KR20070032448A - 유기 전계발광 표시장치의 화소회로 - Google Patents

유기 전계발광 표시장치의 화소회로 Download PDF

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Abstract

개구율을 향상시키기 위해 발광제어라인을 제거한 유기 전계발광 표시장치의 화소회로에 관하여 개시한다. 본 발명의 화소 회로는 발광제어 트랜지스터를 다이오드 연결시키고, 발광제어라인을 제거하며, 유기 EL 소자의 캐소드 전극에 연결된 기준전압의 레벨상태를 변경시킨다. 즉, 로우레벨의 이전 주사신호 및 현재 주사신호가 공급되는 동안 상기 기준전압을 하이레벨로 변경시킴으로써, 문턱전압보상과 데이터전압이 인가되는 동안 상기 다이오드를 오프시켜 구동전류를 차단한다. 따라서, 본 발명의 화소회로는 문턱전압보상 뿐만 아니라, 발광제어라인을 제거함으로써 개구율을 향상 시킬 수 있다.

Description

유기 전계발광 표시장치의 화소회로{Pixel Circuit of Organic Electroluminiscence Display Device}
도 1은 종래의 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소를 구동하기 위한 타이밍도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소회로를 나타낸 회로도이다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소회로를 나타낸 회로도이다.
도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 개구율을 향상시키기 위해 발광제어라인을 제거한 유기 전계발광 표시장치의 화소회로 에 관한 것이다.
최근, 평판 표시 장치(Flat Panel Dispaly : FPD)에 대한 관심이 증가하면서, 다양한 방식의 평판 표시 장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 대표적인 평판 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : PDP), 유기 전계발광 표시장치(Organic Electroluminescence Display Device) 등이 있다.
상기 평판표시장치 중 유기 전계발광 표시장치는 자발광 소자로서 LCD와 같은 백라이트가 없어 더욱 얇고, 응답속도가 수십 [ns]로 빠르며, 시야각이 넓고 명암비가 좋아 차세대 디스플레이로서 주목을 받고 있다.
상술한 유기 전계 발광 표시장치를 구동하는 방식에는 수동 매트릭스(passive matrix) 구동 방식과 능동 매트릭스(active matrix) 구동 방식이 있다. 수동 매트릭스 구동 방식은 예를 들어 특정 행의 주사선에 연결된 화소가 선택된 시간 동안에만 전류를 받고 그에 상응하는 휘도를 내도록 이루어지는 구동 방식을 말한다. 능동 매트릭스 구동 방식은 예를 들어 캐패시터에 소정의 계조를 표시하기 위한 전압을 저장하고, 저장된 전압을 전체 프레임 시간 동안에 화소에 인가하는 구동 방식을 말한다. 이러한 능동 매트릭스 구동 방식은 캐패시터에 전압을 저장하기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programming) 방식으로 나누어진다.
또한, 유기 전계발광 표시장치는 전압구동의 액정을 이용하는 LCD와 다르게 전류구동 소자인 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode(OLED): 이하, " 유기EL 소자"라 한다.)를 이용하여 구동전류의 양에 따라 휘도를 조절하여 발광한다. 따라서, 유기 전계발광 표시장치는 구동전류를 생성하기 위한 화소회로가 필요하다.
도 1은 종래의 유기 전계발광 표시장치의 화소를 도시한 회로도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 화소는 4개의 트랜지스터(M1, M2, M3, M4)와 2개의 커패시터(Cst, Cvth)가 전기적으로 연결된 화소구동부(10), 발광제어 트랜지스터(M5) 및 유기 EL 소자 OLED를 가진다.
화소구동부(10)는 데이터라인 DATA[m], 이전 주사라인 SCAN[n-1], 현재 주사라인 SCAN[n] 및 전원전압라인 ELVDD에 연결되고, 상기 유기 EL 소자 OLED로 공급할 구동전류를 생성한다. 상기 화소구동부(10)에 대하여는 후술하기로 한다.
유기 EL 소자 OLED는 상기 화소구동부(10)와 기준전압라인 ELVSS 사이에 연결되고, 상기 화소구동부(10)에서 공급하는 구동전류를 입력받아 이에 상응하는 휘도로 발광한다.
발광제어 트랜지스터(M5)는 상기 화소구동부(10)와 상기 유기 EL 소자 OLED 사이에 연결되고, 게이트 단자에 연결된 발광제어라인 EMI[n]으로부터의 발광제어신호에 따라 온/오프 동작하여 상기 화소구동부(10)에서 출력되는 구동전류를 상기 유기 EL 소자 OLED로 공급하거나 차단한다.
상기 화소구동부(10)는 기본적으로 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되지만, 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 편차를 해결하기 위하여 보상회로를 형성하여 문턱전압의 편차를 제거한 회로를 이용하여 설명하기로 한다.
즉, 도 1에 도시된 화소구동부(10)는 앞서 설명한 바와 같이 4개의 트랜지스터(M1, M2, M3, M4)와 2개의 커패시터(Cst, Cvth)를 가진다.
구동 트랜지스터(M1)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 발광제어 트랜지스터(M5) 사이에 연결되고, 노드 N2에 연결된 게이트 단자에 인가된 전압과 상기 전원전압 ELVDD의 전압 차에 해당하는 구동전류를 출력한다.
문턱전압보상 트랜지스터(M2)는 상기 구동 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 상기 이전 주사라인 SCAN[n-1]으로부터의 주사신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다. 따라서, 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압은 상기 제 2 커패시터(Cvth)에 저장된다.
스위칭 트랜지스터(M3)는 데이터라인 DATA[m]과 노드 N1 사이에 연결되고, 상기 현재 주사라인 SCAN[n]으로 부터의 주사신호에 응답하여 데이터신호를 노드 N1으로 전달한다.
전원전압인가 트랜지스터(M4)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 노드 N1 사이에 연결되고, 상기 이전 주사라인 SCAN[n-1]으로부터의 주사신호에 응답하여 전원전압 ELVDD을 상기 노드 N1으로 인가한다.
제 1 커패시터(Cst)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 노드 N1사이에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터(M3)로부터 전달되는 데이터전압을 저장한다.
제 2 커패시터(Cvth)는 상기 제 1 커패시터(Cst)와 상기 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 단자 사이에 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)을 일정시간 저장한다.
도 1에서는 상기 모든 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS(P-Type Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 사용하였지만, 당업자의 수준에서 NMOS 트랜지스터로 화소회로를 설계할 수 있음은 자명하다.
도 2는 도 1에 도시된 화소를 구동하기 위한 타이밍도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 먼저, 이전 주사신호 SCAN[n-1]이 로우레벨이고, 현재 주사신호 SCAN[n]과 발광제어신호 EMI[n]이 하이레벨이면, 도 1의 화소에서 문턱전압보상 트랜지스터(M2)와 전원전압인가 트랜지스터(M4)가 턴-온 된다. 따라서, 노드 N1에는 전원전압 ELVDD가 인가되고, 노드 N2에는 상기 구동 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결됨으로써, 전원전압 ELVDD과 문터전압 Vth의 차에 해당하는 전압 ELVDD-｜Vth｜이 인가된다. 결국, 제 2 커패시터(Cvth)는 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압 Vth에 해당하는 전압이 저장된다.
다음, 이전 주사신호 SCAN[n-1]이 하이레벨이고, 현재 주사신호 SCAN[n]이 로우레벨이며, 발광제어신호 EMI[n]이 하이레벨이면, 도 1에 도시된 화소에서 스위칭 트랜지스터(M3)는 턴-온되고, 문턱전압보상 트랜지스터(M2)와 전원전압인가 트랜지스터(M4)는 턴-오프된다. 따라서, 데이터신호 DATA[m]이 노드 N1으로 인가된다. 이때, 문턱전압 Vth을 유지하려는 제 2 커패시터(Cvth)의 특성 때문에 노드 N2의 전압은 ELVDD-｜Vth｜-△V로 변한다. 여기서, 변동전압 △V는 ELVDD-DATA[m]이다. 따라서, 노드 N2의 전압은 ELVDD-｜Vth｜-(ELVDD-DATA[m])가 된다.
마지막으로, 이전 주사신호 SCAN[n-1]과 현재 주사신호 SCAN[n]이 하이레벨이고, 발광제어신호 EMI[n]이 로우레벨이면, 발광제어 트랜지스터(M5)는 턴-온되 어, 상기 구동 트랜지스터(M1)에서 생성되는 구동전류(IOLED)를 상기 유기 EL 소자 OLED로 공급한다. 이때, 유기 EL 소자 OLED로 인가되는 구동전류(IOLED)는 아래 [수학식 1]에 의해서 정의된다.
IOLED = K(Vsg - ｜Vth｜)2
= K[ELVDD-{ELVDD-｜Vth｜-(ELVDD-DATA[m])} - ｜Vth｜]2
= K(ELVDD-DATA[m])2
상기 [수학식 1]과 같이 문턱전압이 보상된 구동전류가 공급되어 문턱전압 편차에 따른 휘도 불균일을 해결할 수 있다.
그러나, 도 1과 같은 종래의 화소 회로는 3개의 각기 다른 주사라인 SCAN[n-1], SCAN[n], EMI[n]이 필요하기 때문에, 화소구동회로가 복잡해지고, 유기 전계발광 표시 장치의 개구율이 저하되는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 문턱 전압(Vth)의 편차를 보상함과 동시에 개구율을 더 높일 수 있는 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그 구동방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계발광 표시장치의 화소회로는 기준전압라인에 캐소드 전극이 연결되고, 애노드 전극으로 공급되는 구동전류에 따라 소정의 휘도로 발광하는 유기 EL 소자; 데이터라인, 이전 주사라인, 현재 주사라인 및 전원전압라인에 연결되고, 상기 데이터라인에서 인가되는 데이터전압에 상응하는 상기 구동전류를 상기 유기 EL 소자로 인가하는 화소구동부; 및 상기 화소구동부와 상기 유기 EL 소자 사이에 연결되고, 상기 기준전압의 레벨상태의 변화에 따라 상기 구동전류를 흐르게 하거나 차단하는 다이오드;를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예 1
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소회로를 나타낸 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 화소회로는 도 1의 화소회로와 동일하게 4개의 트랜지스터(M1, M2, M3, M4)와 2개의 커패시터(Cst, Cvth)가 전기적으로 연결된 화소구동부(10) 및 유기 EL 소자 OLED를 가진다.
화소구동부(10)는 데이터라인 DATA[m], 이전 주사라인 SCAN[n-1], 현재 주사라인 SCAN[n] 및 전원전압라인 ELVDD에 연결되고, 상기 유기 EL 소자 OLED로 공급할 구동전류를 생성한다. 상기 화소구동부(10)에 대하여는 후술하기로 한다.
유기 EL 소자 OLED는 상기 화소구동부(10)와 기준전압라인 ELVSS 사이에 연결되고, 상기 화소구동부(10)에서 공급하는 구동전류를 입력받아 이에 상응하는 휘도로 발광한다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 도 1의 종래의 화소회로와의 차이는 발광제어 트랜지스터(M5) 대신에 다이오드(M5')를 화소구동부(10)와 유기 EL 소자 OLED 사이에 형성한 것이다. 도 3에서는 다이오드(M5')를 PMOS 트랜지스터를 이용하여 게이트 단자와 드레인 단자를 연결하여 설계한다. 즉, 화소 내에 발광제어라인 EMI[n]을 제거할 수 있다.
발광제어라인 EMI[n]이 제거된 대신 기준전압 ELVSS의 레벨이 이전 주사신호 SCAN[n-1] 및 현재 주사신호 SCAN[n]이 로우레벨일 동안 하이레벨을 유지한다. 상기 기준전압 ELVSS는 일반적으로 상기 전원전압 ELVDD보다 낮은 전압으로 음의 전압이거나 접지전압이다. 다만, 하이레벨의 기준전압 ELVSS은 전원전압 ELVDD와 동일한 전압이 인가된다. 이에 대하여는 후술할 타이밍도와 함께 자세히 설명하기로 한다.
상기 화소구동부(10)는 기본적으로 2개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되지만, 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 편차를 해결하기 위하여 보상회로를 형성하여 문턱전압의 편차를 제거한 회로를 이용하여 설명하기로 한다.
즉, 도 3에 도시된 화소구동부(10)는 앞서 설명한 바와 같이 4개의 트랜지스터(M1, M2, M3, M4)와 2개의 커패시터(Cst, Cvth)를 가진다.
구동 트랜지스터(M1)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 발광제어 트랜지스 터(M5) 사이에 연결되고, 노드 N2에 연결된 게이트 단자에 인가된 전압과 상기 전원전압 ELVDD의 전압 차에 해당하는 구동전류를 출력한다.
문턱전압보상 트랜지스터(M2)는 상기 구동 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결되고, 상기 이전 주사라인 SCAN[n-1]으로부터의 주사신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터(M1)를 다이오드 연결시킨다. 따라서, 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압은 상기 제 2 커패시터(Cvth)에 저장된다.
스위칭 트랜지스터(M3)는 데이터라인 DATA[m]과 노드 N1 사이에 연결되고, 상기 현재 주사라인 SCAN[n]으로 부터의 주사신호에 응답하여 데이터신호를 노드 N1으로 전달한다.
전원전압인가 트랜지스터(M4)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 노드 N1 사이에 연결되고, 상기 이전 주사라인 SCAN[n-1]으로부터의 주사신호에 응답하여 전원전압 ELVDD을 상기 노드 N1으로 인가한다.
제 1 커패시터(Cst)는 상기 전원전압라인 ELVDD과 상기 노드 N1사이에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터(M3)로부터 전달되는 데이터전압을 저장한다.
제 2 커패시터(Cvth)는 상기 제 1 커패시터(Cst)와 상기 구동 트랜지스터(M1)의 게이트 단자 사이에 연결되고, 상기 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압(Vth)을 일정시간 저장한다.
도 3에서는 상기 모든 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS(P-Type Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 사용하였지만, 당업자의 수준에서 NMOS 트랜지스터로 화소회로를 설계할 수 있음은 자명하다.
따라서, 제 1 실시예에 따르면, 종래의 화소에서 발광제어라인 EMI[n]을 제거함으로써, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다. 즉, 배면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 개구율을 증대시킬 수 있으며, 전면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 하부 개구율을 증대에 따른 하부 커패시터의 사이즈를 증가시킬 수 있어 안정한 회로 구성이 가능하다.
실시예 2
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계발광 표시장치의 화소회로를 나타낸 회로도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예는 상기 도 3에서 설명한 제 1 실시예와 화소구동부(10) 및 유기 EL 소자 OLED는 동일하다. 따라서, 화소구동부(10)와 유기 EL 소자 OLED의 설명은 상기 도 3의 설명을 대신하여 생략하기로 한다.
다만, 본 발명의 제 2 실시예는 상기 도 3의 제 2 실시예와 다르게 상기 화소구동부(10)와 유기 EL 소자 OLED 사이에 형성된 다이오드(M5")가 게이트 단자와 드레인 단자를 연결 NMOS 트랜지스터를 이용한 것이다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예 또한 종래의 화소에서 발광제어라인 EMI[n]을 제거함으로써, 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 화소의 동작을 설명하기로 한다.
도 5는 도 3 및 도 4에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 화소 의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 이전 주사신호 SCAN[n-1]과 현재 주사신호 SCAN[n]이 순차적으로 로우레벨로 변환한다. 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따르면, 기준전압 ELVSS[n]은 상기 이전 주사신호 SCAN[n-1]과 현재 주사신호 SCAN[n]이 로우레벨인 동안 하이레벨을 유지하고 있다.
먼저, 이전 주사신호 SCAN[n-1]이 로우레벨이고, 현재 주사신호 SCAN[n]과 기준전압 ELVSS[n]이 하이레벨이면, 도 3 및 도 4의 화소에서 문턱전압보상 트랜지스터(M2)와 전원전압인가 트랜지스터(M4)가 턴-온 된다. 따라서, 노드 N1에는 전원전압 ELVDD가 인가되고, 노드 N2에는 상기 구동 트랜지스터(M1)가 다이오드 연결됨으로써, 전원전압 ELVDD과 문터전압 Vth의 차에 해당하는 전압 ELVDD-｜Vth｜이 인가된다. 결국, 제 2 커패시터(Cvth)는 구동 트랜지스터(M1)의 문턱전압 Vth에 해당하는 전압이 저장된다. 그러나, 기준전압 ELVSS[n]이 하이레벨이기 때문에 다이오드 연결된 트랜지스터(M5' 또는 M5")는 역바이어스가 걸려 전류를 통과시키지 못한다.
다음, 이전 주사신호 SCAN[n-1]이 하이레벨이고, 현재 주사신호 SCAN[n]이 로우레벨이며, 기준전압 ELVSS[n]이 하이레벨이면, 스위칭 트랜지스터(M3)는 턴-온되고, 문턱전압보상 트랜지스터(M2)와 전원전압인가 트랜지스터(M4)는 턴-오프된다. 따라서, 데이터신호 DATA[m]이 노드 N1으로 인가된다. 이때, 문턱전압 Vth을 유지하려는 제 2 커패시터(Cvth)의 특성 때문에 노드 N2의 전압은 ELVDD-｜Vth｜-△V로 변한다. 여기서, 변동전압 △V는 ELVDD-DATA[m]이다. 따라서, 노드 N2의 전 압은 ELVDD-｜Vth｜-(ELVDD-DATA[m])가 된다. 이 구간에서도 기준전압 ELVSS[n]이 하이레벨이기 때문에 다이오드 연결된 트랜지스터(M5' 또는 M5")는 역바이어스가 걸려 전류를 통과시키지 못한다.
마지막으로, 이전 주사신호 SCAN[n-1]과 현재 주사신호 SCAN[n]이 하이레벨이고, 기준전압 ELVSS[n]이 로우레벨이면, 다이오드 연결된 트랜지스터(M5' 또는 M5")는 턴-온되어, 상기 구동 트랜지스터(M1)에서 생성되는 구동전류(IOLED)를 상기 유기 EL 소자 OLED로 공급한다. 이때, 상기 구동전류(IOLED)의 값은 상술한 종래의 화소회로와 같이 [수학식 1]로 정의되며 문턱전압이 보상된 구동전류가 공급되어 문턱전압 편차에 따른 휘도 불균일을 해결할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서는 발광제어라인 EMI[n]을 제거하였기 때문에 화소의 개구율을 향상시킬 수 있다. 즉, 배면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 개구율을 증대시킬 수 있으며, 전면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 하부 개구율을 증대에 따른 하부 커패시터의 사이즈를 증가시킬 수 있어 안정한 회로 구성이 가능하다.
본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서는 트랜지스터(NMOS 또는 PMOS)의 게이트와 드레인 단자를 연결하여 다이오드를 설계하였지만, 단순한 다이오드를 이용할 수도 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영 역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 유기 EL 소자에 흐르는 구동전류가 구동 트랜지스터의 문턱 전압에 영향을 받지 않으므로, 화소 회로 간 존재하는 구동 트랜지스터의 문턱 전압의 편차를 보상할 수 있을 뿐 아니라, 발광제어라인을 제거하여 개구율을 향상할 수 있다.
결국, 배면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 개구율을 증대시킬 수 있으며, 전면 발광형의 유기 전계발광 표시장치의 경우 하부 개구율을 증대에 따른 하부 커패시터의 사이즈를 증가시킬 수 있어 안정한 회로 구성이 가능하다.

Claims (9)

  1. 기준전압라인에 캐소드 전극이 연결되고, 애노드 전극으로 공급되는 구동전류에 따라 소정의 휘도로 발광하는 유기 EL 소자;
    데이터라인, 이전 주사라인, 현재 주사라인 및 전원전압라인에 연결되고, 상기 데이터라인에서 인가되는 데이터전압에 상응하는 상기 구동전류를 상기 유기 EL 소자로 인가하는 화소구동부; 및
    상기 화소구동부와 상기 유기 EL 소자 사이에 연결되고, 상기 기준전압의 레벨상태의 변화에 따라 상기 구동전류를 흐르게 하거나 차단하는 다이오드;를 포함하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이오드는 다이오드 연결된 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이오드는 다이오드 연결된 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소구동부는,
    상기 전원전압라인과 상기 다이오드의 애노드 전극 사이에 연결되고, 게이트 단자에 인가되는 전압에 따라 상기 구동전류를 출력하는 구동 트랜지스터;
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 단자와 드레인 단자 사이에 연결되고, 게이트 단자에 연결된 상기 이전 주사라인의 주사신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 문턱전압보상 트랜지스터;
    상기 데이터라인과 노드에 연결되고, 게이트 단자에 연결된 상기 현재 주사라인의 주사신호에 응답하여 데이터전압을 전달하는 스위칭 트랜지스터;
    상기 전원전압라인과 상기 노드 사이에 연결되고, 게이트 단자에 연결된 상기 이전 주사라인의 주사신호에 응답하여 상기 전원전압을 상기 노드로 전달하는 전원전압인가 트랜지스터;
    상기 전원전압라인과 상기 노드 사이에 연결되고, 상기 데이터 전압을 저장하는 제 1 커패시터; 및
    상기 제 1 커패시터와 상기 구동 트랜지스터의 게이트 단자 사이에 연결되고, 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 저장하는 제 2 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 화소구동부의 트랜지스터들은 PMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기준전압은 상기 이전 및 현재 주사라인으로부터 순차적으로 로우레벨의 주사신호가 인가되는 동안 하이레벨의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 로우레벨의 이전 주사신호가 상기 화소구동부로 공급되는 동안 상기 다이오드는 오프되어 상기 구동전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 로우레벨의 현재 주사신호가 상기 화소구동부로 공급되는 동안 상기 다 이오드는 오프되어 상기 구동전류를 차단하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이전 및 현재 주사신호가 하이레벨이되면, 상기 다이오드는 온되어 상기 구동전류를 상기 유기 EL 소자로 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 표시장치의 화소 회로.
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