KR20070035134A - semiconductor device manufacturing apparatus - Google Patents

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권병국
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조설비에 관한 것이다. 본 발명에서는, 웨이퍼를 척킹하는 로봇암에 질소 분사 폴을 형성함을 특징으로 한다. 따라서, 순수를 이용한 파이널 세정공정이 완료된 웨이퍼를 IPA 드라이어 내부로 투입하기 전에 상기 질소 분사 폴을 이용하여 질소를 분사하여 웨이퍼 표면에 묻어있는 순수를 최대한 제거한다. 그 결과, 웨이퍼 표면에 묻은 순수가 IPA 드라이어로 떨어져 IPA 드라이어의 온도가 순간적으로 저하되어 리커버리 타임이 증가되는 문제점을 해소하여 웨이퍼 건조 효과를 향상시킴으로써, 웨이퍼 표면에 디펙이 발생되거나 다량의 파티클이 발생되는 문제점을 최소화할 수 있게 된다. The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility. In the present invention, a nitrogen injection pawl is formed on a robot arm for chucking a wafer. Therefore, before the final cleaning process using pure water is injected into the IPA dryer, nitrogen is sprayed using the nitrogen spray pole to remove pure water on the wafer surface as much as possible. As a result, pure water deposited on the wafer surface falls into the IPA dryer, which reduces the temperature of the IPA dryer instantaneously and increases the recovery time, thereby improving the wafer drying effect. Thus, defects or a large amount of particles are generated on the wafer surface. This can minimize the problem.

반도체, 웨이퍼, 배스, IPA 드라이어, 로봇암 Semiconductor, Wafer, Bath, IPA Dryer, Robot Arm

Description

반도체 디바이스 제조설비{semiconductor device manufacturing apparatus}Semiconductor device manufacturing apparatus

도 1은 종래 기술에 따른 로봇암의 구조를 나타낸다.1 shows a structure of a robot arm according to the prior art.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 로봇암의 구조를 나타낸다.2 shows a structure of a robot arm according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정장치를 나타낸다.3A to 3F show a semiconductor wafer cleaning apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100: 로봇암 102: 헤드부100: robot arm 102: head portion

104: 척부 106: 질소 분사 폴부104: chuck 106: nitrogen injection pole

200: 파이널 배스 202: 순수200: Final Bath 202: Pure

204: 웨이퍼 300: IPA 드라이어204: wafer 300: IPA dryer

본 발명은 반도체 디바이스 제조설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 클리닝 설비 내부로 웨이퍼를 이송하는 로봇암 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing facility, and more particularly, to a robotic arm structure for transferring a wafer into a cleaning facility.

일반적으로, 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고 이를 패터닝하여 다양한 회로 기하구조를 형성함으로써 제조하게 되는데, 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 공정은 크게 웨이퍼 상부에 물질막을 증착하는 박막증착(deposition)공정, 상기 증착공정으로 형성된 물질막 상부에 감광막을 코팅한 뒤, 마스크를 이용하여 감광막을 노광한 후 노광되어 패터닝된 상기 감광막을 식각마스크로서 이용하여 웨이퍼 상부에 증착되어 있는 물질막을 패터닝하는 포토리소그래피(photolithography)등과 같은 식각 공정, 그리고 웨이퍼 표면에 층간절연막등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 없애는 평탄화(CMP: Chemical Mechanical Polishing)공정등과 같은 여러 단위 공정들로 이루어져 있다.In general, semiconductor devices are fabricated by depositing thin films that perform various functions on the wafer surface and patterning them to form various circuit geometries. The process for manufacturing such semiconductor devices is largely by depositing material films on the wafer. After the deposition process, the photosensitive film is coated on the material film formed by the deposition process, the photosensitive film is exposed using a mask, and then the exposed and patterned photosensitive film is deposited on the wafer using an etch mask. Units such as etching processes such as photolithography for patterning material films, and chemical mechanical polishing (CMP) processes to remove gaps by polishing wafer surfaces after depositing interlayer dielectrics on wafer surfaces It consists of processes.

따라서, 반도체 디바이스를 제조하기 위해서는 상기와 같은 여러 단위 공정들을 선택적이고도 반복적으로 실시하게 되는데, 이러한 여러 단위 공정을 진행하는 과정에서 많은 오염물질들이 필연적으로 발생하게 된다. 특히, 웨이퍼 상부의 물질막을 패터닝하는 식각 공정이 완료된 후에는 웨이퍼 상부를 비롯한 주변 장비에 오염물질들이 많이 존재하게 된다. 따라서, 후속 공정을 진행하기 전에 이러한 오염물질 제거를 위한 세정 공정을 필수적으로 진행하게 된다.Accordingly, in order to manufacture a semiconductor device, the above-described various unit processes are selectively and repeatedly performed, and many contaminants are inevitably generated in the course of the various unit processes. In particular, after the etching process for patterning the material layer on the wafer is completed, a lot of contaminants are present in the peripheral equipment including the wafer. Therefore, it is necessary to proceed with the cleaning process for removing such contaminants before proceeding to the subsequent process.

이러한 반도체 디바이스 제조과정에서의 세정공정은, 웨이퍼 상부에 회로 패턴층을 형성하는 과정에서 식각 공정등으로부터 충분히 제거되지 않은 감광막과 같은 불필요한 물질층이나 공정 과정에서 생성되는 폴리머를 포함한 불순물 및 각종 형태의 파티클등이 후속 공정에서 불량 요인으로 작용하는 것을 방지하도록 제거하 는 공정을 말한다. 이러한 세정 공정은 크게 화학약품을 이용하는 습식 세정과 증기 또는 플라즈마를 이용하는 건식 세정으로 구분할 수 있다. 그리고, 상기 습식 세정에 사용되는 세정액은 제거하고자 하는 불순물의 종류에 따라 산성 또는 알칼리성 세정액으로 구분할 수 있는데, 이러한 세정액은 세정되어질 웨이퍼의 종류 및 공정 상태등과 같은 세정 조건에 따라 그 농도와 양, 그리고 온도등의 조건등이 매우 디테일하게 적용된다.In the semiconductor device manufacturing process, the cleaning process may be performed in a variety of forms including impurities such as a photoresist film that is not sufficiently removed from an etching process or a polymer produced during the process, in the process of forming a circuit pattern layer on the wafer. It is a process to remove particles to prevent them from acting as a defective factor in subsequent processes. Such cleaning processes can be broadly classified into wet cleaning using chemicals and dry cleaning using steam or plasma. The cleaning solution used for the wet cleaning may be classified into an acidic or alkaline cleaning solution according to the type of impurities to be removed, and the cleaning solution may be classified in concentration and amount according to cleaning conditions such as the type and process state of the wafer to be cleaned. And conditions such as temperature are applied in very detail.

상기 습식 세정방법으로서는, RCA 세정으로 불리우는 습식 세정방법이 가장 보편적으로 이용되고 있는데, 일반적으로 유기물은 H2SO4등과 같은 산을 사용하여 제거하고, 자연산화막은 플루오르화수소 수용액을 사용하여 제거한다. 그리고, 파티클 또는 금속불순물은 RCA 세정을 이용하여 제거하는데, 암모니아(NH4OH) 수용액과 과산화수소(H2O2) 및 물(H2O)의 혼합액인 SC-1 은 파티클 제거에 유효하고, 염산(HCl), 과산화수소 및 물의 혼합액인 SC-2는 금속불순물 제거에 유효한 특성을 가진다. As the wet cleaning method, a wet cleaning method called RCA cleaning is most commonly used. In general, an organic material is removed using an acid such as H 2 SO 4 , and a natural oxide film is removed using an aqueous solution of hydrogen fluoride. Particles or metal impurities are removed by RCA washing, and SC-1, which is a mixed solution of aqueous ammonia (NH 4 OH), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O), is effective for removing particles. SC-2, a mixture of hydrochloric acid (HCl), hydrogen peroxide and water, is effective for removing metal impurities.

또한, 상기한 습식 세정공정에는 상기한 여러 종류의 약액과 함께 통상적으로 순수(DI water)가 이용되는데, 이처럼 여러 종류의 약액 및 순수를 이용한 습식 세정공정을 완료한 후에는 IPA 드라이어를 사용하게 된다. 그러나, IPA 드라이어의 전처리 공정은 순수를 이용한 파이널 린스 공정으로서, 이때 파이널 린스 공정에 이용되는 순수의 온도는 23~25℃ 사이이다. 이처럼 순수의 온도가 상온을 유지함으로 인해 순수가 분사되는 웨이퍼의 온도 또한 상온을 유지하게 된다. In addition, in the wet cleaning process, pure water (DI water) is usually used together with the various types of chemical liquids described above. After completing the wet cleaning process using various kinds of chemical liquids and pure water, an IPA dryer is used. . However, the pretreatment step of the IPA dryer is a final rinse step using pure water, wherein the temperature of the pure water used in the final rinse step is between 23 and 25 ° C. As the pure water temperature is maintained at room temperature, the wafer temperature at which pure water is injected is also maintained at room temperature.

일반적으로, 파이널 배스에서 순수등을 이용한 최종 세정 공정을 완료한 후, 도 1에 도시되어 있는 것과 같은 로봇암이 웨이퍼를 슬로우 업하여 IPA 드라이어에 바로 투입하게 된다. 그러나, 이러한 웨이퍼 투입 과정에서 웨이퍼 표면에 묻어있던 순수가 IPA 드라이어로 떨어지게 되고, 그로 인해 IPA 드라이어 내부의 온도가 순간적으로 저하되어 온도 리커버리 타임이 길어진다. 이처럼 상온의 웨이퍼가 투입됨으로 인해 IPA 내부의 온도가 저하되고, 그로 인해 IPA 온도 리커버리 타임이 길어지게 되면 웨이퍼 건조 효과가 저하되어 웨이퍼 표면에 디펙이 발생될 뿐 아니라 다량의 파티클이 발생될 우려가 크다.In general, after completing the final cleaning process using pure water in the final bath, the robot arm as shown in Figure 1 is to slow up the wafer and directly put into the IPA dryer. However, the pure water on the wafer surface falls into the IPA dryer during the wafer injection process, and thus the temperature inside the IPA dryer is temporarily lowered, thereby increasing the temperature recovery time. As a result of the introduction of a wafer at room temperature, the temperature inside the IPA is lowered. As a result, when the IPA temperature recovery time is increased, the wafer drying effect is lowered and defects are generated on the wafer surface. .

상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 습식 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키는 IPA 드라이어 내부의 갑작스런 온도 저하를 방지할 수 있는 반도체 디바이스 제조설비를 제공함에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above-described problems is to provide a semiconductor device manufacturing facility capable of preventing a sudden temperature drop inside an IPA dryer for drying a wafer on which a wet cleaning process is completed.

본 발명의 다른 목적은, 습식 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키는 IPA 드라이어 내부의 갑작스런 온도 저하로 인한 온도 리커버리 타임을 최소화할 수 있는 반도체 디바이스 제조설비를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing facility capable of minimizing temperature recovery time due to a sudden temperature drop inside an IPA dryer for drying a wafer on which a wet cleaning process is completed.

본 발명의 다른 목적은, 습식 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키는 IPA 드라이어 내부의 갑작스런 온도 저하로 인해 웨이퍼 건조 효과가 저하되어 웨이퍼 표면에 디펙 및 파티클이 발생되는 문제점을 해소할 수 있는 반도체 디바이스 제조설비를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing facility that can solve the problem that the wafer drying effect is reduced due to the sudden temperature drop inside the IPA dryer drying the wafer after the wet cleaning process is completed, the defects are generated on the wafer surface In providing.

본 발명의 다른 목적은, 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성을 보다 향상시킬 수 있도록 하는 반도체 디바이스 제조설비를 제공함에 있다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing facility which can further improve the reliability and productivity of the semiconductor device.

상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 디바이스 제조설비는, 전 공정이 완료된 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액이 담겨져 있는 배스부; 상기 배스 내부에서 세정공정이 완료된 웨이퍼에 대하여 그 표면에 묻어있는 세정액을 제거하기 위한 가스가 분사되는 가스 분사 폴부가 구비된 로봇암부; 및 상기 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키기 위한 드라이어부를 포함함을 특징으로 한다.A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object, the bath portion containing a cleaning liquid for cleaning the wafer is completed; A robot arm portion having a gas injection pawl portion, through which a gas is injected, for removing the cleaning liquid on the surface of the wafer having been cleaned in the bath; And a dryer unit for drying the wafer on which the cleaning process is completed.

바람직하게는, 상기 세정액은 순수이며, 상기 웨이퍼 표면에 묻어있는 세정액을 제거하기 위해 분사되는 가스는 질소임을 특징으로 한다. Preferably, the cleaning liquid is pure water, and the gas injected to remove the cleaning liquid on the wafer surface is nitrogen.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 본 발명의 카테고리를 벗어나지 않는 범위내에서 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention. The present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be embodied in various other forms without departing from the scope of the present invention, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete and common knowledge It is provided to fully inform the person of the scope of the invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 로봇암(100)의 구조를 나타낸다.2 shows the structure of a robot arm 100 according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 상기 본 발명에 따른 로봇암(100)은 헤드부(102), 척부(104) 및 질소 분사 폴부(106)가 형성되어 있다. 상기 질소 분사 폴부(106)는 본 발명에 따른 로봇암(100)의 핵심 구성으로서, 파이널 배스로부터 들어올려진 웨이 퍼 표면에 묻어있는 순수를 제거하기 위하여, 질소를 분사하게 된다. 이처럼, 질소를 이용하여 웨이퍼 표면의 순수를 최대한 제거한 후, IPA 드라이어 내부로 투입할 경우 IPA 내부의 급격한 온도 저하를 방지하여 웨이퍼 표면에 디펙 또는 파티클이 발생되는 문제점을 최소화할 수 있게 된다. 하기의 도 3을 참조하여, 본 발명의 개선된 구조의 로봇암으로 인한 효과를 보다 상세히 살펴보기로 하자.Referring to FIG. 2, the robot arm 100 according to the present invention includes a head 102, a chuck 104, and a nitrogen injection pawl 106. The nitrogen injection pawl 106 is a core configuration of the robot arm 100 according to the present invention. In order to remove pure water on the wafer surface lifted from the final bath, nitrogen is injected. As such, when pure water is removed from the wafer surface using nitrogen as much as possible, when introduced into the IPA dryer, it is possible to minimize a problem in which defects or particles are generated on the wafer surface by preventing a rapid temperature drop inside the IPA. Referring to FIG. 3 below, the effects of the robot arm of the improved structure of the present invention will be described in more detail.

도 3a 내지 도 3f에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 로봇암에 의해 파이널 배스(200)로부터 IPA 드라이어(300)측으로 웨이퍼가 이송되는 과정이 순차적으로 도시되어 있다.3A to 3F illustrate a process of sequentially transferring wafers from the final bath 200 to the IPA dryer 300 by the robot arm according to the preferred embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a을 참조하면, 파이널 배스(200)가 도시되어 있으며, 그 내부에는 웨이퍼(204)에 대해 최종 세정공정을 진행하기 위한 순수(202)가 담겨져 있다. 따라서, 상기 순수(202)가 담겨져 있는 파이널 배스(200) 내부에 웨이퍼(204)를 투입하여 최종 세정공정을 완료하게 된다. 그리고, 상기 파이널 배스(200) 내부에서 최종 세정공정이 완료되면, 로봇암(100)이 웨이퍼(204)를 척킹하여 들어올리게 된다.First, referring to FIG. 3A, a final bath 200 is shown, in which the pure water 202 for carrying out the final cleaning process on the wafer 204 is contained. Therefore, the wafer 204 is introduced into the final bath 200 in which the pure water 202 is contained, thereby completing the final cleaning process. When the final cleaning process is completed in the final bath 200, the robot arm 100 chucks and lifts the wafer 204.

도 3b를 참조하면, 로봇암(100)에 의해 척킹된 웨이퍼(204)가 순수(202)밖으로 드러나게 되면, 로봇암(100)에 형성되어 있는 질소 분사 폴부(106)로부터 질소(108)를 분사하여 웨이퍼(204) 표면에 묻어있는 순수를 제거한다. 이때, 웨이퍼(204) 표면에 질소(108)를 분사할 경우, 순수 이외에 웨이퍼 표면에 부착되어 있던 각종 파티클이 함께 제거된다. Referring to FIG. 3B, when the wafer 204 chucked by the robot arm 100 is exposed out of the pure water 202, nitrogen 108 is injected from the nitrogen injection pole 106 formed in the robot arm 100. The pure water on the surface of the wafer 204 is removed. At this time, when nitrogen 108 is injected onto the wafer 204 surface, various particles adhering to the wafer surface in addition to pure water are removed together.

그리고, 도 3c 및 도 3d에 도시된 것과 같이, 로봇암(100)을 이용하여 웨이퍼(204)가 순수(202)로부터 완전히 들어올려진 상태에서 계속해서 질소(108)를 웨 이퍼(204) 표면에 분사한다. 그 결과, 웨이퍼(204) 표면에 묻어있던 대부분의 순수가 제거되는 효과를 얻을 수 있다.3C and 3D, nitrogen 108 is continuously applied to the surface of the wafer 204 using the robot arm 100 while the wafer 204 is completely lifted from the pure water 202. Spray. As a result, it is possible to obtain the effect of removing most of the pure water on the surface of the wafer 204.

이어서, 도 3e를 참조하면, 상기 로봇암(100)에 의해 척킹된 웨이퍼(204)는 웨이퍼를 건조시키기 위한 IPA 드라이어(300)측으로 이송된다. 도 3e에 도시된 바와 같이, IPA 드라이어(300)측으로 이송된 후에도 계속해서 질소를 웨이퍼(204) 표면으로 분사하여 웨이퍼(204) 표면에 묻어있는 순수를 제거한다.Next, referring to FIG. 3E, the wafer 204 chucked by the robot arm 100 is transferred to the IPA dryer 300 side for drying the wafer. As shown in FIG. 3E, nitrogen is continuously sprayed onto the surface of the wafer 204 even after being transferred to the IPA dryer 300 to remove pure water on the surface of the wafer 204.

도 3f를 참조하면, 상기 로봇암(100)에 의해 척킹된 웨이퍼(204)가 IPA 드라이어(300) 내부로 투입된 상태를 나타낸다.Referring to FIG. 3F, the wafer 204 chucked by the robot arm 100 is introduced into the IPA dryer 300.

상기 도 3a 내지 도 3e에 도시된 것과 같이, IPA 드라이어(300) 내부로 웨이퍼(204)를 투입하기 전에, 파이널 배스(200) 내부에서 최종 세정공정을 완료한 웨이퍼(204)에 대하여 질소(108)를 분사하여 웨이퍼(204) 표면에 묻은 순수를 최대한 제거한다. 그 결과, 웨이퍼(204) 표면에 묻은 순수가 IPA 드라이어로 떨어져 IPA 드라이어의 순간적인 온도 저하를 초래했던 종래의 문제점을 최소화할 수 있게 된다.As shown in FIGS. 3A to 3E, nitrogen 108 is applied to the wafer 204 having completed the final cleaning process in the final bath 200 before the wafer 204 is introduced into the IPA dryer 300. ) To remove the pure water on the surface of the wafer 204 as much as possible. As a result, it is possible to minimize the conventional problem that the pure water on the surface of the wafer 204 falls into the IPA dryer, which causes the instantaneous temperature drop of the IPA dryer.

한편, 웨이퍼(204) 표면에 묻어있는 순수를 제거하여 IPA 드라이어 내부로 순수가 떨어지는 종래의 문제점을 해소함으로써, IPA 드라이어(300)의 순간적인 온도 저하를 최소화하여 온도 상승을 위한 리커버리 타임의 증가를 방지할 수 있게 된다. 그리고, 이처럼 리커버리 타임을 단축시킴으로써, 웨이퍼 건조 효과가 향상되어 웨이퍼 표면에 디펙이 발생되거나 다량의 파티클이 발생되는 문제점을 해소할 수 있게 된다. On the other hand, by removing the pure water on the wafer 204 surface to solve the conventional problem that the pure water falls into the IPA dryer, minimizing the instantaneous temperature drop of the IPA dryer 300 to increase the recovery time for the temperature rise It can be prevented. In addition, by shortening the recovery time, the wafer drying effect is improved, and the problem of generating defects or a large amount of particles on the wafer surface can be solved.

상기한 바와 같이 본 발명에서는, 순수를 이용한 파이널 세정공정이 완료된 웨이퍼를 IPA 드라이어 내부로 투입하기 전에 질소를 분사하여 웨이퍼 표면에 묻어있는 순수를 최대한 제거한다. 그 결과, 웨이퍼 표면에 묻은 순수가 IPA 드라이어로 떨어져 IPA 드라이어의 온도가 순간적으로 저하되어 리커버리 타임이 증가되는 문제점을 해소할 수 있게 된다. 그리고, 이처럼 IPA 드라이어의 리커버리 타임 증가를 방지하여 웨이퍼 건조 효과를 향상시킴으로써, 웨이퍼 표면에 디펙이 발생되거나 다량의 파티클이 발생되는 문제점 또한 해소할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, nitrogen is injected to remove the pure water on the wafer surface as much as possible before the wafer having the final cleaning process using pure water is introduced into the IPA dryer. As a result, pure water deposited on the wafer surface falls into the IPA dryer, and thus the temperature of the IPA dryer is momentarily lowered to solve the problem of increased recovery time. In addition, by improving the wafer drying effect by preventing the recovery time of the IPA dryer, the problem of generating defects or a large amount of particles on the wafer surface can be solved.

또한, 웨이퍼 표면에 질소를 분사하여 순수를 제거하는 과정에서, 웨이퍼 표면의 순수뿐 아니라 각종 파티클이 함께 제거되어 결과적으로 반도체 디바이스의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.In addition, in the process of removing pure water by spraying nitrogen on the wafer surface, various particles as well as pure water on the wafer surface are removed together, resulting in improved reliability and productivity of the semiconductor device.

Claims (4)

반도체 디바이스 제조설비에 있어서:In semiconductor device manufacturing facilities: 전 공정이 완료된 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액이 담겨져 있는 배스부;A bath unit in which a cleaning liquid for cleaning a wafer having completed the entire process is contained; 상기 배스 내부에서 세정공정이 완료된 웨이퍼에 대하여 그 표면에 묻어있는 세정액을 제거하기 위한 가스가 분사되는 가스 분사 폴부가 구비된 로봇암부; 및A robot arm portion having a gas injection pawl portion, through which a gas is injected, for removing the cleaning liquid on the surface of the wafer having been cleaned in the bath; And 상기 세정공정이 완료된 웨이퍼를 건조시키기 위한 드라이어부를 포함함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비. And a dryer unit for drying the wafer on which the cleaning process is completed. 제 1항에 있어서, 상기 배스는 파이널 배스임을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.The semiconductor device manufacturing facility of claim 1, wherein the bath is a final bath. 제 1항에 있어서, 상기 세정액은 순수임을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.The semiconductor device manufacturing facility according to claim 1, wherein the cleaning liquid is pure water. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 표면에 묻어있는 세정액을 제거하기 위해 분사되는 가스는 질소임을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조설비.The semiconductor device manufacturing facility according to claim 1, wherein the gas injected to remove the cleaning liquid on the wafer surface is nitrogen.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111128805A (en) * 2019-12-30 2020-05-08 华虹半导体(无锡)有限公司 Device and method for improving water mark defects in wet cleaning machine table

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