KR20070036927A - 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스 - Google Patents

전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR20070036927A
KR20070036927A KR1020050091990A KR20050091990A KR20070036927A KR 20070036927 A KR20070036927 A KR 20070036927A KR 1020050091990 A KR1020050091990 A KR 1020050091990A KR 20050091990 A KR20050091990 A KR 20050091990A KR 20070036927 A KR20070036927 A KR 20070036927A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
conductive layer
substrate
layer
insulating layer
Prior art date
Application number
KR1020050091990A
Other languages
English (en)
Inventor
김일환
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050091990A priority Critical patent/KR20070036927A/ko
Priority to US11/541,044 priority patent/US20070120462A1/en
Publication of KR20070036927A publication Critical patent/KR20070036927A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J3/02—Electron guns
    • H01J3/021—Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
    • H01J9/148—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes of electron emission flat panels, e.g. gate electrodes, focusing electrodes or anode electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
    • H01J2203/02—Electron guns
    • H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
    • H01J2203/0208—Control electrodes
    • H01J2203/0212—Gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
    • H01J2203/02—Electron guns
    • H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
    • H01J2203/0208—Control electrodes
    • H01J2203/024—Focusing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2203/00—Electron or ion optical arrangements common to discharge tubes or lamps
    • H01J2203/02—Electron guns
    • H01J2203/0204—Electron guns using cold cathodes, e.g. field emission cathodes
    • H01J2203/0268—Insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
    • H01J2329/04—Cathode electrodes
    • H01J2329/0407—Field emission cathodes
    • H01J2329/0439—Field emission cathodes characterised by the emitter material
    • H01J2329/0444—Carbon types

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

본 발명은 구동 전극들과 절연층의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법은 기판 위에 투명한 제1 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층을 적층하여 캐소드 전극들을 형성하고, 기판 위 전체에 절연층을 형성하고, 절연층 위에 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 투명한 도전 물질로 게이트 전극들을 형성하고, 기판 위 전체에 감광성 마스크층을 형성하고, 기판의 후면으로부터 자외선을 조사한 다음 현상하여 감광성 마스크층 가운데 제2 도전층 개구부에 대응하는 위치에 개구부를 형성하고, 개구부에 의해 노출된 게이트 전극 부위와 그 아래의 절연층 부위를 식각하고, 제2 도전층의 개구부 내측으로 제1 도전층 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함한다.
전자방출부, 캐소드전극, 게이트전극, 절연층, 개구부, 마스크층, 노광, 현상, 형광층, 애노드전극

Description

전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE DEVICE, AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE WITH THE SAME}
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 구동 전극들과 절연층의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
이 중 FEA형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 이 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질로 일 함수(work function)가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 카본과 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
한편, 전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 형성되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애 노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 일 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
즉 통상의 전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 주사 전극들과 데이터 전극들로 기능하는 복수의 구동 전극들을 구비하여 전자 방출부와 구동 전극들의 작용으로 화소별 전자 방출부의 온/오프와 전자 방출량을 제어한다. 그리고 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
전자 방출 디바이스는 구동 전극들과 절연층 및 전자 방출부가 적층된 형태로 이루어질 수 있다. 가령 공지의 FEA형 전자 방출 디바이스는 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들이 순차적으로 형성되고, 게이트 전극들과 절연층에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극들 위에 전자 방출부가 배치된 형태로 이루어진다.
또한 공지의 FEA형 전자 방출 디바이스에서 전자빔 집속을 위해 집속 전극이 더욱 구비되는 경우, 기판 위에 캐소드 전극들, 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극이 순차적으로 형성되고, 캐소드 전극들을 제외한 나머지 층들에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극 위에 전자 방출부가 형성된다.
이와 같은 구조의 FEA형 전자 방출 디바이스에서 개구부를 형성하기 위해서는 각 층별로 개구부 형성을 위한 마스크층(일례로 감광성 마스크층)이 필요하고, 각 층별로 마스크층을 패터닝하기 위한 노광 및 현상 과정을 거치게 된다. 이때 각 층별로 제공되는 마스크층은 다른 층에 제공되는 마스크층과 정확하게 정렬되어야 기판의 두께 방향을 따라 정확한 개구부 형성이 가능해진다.
그런데 최근들어 전자 방출 디바이스가 고해상도 및 대면적화를 위해 개발되면서 종래와 같은 방법으로는 마스크층들을 정확하게 정렬하기가 어려워지고 있다. 이로써 각 층별 개구부 패턴이 서로 어긋나 제조 불량이 발생할 수 있다. 이 문제를 해결하기 위해 오차 범위가 극히 작은 노광기를 개발하여 적용해야 하지만, 이 경우 제조 비용이 크게 상승하는 단점이 있다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 종래와 같은 노광기를 이용하면서도 구동 전극들과 절연층의 패턴을 정밀하게 형성할 수 있는 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판 위에 투명한 제1 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층을 적층하여 캐소드 전극들을 형성하고, 기판 위 전체에 절연층을 형성하고, 절연층 위에 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 투명한 도전 물질로 게이트 전극들을 형성하고, 기판 위 전체에 감광성 마스크층을 형성하고, 기판의 후면으로부터 자외선을 조사한 다음 현상하여 감광성 마스크층 가운데 제2 도전층 개구부에 대응하는 위치에 개구부를 형성하고, 개구부에 의해 노출된 게이트 전극 부위와 그 아래의 절연 층 부위를 식각하고, 제2 도전층의 개구부 내측으로 제1 도전층 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
상기 게이트 전극들을 형성한 다음, 기판 위 전체에 추가 절연층과 투명한 집속 전극을 더욱 형성하고, 감광성 마스크층 형성과 이 감광성 마스크층을 이용한 식각을 2회에 걸쳐 진행할 수 있다.
즉, 상기 집속 전극 위로 제1 감광성 마스크층을 형성한 다음 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 제1 감광성 마스크층에 개구부를 형성하고, 제1 감광성 마스크층의 개구부에 의해 노출된 집속 전극 부위와 그 아래의 제2 절연층 부위를 식각한 다음 제1 감광성 마스크층을 제거하고, 기판 위 전체에 제2 감광성 마스크층을 형성한 다음 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 제2 감광성 마스크층에 개구부를 형성하고, 제2 감광성 마스크층의 개구부에 의해 노출된 게이트 전극 부위와 그 아래의 제1 절연층 부위를 식각하는 과정들을 포함할 수 있다.
다른 한편으로, 상기 게이트 전극들을 형성한 다음, 기판 위 전체에 추가 절연층과 집속 전극을 형성하고, 집속 전극과 추가 절연층을 부분 식각하여 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 하나의 개구부를 형성하는 과정을 더욱 포함할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
기판과, 기판 위에 형성되며 투명한 제1 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과, 개구부 내측으로 제1 도전층 위에 형성되는 전자 방출부들과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에 위치하며 각각의 전자 방출부를 개방시키기 위한 개구부들을 형성하는 투명한 게이트 전극들을 포함하는 전자 방출 디바이스를 제공한다.
상기 게이트 전극들은 투명한 제3 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제4 도전층의 적층 구조로 이루어질 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되며 투명한 제1 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과, 개구부 내측으로 제1 도전층 위에 형성되는 전자 방출부들과, 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에 위치하며 각각의 전자 방출부를 개방시키기 위한 개구부들을 형성하는 투명한 게이트 전극들과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들과, 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
먼저 도 1a를 참고하면, 기판(10) 위에 투명 도전막, 일례로 ITO(indium tin oxide)를 코팅하고 이를 패터닝하여 스트라이프 형상의 제1 도전층(121)을 형성하고, 제1 도전층(121) 위에 불투명 도전막, 일례로 금속 물질을 코팅하고 이를 패터닝하여 중앙에 개구부(123)를 갖는 제2 도전층(122)을 형성한다.
제1 도전층(121)과 제2 도전층(122)이 캐소드 전극(12)을 구성하며, 전자 방출부 형성 위치에 제2 도전층 개구부(123)를 형성하여 제1 도전층(121)의 표면 일부를 노출시킨다. 제2 도전층(122)은 제1 도전층(121)보다 저항이 낮은 금속으로 이루어짐에 따라 캐소드 전극(12)의 라인 저항을 낮추는 역할을 하고, 빛을 투과하지 않음으로 인해 이후 공정에서 노광 마스크로 작용한다.
다음으로 도 1b를 참고하면, 캐소드 전극들(12)을 덮도록 기판(10) 전체에 절연 물질을 도포하여 소정 두께의 절연층(14)을 형성한다. 절연층(14)의 형성 방법으로는 화학기상증착(CVD)법과 스크린 인쇄법을 적용할 수 있으며, 자외선 투과성을 가지는 절연 물질로 절연층(14)을 형성한다.
그리고 절연층(14) 위에 투명 도전막, 일례로 ITO를 코팅하고 이를 패터닝하여 캐소드 전극(12)과 직교하는 스트라이프 형상의 제3 도전층(161)을 형성하고, 제3 도전층(161) 위에 불투명 도전막, 일례로 금속 물질을 코팅하고 이를 패터닝하여 중앙에 개구부(163)를 갖는 제4 도전층(162)을 형성한다. 제3 도전층(161)과 제4 도전층(162)이 게이트 전극(16)을 구성한다.
제4 도전층(162) 또한 제3 도전층(161)보다 저항이 낮은 금속으로 이루어짐에 따라 게이트 전극(16)의 라인 저항을 낮추는 역할을 하고, 빛을 투과하지 않음으로 인해 이후 공정에서 노광 마스크로 작용한다. 제4 도전층(162)의 개구부(163)는 기판(10)의 두께 방향을 따라 제2 도전층(122)의 개구부(123)와 같은 위치에 형성되며, 제2 도전층(122)의 개구부(123)보다 크게 형성될 수 있다.
이때 제4 도전층(162)은 최소한 캐소드 전극들(12) 사이 부위에 대응하는 위 치에 제공되어 이후 진행되는 후면 노광 과정에서 캐소드 전극들(12) 사이 부위를 통과한 빛을 차단시킨다.
이어서 도 1c를 참고하면, 절연층(14)과 게이트 전극들(16)을 덮도록 기판(10) 전체에 감광성 마스크층(18)을 형성한다. 감광성 마스크층(18)은 노광 부위가 용해되어 제거되는 포지티브(positive) 타입으로 이루어진다. 그리고 기판(10)의 후면을 통해 자외선을 조사하여 감광성 마스크층(18)을 노광한다. 그러면 조사된 자외선 가운데 제2 도전층(122)의 개구부(123)와 제4 도전층(162)의 개구부(163)를 통과한 자외선만이 감광성 마스크층(18)에 도달하므로 감광성 마스크층(18)은 제2 도전층 개구부(123)에 대응하는 부위만이 선택적으로 노광된다.
다음으로 도 1d를 참고하면, 감광성 마스크층(18)을 현상하여 노광 부위에 개구부(181)를 형성하고, 감광성 마스크층(18)의 개구부(181)에 의해 노출된 게이트 전극(16)의 제3 도전층(161) 부위와 그 아래의 절연층(14) 부위를 식각하여 각자의 개구부(164, 141)를 형성한다. 이때 습식 식각법으로 절연층(14)을 식각할 수 있다. 이 경우 감광성 마스크층(18) 아래로 언더-컷(under-cut)이 발생하여 절연층(14)의 개구부(141)가 감광성 마스크층(18)의 개구부(181)보다 크게 형성되며, 캐소드 전극(12)의 제2 도전층(122) 표면 일부를 함께 노출시킨다.
이어서 도 1e를 참고하면, 감광성 마스크층(18)을 제거하고 제2 도전층(122)의 개구부(123) 내측에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부(20)를 형성한다. 전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계에 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.
전자 방출부(20)의 제조법으로는 상기한 전자 방출 물질에 비히클과 바인더 등을 혼합하여 인쇄에 적합한 점도를 갖는 페이스트상 혼합물을 제작하고, 이 혼합물을 제2 도전층(122)의 개구부(123) 내측에 스크린 인쇄한 다음 건조 및 소성하는 과정을 적용할 수 있다.
다른 한편으로, 전자 방출부(20)의 제조법으로는 상기한 페이스트상 혼합물에 감광성 물질을 더욱 포함시키고, 도 1f에 도시한 바와 같이 기판(10) 위 전체에 이 혼합물을 스크린 인쇄한 다음 기판(10)의 후면으로부터 자외선을 조사하여 제2 도전층(122)의 개구부(123)에 채워진 전자 방출 물질을 선택적으로 경화시키고, 현상을 통해 경화되지 않은 혼합물을 제거하는 과정을 적용할 수 있다. 이 방법에 따르면, 전자 방출부(20)가 제1 도전층(121)의 표면으로부터 경화가 이루어지므로 캐소드 전극(12)에 대한 전자 방출부(20)의 접착력을 우수하게 확보할 수 있다.
또한, 전자 방출부(20)의 제조법으로 전술한 스크린 인쇄 이외에 직접 성장, 스퍼터링 또는 화학기상증착(CVD) 등을 적용할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에 의한 전자 방출 디바이스의 제조 방법에 따르면, 캐소드 전극(12)의 제2 도전층(122)이 노광 마스크로 작용하므로 캐소드 전극(12) 이후에 형성되는 층들에 개구부를 형성할 때 이 개구부와 전자 방출부(20)의 위치를 자동으로 정렬할 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
먼저 도 2a를 참고하면, 전술한 제1 실시예와 동일한 방법으로 기판(10) 위에 제1 도전층(121)과 제2 도전층(122)으로 이루어진 캐소드 전극들(12)을 형성하고, 캐소드 전극들(12)을 덮도록 기판(10) 전체에 제1 절연층(14)을 형성한 다음, 제1 절연층(14) 위에 제3 도전층(161)과 제4 도전층(162)으로 이루어진 게이트 전극들(16)을 형성한다. 그리고 제1 절연층(14)과 게이트 전극들(16) 위에 제2 절연층(22)을 형성하고, 제2 절연층(22) 위에 집속 전극(24)을 형성한다.
집속 전극(24)은 ITO와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 다른 한편으로 투명 도전막으로 이루어진 제5 도전층(241)과 불투명 도전막으로 이루어진 제6 도전층(242)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 후자의 경우, 제6 도전층(242)은 일례로 금속으로 이루어지며, 기판(10)의 두께 방향을 따라 제2 도전층(122)의 개구부(123) 및 제4 도전층(162)의 개구부(163)와 같은 위치에 개구부(243)를 형성한다. 제6 도전층(242)의 개구부(243)는 제4 도전층(162)의 개구부(163)보다 크게 형성될 수 있다.
이어서 도 2b를 참고하면, 집속 전극(24)을 덮도록 기판(10) 전체에 제1 감광성 마스크층(26)을 형성하고, 기판(10)의 후면을 통해 자외선을 조사하여 제1 감광성 마스크층(26)을 노광한다. 그러면 조사된 자외선 가운데 제2 도전층(122)의 개구부(123)와 제4 도전층(162)의 개구부(163) 및 제6 도전층(242)의 개구부(243)를 통과한 자외선만이 제1 감광성 마스크층(26)에 도달하여 제1 감광성 마스크층 (26)은 제2 도전층(122)의 개구부(123)에 대응하는 부위만이 선택적으로 노광된다.
다음으로 도 2c를 참고하면, 현상을 통해 노광 부위를 제거하여 제1 감광성 마스크층(26)에 개구부(261)를 형성하고, 이 개구부(261)에 의해 노출된 제5 도전층(241) 부위와 그 아래의 제2 절연층(22) 부위를 식각하여 각자의 개구부(244, 221)를 형성한다. 이때 습식 식각법으로 제2 절연층(22)을 식각할 수 있으며, 이 경우 제1 감광성 마스크층(26) 아래로 언더-컷이 발생하여 제2 절연층(22)의 개구부(221)가 제1 감광성 마스크층(26)의 개구부(261)보다 크게 형성된다.
그리고 제1 감광성 마스크층(26)을 제거한 다음, 도 2d에 도시한 바와 같이 기판(10) 위에 제공된 구조물 표면 전체에 제2 감광성 마스크층(28)을 형성하고, 다시 기판(10)의 후면을 통해 자외선을 조사하여 제2 감광성 마스크층(28)을 노광한다. 그러면 전술한 제1 감광성 마스크층(26)과 마찬가지로 제2 감광성 마스크층(28) 또한 제2 도전층(122)의 개구부(123)에 대응하는 부위만이 선택적으로 노광된다.
이어서 도 2e를 참고하면, 현상을 통해 노광 부위를 제거하여 제2 감광성 마스크층(28)에 개구부(281)를 형성하고, 이 개구부(281)에 의해 노출된 제3 도전층(161) 부위와 그 아래의 제1 절연층(14) 부위를 식각하여 각자의 개구부(164, 141)를 형성한다. 이때에도 습식 식각법으로 제1 절연층(14)을 식각할 수 있으며, 이 경우 제2 감광성 마스크층(28) 아래로 언더-컷이 발생하여 제1 절연층(14)의 개구부(141)가 제2 감광성 마스크층(28)의 개구부(281)보다 크게 형성된다.
마지막으로 도 2f를 참고하면, 제2 감광성 마스크층(28)을 제거하고 제2 도 전층(122)의 개구부(123) 내측에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부(20)를 형성한다. 전자 방출부(20) 형성법은 전술한 제1 실시예와 동일하게 이루어진다.
이와 같이 제2 절연층(22)과 집속 전극(24)을 더욱 구비하는 경우에 있어서도 캐소드 전극(12)의 제2 도전층(122)이 노광 마스크로 작용하기 때문에, 제1 감광성 마스크층(26)과 제2 절연층(22) 및 제2 감광성 마스크층(28)과 제1 절연층(14)에 각자의 개구부를 형성할 때, 이 개구부들과 전자 방출부(20)의 위치를 자동으로 정렬할 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 각 제조 단계에서의 부분 단면도이다.
먼저 도 3a를 참고하면, 전술한 제1 실시예와 동일한 방법으로 기판(10) 위에 제1 도전층(121)과 제2 도전층(122)으로 이루어진 캐소드 전극들(12)을 형성하고, 캐소드 전극들(12)을 덮도록 기판(10) 전체에 제1 절연층(14)을 형성한 다음, 제1 절연층(14) 위에 제3 도전층(161)과 제4 도전층(162)으로 이루어진 게이트 전극들(16)을 형성한다. 그리고 제1 절연층(14)과 게이트 전극들(16) 위에 제2 절연층(22)을 형성하고, 제2 절연층(22) 위에 집속 전극(24')을 형성한다.
도면에서는 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)의 교차 영역마다 도면의 y축 방향을 따라 제2 도전층(122)과 제4 도전층(162)에 각각 복수개, 일례로 2개의 개구부(123, 163)가 형성된 구조를 도시하였다.
이어서 도 3b를 참고하면, 공지의 포토리소그래피 공정을 통해 집속 전극(24')과 그 아래의 제2 절연층(22)을 부분 식각하여 각자의 개구부(245, 222)를 형 성한다. 이 방법으로 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)의 교차 영역마다 하나의 개구부(245, 222)를 형성할 수 있다.
다음으로 도 3c를 참고하면, 기판(10) 위에 제공된 구조물 표면 전체에 감광성 마스크층(18)을 형성하고, 기판(10)의 후면을 통해 자외선을 조사하여 감광성 마스크층(18)을 노광한다. 그러면 조사된 자외선 가운데 제2 도전층(122)의 개구부(123)와 제4 도전층(162)의 개구부(163)를 통과한 자외선만이 감광성 마스크층(18)에 도달하여 감광성 마스크층(18)은 제2 도전층(122)의 개구부(123)에 대응하는 부위만이 선택적으로 노광된다.
도 3d를 참고하면, 현상을 통해 노광 부위를 제거하여 감광성 마스크층(18)에 개구부(181)를 형성하고, 이 개구부(181)에 의해 노출된 제3 도전층(161) 부위와 그 아래의 절연층(14) 부위를 식각하여 도 3e에 도시한 바와 같이 제3 도전층(161)과 절연층(14)에 각자의 개구부(164, 141)를 형성한다.
마지막으로 감광성 마스크층(18)을 제거하고, 제2 도전층(122)의 개구부(123) 내측에 전자 방출 물질을 채워 전자 방출부(20)를 형성한다. 전자 방출부(20) 형성법은 전술한 제1 실시예와 동일하게 이루어진다.
도 4와 도 5는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.
도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(30)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(30)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(30) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
상기 제1 기판(10) 중 제2 기판(30)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(10)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(30) 및 제2 기판(30)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.
먼저, 제1 기판(10) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(12)이 제1 기판(10)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(12)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 절연층(14)이 형성된다. 절연층(14) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(16)이 캐소드 전극(12)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
캐소드 전극들(12)은 투명한 제1 도전층(121)과 불투명한 제2 도전층(122)의 적층 구조로 이루어진다. 게이트 전극들(16)은 투명한 제3 도전층(161)만으로 이루어지거나, 제3 도전층(161) 위에 불투명한 제4 도전층(162)이 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 제1 도전층(121)과 제3 도전층(161)은 ITO로 형성될 수 있고, 제2 도전층(122)과 제4 도전층(162)은 크롬, 구리, 니켈, 은 또는 알루미늄과 같은 금속으로 형성될 수 있다.
본 실시예에서 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 각 화소 영역마다 제2 도전층(122)에 하나 또는 그 이상의 개구부 (123)가 형성되어 제1 도전층(122)의 표면 일부를 노출시키고, 게이트 전극(16)과 절연층(14)에도 제2 도전층(122)의 개구부(123)에 대응하는 위치에 각자의 개구부(165, 141)가 형성된다. 이때 게이트 전극(16)과 절연층(14)의 개구부(165, 141)는 제2 도전층(122)의 개구부(123)보다 크게 형성되어 제2 도전층(122)의 표면 일부를 노출시킨다.
그리고 제2 도전층(122)의 개구부(123) 내측으로 제1 도전층(121) 위에 전자 방출부(20)가 형성된다. 전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어지며, 일례로 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC), C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.
전술한 구조에서 제2 도전층(122)의 노광 마스크 작용으로 인해 제2 도전층 개구부(123)에 대해 절연층(14)의 개구부(141)와 게이트 전극(16)의 개구부(165)가 자동으로 정렬함으로써 정밀한 패턴 형성이 가능해진다. 그리고 제2 도전층(122)과 제4 도전층(162)이 각각 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)의 라인 저항을 낮추어 전압 강하를 억제하는 효과를 가진다.
다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(30)의 일면에는 형광층(32), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(32R, 32G, 32B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(32) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(34)이 형성된다.
그리고 형광층(32)과 흑색층(34) 위로 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(36)이 형성된다. 애노드 전극(36)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(32)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(32)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(30) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
한편, 애노드 전극은 ITO와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(30)을 향한 형광층(32)과 흑색층(34)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 사용하는 구조도 가능하다.
상기 제1 기판(10)과 제2 기판(30) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(38, 도 5 참고)이 배치된다. 스페이서들(38)은 형광층(32)을 침범하지 않도록 흑색층(34)에 대응하여 위치한다.
전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(12), 게이트 전극들(16) 및 애노드 전극(36)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다. 일례로 캐소드 전극들(12)과 게이트 전극들(16) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 애노드 전극(36)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.
그러면 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)간 전압 차가 임계치 이상인 화소 들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출되고, 방출된 전자들은 애노드 전극(36)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소의 형광층(32)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.
도 6과 도 7은 각각 본 발명의 제2 실시예 및 제3 실시예에 따른 전자 방출 디바이스를 이용한 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도 6을 참고하면, 제2 실시예의 전자 방출 디바이스(100')는 전술한 제1 실시예의 구성을 기본으로 하면서 여기에 제2 절연층(22)과 집속 전극(24)을 더욱 구비한다. 집속 전극(24)은 투명한 제5 도전층(241)과 불투명한 제6 도전층(242)의 적층 구조로 이루어지며, 집속 전극(24)과 제2 절연층(22)은 전자 방출부(20)마다 이를 노출시키는 각각의 개구부(246, 221)를 형성한다.
도 7을 참고하면, 제3 실시예의 전자 방출 디바이스(100") 역시 전술한 제1 실시예의 구성을 기본으로 하면서 여기에 제2 절연층(22)과 집속 전극(24')을 더욱 구비한다. 집속 전극(24')은 투명하거나 투명하지 않은 단일 도전층으로 이루어지며, 집속 전극(24')과 제2 절연층(22)은 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(16)이 교차하는 화소 영역마다 하나의 개구부(245, 222)를 형성한다.
전술한 집속 전극(24, 24')은 전자 방출 표시 디바이스 작용시 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 집속 전극 개구부(246, 245)를 통과하는 전자들을 전자빔 다발의 중심부로 집속시킨다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 디바이스는 캐소드 전극의 제2 도전층이 노광 마스크로 작용함에 따라, 캐소드 전극 이후에 형성되는 층들에 개구부를 형성할 때 이 개구부들과 전자 방출부의 위치를 자동으로 정렬할 수 있다. 따라서 여러개의 포토 마스크를 사용하지 않고도 각 층별로 정확한 위치에 개구부를 용이하게 형성할 수 있으며, 고해상도 및 대면적 전자 방출 디바이스를 용이하게 제작할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 위에 투명한 제1 도전층과, 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층을 적층하여 캐소드 전극들을 형성하고;
    상기 기판 위 전체에 절연층을 형성하고;
    상기 절연층 위에 상기 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 투명한 도전 물질로 게이트 전극들을 형성하고;
    상기 기판 위 전체에 감광성 마스크층을 형성하고;
    상기 기판의 후면으로부터 자외선을 조사한 다음 현상하여 상기 감광성 마스크층 가운데 상기 제2 도전층 개구부에 대응하는 위치에 개구부를 형성하고;
    상기 개구부에 의해 노출된 상기 게이트 전극 부위와 그 아래의 상기 절연층 부위를 식각하고;
    상기 제2 도전층의 개구부 내측으로 상기 제1 도전층 위에 전자 방출부를 형성하는 단계들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 전극들을 형성한 다음, 상기 기판 위 전체에 추가 절연층과 투명한 집속 전극을 더욱 형성하고;
    상기 감광성 마스크층 형성과 이 감광성 마스크층을 이용한 식각을 2회에 걸쳐 진행하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 집속 전극 위로 제1 감광성 마스크층을 형성한 다음 상기 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 제1 감광성 마스크층에 개구부를 형성하고;
    상기 제1 감광성 마스크층의 개구부에 의해 노출된 상기 집속 전극 부위와 그 아래의 상기 제2 절연층 부위를 식각한 다음 제1 감광성 마스크층을 제거하고;
    상기 기판 위 전체에 제2 감광성 마스크층을 형성한 다음 상기 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 제2 감광성 마스크층에 개구부를 형성하고;
    상기 제2 감광성 마스크층의 개구부에 의해 노출된 상기 게이트 전극 부위와 그 아래의 상기 제1 절연층 부위를 식각하는 과정들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 전극들을 형성한 다음,
    상기 기판 위 전체에 추가 절연층과 집속 전극을 형성하고;
    상기 집속 전극과 추가 절연층을 부분 식각하여 상기 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 하나의 개구부를 형성하는 과정을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 전극을 형성할 때 투명한 제3 도전층과, 개구부를 갖는 불투명한 제4 도전층을 적층하여 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4 도전층의 개구부를 상기 제2 도전층의 개구부와 동일한 위치에서 제2 도전층의 개구부보다 크게 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 집속 전극을 형성할 때 투명한 제5 도전층과, 개구부를 갖는 불투명한 제6 도전층을 적층하여 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제6 도전층의 개구부를 상기 제4 도전층의 개구부와 동일한 위치에서 제4 도전층의 개구부보다 크게 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연층과 추가 절연층을 식각할 때 습식 식각하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 방출부를 형성할 때 탄소계 물질과 나노미터 사이즈 물질 중 어느 하나를 이용하여 스크린 인쇄로 형성하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  11. 제11항에 있어서,
    상기 전자 방출부를 형성하는 단계가,
    상기 탄소계 물질과 나노미터 사이즈 물질 중 어느 하나와 감광성 물질을 포함하는 페이스트상 혼합물을 제작하고;
    상기 기판 위 전체에 상기 혼합물을 스크린 인쇄하고;
    상기 기판의 후면으로부터 자외선을 조사하여 상기 제2 도전층의 개구부에 채워진 상기 혼합물을 선택적으로 경화시키고;
    경화되지 않은 혼합물을 제거하는 과정들을 포함하는 전자 방출 디바이스의 제조 방법.
  12. 기판과;
    상기 기판 위에 형성되며, 투명한 제1 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제2 도전층의 적층 구조로 이루어지는 캐소드 전극들과;
    상기 개구부 내측으로 상기 제1 도전층 위에 형성되는 전자 방출부들; 및
    절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 상부에 위치하며, 상기 각각의 전자 방출부를 개방시키기 위한 개구부들을 형성하는 투명한 게이트 전극들
    을 포함하는 전자 방출 디바이스.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 전극들이 투명한 제3 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제4 도전층의 적층 구조로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제4 도전층의 개구부가 상기 제2 도전층의 개구부와 동일한 위치에서 제2 도전층의 개구부보다 크게 형성되는 전자 방출 디바이스.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 전극들 위로 상기 기판 전체에 형성되는 추가 절연층과, 추가 절연층 위에 형성되는 투명한 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 집속 전극이 투명한 제5 도전층과 개구부를 갖는 불투명한 제6 도전층의 적층 구조로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 추가 절연층과 상기 집속 전극이 상기 각각의 전자 방출부에 대응하는 각자의 개구부를 형성하는 전자 방출 디바이스.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 게이트 전극들 위로 상기 기판 전체에 형성되는 추가 절연층과, 추가 절연층 위에 형성되는 집속 전극을 더욱 포함하는 전자 방출 디바이스.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 추가 절연층과 상기 집속 전극이 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들의 교차 영역에 대응하는 각자의 개구부를 형성하는 전자 방출 디바이스.
  20. 제12항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 전자 방출 디바이스와;
    상기 기판에 대향 배치되는 타측 기판과;
    상기 타측 기판의 일면에 형성되는 형광층들; 및
    상기 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
KR1020050091990A 2005-09-30 2005-09-30 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스 KR20070036927A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050091990A KR20070036927A (ko) 2005-09-30 2005-09-30 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스
US11/541,044 US20070120462A1 (en) 2005-09-30 2006-09-29 Electron emission device, method of manufacturing the electron emission device, and electron emission display having the electron emission device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050091990A KR20070036927A (ko) 2005-09-30 2005-09-30 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20070036927A true KR20070036927A (ko) 2007-04-04

Family

ID=38158910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050091990A KR20070036927A (ko) 2005-09-30 2005-09-30 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20070036927A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006049287A (ja) 電子放出素子とその製造方法
JP2006049290A (ja) 電子放出素子及びその製造方法
US7667380B2 (en) Electron emission device using thick-film insulating structure
US7388326B2 (en) Electron emission device having a novel electron emission region design
US7336028B2 (en) Electron emission device having multi-layered gate electrode structure
KR20060124209A (ko) 전자 방출 소자와 이의 제조 방법
KR20070036927A (ko) 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스
KR20050078327A (ko) 전계 방출 표시 소자와 이의 제조 방법
KR20050104643A (ko) 전자 방출 표시장치용 캐소드 기판, 전자 방출 표시장치및 이의 제조 방법
US20070120462A1 (en) Electron emission device, method of manufacturing the electron emission device, and electron emission display having the electron emission device
JP4418801B2 (ja) 電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法
KR20070043391A (ko) 전자 방출 디바이스, 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스및 이의 제조 방법
KR20070056614A (ko) 전자 방출 디바이스의 제조 방법
KR100918045B1 (ko) 전계 방출 표시소자의 제조 방법
KR20060113192A (ko) 전자 방출 소자 및 그 제조 방법
KR20070120318A (ko) 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시장치
KR20060011665A (ko) 전자 방출 소자와 이의 제조 방법
KR20070119908A (ko) 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시장치
KR20060124975A (ko) 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법
KR20070056603A (ko) 전자 방출 디바이스의 제조 방법
KR20070046539A (ko) 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법
KR20070097704A (ko) 전자 방출 디바이스의 제조 방법
KR20070056606A (ko) 전자 방출 디바이스와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 전자방출 표시 디바이스
KR20070055786A (ko) 전자 방출 디바이스 및 이의 제조 방법
KR20060019847A (ko) 전자 방출 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination