CN107808636B - 一种像素驱动电路及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种像素驱动电路及液晶显示装置，该电路包括：数据写入开关管(T1)、第一复位开关管(T2)、第二复位开关管(T3)、驱动晶体管(T4)、有机发光二极管OLED、以及第一存储电容(C1)和第二存储电容(C2)。实施本发明实施例，可以补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移，提升显示品质。

Description

一种像素驱动电路及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及液晶显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示装置具有低功耗、高色域、高亮度、高分辨率、宽视角、高响应速度等优点。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(passive matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(active matrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(integratedcircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即采用两个薄膜晶体管加一个电容的结构将电压变换为电流。
传统用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对薄膜晶体管的阈值电压和沟道迁移率、有机发光二极管的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程都很敏感。驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致有机发光二极管的发光不稳定，引起像素驱动电路的亮度差异，降低显示品质。
发明内容
本发明实施例提供一种像素驱动电路及液晶显示装置，可以补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移，提升显示品质。
第一方面，本发明实施例提供了一种像素驱动电路，该电路包括数据写入开关管(T1)、第一复位开关管(T2)、第二复位开关管(T3)、驱动晶体管(T4)、有机发光二极管OLED、以及第一存储电容(C1)和第二存储电容(C2)；
该数据写入开关管(T1)的源极接数据线(Data)，该数据写入开关管(T1)的漏极接第一节点(A)；
该第一复位开关管(T2)的源极接第一参考电压(Vref1)，该第一复位开关管(T2)的漏极接第二节点(B)；
该第二复位开关管(T3)的源极接高电平(SW)，该第二复位开关管(T3)的漏极接第三节点(C)；
该驱动晶体管(T4)的栅极接该第一节点(A)，该驱动晶体管(T5)的源极接该第三节点(C)，该驱动晶体管(T5)的漏极接该有机发光二极管的正极；
该第一存储电容(C1)的第一端接该第三节点(C)，该第一存储电容(C1)的第二端接该第二节点(B)；
该第二存储电容(C2)的第一端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C1)的第二端接该第一节点(A)。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，该电路还包括：该第一复位开关管(T2)和该数据写入开关管(T1)的栅极均接扫描控制线(Scan)，该第二复位开关管(T3)的栅极接第一控制信号(S1)，该数据线(Data)用于在该数据写入开关管(T1)，该第一复位开关管(T2)和该第二复位开关管(T3)导通时，写入数据电压(Vdata)，以使该第二存储电容(C2)存储该数据电压(Vdata)。
结合第一方面，或者在第一方面的上述任一可能的实现方式中，在第一方面的第二种可能的实现方式中，该电路还包括：补偿开关管(T5)，该补偿开关管(T5)的源极接第二参考电压(Vref2)，该补偿开关管(T5)的栅极接第二控制信号(S2)，该补偿开关管(T5)的漏极接该驱动晶体管(T4)的漏极和该有机发光二极管的正极；该第二存储电容(C2)存储该数据电压(Vdata)之后，该第一存储电容(C1)用于在该数据写入开关管(T1)，该第一复位开关管(T2)和该补偿开关管(T5)导通时，存储该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)。
结合第一方面，或者在第一方面的上述任一可能的实现方式中，在第一方面的第三种可能的实现方式中，该电路还包括：第一控制开关管(T6)，第二控制开关管(T7)和第三控制开关管(T8)，该第一控制开关管(T6)的源极接电源电压(Vdd)，该第一控制开关管(T6)的栅极接第三控制信号(S3)，该第一控制开关管(T6)的漏极接该驱动晶体管(T4)的源极；
该第二控制开关管(T7)的源极接该驱动晶体管(T4)的漏极和该补偿开关管(T5)的漏极，该第二控制开关管(T7)的栅极接该第三控制信号(S3)，该第二控制开关管(T7)的漏极接该有机发光二极管的正极；
该第三控制开关管(T8)的源极接该第二节点(B)，该第三控制开关管(T8)的栅极接第四控制信号(S4)，该第三控制开关管(T8)的漏极接该第一节点(A)；
该第一存储电容(C1)存储该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)之后，该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)同时处于导通状态，以使该有机发光二极管OLED发光。
第二方面，本发明实施例提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括上述第一方面或者第一方面的任一可能的实现方式所描述的像素驱动电路。
在本发明实施例中，由于该第一存储电容(C1)的第一端接该第三节点(C)，该第一存储电容(C1)的第二端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C2)的第一端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C1)的第二端接该第一节点(A)，所以可以把驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)先储存在第一存储电容(C1)中，由有机发光二极管OLED的饱和电流公式可以得出，流经有机发光二极管OLED的电流由第一参考电压(Vref1)和数据电压(Vdata)控制，从而使得流经该有机发光二极管OLED的电流不再受驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的影响，可以补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移，从而提高OLED显示画面的均一性，提升显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的复位和数据写入阶段的等效电路图；
图3是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的补偿阶段的等效电路图；
图4是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的发光阶段的等效电路图；
图5是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的驱动时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。如在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
如在本说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当…时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。
参见图1，是本发明实施例提供一种像素驱动电路图，该电路包括数据写入开关管(T1)、第一复位开关管(T2)、第二复位开关管(T3)、驱动晶体管(T4)、有机发光二极管OLED、以及第一存储电容(C1)和第二存储电容(C2)。
该数据写入开关管(T1)的源极接数据线(Data)，该数据写入开关管(T1)的漏极接第一节点(A)。
该第一复位开关管(T2)的源极接第一参考电压(Vref1)，该第一复位开关管(T2)的漏极接第二节点(B)。
该第二复位开关管(T3)的源极接高电平(SW)，该第二复位开关管(T3)的漏极接第三节点(C)。
该驱动晶体管(T4)的栅极接该第一节点(A)，该驱动晶体管(T5)的源极接该第三节点(C)，该驱动晶体管(T5)的漏极接该有机发光二极管的正极。
该第一存储电容(C1)的第一端接该第三节点(C)，该第一存储电容(C1)的第二端接该第二节点(B)。该第一存储电容(C1)有两端，该第一存储电容(C1)的一端称为第一端，该第一存储电容(C1)的另一端称为第二端。
该第二存储电容(C2)的第一端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C1)的第二端接该第一节点(A)。该第二存储电容(C1)有两端，该第二存储电容(C1)的一端称为第一端，该第二存储电容(C1)的另一端称为第二端。
其中，该电路还包括：该第一复位开关管(T2)和该数据写入开关管(T1)的栅极均接扫描控制线(Scan)，该第二复位开关管(T3)的栅极接第一控制信号(S1)。首先，该数据线(Data)用于在该数据写入开关管(T1)，该第一复位开关管(T2)和该第二复位开关管(T3)导通时，写入数据电压(Vdata)，以使该第二存储电容(C2)存储该数据电压(Vdata)。接下来，在驱动晶体管(T4)的漏极和该有机发光二极管OLED的正极之间输入第二参考电压(Vref2)，使得第三节点(C)的电位(VC)等于数据电压(Vdata)减去驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)的电压差，从而将该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)存储在该第一存储电容(C1)中。最后，在第三节点(C)处输入电源电压(Vdd)，短接该第二存储电容(C2)，使得第一节点(A)的电位(VA)如公式1-1所示：
VA＝Vdd-Vdata+Vth+Vref1 1-1
将公式1-1代入有机发光二极管OLED的饱和电流公式，可以得到公式1-2：
IOLED＝K(Vref1-Vdata)2 1-2
由公式1-2可以知道，有机发光二极管OLED的饱和电流不再受驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)的影响，从而实现了该像素补偿电路对电流的补偿，消除了Vth的影响。
可选的，该电路还可以包括：补偿开关管(T5)，该补偿开关管(T5)的源极接第二参考电压(Vref2)，该补偿开关管(T5)的栅极接第二控制信号(S2)，该补偿开关管(T5)的漏极接该驱动晶体管(T4)的漏极和该有机发光二极管的正极。
该第二存储电容(C2)存储该数据电压(Vdata)之后，该第一存储电容(C1)用于在该数据写入开关管(T1)，该第一复位开关管(T2)和该补偿开关管(T5)导通时，存储该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)。
由于补偿开关管(T5)的接入，可以通过时序控制器TCON设置第二控制信号(S2)的电平从而控制第二参考电压(Vref2)的接入，相比于人工在驱动晶体管(T4)的漏极和该有机发光二极管OLED的正极之间输入第二参考电压(Vref2)的方式，提升了操作的便利性。
可选的，该电路还可以包括：第一控制开关管(T6)，第二控制开关管(T7)和第三控制开关管(T8)，该第一控制开关管(T6)的源极接电源电压(Vdd)，该第一控制开关管(T6)的栅极接第三控制信号(S3)，该第一控制开关管(T6)的漏极接该驱动晶体管(T4)的源极。该第二控制开关管(T7)的源极接该驱动晶体管(T4)的漏极和该补偿开关管(T5)的漏极，该第二控制开关管(T7)的栅极接该第三控制信号(S3)，该第二控制开关管(T7)的漏极接该有机发光二极管的正极。该第三控制开关管(T8)的源极接该第二节点(B)，该第三控制开关管(T8)的栅极接第四控制信号(S4)，该第三控制开关管(T8)的漏极接该第一节点(A)。
该第一存储电容(C1)存储该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)之后，该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)同时处于导通状态，以使该有机发光二极管OLED发光。
该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)同时处于导通状态之前，该第二控制开关管(T7)处于关闭状态，以使该有机发光二极管OLED中不存在电流通过，从而避免了由于漏电引起的有机发光二极管OLED的偷亮问题。
具体地，有机发光二极管OLED可以是AMOLED，也可以是其他类型的发光器件。具体地，该第一控制信号(S1)、该第二控制信号(S2)，该第三控制信号(S3)和该第四控制信号(S4)由时序控制器TCON提供。该第一参考电压(Vref1)和第二参考电压(Vref2)为预设的恒定电压，该第一参考电压(Vref1)大于数据线(Vdata)写入的数据电压，以便该有机发光二极管可以正常发光。可选的，预设第一参考电压(Vref1)时，设置的第一参考电压(Vref1)比数据线(Vdata)写入的数据电压大。可选的，若需要得到可调节范围较大的数据电压时，可增大该第一参考电压(Vref1)。
其中，该数据写入开关管(T1)、该第一复位开关管(T2)、该第二复位开关管(T3)、该补偿开关管(T4)、该第一控制开关管(T5)、该第二控制开关管(T6)，该第三控制开关管(T7)和该驱动晶体管(T8)均属于多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化锌基薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的一种。需要理解的是，该数据写入开关管(T1)、该第一复位开关管(T2)、该第二复位开关管(T3)、该补偿开关管(T4)、该第一控制开关管(T5)、该第二控制开关管(T6)，该第三控制开关管(T7)和该驱动晶体管(T8)可以属于相同的晶体管类型，也可以属于不同的晶体管类型，例如，这些开关管均为有机薄膜晶体管；再如，数据写入开关管(T1)为多晶硅薄膜晶体管，该第一复位开关管(T2)为非晶硅薄膜晶体管，该第二复位开关管(T3)为氧化锌基薄膜晶体管，该补偿开关管(T4)为有机薄膜晶体管，该第一控制开关管(T5)为有机薄膜晶体管，该第二控制开关管(T6)为多晶硅薄膜晶体管，该第三控制开关管(T7)为有机薄膜晶体管，该驱动晶体管(T8)为多晶硅晶体管。
该像素驱动电路有三个工作阶段：复位和数据写入阶段、补偿阶段和发光阶段。接下来将对这三个阶段进行描述。
复位和数据写入阶段是将该第一控制信号(S1)和该扫描信号(Scan)置于低电平，该第二控制信号(S2)，该第三控制信号(S3)和该第四控制信号(S4)置于高电平。因此，该数据写入开关管(T1)、该第一复位开关管(T2)、该第二复位开关管(T3)为导通状态；该补偿开关管(T5)、该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)为关闭状态；驱动晶体管(T4)的栅极处的电压等于数据线(Data)写入的数据电压(Vdata)。
参见图2，是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的复位和数据写入阶段的等效电路的结构示意图。如图2所示，第一参考电压(Vref1)和高电平(SW)输入该像素驱动电路，该第一存储电容(C1)释放自身存储的电荷，避免上一阶段发光过程残余的电荷干扰本次发光过程。数据线(Data)通过数据写入开关管(T1)写入数据电压(Vdata)，驱动晶体管(T4)的栅极处的电压等于该数据电压(Vdata)，即第一节点(A)处的电位(VA)如公式1-3所示：
VA＝Vdata 1-3
从公式1-3中得出，该数据电压(Vdata)存储在第二存储电容(C2)中。
补偿阶段是将该扫描信号(Scan)和第二控制信号(S2)置于低电平，该第一控制信号(S1)，第三控制信号(S3)和第四控制信号(S4)置于高电平。因此，该数据写入开关管(T1)，该第一复位开关管(T2)和补偿开关管(T5)为导通状态；该第二复位开关管(T3)、该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)为关闭状态；当第三节点(C)处的电位等于数据电压(Vdata)减去驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)的电位时，驱动晶体管(T4)处于关闭状态。
参见图3，是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的补偿阶段的等效电路的结构示意图。如图3所示，第一存储电容(C1)通过驱动晶体管(T4)和补偿开关管(T5)释放电荷，释放完毕后，第三节点(C)处的电位(VC)为：
VC＝Vdata-Vth 1-4
因此，该驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)存储在该第一存储电容(C1)中。
发光阶段是将该第三控制信号(S3)和该第四控制信号(S4)置于低电平，该第一控制信号(S1)，第二控制信号(S2)和该扫描信号(Scan)置于高电平。因此，该第一控制开关管(T6)，第二控制开关管(T7)和第三控制开关管(T8)为导通状态；该数据写入开关管(T1)、第一复位开关管(T2)，第二复位开关管(T3)和补偿开关管(T5)为关闭状态；驱动晶体管(T4)的栅源电压(Vgs)驱动有机发光二极管OLED发光，在发光阶段，驱动晶体管(T4)的栅源电压(Vgs)保持不变，直到下一帧图像刷新。
该第一控制开关管(T6)，该第二控制开关管(T7)和该第三控制开关管(T8)同时处于导通状态之前，该第二控制开关管(T7)处于关闭状态，以使该有机发光二极管OLED中不存在电流通过，从而避免了由于漏电引起的有机发光二极管OLED的偷亮问题。
参见图4，是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的发光阶段的等效电路的结构示意图。如图4所示，电源电压(Vdd)通过该第一控制开关管(T6)写入该电路，该有机发光二极管OLED通过该第二控制开关管(T7)与该电路连通，第三节点(C)的电位(VC)突变为：
VC＝Vdd 1-5
由于第三控制开关管(T8)为导通状态，该第二存储电容(C2)被短接，从而使得第一节点(A)的电位(VA)突变为：
VA＝Vref1 1-6
因为第一节点(A)和第三节点(C)的电位变化值相等，从而有：
VA-Vref1＝Vdd-(Vd a ta-Vth) 1-7
即第一节点(A)的电位(VA)可以表示为：
VA＝Vdd-Vdata+Vth+Vref1 1-8
从而，驱动晶体管(T4)的栅极电压(Vs)为：
Vs＝VA＝Vdd-Vdata+Vth+Vref1 1-9
驱动晶体管(T4)的源极电压(Vg)为：
Vg＝VC＝Vdd 1-10
驱动晶体管(T4)的栅源电压(Vgs)为：
Vgs＝Vg-Vs＝Vref1-Vdata+Vth 1-11
通过有机发光二极管OLED的饱和电流为：
IOLED＝K(Vgs-Vth)2 1-12
其中，K为与驱动晶体管(T4)相关的参数，Vgs为驱动晶体管(T4)的栅源电压，Vth为驱动晶体管(T4)的阈值电压，将公式1-11代入公式1-12，可以得到公式1-13：
IOLED＝K(Vref1-Vdata)2 1-13
由公式1-13可以知道，在发光阶段，有机发光二极管OLED的饱和电流不再受驱动晶体管(T6)的阈值电压(Vth)的影响，从而实现了该像素补偿电路对电流的补偿，消除了Vth的影响。并且，该公式中没有电源电压(Vdd)，从而消除了电源电压(Vdd)对该像素补偿电路的影响，避免了电压降(IR-drop)的问题。
在图1所示的像素驱动电路中，由于该第一存储电容(C1)的第一端接该第三节点(C)，该第一存储电容(C1)的第二端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C2)的第一端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C1)的第二端接该第一节点(A)，所以可以把驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)先储存在第一存储电容(C1)中，由有机发光二极管OLED的饱和电流公式可以得出，流经有机发光二极管OLED的电流由第一参考电压(Vref1)和数据电压(Vdata)控制，从而使得流经该有机发光二极管OLED的电流不再受驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的影响，可以补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移，从而提高OLED显示画面的均一性，提升显示品质。
参见图5，是本发明实施例提供的一种像素驱动电路的驱动时序图。图5中的扫描信号(Scan)所连接的数据写入开关管(T1)和第一复位开关管(T2)，第一控制信号(S1)所连接的第二复位开关管(T2)，第二控制信号(S2)所连接的补偿开关管(T5)，第三控制信号(S3)所连接的第一控制开关管(T6)和第三控制开关管(T7)，第四控制信号(S4)所连接的第三控制开关管(T8)均为低电平有效的开关管，即当这些信号为低电平时，这些信号所连接的开关管处于导通状态。
需要理解的是，这些信号所连接的开关管也可以为高电平有效的开关管；这些信号所连接的开关管也可以分别为不同类型电平有效的开关管，例如，数据写入开关管(T1)和第一复位开关管(T2)为高电平有效的开关管，第二复位开关管(T2)为低电平有效的开关管，补偿开关管(T5)为高电平有效的开关管，第一控制开关管(T6)和第三控制开关管(T7)为低电平有效的开关管，第三控制开关管(T8)为低电平有效的开关管，但连接于同一信号的开关管必须为同种类型电平有效的开关管，例如，连接于扫描信号(Scan)的数据写入开关管(T1)和第一复位开关管(T2)必须为同种类型电平有效的开关管。
如图5所示：在复位和数据写入阶段，扫描信号(Scan)和第一控制信号(S1)为有效电平，第二控制信号(S2)，第三控制信号(S3)和第四控制信号(S4)为无效电平；在补偿阶段，扫描信号(Scan)和第二控制信号(S2)为有效电平，第一控制信号(S1)，第三控制信号(S3)和第四控制信号(S4)为无效电平；在发光阶段，第三控制信号(S3)和第四控制信号(S4)为有效电平，第一控制信号(S1)，第一控制信号(S2)和扫描信号(Scan)为无效电平。驱动时序的工作过程可参考图1所描述的像素驱动电路的工作过程，这里不再赘述。
在图5所示的像素驱动电路时序图中，由于该第一存储电容(C1)的第一端接该第三节点(C)，该第一存储电容(C1)的第二端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C2)的第一端接该第二节点(B)，该第二存储电容(C1)的第二端接该第一节点(A)，所以可以把驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)先储存在第一存储电容(C1)中，由有机发光二极管OLED的饱和电流公式可以得出，流经有机发光二极管OLED的电流由第一参考电压(Vref1)和数据电压(Vdata)控制，从而使得流经该有机发光二极管OLED的电流不再受驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)的影响，可以补偿驱动薄膜晶体管阈值电压的漂移，从而提高OLED显示画面的均一性，提升显示品质。
在本发明的另一实施例中提供一种液晶显示装置，该显示装置包含图1所示方法实施例所描述的像素驱动电路。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，但所述较佳实施例并非用以限制本发明，该领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述电路包括数据写入开关管(T1)、第一复位开关管(T2)、第二复位开关管(T3)、驱动晶体管(T4)、有机发光二极管OLED、以及第一存储电容(C1)和第二存储电容(C2)；
所述数据写入开关管(T1)的源极接数据线(Data)，所述数据写入开关管(T1)的漏极接第一节点(A)；
所述第一复位开关管(T2)的源极接第一参考电压(Vref1)，所述第一复位开关管(T2)的漏极接第二节点(B)；
所述第二复位开关管(T3)的源极接高电平(SW)，所述第二复位开关管(T3)的漏极接第三节点(C)；
所述驱动晶体管(T4)的栅极接所述第一节点(A)，所述驱动晶体管(T5)的源极接所述第三节点(C)，所述驱动晶体管(T5)的漏极接所述有机发光二极管的正极；
所述第一存储电容(C1)的第一端接所述第三节点(C)，所述第一存储电容(C1)的第二端接所述第二节点(B)；
所述第二存储电容(C2)的第一端接所述第二节点(B)，所述第二存储电容(C1)的第二端接所述第一节点(A)；
其中，所述第一复位开关管(T2)和所述数据写入开关管(T1)的栅极均接扫描控制线(Scan)，所述第二复位开关管(T3)的栅极接第一控制信号(S1)，所述数据线(Data)用于在所述数据写入开关管(T1)，所述第一复位开关管(T2)和所述第二复位开关管(T3)导通时，写入数据电压(Vdata)，以使所述第二存储电容(C2)存储所述数据电压(Vdata)；
所述电路还包括第一控制开关管(T6)，第二控制开关管(T7)和第三控制开关管(T8)，所述第一控制开关管(T6)的源极接电源电压(Vdd)，所述第一控制开关管(T6)的栅极接第三控制信号(S3)，所述第一控制开关管(T6)的漏极接所述驱动晶体管(T4)的源极；
所述第二控制开关管(T7)的源极接所述驱动晶体管(T4)的漏极和所述补偿开关管(T5)的漏极，所述第二控制开关管(T7)的栅极接所述第三控制信号(S3)，所述第二控制开关管(T7)的漏极接所述有机发光二极管的正极；
所述第三控制开关管(T8)的源极接所述第二节点(B)，所述第三控制开关管(T8)的栅极接第四控制信号(S4)，所述第三控制开关管(T8)的漏极接所述第一节点(A)；
所述第一存储电容(C1)存储所述驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)之后，所述第一控制开关管(T6)，所述第二控制开关管(T7)和所述第三控制开关管(T8)同时处于导通状态，以使所述有机发光二极管OLED发光。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括补偿开关管(T5)，所述补偿开关管(T5)的源极接第二参考电压(Vref2)，所述补偿开关管(T5)的栅极接第二控制信号(S2)，所述补偿开关管(T5)的漏极接所述驱动晶体管(T4)的漏极和所述有机发光二极管的正极；所述第二存储电容(C2)存储所述数据电压(Vdata)之后，所述第一存储电容(C1)用于在所述数据写入开关管(T1)，所述第一复位开关管(T2)和所述补偿开关管(T5)导通时，存储所述驱动晶体管(T4)的阈值电压(Vth)。
3.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一控制开关管(T6)，所述第二控制开关管(T7)和所述第三控制开关管(T8)同时处于导通状态之前，所述第二控制开关管(T7)处于关闭状态，以使所述有机发光二极管OLED中不存在电流通过。
4.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一参考电压(Vref1)大于所述数据电压(Vdata)。
5.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述数据写入开关管(T1)、所述第一复位开关管(T2)、所述第二复位开关管(T3)、所述驱动晶体管(T4)、所述补偿开关管(T5)、所述第一控制开关管(T6)，所述第二控制开关管(T7)和所述第三控制开关管(T8)均属于多晶硅薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、氧化锌基薄膜晶体管和有机薄膜晶体管中的一种。
6.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一控制信号(S1)、所述第二控制信号(S2)，所述第三控制信号(S3)和所述第四控制信号(S4)由时序控制器TCON提供。
7.根据权利要求1或2所述的电路，其特征在于，所述第一参考电压(Vref1)和第二参考电压(Vref2)为预设的恒定电压。
8.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包含如权利要求1-7任一项所述的像素驱动电路。
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