KR20070036325A - 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그제조방법 - Google Patents

수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그 제조방법에 관한 것으로서, OPS VECSEL( Optical Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emitting Laser : 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저)에 레이저를 변조할 수 있는 전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 전극에 인가되는 전압을 조정함으로써 수백 ㎒ 이상의 펄스(pulse)작동이 가능하게 되어 별도의 외부 광학 변조기 없이 레이저 빔을 변조할 수 있다.
광 펌핑, 반도체 레이저, 수직 공진형, 변조, DBR

Description

수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그 제조방법{ Optical pumped semiconductor vertical external cavity surface emitting laser and fabricating method thereof }
도 1은 종래의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 녹색 레이저를 얻기 위해 SHG 물질을 이용한 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 구조를 나타낸 도면.
도 3a 및 도3b는 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 구조를 나타낸 단면도 및 평면도.
도 4는 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저에 있어서 제1 전극 및 제2 전극에 전압을 인가한 경우 전자와 정공이 분리되어 이동하는 모습을 나타낸 도면.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 제조방법을 나타낸 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 110 : 분산형 브래그 반사 미러층
120 : 제1 전류 차단층 130 : 흡수층
140 : 제2 전류 차단층 150 : 적층 구조물
160 : 제1 전극 170 : 제2 전극
180 : 외부 미러 190 : 펌핑 광원
본 발명은 반도체 레이저에 관한 것으로서, 특히 외부 광학 변조기 없이 레이저 빔의 변조가 가능한 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그 제조방법에 관한 것이다.
레이저는 광 저장 장치, 디스플레이 장치, 의료 기기, 레이저 가공 등 많은 분야에 응용되고 있으며, 그 중에서 반도체 레이저는 대량 생산이 가능하고 소형이며 소비 전력이 작아 다른 레이저에 비해 많은 장점을 가지고 있다.
반도체 레이저는 전자와 정공(hole)이 유도 방출(stimulated emission)에 의해 양자 우물층에서 재결합하여 레이저가 발생하는 원리이다. 이때, 전자와 정공을 양자 우물층에 공급해주기 위한 방법으로 광 펌핑(optical pumping)에 의한 방법과 전자 펌핑(electrical pumping)에 의한 방법으로 나눌 수 있다.
일반적으로 광 펌핑은 전자 펌핑에 의해 전자와 정공을 주입하기 힘든 경우에 사용되는데, 예를 들어 p-doping 을 하기 힘든 물질의 경우 또는 정공의 이동이 어렵고 저항이 커서 레이저가 제대로 발진하기 힘든 경우 등에 사용된다.
현재 단면 발광 레이저(edge emitting laser)가 대다수의 애플리케이션에 사 용되고 있으나, 최근에 수직 공진형 표면 발광 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser : VCSEL)에 관한 관심이 증가되고 있다.
그런데, 상기 VCSEL의 경우 전자 펌핑(electrical pumping)을 사용하여 얻을 수 있는 출력이 매우 제한적이고 출력이 상승할 경우 기본 모드(fundamental mode)의 레이저를 얻기가 힘들다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 광 펌핑을 사용하는데, 이 경우 넓은 지역에 균일하게 전하를 공급해 줄 수 있는 장점이 있다.
광 펌핑에 의한 반도체 레이저의 경우, 외부 펌핑 광원에서 들어온 포톤(photon)이 정공과 전자를 생성하면, 생성된 전자와 정공이 양자 우물층의 양자 우물(quantum well)에서 재결합하여 일정한 파장을 가지는 빛이 나오게 된다.
이러한 방식은 외부 펌핑 광원이 필요하다는 단점이 있지만, 소자의 구조를 간단하게 구성할 수 있는 장점이 있다. 즉, n-클래드층 및 p-클래드층이 필요 없어 도핑(doping)을 할 필요가 없으므로 소자의 제조 공정이 간단해진다.
상기 VCSEL에 있어서, 소자 내에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러(mirror)를 만드는 어려움을 해결하기 위해 상기 VCSEL과는 달리 한 쪽 공진기를 외부에 형성한 것이 VECSEL(Vertical External Cavity Surface Emitting Laser)이며, 이 중에서 광 펌핑 방식을 이용한 것이 OPS VECSEL( Optical Pumped Semiconductor Vertical External Cavity Surface Emitting Laser : 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저)이다.
상기 OPS VECSEL은 n-클래드층 및 p-클래드층이 필요 없어 소자 구조가 간단하며, 광 펌핑을 이용하기 때문에 전극을 형성할 필요가 없어 출사되는 레이저 빔 이 상기 전극에 가려지지 않기 때문에 고출력을 얻을 수 있는 장점이 있다.
도 1은 종래의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 구조를 나타낸 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상부에 분산형 브래그 반사 미러층(11), 제1 전류 차단층(12), 흡수층(13), 제2 전류 차단층(14)이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 구조물(15)과, 상기 적층 구조물(15)의 분산형 브래그 반사 미러층(11)과 공진기를 이루기 위한 외부 미러(20)와, 상기 흡수층(13)에 전하를 생성하기 위한 펌핑 광원(Pumping Source)(30)으로 이루어진다.
이와 같이 구성된 OPS VECSEL에 있어서, 펌핑 광원(30)에서 들어온 포톤이 흡수층(13)에 전자와 정공을 생성하면, 생성된 전자와 정공이 재결합하여 일정한 파장을 가지는 빛을 발생하게 되는데, 이 빛이 분산형 브래그 반사 미러층(11)과 외부 미러(20) 사이를 반복적으로 오가며 공진하여 레이저 빔을 출사하게 된다.
레이저 광원 중, 적색 광은 GaAs 반도체를 사용하여 얻을 수 있고, 청색 광은 GaN 반도체를 사용하여 얻을 수 있지만, 녹색 광은 화합물 반도체를 이용하여 생성하는데 있어 물질이 갖고 있는 한계 때문에 구현하기가 매우 어려운 상태에 있다. 따라서, 대개의 경우 제2 고조파 발생(Second Harmonic Generation : SHG)을 사용하여 녹색 레이저를 생성하고 있다.
여기서, 제2 고조파 발생이란 KDP(KH2PO4), KTP(KTiOPO4), LiNbO3, BBO(β-BaB2O4), LBO(LiB3O5) 등의 비선형 물질에 일정한 조건을 만족한 상태에서 레이저를 입사하게 되면 입사된 레이저의 파장의 절반의 파장을 갖는 레이저로 변환되는 현 상을 말한다.
예를 들면, 1064 ㎚ 의 파장을 가지는 근 적외선 레이저를 상기 비선형 물질에 일정한 조건을 만족한 상태에서 입사시키면 상기 파장의 절반인 532 ㎚ 의 파장을 가지는 녹색 레이저로 변환되는 것을 말한다.
도 2는 녹색 레이저를 얻기 위해 SHG 물질을 이용한 OPS VECSEL 구조를 나타낸 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 기판(50) 상부에 분산형 브래그 반사 미러층(51), 제1 전류 차단층(52), 흡수층(53), 제2 전류 차단층(54)이 순차적으로 적층되어 형성된 적층 구조물(55)과, 상기 적층 구조물(55)의 분산형 브래그 반사 미러층(51)과 공진기를 이루기 위한 외부 미러(60)와, 상기 흡수층(53)에 전하를 생성하기 위한 펌핑 광원(Pumping Source)(70)과, 상기 적층 구조물(55)과 상기 외부 미러(60) 사이에 위치하여 상기 적층 구조물(55)에서 출사된 레이저를 상기 출사된 레이저의 파장의 절반의 파장을 갖는 레이저로 변환시키는 SHG(80)로 이루어져 있다.
여기서, 상기 펌핑 광원(70)으로는 808㎚의 반도체 레이저를 사용하며, 상기 적층 구조물(55)의 흡수층(53)에서 1064㎚의 파장을 가지는 레이저를 출사한다고 하면, 상기 SHG(80)는 1064㎚의 절반의 파장인 532㎚의 파장을 가지는 녹색 레이저를 발생시키게 된다.
반도체 레이저를 디스플레이용 광원으로 사용하기 위해서는 출사된 레이저 빔을 외부 영상 신호에 대응하여 변조(modulation)하는 것이 필요한데 적색과 청색 반도체 레이저의 경우, 직접 변조가 가능하므로 별도의 광학 변조기를 둘 필요가 없다.
그러나, 상기 SHG(80)를 이용하여 생성된 녹색 레이저에 있어서, 상기 펌핑 광원(70)을 통한 변조의 경우 전류에 대한 반응 속도가 느리기 때문에 직접 변조는 가능하지 않으며, 따라서 AOM(Acousto Optic Modulator)나 EOM(Electro Optic Modulator) 등과 같은 외부 변조기를 필요로 한다.
이와 같이, 외부에 별도로 AOM 이나 EOM 등과 같은 광학 변조기를 두는 경우, 레이저 디스플레이를 구현하기 위한 시스템의 비용이 증가하게 되고, 시스템 구성도 복잡해지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 광학적으로 펌핑되는 반도체 레이저에 전극을 구비하고 전극에 인가되는 전압을 조정함으로써 별도의 광학 변조기 없이 레이저의 변조가 가능한 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 실시예는, 기판 상부에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층, 제1 전류 차단층, 흡수층, 제2 전류 차단층이 순차적 적층되어 있으며, 상기 제2 전류 차단층부터 상기 제1 전류 차단층까지 메사(mesa) 식각된 적층 구조물과, 상기 제1 전류 차단층 상부에 형성된 제1 전극과, 상기 메사 식각되어 노출된 분산형 브래그 반사 미러층 상부에 형성된 제2 전극과, 상기 흡수층에 전하를 발생시키기 위한 펌 핑 광원(Pumping Source)과, 상기 흡수층에서 발생하는 레이저를 상기 분산형 브래그 반사 미러층과 공진시키기 위한 외부 미러를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 제조방법의 실시예는, 기판상에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층, 제1 전류 차단층, 흡수층, 제2 전류 차단층을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 제2 전류 차단층에서 상기 제1 전류 차단층까지 메사 식각하여 상기 분산형 브래그 반사 미러층의 일부를 상부로부터 노출시키는 단계와, 상기 제2 전류 차단층의 상부에 제1 전극을 형성하고, 상기 메사 식각되어 일부가 상부로부터 노출된 상기 분산형 브래그 반사 미러층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 도 3a 및 도3b는 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 구조를 나타낸 단면도 및 평면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상부에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층(110), 제1 전류 차단층(120), 흡수층(130), 제2 전류 차단층(140)이 순차적 적층되어 있으며, 상기 제2 전류 차단층(140)부터 상기 제1 전류 차단층(120)까지 메사(mesa) 식각된 적층 구조물(150)과;
상기 제1 전류 차단층(120) 상부에 형성된 제1 전극(160)과, 상기 메사 식각됨으로써 일부가 상부로부터 노출된 분산형 브래그 반사 미러층(110) 상부에 형성된 제2 전극(170)과;
상기 흡수층(130)에서 발생하는 레이저를 상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)과 공진시키기 위한 외부 미러(180)와, 상기 흡수층(130)에 전하를 생성하기 위한 펌핑 광원(Pumping Source)(190)을 포함하여 구성된다.
그리고, 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170) 상에 외부와 전기적으로 연결하기 위한 본딩 와이어(bonding wire)를 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 기판(100)으로는 GaAs, GaP, InP, InGaAs, Al2O3, GaN 등이 사용되며, 상기 기판(100) 상에는 분산형 브래그 반사 미러층(110)이 형성된다.
상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)은 AlxGa(1-x)As (0 ≤ x〈 1)로 형성되는데, 굴절율이 높은 층과 굴절율이 낮은 층을 교대로 반복 적층한 구조로 되어 있으며, 상기 굴절율이 높은 층과 굴절율이 낮은 층을 하나의 주기로 볼 때, 이런 주기가 수십 번 반복되어 있다.
여기서, 상기 각 층들의 굴절율의 차이는 알루미늄(Al)의 조성을 달리함으로써 얻어질 수 있다.
그리고, 상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)은 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저가 동작하도록 설계된 파장(λ)의 1/4이 되도록 형성되어 야 하며, 99% 이상의 반사율을 갖도록 형성한다.
상기 분산형 브래그 반사 미러층(110) 상부에는 제1 전류 차단층(120)이 형성된다.
상기 제1 전류 차단층(120) 상부에는 흡수층(130)이 형성되는데, 상기 흡수층(130)은 펌핑 광원(190)에서 나오는 레이저를 흡수하기 위한 반도체 층과, 상기 반도체층 사이에 주기적으로 형성되며 광 이득(optical gain)을 제공하기 위한 양자 우물(Quantum Well) 층으로 이루어진다.
상기 흡수층(130)은 발생시키고자 하는 레이저의 파장에 따라 AlGaInAs, InGaAsP, InGaAlP, AlGaInN 등을 적절히 조합하여 사용한다.
예를 들면, 980 ㎚의 파장을 가지는 레이저를 얻기 위해서는 InGaAs의 양자 우물(Quantum Well : QW) 구조를 가지는 양자 우물 층과 AlGaAs 또는 InGaAsP로 이루어지는 반도체 층으로 구성한다.
상기 흡수층(130) 상부에는 제2 전류 차단층(140)이 형성되는데, 상기 제1 및 제2 전류 차단층(120)(140)은 상기 흡수층(130)보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질을 사용하여 상기 흡수층(130)에서 생성된 전하를 상기 흡수층(130)에 가두어두는 역할을 한다.
상기 제2 전류 차단층(140) 상부의 일정 영역에는 제1 전극(160)이 형성되고, 상기 메사 식각되어 상부로부터 노출된 상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)의 상부에는 제2 전극(170)이 형성된다.
여기서, 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)은 Ti, Pt, Au 을 순차적으로 증착하여 형성한다.
상기 적층 구조물(150) 외부에는 상기 흡수층(130)에서 발생한 레이저를 상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)과 공진시키기 위한 외부 미러(180)가 형성되는데, 상기 외부 미러(180)는 95% 내외의 반사율을 갖는 렌즈로 이루어진다.
즉, 상기 흡수층(130)에서 발생한 레이저는 상기 분산형 브래그 반사 미러층(110)과 외부 미러(180) 사이를 계속 왕복 진행하며 증폭되다가 레이징(lasing)된다.
본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저에 있어서, 펌핑 광원(190)의 펌핑 레이저에 의해 전하들이 상기 흡수층(130)에서 생성되는데, 이때 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)에 전압을 걸어주면 전압의 극성에 따라 상기 흡수층(130)에서 생성된 전자와 정공이 분리되어 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)으로 이동하게 된다.
즉, 도 4에서와 같이, 상기 제1 전극(160)에 (+) 전압을 걸어주고, 상기 제2 전극(170)에 (-) 전압을 걸어주면, 상기 흡수층(130)에서 생성된 전자는 상기 제1 전극(160)으로 이동하게 되고, 상기 흡수층(130)에서 생성된 정공을 상기 제2 전극(170)으로 이동하게 된다.
이와 같이, 전자와 정공이 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)으로 이동하게 되면 전하 분포가 불균일하게 되고 광 이득(optical gain)이 감소하게 된다. 그리고, 광 이득이 감소하면 레이저가 발진하는데 충분한 전하 밀도를 갖지 못하게 되어 레이저가 나오지 못하게 된다.
그리고, 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)에 반대의 전압을 걸어주면 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)으로 이동하였던 전자와 정공이 다시 상기 흡수층(130)의 중앙 부분으로 이동하게 된다.
이때, 상기 흡수층(130)의 중앙 부분으로 이동한 전자와 정공은 상기 펌핑 광원(190)의 펌핑 레이저에 의해 발생된 전하들과 합쳐져서 레이저가 발진하는데 충분한 전하 밀도를 갖게 되어 다시 레이저 빛이 나오게 된다.
이와 같이, 상기 제2 전류 차단층(140) 상부의 일정 영역에 형성되는 제1 전극(160)과, 상기 메사 식각되어 상부로부터 노출된 상기 분사형 브래그 반사 미러층(110)의 상부에 형성되는 제2 전극(170)에 인가하는 전압을 조정하면, 수백 ㎒ 이상의 펄스(pulse)작동이 가능하게 되어 별도의 외부 광학 변조기 없이 레이저의 변조를 할 수 있게 된다.
즉, 입력되는 외부 영상 신호에 따라 상기 제1 전극(160) 및 제2 전극(170)에 인가하는 전압을 조정하면 상기 외부 영상 신호에 대응하는 레이저 광 신호를 출력할 수 있게 된다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 제조방법을 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 먼저 기판(200) 상에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층(210), 제1 전류 차단층(220), 흡수층(230), 제2 전류 차단층(240)을 순차적으로 적층한다(도 5a).
다음으로, 상기 제2 전류 차단층(240)에서 상기 제1 전류 차단층(220)까지 메사 식각하여 상기 분산형 브래그 반사 미러층(210)의 일부를 상부로부터 노출시킨다(도 5b).
이어서, 상기 제2 전류 차단층(240)의 상부에 제1 전극(250)을 형성하고, 상기 메사 식각되어 일부가 상부로부터 노출된 상기 분산형 브래그 반사 미러층(210)의 상부에 제2 전극(260)을 형성한다(도 5c). 여기서, 상기 제1 전극(250) 및 제2 전극(260)은 Ti, Pt, Au 을 순차적으로 증착하여 형성한다.
한편, 상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.
본 발명에 의하면, 광학적으로 펌핑되는 반도체 레이저에 전극을 구비하고 전극에 인가되는 전압을 조정함으로써 별도의 광학 변조기 없이 레이저의 변조를 할 수 있으므로 레이저 디스플레이에 응용되는 경우 시스템의 크기를 줄일 수 있고 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
또한, 기존의 OPS VECSEL 구조에 전극만을 추가로 형성함으로써 구현이 가능하므로 비교적 간단히 제조할 수 있으며, 기존의 OPS VECSEL 구조가 가지는 장점 예를 들면, n-클래드층 및 p-클래드층을 형성할 필요가 없어 소자 구조가 간단하다는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상부에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층, 제1 전류 차단층, 흡수층, 제2 전류 차단층이 순차적 적층되어 있으며, 상기 제2 전류 차단층부터 상기 제1 전류 차단층까지 메사(mesa) 식각된 적층 구조물;
    상기 제1 전류 차단층 상부에 형성된 제1 전극;
    상기 메사 식각되어 노출된 분산형 브래그 반사 미러층 상부에 형성된 제2 전극;
    상기 흡수층에 전하를 발생시키기 위한 펌핑 광원(Pumping Source); 및
    상기 흡수층에서 발생하는 레이저를 상기 분산형 브래그 반사 미러층과 공진시키기 위한 외부 미러를 포함하여 이루어지는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판은 GaAs, GaP, InP, InGaAs, Al2O3, GaN 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저.
  3. 제1항에 있어서, 상기 흡수층은;
    상기 펌핑 광원에서 나오는 레이저를 흡수하기 위한 반도체 층과;
    상기 반도체 층 사이에 주기적으로 형성되는 양자 우물 층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 전류 차단층 및 제2 전류 차단층은 상기 흡수층보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 인가하는 전압의 극성을 입력되는 외부 영상 신호에 따라 바꾸어줌으로써 상기 흡수층에서의 전하 밀도를 조절하여 레이저를 변조하는 것을 특징으로 하는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저.
  6. 기판상에 분산형 브래그 반사(Distributed Bragg Reflector : DBR) 미러층, 제1 전류 차단층, 흡수층, 제2 전류 차단층을 순차적으로 적층하는 단계;
    상기 제2 전류 차단층에서 상기 제1 전류 차단층까지 메사 식각하여 상기 분산형 브래그 반사 미러층의 일부를 상부로부터 노출시키는 단계; 및
    상기 제2 전류 차단층의 상부에 제1 전극을 형성하고, 상기 메사 식각되어 일부가 상부로부터 노출된 상기 분산형 브래그 반사 미러층의 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 Ti, Pt, Au 을 순차적으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 수직 외부 공진형 표면 방출 광 펌핑 반도체 레이저의 제조방법.
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