KR20070029006A - 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 종래 배면 노광을 이용하여 홀 내부에 탄소 나노튜브 에미터를 형성하는 노멀 게이트 구조의 3전극 전계방출소자 제조시 캐소드와 게이트 전극을 이격시키는 절연층으로 유전층을 사용하는 경우 배면 노광을 위해 적용되는 UV 차폐막과 상기 유전층이 유전층 소성시 반응하여 부산물 혹은 산화물을 발생시키므로 홀 형성을 위한 식각 공정을 방해하여 형성되는 홀의 품질을 낮추며 이로인해 발광 효율과 균일성이 저해되는 문제점이 있으며, 유전층과 상부 게이트 전극층의 접합성이 낮아 좋지 않은 계면 효과가 발생할 수 있는 문제점이 있었다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 UV 차폐막과 유전층 사이에 절연층으로 동작하며 상기 두 층 사이의 반응을 방지하기 위한 제 1산화막과, 상기 유전층과 게이트 전극 사이의 접합성을 높이기 위한 제 2산화막을 더 형성하도록 함으로써, 두껍게 형성되어야 하는 유전층을 인쇄법과 같은 간단한 공정으로 실시하고, 그로 인해 발생 되는 상기 유전층과 인접층들간의 문제점을 비교적 간단한 산화막 형성을 통해 해결할 수 있어 고품질 전계방출 홀을 형성할 수 있고, 그로인해 발광 효율 및 균일성을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Description

탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법{CARBON NANOTUBE FIELD EMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 종래 탄소 나노튜브 에미터를 배면 노광 방식으로 형성한 노멀구조 3전극 전계방출소자의 단면도.

도 2는 본 발명 일 실시예의 전계 방출소자 단면도.

도 3a 내지 도 3e는 본 발명 일 실시예의 제조 과정을 보인 수순 단면도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

10: 투명기판 20: 투명 캐소드 전극

30: UV 차폐층 40: 제 1산화막

50: 절연층 60: 제 2산화막

70: 게이트 전극 80: 탄소 나노튜브

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 배면 노광 방식으로 탄소 나노튜브 에미터를 홀 내부에 형성하는 노멀(normal) 구조 3전극 전계방출소자에서 UV차폐층과 절연층 간 반응에 의한 부산물 생성을 방지하 고 절연층과 게이트 메탈층의 접착성을 높여 계면효과를 줄이도록 산화층을 더 적용한 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

정보통신 기술의 급속한 발달과 다양화되는 정보의 시각화 요구에 따라 전자 디스플레이의 수요는 더욱 증가하고, 요구되는 디스플레이의 모습 또한 다양해 지고 있다. 그 예로 휴대형 정보기기와 같이 이동성이 강조되는 환경에서는 무게, 부피 및 소비전력이 작은 디스플레이가 요구되며, 대중을 위한 정보 전달매체로 사용되는 경우에는 시야각이 넓은 대화면의 디스플레이 특성이 요구된다. 또한, 이와 같은 요구를 만족시켜 나가기 위해 전자 디스플레이는 대형화, 저가격화, 고성능화, 고정세화, 박형화, 경량화 등의 조건이 필수적이어서, 기존의 CRT를 대체할 수 있는 가볍고 얇은 평판 디스플레이 장치의 개발이 절실히 필요하게 되었다. 이러한 다양한 표시 소자의 요구에 따라 최근에는 전계방출(field emission)을 이용한 소자가 디스플레이 분야에 적용되면서, 크기 및 전력 소모를 감소시키면서도 높은 해상도를 제공할 수 있는 박막 디스플레이의 개발이 활발해지고 있다.

상기 전계방출소자는 현재 개발 혹은 양산중인 평판 디스플레이들(LCD와 PDP, VFD등)의 단점을 모두 극복한 차세대 정보 통신용 평판 디스플레이로 주목을 받고 있다. 전계방출소자 디스플레이는 전극 구조가 간단하고, CRT와 같은 원리로 고속동작이 가능하며, 무한대의 칼라, 무한대의 그레이 스케일, 높은 휘도, 높은 비디오(video rate) 속도 등 디스플레이가 가져야 할 장점들을 고루 갖추고 있다.

전계방출 표시소자는 진공 속의 금속 또는 도체 표면(에미터)상에 고전계가 인가될 때 전자들이 금속 또는 도체로부터 진공 밖으로 나오는 양자역학적 터널링 현상을 이용한 것이다. 이 때 소자는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 법칙에 의하여 전류-전압 특성을 나타내게 된다. 전계방출 표시소자는 전자 방출 원인 에미터와 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 애노드 부, 상하판 사이를 지지하는 스패이서, 그리고 진공기밀을 유지하기 위한 실링부 등으로 구성되어 있다.

최근 들어 탄소 나노튜브가 비교적 낮은 진공도에서 전자방출특성이 우수한 이유로 인해 이를 이용한 전계방출소자의 중요성이 인식되고 있다. 탄소 나노튜브는 하나의 탄소원자가 3개의 다른 탄소와 결합되어 형성된 육각형 벌집 무늬의 구조가 둥굴게 말려 튜브 형태로 된 것으로서, 튜브의 직경이 수 내지 수백 나노미터 정도로 극히 작으며, 단일벽(single wall) 구조나 다중벽(multi-wall)구조 등으로 성장한다. 상기 단일벽 구조는 높은 종횡비를 가지므로 전자 방출 특성이 우수하나 열적으로 취약하여 수명이 짧으며, 다중벽 구조인 경우 그와 반대로 수명이 길지만 전자 방출 특성은 취약하다.

이와 같은 탄소 나노튜브는 감긴 형태 및 직경에 따라 금속과 같은 전기적 도체가 되기도 하며, 전기가 잘 통하지 않는 반도체의 성질을 갖기도 하며, 속이 비어 있고 길이가 길기 때문에 기계적, 전기적, 화학적 특성이 우수하여 전계방출소자의 에미터 소재로 사용되고 있다. 즉, 탄소 나노튜브는 작은 직경(약, 1.0∼ 수십[nm])을 갖기 때문에 종래의 마이크로팁형(spindt형) 전계방출 팁에 비해 전계강화효과(field enhancement factor)가 상당히 우수하여 전자방출이 낮은 임계 전계(turn-on field, 약 1∼5[V/㎛])에서 이루어질 수 있게 되므로, 전력손실 및 생산단가를 줄일 수 있게 된다.

이러한 탄소 나노튜브는 캐소드 전극 상에 페이스트 상태로 스크린 프린팅되어 형성되거나 화학 기상 증착으로 성장시키는 방법으로 형성될 수 있는데, 이 중에서 직접 성장시키는 방법은 구동 전압이 낮아 효율은 높지만 높이를 균일하게 제어하여 대형 패널에 적용하기 어렵다. 따라서, 대형 패널에 적용하기 쉽고 공정이 간단한 페이스트 상태의 탄소 나노튜브를 적용하는 방법이 많이 사용되고 있다.

종래 전계방출소자의 구조 중에서 페이스트 상태의 탄소 나노튜브를 적용하는 대표적인 구조로 다양한 평면형 구조들이 제안되었는데, 간단히 언더게이트 구조, 코플래너 구조, 카운터 전극 코플래너 구조등이 대표적이다. 이들은 각각 홀 형성 공정이 필요없는 간단한 공정을 통해 용이하게 대면적 전계방출소자 패널을 구현할 수 있다는 장점을 가지고 있으나, 높은 애노드 고전계에 의한 오발광이 발생하기 쉽고 전자빔의 집속 특성이 좋지 않다는 이유로 캐소드 전극이 홀의 하부에 위치하고 게이트 전극이 홀의 상부에 위치하며, 탄소 나노튜브는 홀 내부의 캐소드 전극 상에 배치되는 노멀(normal)게이트 3전극 구조가 다시 연구되고 있다. 이러한 노멀 게이트 구조에서, 높은 애노드 고전계의 영향을 방지하고 전자빔의 방출 특성을 높이기 위해서는 홀의 형태가 좁고 깊어야 하므로 탄소 나노튜브를 해당 홀 내부에 정확히 형성하기 어렵기 때문에 상기 탄소 나노튜브 페이스트를 감광성을 가지도록 형성한 후 후면에서 노광하는 것으로 원하는 탄소 나노튜브 에미터를 홀 내부에 형성할 수 있도록 하는 후면 노광 방식이 제안되었다.

도 1은 종래 후면 노광 방식으로 형성된 노멀 게이트 3전극 전계방출소자의 하판 단면도를 보인 것이다.

상기 도시된 구조는 투명한 유리 기판(1)과, 그 상부에 형성된 투명한 캐소드 전극(2), 그 상부에 형성되면서 배면 노광시 필요한 부분에만 광이 투과하도록 하며 저항층의 역할도 하는 UV 차폐막(3), 그리고, 홀을 형성하면서 형성되는 절연층(4) 및 게이트 전극(5), 그리고 상기 홀 내부의 투명한 캐소드 전극(2) 상에 형성되는 탄소 나노튜브 에미터(6)로 이루어진다.

상기 구조를 형성하는 방법은, 우선 유리기판(1) 상에 투명한 캐소드 전극(2)으로 ITO 전극을 형성한 후 적절히 전극 구조에 맞추어 패터닝하고, 그 상부에 불투명한 비정질 실리콘으로 UV 차폐막(3)을 형성한다. 그리고, 그 상부에 인쇄 방법으로 절연층(4)을 높이 형성하고 그 상부에 게이트 전극(5)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(5)과 절연층(4)을 식각하여 홀을 형성하고, UV 차폐막(3)을 식각하여 에미터가 형성될 위치를 정한다. 이후, 감광성 탄소 나노튜브 페이스트를 상기 홀에 도포한 후 배면 노광하여 노광된 부분의 탄소 나노튜브 페이스트만 잔류시켜 탄소 나노튜브 에미터(6)를 형성함으로써 하판 구조를 완성한다. 상기 감광성 탄소 나노튜브 페이스트는 감광성 비이클과 탄소계 전자방출물질의 혼합체로 점성을 가진 상태로 사용되며, 주로 자외선(UV) 조사를 받은 부분이 남게 되는 네가티브형이 사용된다.

상기 제조 방법을 보면, UV 차폐막(3)으로 사용되는 비정질 실리콘층 상에 인쇄법으로 유전체를 높게 형성함으로써 절연층(4)을 형성하게 되는데, 그 높이와 형성되는 홀의 크기에 따라 구동 전압과 빔 집속도가 결정된다. 또한, 상기 홀의 높이가 높고 폭이 좁을수록 애노드 고전계에 의한 영향이 줄어들고 셀의 크기도 줄 어들게 된다. 따라서, 상기 절연층(4)은 비교적 두껍게 형성되어야 하는데, 이를 유전체의 인쇄법이 아닌 산화막 증착법을 통해 형성하고자 한다면 공정을 여러번 반복해야만 원하는 두께를 얻을 수 있게 된다. 또한, 유전체를 높이 형성하는 공정은 여러 종류의 디스플레이 소자(예를 들어 PDP 등)에서 현재 사용되고 있는 것이므로 공정 장비나 조건등이 이미 확립되어 있어 실제 적용이 용이하며, 복수의 디스플레이를 생산하는 업체의 경우 하나의 장비를 공용으로 사용할 수 있는 장점도 있다.

그러나, 이렇게 유전체로 이루어진 절연층(4)을 UV 차폐막(3) 상부에 직접 형성하게 되면 유전층 소성시 상기 UV 차폐막(3)과 유전층 사이에서 반응과 산화가 발생하게 된다. 이는 홀 형성을 위한 식각 공정시 식각을 방해하는 잔류물이 되어 홀의 품질을 낮추고 그로 인해 발광 효율과 밝기 균일도가 저하되는 원인이 된다. 또한, 상기 유전층과 그 상부의 게이트 전극(5) 사이의 좋지 않은 계면 효과가 나타나고 접착성이 낮아지게 된다.

상기한 바와 같이 종래 배면 노광을 이용하여 홀 내부에 탄소 나노튜브 에미터를 형성하는 노멀 게이트 구조의 3전극 전계방출소자 제조시 캐소드와 게이트 전극을 이격시키는 절연층으로 유전층을 사용하는 경우 배면 노광을 위해 적용되는 UV 차폐막과 상기 유전층이 유전층 소성시 반응하여 부산물 혹은 산화물을 발생시키므로 홀 형성을 위한 식각 공정을 방해하여 형성되는 홀의 품질을 낮추며 이로인해 발광 효율과 균일성이 저해되는 문제점이 있으며, 유전층과 상부 게이트 전극층 의 접합성이 낮아 좋지 않은 계면 효과가 발생할 수 있는 문제점이 있었다.

상기한 바와 같은 종래의 문제점들을 해결하기 위한 본 발명은, UV 차폐막과 유전층 사이에 절연층으로 동작하며 상기 두 층 사이의 반응을 방지하기 위한 제 1산화막과, 상기 유전층과 게이트 전극 사이의 접합성을 높이기 위한 제 2산화막을 더 형성하도록 함으로써, 다용도로 사용할 수 있는 유전층 인쇄수단에 의해 용이하게 유전층을 높게 형성하고, 그로 인한 문제점은 산화막을 추가하는 것으로 해결하도록 한 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 바와같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명 캐소드 전극이 형성된 투명 기판과; 상기 투명 캐소드 전극 상부에 형성되어 상기 캐소드 전극의 일부를 노출시켜 배면 노광 영역을 정의하는 UV 차폐막과; 상기 UV 차폐막 상부에 차례로 형성되는 제 1산화막, 유전체, 제 2산화막으로 이루어진 절연층과; 상기 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극과; 상기 UV 차폐막이 배면 노광 영역으로 정의한 부분의 캐소드 전극이 노출되도록 상기 게이트 전극 및 절연층에 형성된 홀과; 상기 홀 내부의 캐소드 전극 상에 형성된 탄소 나노튜브 에미터를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제 1산화막 및 제 2산화막의 두께는 1㎛이하이며, 유전체를 포함한 전체 절연층의 두께는 10~25㎛인 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 투명 기판에 투명 전극으로 캐소드 전극을 형성한 후 그 상 부에 UV 차폐막을 형성하는 단계와; 상기 UV 차폐막 상부에 제 1산화막을 형성하고, 그 상부에 유전체를 인쇄법으로 형성한 후 그 상부에 제 2산화막을 형성하는 단계와; 상기 제 2산화막 상부에 게이트 금속 전극을 형성한 후 전계 방출 영역의 게이트 금속 전극, 제 2산화막, 유전체, 제 1산화막 및 UV 차폐막을 차례로 식각하여 홀을 형성하는 단계와; 상기 형성된 홀에 감광성 탄소 나노튜브 페이스트를 도포한 후 배면 노광하여 탄소 나노튜브 에미터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 제 1산화막 및 제 2산화막은 SiO₂를 증착하여 형성하는 것을 특징으로 한다.

상기한 바와같은 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명 일 실시예의 구조를 보인 단면도로서, 도시한 바와 같이 절연층으로 제 1산화막(40), 유전층(50), 제 2산화막(60)을 이용한다.

상기 구조를 보면, 배면 노광 기법을 사용하기 위하여 투명한 유리질 기판(10)과, 그 상부에 형성된 투명 캐소드 전극(20)과, 그 상부에 형성된 UV 차폐막(30)과, 그 상부에 형성되어 상기 UV 차폐막(30)과 후속층 간의 반응을 방지하는 제 1산화막(40)과, 그 상부에 용이한 공정으로 범용적인 장비를 통해 용이하게 형성되는 두꺼운 유전층(50)과, 상기 유전층(50) 상부에 형성되어 후속하는 금속층과의 접합성을 높이는 제 2산화막(60)과, 그 상부에 형성되는 게이트 전극(70)의 적 층 구조를 가진다. 그리고, 상기 UV 차폐막(30) 상부에 형성된 모든 막의 일정 영역을 식각하는 것으로 형성된 홀이 전계 방출 영역을 정의하면서 배치되어 있고, 해당 홀에 의해 노출된 투명 캐소드 전극(20) 상에 배면 노광 기법에 의해 정밀하게 형성된 탄소 나노튜브 에미터(80)가 위치한다.

상기 구조에서, 제 1산화막(40)과 제 2산화막(60)의 두께는 1㎛이하면 충분하며, 0.1㎛ 정도면 원하는 차단 성능 및 접합 성능을 기대할 수 있다. 상기 유전층(50)과 제 1산화막(40) 및 제 2산화막(60)을 모두 합친 절연층의 두께는 10~25㎛ 정도면 적당하다.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 두꺼운 절연층을 형성하기 위해 공정이 용이하고, 다른 디스플레이 소자를 제조하는 경우에도 공용으로 사용 가능한 장비를 이용할 수 있는 유전체 인쇄 방식을 통해 절연층을 형성하면서도, 상기 유전체가 비정질 실리콘으로 이루어지는 UV 차폐막(30)과 소성시 반응하여 부산물을 발생시키는 것과, 상기 유전층(50)과 금속막 사이의 낮은 접착성에 의해 좋지 않은 계면 효과가 발생하는 것을 방지하는 것이다. 특히 상기 부산물은 앞서 설명한 것처럼 홀 형성을 위한 식각을 방해하기 때문에, 형성되는 홀의 품질 및 균일성을 낮추게 되며, 그로인해 전계 방출 효율 및 소자별 발광 균일성을 악화시키게 된다.

즉, 본원 발명의 특징은 상기 인쇄법으로 형성되는 유전층(50)과 UV 차폐막(30) 사이에 제 1산화막(40)을 보호막으로써 증착하도록 하는 것이 첫번째이며, 상기 유전층(50)과 금속막 사이의 낮은 접착성에 기인하는 계면 효과를 방지하기 위해 상기 유전층(50)과 상부 게이트 전극층(70) 사이에 제 2산화막(60)을 접착층으 로 증착하도록 하는 것이 두번째이다.

상기 본원 발명의 특징을 도 3a 내지 도 3e에 도시되는 수순 단면도들을 참조하여 조금 더 상세히 설명하도록 한다.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 투명한 유리질 기판(10) 상부에 ITO와 같은 투명한 전극층을 형성한 후 패터닝하여 투명 캐소드 전극(20)을 형성하고, 그 상부에 배면 노광을 통해 탄소 나노튜브를 잔류시킬 영역을 정의하면서 저항층으로도 동작하는 UV 차폐막(30)을 비정질 실리콘을 이용하여 형성한다.

그리고, 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 UV 차폐막(30) 상부에 약 0.1㎛ 두께로 SiO₂와 같은 산화막을 증착하여 상기 비정질 실리콘으로 이루어진 UV 차폐막(30)을 불필요한 반응 및 산화로부터 보호하는 제 1산화막(40)을 스퍼터링 등의 방식으로 증착한다. 그리고 그 상부에 유전체 분말을 스크린 인쇄법등으로 높은 두께(10~25㎛)로 인쇄하여 약 580℃ 정도로 소성하는 것으로 유전층(50)을 형성한 후 그 상부에 접착력을 높이기 위한 제 2산화막(60)을 약 0.1㎛ 두께로 증착한다. 그리고, 그 상부에 Al, Cr, Au 등의 금속막을 0.1~1㎛ 두께로 형성한 후 패터닝하여 게이트 전극(70)을 형성한다.

그리고, 도 3c에 도시한 바와 같이 전계방출부가 형성될 영역의 게이트 전극(70), 제 2산화막(60), 유전층(50), 제 1산화막(40)을 식각하여 홀을 형성하고, 상기 UV 차단막(30)을 식각하여 홀 영역 중 투명 캐소드 전극(20)을 노출시킨다. 상기 형성되는 홀의 깊이(게이트 전극과 캐소드 전극 간의 거리)에 따라 구동 전압과 빔 퍼짐이 결정되므로 상기 절연층 부분의 두께는 설계 중 결정되어야 한다.

그리고, 도 3d에 도시한 바와 같이 감광성 탄소 나노튜브 페이스트(80)를 상기 홀 영역에 도포한 후 투명한 기판(10)과 투명한 캐소드 전극(20)을 통해 자외선을 조사하여 감광성 탄소 나노튜브 페이스트(80)를 노광하는데, 노광되는 영역은 UV 차단막(30)의 패턴에 따라 결정된다.

그리고, 도 3e에 도시한 바와 같이 감광되지 않은 탄소 나노튜브 페이스트(80)를 제거하면 노광된 영역에만 탄소 나노튜브 페이스트(80)가 잔류하여 에미터로 사용된다.

전술한 바와 같이 UV 차단막(30)이 필수적인 배면 노광 방식의 노멀 게이트 구조와 장비의 공유 및 공정의 편의를 위한 유전물질 절연층을 함께 적용할 경우 발생되는 부산물 생성의 문제점 및 금속 전극과 유전물질 절연층 사이의 접착성 문제를 비교적 간단한 공정을 통해 용이하게 해결할 수 있으므로, 이를 통해 높은 품질의 홀을 형성할 수 있고, 그로 인해 발광 효율 및 균일성을 개선할 수 있게 된다.

상기한 바와 같은 본 발명 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 그 제조 방법은 UV 차폐막과 유전층 사이에 절연층으로 동작하며 상기 두 층 사이의 반응을 방지하기 위한 제 1산화막과, 상기 유전층과 게이트 전극 사이의 접합성을 높이기 위한 제 2산화막을 더 형성하도록 함으로써, 두껍게 형성되어야 하는 유전층을 인쇄법과 같은 간단한 공정으로 실시하고, 그로 인해 발생 되는 상기 유전층과 인접층들간의 문제점을 비교적 간단한 산화막 형성을 통해 해결할 수 있어 고품질 전계방출 홀을 형성할 수 있고, 그로인해 발광 효율 및 균일성을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

1. 투명 캐소드 전극이 형성된 투명 기판과;

   상기 투명 캐소드 전극 상부에 형성되어 상기 캐소드 전극의 일부를 노출시켜 배면 노광 영역을 정의하는 UV 차폐막과;

   상기 UV 차폐막 상부에 차례로 형성되는 제 1산화막, 유전체, 제 2산화막으로 이루어진 절연층과;

   상기 절연층 상부에 형성되는 게이트 전극과;

   상기 UV 차폐막이 배면 노광 영역으로 정의한 부분의 캐소드 전극이 노출되도록 상기 게이트 전극 및 절연층에 형성된 홀과;

   상기 홀 내부의 캐소드 전극 상에 형성된 탄소 나노튜브 에미터를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1산화막 및 제 2산화막의 두께는 1㎛이하이며, 유전체를 포함한 전체 절연층의 두께는 10~25㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
3. 투명 기판에 투명 전극으로 캐소드 전극을 형성한 후 그 상부에 UV 차폐막을 형성하는 단계와; 상기 UV 차폐막 상부에 제 1산화막을 형성하고, 그 상부에 유전체를 인쇄법으로 형성한 후 그 상부에 제 2산화막을 형성하는 단계와; 상기 제 2산 화막 상부에 게이트 금속 전극을 형성한 후 전계 방출 영역의 게이트 금속 전극, 제 2산화막, 유전체, 제 1산화막 및 UV 차폐막을 차례로 식각하여 홀을 형성하는 단계와; 상기 형성된 홀에 감광성 탄소 나노튜브 페이스트를 도포한 후 배면 노광하여 탄소 나노튜브 에미터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조 방법.
4. 제 3항에 있어서, 상기 제 1산화막 및 제 2산화막은 SiO₂를 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조 방법.

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