니터링 시스템의 구성을 나타내는 블럭도이다.2 is a view showing a part of the configuration of the semiconductor cleaning device according to the present invention, Figure 3 is a block diagram showing the configuration of a monitoring system for the drain line of the semiconductor cleaning device.

도 2 및 도 3을 참조하면, 반도체 세정 장치는 세정 공정이 완료되면 약액을 챔버(102)로부터 드레인 라인(106)을 통하여 배출한다.2 and 3, the semiconductor cleaning apparatus discharges the chemical liquid from the chamber 102 through the drain line 106 when the cleaning process is completed.

따라서 본 발명의 모니터링 시스템(100)은 반도체 세정 장치의 챔버(102)와 연결되는 드레인 라인(106)과, 드레인 라인(106)에 구비되어 약액의 유량을 검출하는 유량 센서(108) 및, 유량 센서(108)로부터 검출된 약액의 유량 정보를 받아서 설비 인터락을 제어하는 제어부(110)를 포함한다. 또 챔버(102) 측의 드레인 라인(106)에는 흡입 밸브(104)가 구비된다.Accordingly, the monitoring system 100 of the present invention includes a drain line 106 connected to the chamber 102 of the semiconductor cleaning apparatus, a flow rate sensor 108 provided in the drain line 106 to detect the flow rate of the chemical liquid, and a flow rate. The controller 110 receives the flow rate information of the chemical liquid detected from the sensor 108 and controls the facility interlock. In addition, the suction line 104 is provided in the drain line 106 on the chamber 102 side.

드레인 라인(106)은 챔버(102)로부터 배출되는 약액의 흐름 및 내부 막힘 상태를 확인할 수 있는 투명 재질로 구비된다.The drain line 106 is provided with a transparent material that can check the flow of the chemical liquid discharged from the chamber 102 and the internal blockage state.

유량 센서(108)는 드레인 라인(106)으로 배출되는 약액의 유량 정보를 검출하여 제어부(110)로 전송한다.The flow rate sensor 108 detects flow rate information of the chemical liquid discharged to the drain line 106 and transmits the flow rate information to the controller 110.

제어부(110)는 유량 센서(108)로부터 유량 정보를 받아서 드레인 라인(106) 이 일정 기준 이상으로 막혀있는지를 판별한다. 또 제어부(110)는 유량 정보를 받아서 배출되는 약액이 챔버(102) 측으로 역류하는지를 판별한다. 제어부(110)는 예컨대 프로세서, 컨트롤러, 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 또는 컴퓨터 시스템으로 구비되어, 배출되는 약액의 유량 정보를 데이터화하여 시스템을 구축한다. 예를 들어, 전산 DCOP(Desktop COmmunication Protocol) 항목에 추가하여 인터락 설정 및 작업일 단위로 유량의 추세(trend)를 확인할 수 있다. 제어부(110)는 유량 정보를 통하여 일정 기준 이상으로 드레인 라인(106)이 막혀 있는 상태인지 또는/및 이미 일정 기준 이상으로 막혀서 약액이 역류하는지를 판별한다. 따라서 제어부(110)는 판별 결과, 드레인 라인(106)이 막히거나 약액이 역류하면 반도체 세정 장치로 설비 인터락을 발생시켜서 웨이퍼의 진행을 하지 못하도록 중지시킨다.The control unit 110 receives flow rate information from the flow rate sensor 108 and determines whether the drain line 106 is blocked above a predetermined standard. In addition, the controller 110 determines whether the chemical liquid discharged by receiving the flow rate information flows back to the chamber 102 side. The control unit 110 is provided with, for example, a processor, a controller, a programmable logic controller (PLC), or a computer system to construct a system by data-flowing information of the discharged chemical liquid. For example, in addition to the computational Desktop COmmunication Protocol (DCOP) item, you can check the trend of flow rate by interlock setting and working days. The controller 110 determines whether the drain line 106 is blocked by a predetermined reference or more based on the flow rate information and / or whether the chemical liquid flows back due to being blocked by a predetermined reference or more. Therefore, if the drain line 106 is blocked or the chemical liquid flows backward, the control unit 110 generates an equipment interlock with the semiconductor cleaning device and stops the wafer from going.

그리고 흡입 밸브(104)는 드레인 라인(106)에 구비되어 챔버(102)에서 세정 공정이 완료되면, 약액에 의한 웨이퍼 손상을 방지하기 위해 약액이 빠르게 배출되도록 하고, 또 배출되는 약액의 역류를 방지한다.In addition, the suction valve 104 is provided in the drain line 106 so that when the cleaning process is completed in the chamber 102, the chemical liquid is quickly discharged to prevent wafer damage due to the chemical liquid, and the reverse flow of the chemical liquid discharged is prevented. do.

따라서 본 발명의 모니터링 시스템(100)은, 약액이 드레인 라인(106)을 따라 배출될 때, 유량 정보를 통하여 약액의 증기 및 물때 등에 의해 드레인 라인(106) 내부가 막히는 것을 미리 감지하며, 또 드레인 라인(106) 내부가 막혀서 약액이 챔버(102) 측으로 역류하는 것을 판별하여 설비 오염 및 부식을 방지할 수 있다. 더욱이 드레인 라인(106)의 재질을 투명 재질로 구비하여 작업자가 육안으로 드레인 라인(106) 내부를 확인할 수 있다.Therefore, the monitoring system 100 of the present invention, when the chemical liquid is discharged along the drain line 106, detects in advance that the inside of the drain line 106 is blocked by the steam and scale of the chemical liquid through the flow rate information, and the drain The inside of the line 106 may be blocked to determine that the chemical liquid flows back to the chamber 102 to prevent equipment contamination and corrosion. Furthermore, the material of the drain line 106 is provided with a transparent material, so that an operator can visually check the inside of the drain line 106.

상술한 바와 같이, 반도체 세정 장치는 고농도의 혼합 약액을 사용하기 때문 에 약액이 배출 중에 약액간의 반응을 일으켜 증기 및 물때가 드레인 라인 내부에 생성되고, 이로 인해 드레인 라인이 막히거나 오염 및 부식된다. 그러므로 본 발명의 모니터링 시스템(100)은 드레인 라인(106)을 모니터링하여 드레인 라인(106)의 막힘, 오염 및 부식에 대해 예방하고, 막힘시 약액의 역류 현상에 대하여 빠른 조치 취할 수 있다.As described above, since the semiconductor cleaning device uses a high concentration of the mixed chemical liquid, the chemical liquid reacts between the chemical liquids during discharge, and steam and scale are generated inside the drain line, thereby clogging, contaminating, and corroding the drain line. Therefore, the monitoring system 100 of the present invention can monitor the drain line 106 to prevent clogging, contamination and corrosion of the drain line 106, and can take quick measures against the backflow of the chemical liquid upon clogging.

계속해서 도 4는 본 발명의 모니터링 시스템의 제어 수순을 도시한 흐름도이다.4 is a flowchart showing the control procedure of the monitoring system of the present invention.

도 4를 참조하면, 단계 S150에서 반도체 세정 장치의 세정 공정이 완료되면, 챔버(102)로부터 약액이 드레인된다. 단계 S152에서 유량 센서(108)를 통해 드레인 라인(106)으로 배출되는 약액의 유량 정보를 측정하고, 측정된 유량 정보를 제어부(110)로 전송한다. 이 때, 작업자는 육안으로 드레인 라인(106)의 내부를 확인한다.Referring to FIG. 4, when the cleaning process of the semiconductor cleaning apparatus is completed in step S150, the chemical liquid is drained from the chamber 102. In operation S152, the flow rate information of the chemical liquid discharged to the drain line 106 through the flow rate sensor 108 is measured, and the measured flow rate information is transmitted to the controller 110. At this time, the worker visually checks the inside of the drain line 106.

단계 S154에서 제어부(110)는 유량 센서(108)로부터 유정 정보를 받아서 드레인 라인(106)이 막혀 있는지 또는 약액이 역류하는지를 판별한다.In step S154, the controller 110 receives the oil well information from the flow sensor 108 and determines whether the drain line 106 is blocked or the chemical liquid flows back.

판별 결과, 드레인 라인(106)이 막혀 있거나 약액이 챔버(102) 측으로 역류하면, 단계 S156으로 진행하여 반도체 세정 장치로 설비 인터락을 발생시킨다.As a result of the determination, if the drain line 106 is blocked or the chemical liquid flows back to the chamber 102 side, the flow advances to step S156 to generate an equipment interlock with the semiconductor cleaning apparatus.

상술한 바와 같이, 본 발명의 모니터링 시스템은 투명 재질의 드레인 라인 및 유량 센서를 구비하여, 반도체 세정 장치의 드레인 라인을 모니터링함으로써, 드레인 라인의 막힘, 오염 및 부식에 대해 예방하고, 막힘시 약액의 역류 현상에 대하여 빠른 조치 취할 수 있다.As described above, the monitoring system of the present invention includes a drain line and a flow rate sensor made of a transparent material, thereby monitoring the drain line of the semiconductor cleaning apparatus, thereby preventing clogging, contamination and corrosion of the drain line, and Quick action can be taken against regurgitation.

또한, 유량 센서로부터 측정된 유량 정보를 통하여 드레인 라인이 막히거나 또는 약액이 역류하는 상태이면 반도체 세정 장치로 설비 인터락을 발생시켜서 웨이퍼의 진행을 하지 못하도록 중지시킴으로써, 공정 사고를 방지하고 제조 수율을 향상시킨다.In addition, when the drain line is clogged or the chemical liquid flows backward through the flow rate information measured from the flow rate sensor, the semiconductor cleaning device generates an interlock and stops the wafer from progressing, thereby preventing a process accident and increasing the manufacturing yield. Improve.

뿐만 아니라, 육안의 드레인 라인 내부를 확인할 수 있으므로, 약액의 흐름 확인 및 예방 정비를 용이하게 할 수 있다.In addition, since the inside of the drain line of the naked eye can be confirmed, the flow of the chemical liquid can be checked and preventive maintenance can be facilitated.

Claims (8)

반도체 세정 장치의 모니터링 시스템에 있어서:In the monitoring system of a semiconductor cleaning device: 상기 반도체 세정 장치의 챔버와 연결되고, 상기 챔버로부터 약액을 배출하는 드레인 라인과;A drain line connected to the chamber of the semiconductor cleaning device and discharging the chemical liquid from the chamber; 상기 드레인 라인에 구비되어 상기 배출되는 약액의 유량 정보를 측정하는 유량 센서 및;A flow rate sensor provided in the drain line and measuring flow rate information of the discharged chemical liquid; 상기 유량 정보를 받아서 상기 드레인 라인 내부에 상기 약액의 증기 및 물때에 의해 일정 기준 이상으로 막혀 있으면, 상기 반도체 세정 장치의 설비 인터락을 발생시키는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템.And a controller configured to generate facility interlocks of the semiconductor cleaning apparatus when the flow rate information is received and blocked in the drain line by a vapor and a scale of the chemical liquid more than a predetermined standard. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 드레인 라인은 내부가 육안으로 확인 가능한 투명 재질로 구비되는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템.The drain line is a monitoring system, characterized in that the inside is provided with a transparent material that can be seen with the naked eye. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 드레인 라인은 상기 배출되는 약액의 역류를 방지하도록 상기 챔버 측에 흡입 밸브를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템.The drain line further comprises a suction valve on the chamber side to prevent the back flow of the discharged chemical liquid. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어부는 상기 유량 정보를 받아서 상기 배출되는 약액이 역류하는지를 더 판별하여 설비 인터락을 제어하는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템.The control unit receives the flow rate information monitoring system, characterized in that further determining whether the discharged chemical liquid flows back to control the facility interlock. 반도체 세정 장치의 투명 재질로 구비되는 드레인 라인을 모니터링하는 시스템의 인터락 제어 방법에 있어서:In an interlock control method of a system for monitoring a drain line of a transparent material of a semiconductor cleaning device: 상기 반도체 세정 장치의 챔버로부터 약액을 배출하는 단계와;Discharging the chemical liquid from the chamber of the semiconductor cleaning apparatus; 상기 배출되는 약액의 유량을 측정하는 단계와;Measuring a flow rate of the discharged chemical liquid; 상기 측정 결과, 상기 드레인 라인이 일정 기준 이상 막혀있는지를 판별하는 단계 및;Determining whether the drain line is blocked by a predetermined reference or more as a result of the measurement; 상기 드레인 라인이 막혀있으면, 상기 반도체 세정 장치의 설비 인터락을 발생시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템의 인터락 제어 방법.And if the drain line is blocked, generating facility interlock of the semiconductor cleaning device. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 유량을 측정하는 단계는 상기 드레인 라인 내부를 육안으로 더 확인하는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템의 인터락 제어 방법.The measuring of the flow rate may further check the inside of the drain line with the naked eye. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 판별하는 단계는;The determining step includes; 상기 측정 결과, 상기 배출되는 약액이 역류하는지를 더 판별하는 것을 특징 으로 하는 모니터링 시스템의 인터락 제어 방법.And determining whether the discharged chemical liquid flows backward. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 설비 인터락 발생시키는 단계는;Generating the facility interlock; 상기 약액이 역류하면, 상기 반도체 세정 장치로 설비 인터락을 더 발생시키는 것을 특징으로 하는 모니터링 시스템의 인터락 제어 방법.If the chemical liquid flows back, the interlock control method of the monitoring system, characterized in that to further generate a facility interlock to the semiconductor cleaning device.
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KR102582888B1 (en) * 2022-06-17 2023-09-27 엘에스이 주식회사 Wireless interlock apparatus for flushing cleaning chamber
KR102642258B1 (en) * 2023-01-10 2024-03-04 엘에스이 주식회사 Substrate cleaning apparatus

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