KR20070028517A - Method for manufacturing target material for sputtering target - Google Patents

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미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤
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Abstract

A method for manufacturing a target material for a sputtering target by powder metallurgy method is provided with a heating process wherein each body to be baked after formation is sintered from one side. In the heating process, each body to be baked is preferably heated by being transferred over two or more adjacent areas set at different temperatures at the same time. In the heating process, by having a difference between temperatures at both ends of one body to be baked while the temperature is increased, the body to be baked can be successively heated and sintered from one side. Therefore, even when manufacturing a matter referred to as a long material or a large target material, since the body to be baked is successively sintered from one side and is successively contracted due to sintering as well, the density of the target material finally obtained can be improved, density nonuniformity can be suppressed and generation of warpage and breakage can be prevented. ® KIPO & WIPO 2007

Description

스퍼터링 타깃용 타깃재의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET}Manufacturing method of target material for sputtering target {METHOD FOR MANUFACTURING TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING TARGET}

본 발명은 스퍼터링 타깃의 타깃재를 제조하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세히는 그 타깃재를 연속적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a target material of a sputtering target. More specifically, the present invention relates to a method of continuously producing the target material.

종래, 박막 형성법의 하나로서 스퍼터링법이 알려져 있다. Conventionally, the sputtering method is known as one of the thin film formation methods.

스퍼터링법으로 형성되는 박막으로서는, 예를 들면 산화인듐 및 산화주석을 주성분으로 하는 산화물(ITO ; Indium Tin Oxide)의 박막을 들 수 있다. 이 ITO 박막은 높은 도전성과 가시광 투과성이라는 특징을 함께 가지기 때문에, 플랫 패널 디스플레이용 투명 전극, 창유리용 결로 방지 발열막 등, 여러 가지 용도로 널리 사용되고 있다. 그 중에서도 액정 표시 디바이스를 비롯한 플랫 패널 디스플레이 분야에서는, 최근 디스플레이의 대형화가 현저해지고 있고, 이에 따라 ITO 박막의 제조에 사용되는 스퍼터링 타깃도 대형화 경향이 있어, 타깃재의 대형화가 진행되고 있다.As a thin film formed by the sputtering method, the thin film of oxide (ITO; Indium Tin Oxide) which has indium oxide and tin oxide as a main component is mentioned, for example. Since this ITO thin film has the characteristics of high electroconductivity and visible light transmittance, it is widely used for various uses, such as the transparent electrode for flat panel displays, and the anti-condensation heating film for window glass. In particular, in the field of flat panel displays including liquid crystal display devices, the enlargement of displays has become remarkable in recent years, and accordingly, the sputtering targets used for the production of ITO thin films also tend to be enlarged, and the enlargement of target materials is progressing.

이와 같은 ITO 박막의 제조에 사용되는 스퍼터링 타깃의 타깃재는, 통상 원료 분말에 원하는 바에 따라 바인더를 가하여 압축 성형하고, 얻어진 성형체를 필요에 따라 탈지한 후, 소성하여 소결체를 얻는, 소위 분말 야금법에 의해 제조되고 있다.The target material of the sputtering target used in the manufacture of such an ITO thin film is usually subjected to a so-called powder metallurgy method in which a binder is added to a raw material powder as desired to compression molding, and the obtained molded product is degreased as necessary, followed by firing to obtain a sintered body. It is manufactured by.

종래, 분말 야금법에 의한 타깃재의 제조에서, 탈지나 소성은 소위 배치로(batch furnace) 내에서 행해지는 것이 통상이었다.Conventionally, in manufacture of the target material by powder metallurgy, it was common that degreasing and baking are performed in what is called a batch furnace.

배치로란, 도 2에 그 개략적인 단면도를 나타낸 같이, 노내의 외연부에 히터(17) 등의 가열 수단을 구비하고 있고, 1회마다 피소성체(21)를 노내로 넣어, 소성하는 비연속로이다. 이와 같은 배치로(15)에서는, 생산량을 증가시키기 위하여, 피소성체(21)를 선반판이라고 불리는 소성판(19)에 놓고, 순차적으로 쌓아올린 것을 그 노내에 설치하여 소성을 행하는 것이 통상적이다.As shown in FIG. 2, the batch furnace includes heating means such as a heater 17 at an outer edge of the furnace, and discontinuously inserts the to-be-fired body 21 into the furnace and fires once. Roy. In such a batch furnace 15, in order to increase the production amount, it is common to place the to-be-baked body 21 on the baking plate 19 called a shelf board, and to install what was piled up sequentially in the furnace and to bake.

그러나 이와 같은 배치로는 노의 용적이 크고 또한 외부로부터의 가열 수단을 채용하고 있기 때문에, 도 2에 나타낸 바와 같이 노내의 수평 방향 및 수직 방향의 온도 분포의 기울어짐이 커져, 피소성체의 균일 가열이 어렵고, 이것에 기인하는 여러 가지 문제, 예를 들면 얻어지는 타깃재의 휘어짐이나 갈라짐의 발생, 타깃재의 밀도가 높아지기 어려워 밀도 불균일이 발생하기 쉬운 등의 문제가 존재하고 있었다.However, in this arrangement, since the furnace volume is large and the heating means from the outside is employed, the inclination of the temperature distribution in the horizontal direction and the vertical direction in the furnace is increased as shown in FIG. There existed such a difficult, various problem resulting from this, for example, the bending of a target material obtained, a crack, the density of a target material becoming difficult, and a density nonuniformity tends to arise.

이들 문제점은 타깃재의 대형화에 대응하기 위하여, 대형의 피소성체를 배치로에서 소성했을 경우에는 특히 현저했다.These problems were particularly remarkable when the large to-be-baked material was fired in a batch furnace in order to cope with the increase in size of the target material.

이들 문제점을 해결하기 위하여, 소성 전의 탈지 조건의 검토(특허문헌 1 참조), 소성 시의 소성판의 사용 및 소성판 형상의 검토(특허문헌 2 참조), 사용하는 원료 분말의 검토 및 온도나 소성 분위기 등의 소성 조건의 검토(특허문헌 3 참조), 노내의 선반 세트의 방식이나 선반판의 형상 검토 등, 다양한 검토가 이루어져 왔다.In order to solve these problems, examination of the degreasing conditions before baking (refer patent document 1), use of the baking plate at the time of baking, examination of the shape of a baking plate (refer patent document 2), examination of the raw material powder to be used, and temperature or baking Various examinations, such as examination of baking conditions, such as atmosphere (refer patent document 3), the examination of the system of the shelf set in a furnace and the shape of a shelf board, have been made.

그러나 이와 같은 검토에 의해 배치로 내의 피소성체의 균일 가열을 도모하여, 상기의 문제 해결을 도모하려고 해도, 배치로에 의한 소성에서는, 원래 소성 처리에 요하는 시간이 길기 때문에 생산 효율이 크게 향상되는 것은 기대하지 않았다. 또한, 상기의 문제를 소성 조건의 검토에 의해 해결하려고 한 경우에는, 승강온 속도를 작게 하거나, 복수회에 걸쳐 온도 유지역을 마련하거나, 온도 유지 시간을 길게 함으로써, 오히려 소성 처리 전체에 요하는 시간이 길어져, 러닝 코스트가 높아진다는 문제도 있었다.However, even with this examination, even heating of the to-be-baked body in the batch furnace is intended to solve the above problem. In the firing by the batch furnace, since the time required for the original firing process is long, the production efficiency is greatly improved. Did not expect. In addition, when the above problem is to be solved by examining the firing conditions, by lowering the temperature raising / lowering speed, providing a temperature holding area for a plurality of times, or lengthening the temperature holding time, There was also a problem that the length of time increased and the running cost increased.

또한, 스퍼터링 타깃 및 그 타깃재에는, 대형화의 요구에 더하여, 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 비(比)저항에 대한 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성이 작을 것도 요구된다.In addition, the sputtering target and the target material are required to have a small oxygen partial pressure dependency upon sputtering with respect to the specific resistance of the thin film formed by sputtering, in addition to the demand for enlargement.

통상, 스퍼터링에서는, 아르곤 등의 불활성 가스에 혼합되는 산소 분압에 의존하여, 형성된 박막의 비저항이 변화함이 알려져 있고, 그 비저항이 최소가 되는 산소 분압이 되도록, 스퍼터링 장치에의 도입 산소량을 컨트롤하여 스퍼터링을 행하고 있다.Usually, in sputtering, it is known that the specific resistance of the formed thin film is changed depending on the oxygen partial pressure mixed with an inert gas such as argon, and the amount of oxygen introduced into the sputtering apparatus is controlled so that the specific partial pressure is the oxygen partial pressure which is the minimum. Sputtering is performed.

그러나 스퍼터링 장치의 대형화가 진행됨에 따라, 도입 산소량의 컨트롤이 어렵게 되어, 산소 분압의 편차가 생기는 결과, 형성된 박막의 비저항의 편차가 생겨, 그 박막을 사용한 디바이스의 품질, 특히 액정 표시 특성의 품질이 저하하기 쉬워진다는 문제가 있었다.However, as the size of the sputtering device increases, the control of the amount of introduced oxygen becomes difficult, and the variation in the partial pressure of oxygen occurs. As a result, the variation of the specific resistance of the formed thin film occurs, and the quality of the device using the thin film, in particular, the quality of the liquid crystal display characteristics. There was a problem that it became easy to lower.

또한, 스퍼터링 타깃의 사용 시간(스퍼터링 이력의 누적 시간)이 길어짐에 따라, 최적 산소 분압이 변화함도 알려져 있는데, 이때에도 산소 분압 의존성이 크면 박막의 비저항의 변화가 보다 커진다는 문제가 있었다.In addition, as the use time of the sputtering target (the cumulative time of the sputtering history) becomes longer, it is also known that the optimum oxygen partial pressure changes, but there is a problem that the change in the resistivity of the thin film becomes larger when the oxygen partial pressure dependency is large.

<특허문헌 1> 일본 특개평10-330169호 공보<Patent Document 1> Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-330169

<특허문헌 2> 일본 특개 2001-122668호 공보<Patent Document 2> Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-122668

<특허문헌 3> 일본 특개평09-228036호 공보<Patent Document 3> Japanese Patent Application Laid-Open No. 09-228036

[발명의 개시][Initiation of invention]

[발명이 해결하고자 하는 과제][Problem to Solve Invention]

본 발명은 생산 효율 좋게 단시간에, 고품질의 스퍼터링 타깃용 타깃재를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.An object of the present invention is to provide a method for producing a high quality sputtering target target material in a short time with good production efficiency.

또한, 본 발명은 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 비저항에 대한 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성이 작은 스퍼터링 타깃용 타깃재를 제조하는 방법을 제공하는 것도 그 목적으로 하고 있다.Moreover, an object of this invention is to provide the method of manufacturing the target material for sputtering targets with small dependence of oxygen partial pressure at the time of sputtering with respect to the specific resistance of the thin film formed by sputtering.

[과제를 해결하기 위한 수단][Means for solving the problem]

본 발명에 따른 타깃재의 제조 방법은, 분말 야금법에 의해 스퍼터링 타깃의 타깃재를 제조하는 방법으로서, 성형 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 그 한쪽에서부터 소결시켜 가는 가열 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.The manufacturing method of the target material which concerns on this invention is a method of manufacturing the target material of a sputtering target by the powder metallurgy method, Comprising: It has a heating process which sinters the to-be-baked material from one side with respect to each to-be-baked material. It features.

상기 가열 공정은 상기 피소성체 1개당에 대하여 그 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 가열하는 공정인 것이 바람직하다.It is preferable that the said heating process is a process of heating the to-be-baked material so that the both ends may have a temperature difference with respect to per said to-be-baked material.

구체적으로는, 상기 가열 공정은 상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 가열 하는 공정인 것이 바람직하고,Specifically, it is preferable that the heating step is a step of heating the object to be fired while simultaneously covering two or more adjacent areas set at different temperatures, per one object to be fired.

상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 가열하는 공정인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that it is a process of heating, conveying the said to-be-baked body so that it may cover 2 or more adjacent areas set to different temperature simultaneously with respect to each said to-be-baked body.

상기 가열 공정에서, 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여 10∼500℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 높아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도는 1∼50mm/min의 범위인 것이 바람직하다.In the said heating process, the temperature of each area | region of the said 2 or more area | regions is respectively set so that it may become sequentially high as it goes to a conveyance direction within the range of 10-500 degreeC compared with the temperature of the area | region adjacent to each other among these, Moreover, it is preferable that the conveyance speed of the to-be-baked material which passes through these two or more area | regions is 1-50 mm / min.

또한, 상기 가열 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 낮은 영역의 설정 온도는 실온∼800℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Moreover, in the said heating process, it is preferable that the setting temperature of the region with the lowest temperature among the said 2 or more area | regions exists in the range of room temperature-800 degreeC.

또한, 본 발명에서는, 상기 가열 공정에 더하여, 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여 그 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 냉각하는 냉각 공정을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, in this invention, in addition to the said heating process, it is preferable to have the cooling process of cooling the to-be-baked material so that the both ends may have a temperature difference with respect to each to-be-baked material after a heating process.

구체적으로는, 상기 냉각 공정은 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 냉각하는 공정인 것이 바람직하고, Specifically, it is preferable that the cooling step is a step of cooling while simultaneously covering two or more adjacent areas set to different temperatures with respect to one object to be baked after the heating step,

가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 냉각하는 공정인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that it is a process of cooling, conveying the to-be-baked material so that it may spread over two or more adjacent areas | regions set to different temperature simultaneously with respect to each to-be-baked material after a heating process.

상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여 10∼500℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 낮아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도는 1∼50mm/min의 범위인 것이 바람직하다.In the cooling step, the temperatures of the respective regions of the two or more regions are set so as to be sequentially lowered toward the conveyance direction within the range of 10 to 500 ° C, compared with the temperatures of the regions adjacent to each other among them, Moreover, it is preferable that the conveyance speed of the to-be-baked material which passes through these two or more area | regions is 1-50 mm / min.

또한, 상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 높은 영역의 설정 온도는 1300∼1800℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Moreover, in the said cooling process, it is preferable that the setting temperature of the region with the highest temperature among the said 2 or more area | regions exists in the range of 1300-1800 degreeC.

또한, 본 발명의 타깃재의 제조 방법에서는, 상기 가열 공정을 연속로 내에서 행하는 것이 바람직하고, 상기 가열 공정 및 냉각 공정을 연속로 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다.Moreover, in the manufacturing method of the target material of this invention, it is preferable to perform the said heating process in a continuous furnace, and it is more preferable to perform the said heating process and a cooling process in a continuous furnace.

또한, 상기 연속로는 피소성체의 반송로를 경계로, 상하에 가열 수단을 구비하고 있는 것이 바람직하고, 롤러 하스 킬른(roller hearth kiln)인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable to have heating means up and down on the conveyance path of a to-be-baked body, and, as for the said continuous furnace, it is more preferable that it is a roller hearth kiln.

또한, 상기 연속로 내에 산소를 도입하는 것도 바람직하다. 이 경우, 상기 연속로 내에 도입하는 산소의 유량은 0.1∼500m3/h의 범위 내의 양인 것이 바람직하다.It is also preferable to introduce oxygen into the continuous furnace. In this case, the flow rate of oxygen introduced into the continuous furnace is preferably an amount within the range of 0.1 to 500 m 3 / h.

또한, 본 발명에서는, 상기 타깃재는 투명 도전막 형성용 타깃재인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 산화인듐, 산화주석, 산화아연 중 적어도 1개를 주성분으로 하는 산화물인 것이 보다 바람직하고, 산화인듐 및 산화주석을 주성분으로 하는 산화물(ITO)인 것이 더욱 바람직하다.Moreover, in this invention, it is preferable that the said target material is the target material for transparent conductive film formation. It is more preferable that it is an oxide mainly having indium oxide, tin oxide, and zinc oxide as a main component, and it is still more preferable that it is an oxide (ITO) which has indium oxide and tin oxide as a main component.

[발명의 효과][Effects of the Invention]

본 발명에 의하면, 가열 공정에서, 피소성체 1개당에 대하여, 승온 시에 양단에 온도차를 가짐으로써, 한쪽에서부터 순차적으로 가열하여, 소결시켜 갈 수 있기 때문에, 소위 장척물이나 대형의 타깃재를 제조할 때에도, 소결이 피소성체의 한쪽에서부터 순차적으로 일어나고, 그 피소성체의 소결에 의한 수축도 순차적으로 진행되므로, 최종적으로 얻어지는 타깃재의 밀도를 향상시킬 수 있어, 밀도 불균일을 개선하는 동시에, 휘어짐이나 갈라짐의 발생도 방지할 수 있다.According to the present invention, in the heating step, since the temperature difference between the two to-be-baked bodies has a temperature difference between both ends at the time of temperature rising, it can be heated sequentially from one side and sintered, so that a so-called long object and a large target material are produced. In this case, sintering occurs sequentially from one side of the to-be-fired body, and shrinkage due to sintering of the to-be-fired body also proceeds sequentially, so that the density of the finally obtained target material can be improved, and the density nonuniformity can be improved, and the warpage and cracking are also performed. Can also be prevented.

또한, 본 발명에서는, 이와 같은 소성 처리를 행하기 위해서는, 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 영역을 반송하면서, 가열하거나, 또는 가열 및 냉각하는, 소위 연속로가 좋다는 것을 알아냈다. 또한, 이 방법에서는, 소성 처리를 연속적으로 행할 수 있기 때문에, 타깃재의 단위 수량당 요하는 소성 처리 시간을 단축할 수 있어, 생산 효율 좋게 고품질의 타깃재를 제조할 수 있다.Moreover, in this invention, in order to perform such baking processing, it discovered that what is called a continuous furnace which heats, or heats and cools, conveying the to-be-baked body to the area | region set to different temperature is good. Moreover, in this method, since the baking process can be performed continuously, the baking process time required per unit quantity of the target material can be shortened, and a high quality target material can be manufactured with high production efficiency.

또한, 본 발명에 의하면, 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 비저항에 대한 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성이 작은 스퍼터링용 타깃재를 제조할 수 있다.Moreover, according to this invention, the target material for sputtering with small dependence of oxygen partial pressure at the time of sputtering with respect to the specific resistance of the thin film formed by sputtering can be manufactured.

도 1A는 롤러 하스 킬른의 개략적인 횡단면도이다.1A is a schematic cross sectional view of a roller hearth kiln.

도 1B는 도 1A의 I-I'선 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 1A.

도 2는 배치로의 개략도를 나타낸다.2 shows a schematic diagram in a batch.

도 3은 실시예 1의 소성 처리의 온도 프로파일도이다.3 is a temperature profile diagram of a calcination process of Example 1;

도 4는 실시예 2 및 3의 소성 처리의 온도 프로파일도이다.4 is a temperature profile diagram of the firing process of Examples 2 and 3. FIG.

도 5는 실시예 4의 소성 처리의 온도 프로파일도이다.5 is a temperature profile diagram of a calcination process of Example 4. FIG.

도 6은 실시예 5의 소성 처리의 온도 프로파일도이다.6 is a temperature profile diagram of a calcination process of Example 5. FIG.

도 7은 실시예 6 및 비교예 8에서 얻어진 타깃재를 사용하여 스퍼터링에 의해 형성된 박막의 비저항과 스퍼터링 시의 산소 분압의 관계를 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the relationship between the specific resistance of a thin film formed by sputtering using the target materials obtained in Example 6 and Comparative Example 8 and the oxygen partial pressure at the sputtering time.

부호의 설명Explanation of the sign

1 : 롤러 하스 킬른, 3, 21 : 피소성체, 5, 5' : 가스 도입·배출구, 1: roller hearth kiln, 3, 21: fired body, 5, 5 ': gas inlet / outlet,

7, 7' : 롤러, 9, 9', 17 : 히터, 11 : 칸막이, 15 : 배치로, 7, 7 ': roller, 9, 9', 17: heater, 11: partition, 15: batch,

2, 19 : 소성판 2, 19: fired plate

[발명을 실시하는 위한 최량의 형태][Best Mode for Carrying Out the Invention]

이하, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated concretely.

본 발명의 타깃재의 제조 방법은, 분말 야금법에 의해 스퍼터링 타깃의 타깃재를 제조하는 방법에 있어서, 특정한 가열 공정, 더욱 바람직하게는 그 가열 공정에 더하여 특정한 냉각 공정을 통하여 타깃재를 제조하는 것을 특징으로 하고 있다.The manufacturing method of the target material of this invention is a method of manufacturing the target material of a sputtering target by the powder metallurgy method, Comprising: Producing a target material through a specific cooling process in addition to a specific heating process, More preferably, the heating process. It features.

즉, 분말 야금법에서는, 일반적으로 원료 분말을 원하는 바에 따라 바인더를 가하여 압축 성형하고, 얻어진 성형체를 필요에 따라 탈지한 후, 그 성형체(이하, 피소성체라고 함)를 소성하여 소결체를 얻는데, 본 발명에서는 이 소성 처리 시에 특정한 가열 공정, 바람직하게는 그 가열 공정에 더하여 특정한 냉각 공정을 갖는 것을 특징으로 하고 있다.That is, in the powder metallurgy method, in general, a raw material powder is added by compression to a binder as desired, the obtained molded body is degreased as needed, and then the molded body (hereinafter referred to as a to-be-baked body) is fired to obtain a sintered body. In this invention, it has a specific heating process at the time of this baking process, It is characterized by having a specific cooling process in addition to the heating process.

구체적으로는, 원료 분말에 원하는 바에 따라 바인더를 가하여 압축 성형하여, 성형체를 얻고, 얻어진 성형체를 필요에 따라 탈지할 때까지의 공정은, 통상 행해지고 있는 공지의 수단 및 조건에 의해 행할 수 있다.Specifically, the process from adding a binder to the raw material powder as desired to compression molding to obtain a molded article and degreasing the obtained molded article as necessary can be performed by known means and conditions that are usually performed.

원료 분말은 필요에 따라, 하소(calcine), 분급 처리를 실시해도 되고, 그 후의 원료 분말의 혼합은, 예를 들면 볼밀 등으로 행할 수 있다.The raw material powder may be calcined and classified as necessary, and the subsequent mixing of the raw material powder can be performed by, for example, a ball mill.

그 후, 혼합한 원료 분말을 성형틀에 충전하여 압축 성형하여, 성형체를 제작하고, 대기 분위기하 또는 산소 분위기하에서 탈지하여 피소성체를 얻어도 되고, 또는 일본 특개평11-286002호 공보에 기재된 여과식 성형법과 같이, 세라믹스 원료 슬러리로부터 수분을 감압 배수하여 성형체를 얻기 위한 비수용성 재료로 이루어지는 여과식 성형틀에, 혼합한 원료 분말, 이온 교환수, 유기 첨가제로 이루어지는 슬러리를 주입하고, 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 이 성형체를 건조 탈지하여 피소성체를 얻어도 된다.Thereafter, the mixed raw material powder is filled into a molding die and compression molded to produce a molded body, and degreased under an atmospheric or oxygen atmosphere to obtain a to-be-fired body, or as described in JP-A-11-286002. Like the over-molding method, a slurry made of mixed raw material powder, ion-exchanged water, and an organic additive is injected into a filter forming mold made of a non-aqueous material for obtaining a molded body by depressurizing and draining water from the ceramic raw material slurry, and the water in the slurry The molded object may be produced by depressurizingly draining the molded product, and the molded product may be dried and degreased to obtain a fired body.

성형체의 탈지는 필요에 따라 행해지고, 탈지하지 않을 경우에는 그 성형체가 그대로 피소성체가 된다. 또한, 탈지는 후술하는 연속로 내에서 행할 수도 있다.Degreasing | molding of a molded object is performed as needed, and when it is not degreased, the molded object turns into a to-be-baked body as it is. In addition, degreasing can also be performed in the continuous furnace mentioned later.

본 발명은, 이와 같이 하여 얻어진 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 그 한쪽에서부터 소결시켜 가는 가열 공정을 갖고 있다.This invention has the heating process which sinters a to-be-baked material from one side with respect to each to-be-baked material obtained in this way.

그 가열 공정으로서는, 상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체의 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 가열하는 공정, 보다 구체적으로는, As the heating step, a step of heating the to-be-baked body so that both ends of the to-be-baked body have a temperature difference with respect to each of the to-be-baked materials, more specifically,

상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 가열하는 공정을 바람직하게 들 수 있고, For each of the to-be-baked bodies, a step of heating the to-be-baked bodies simultaneously over two or more adjacent regions set at different temperatures is preferable.

또한, 연속적으로 소성 처리를 할 수 있어, 생산 효율이 높은 점에서는, 상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 가열하는 공정을 보다 바람직하게 들 수 있다.In addition, the firing process can be performed continuously, and in view of high production efficiency, the heating step is carried out while conveying the object to be processed so as to cover two or more adjacent areas set at different temperatures at the same time. More preferably.

이와 같이, 가열 공정에서, 상기 피소성체를 상기 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 가열하면, 그 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 그 반송 방향 측의 끝에서부터 순차적으로 가열하여, 소결시켜 갈 수 있다. 이 때문에, 소위 장척물이나 대형의 타깃재를 제조할 때에도, 소결이 피소성체의 반송 방향 측의 끝에서부터 순차적으로 일어나고, 그 피소성체의 소결에 의한 수축도 순차적으로 진행되므로, 최종적으로 얻어지는 타깃재의 밀도를 향상시킬 수 있어, 밀도 불균일을 개선하는 동시에, 휘어짐이나 갈라짐의 발생도 방지할 수 있다.As described above, when the object is heated while being transported so as to cover the two or more regions at the same time in the heating step, the object is heated sequentially from the end of the conveying direction and sintered per one of the objects to be baked. I can let you go. For this reason, also when manufacturing a so-called long object and a large target material, since sintering takes place sequentially from the end of the conveyance direction side of a to-be-baked body, and shrinkage | contraction by the sintering of the to-be-processed body advances sequentially, therefore, of the target material finally obtained The density can be improved, and the density nonuniformity can be improved, and the occurrence of warpage and cracking can also be prevented.

따라서 본 발명은, 특히 상기 가열 공정에서 피소성체가 3개 이상의 영역에 걸치는 장척물의 타깃재(예를 들면, 소성 후의 치수로 길이 500∼1000mm, 폭 10∼500mm, 두께 3∼30mm의 타깃재)의 제조에 적합하게 적용할 수 있다. 바꿔 말하면, 상기 가열 공정에서의 영역의 수는 2개 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 3개 이상을 바람직하게 들 수 있다. 피소성체가 걸치는 영역수의 상한은 얻으려고 하는 타깃재의 치수에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상의 경우 5개 이하이면 다양한 치수의 타깃재에 대응할 수 있어 편리하다.Therefore, this invention is especially the target material of the long object which a to-be-baked body covers three or more area | regions in the said heating process (for example, the target material of length 500-1000 mm, width 10-500 mm, thickness 3-30 mm in the dimension after baking). It can apply suitably for manufacture of the. In other words, the number of regions in the heating step is not particularly limited as long as it is two or more, but three or more are preferable. Although the upper limit of the number of the area | regions to which a to-be-baked body spreads can be set suitably according to the dimension of the target material to obtain, normally 5 or less can respond to the target material of various dimensions, and is convenient.

또한, 상기 가열 공정에서의 각 영역의 반송 방향 측의 길이(길이 방향의 길이)는 영역마다 다른 영역과 같아도 달라도 되고, 피소성체의 크기, 사용하는 노의 크기, 배열 설치하는 영역수 등에 따라 적절히 결정할 수 있지만, 통상 300∼490mm가 바람직하다.In addition, the length (length in the longitudinal direction) of the conveyance direction side of each area | region in the said heating process may be the same as the other area | region, and may differ from each area | region, suitably according to the magnitude | size of a to-be-baked body, the size of the furnace to be used, the number of the area | regions installed, etc. Although it can determine, 300-490 mm is preferable normally.

이에 대하여, 이와 같은 가열 공정을 갖지 않는 제조 방법으로 소위 장척물이나 대형의 타깃재를 제조하려고 했을 경우, 예를 들면 장척물이나 대형의 피소성체를 종래의 소성 조건하에서 배치로에서 소성했을 경우에는, 그 피소성체의 소결 및 소결에 따른 수축은 피소성체 전체의 표면으로부터 중심부를 향해 진행하는 바, 피소성체가 장척물이나 대형이기 때문에, 그 피소성체의 소결에 의한 수축의 진행이 그 자중(自重)에 의해 방해되어, 최종적으로 얻어지는 타깃재의 밀도가 향상되기 어려워, 밀도 불균일이나 휘어짐, 갈라짐 등의 문제가 나타난다.In contrast, when an attempt is made to produce a so-called long object or a large target material by a manufacturing method that does not have such a heating process, for example, when the long object or a large to-be-fired body is fired in a batch furnace under conventional firing conditions, Since the shrinkage due to the sintering and sintering of the body to be processed proceeds from the surface of the entire body to the center, since the body is long or large, the shrinkage due to the sintering of the body to be processed has its own weight. ), The density of the target material finally obtained is difficult to improve, and problems such as density unevenness, warpage, and cracking appear.

또한, 본 발명에서는, 상기 가열 공정에서의 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여, 통상 10∼500℃, 바람직하게는 50∼400℃, 보다 바람직하게는 100∼350℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 높아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도는, 통상 1∼50mm/min의 범위이다.Moreover, in this invention, the temperature of each area | region of the said 2 or more area | region in the said heating process is 10-500 degreeC normally, Preferably it is 50-400 degreeC, More preferably, compared with the temperature of the area | region adjacent to each other among these. Preferably, the conveyance speed of the to-be-baked material which passes through these two or more areas | regions is set so that it may become high sequentially, respectively, toward a conveyance direction within the range of 100-350 degreeC, normally 1-50 mm / min. to be.

또한, 본 발명에서는, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 낮은 영역의 온도는, 통상 실온∼800℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Moreover, in this invention, it is preferable that the temperature of the region with the lowest temperature among the said 2 or more areas exists normally in the range of room temperature-800 degreeC.

여기서, 상기 가열 공정에서의 각 영역의 설정 온도, 인접하는 각 영역의 온도차, 반송 속도의 관계를 영역수가 3개인 경우를 예로 들어 설명하면, 예를 들면 a, b, c의 순으로 피소성체의 반송 방향을 향함에 따라, 인접하여 존재하고 있는 3개의 영역 a∼c에서는, 각 영역 a, b, c는 각각 다른 온도로 설정되어 있고, 그 설 정 온도는 바람직하게는 a < b < c이며, 영역 a와 영역 b의 온도차(=b-a), 영역 b와 영역 c의 온도차(=c-b)는 각각 상기의 온도 범위 내에 있다.Here, a description will be given of the relationship between the set temperature of each region in the heating step, the temperature difference between the adjacent regions, and the conveyance speed, taking three cases as an example, for example, in order of a, b, c. In the three regions a to c which exist adjacent to each other in the conveying direction, each of the regions a, b, and c are set to different temperatures, and the setting temperature is preferably a <b <c. , The temperature difference (= ba) between the region a and the region b, and the temperature difference (= cb) between the region b and the region c are each within the above temperature range.

그리고 피소성체는 이들 영역 a∼c 중, 적어도 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록, 바람직하게는 그 영역 a∼c 사이 중, 적어도 인접하는 2개 이상의 영역 사이를 상기 범위 내의 반송 속도로 반송되면서 가열된다.And the to-be-baked body conveys at least 2 or more adjacent area | regions among these areas a-c at the same time, Preferably it conveys between at least 2 or more area | regions adjacent to the said area a-c at the conveyance speed within the said range. Is heated.

이와 같이, 가열 공정에서, 서로 인접하는 2개 이상의 영역의 온도가 상기 범위 내의 온도에서 피소성체의 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 높아지도록 각각 설정되고, 또한 이들 영역을 통과하는 피소성체의 반송 속도가 상기 범위 내의 속도이면, 피소성체는 이들 영역을 통과해 갈 때, 피소성체의 한쪽, 바꿔 말하면 피소성체의 반송 방향 측의 끝에서부터 가열되어 간다. 이에 따라 피소성체의 한쪽, 바꿔 말하면 피소성체의 반송 방향 측의 끝에서부터 소결이 진행해 가지만, 이 경우에도 피소성체의 소결에 의한 수축이 보다 스무드하게 진행되어, 갈라짐이나 휘어짐 등이 발생하지 않기 때문에 바람직하다. 또한, 피소성체의 가장 넓은 면 형상이 직사각형 등의 어스펙트비가 다른 것일 경우에는, 그 면의 긴 쪽의 변이 반송 방향과 평행해지도록 피소성체를 탑재하여 반송하면 된다.As described above, in the heating step, the temperatures of two or more regions adjacent to each other are set so as to be sequentially increased as the conveying direction of the to-be-baked body is at a temperature within the above range, and the conveying speed of the to-be-baked body passing through these areas is further increased. When the speed is within the above range, the body to be heated is heated from one end of the body, in other words, on the conveyance direction side of the body to pass through these regions. Thereby, sintering advances from one end of the to-be-fired body, in other words, on the conveying direction side of the to-be-fired body, but even in this case, shrinkage due to sintering of the to-be-fired body proceeds more smoothly, so that cracking and warping do not occur. Do. In addition, when the aspect ratio of the widest surface of a to-be-baked body differs in aspect ratios, such as a rectangle, what is necessary is just to mount and convey a to-be-baked body so that the long side of the surface may become parallel to a conveyance direction.

또한, 이와 같은 온도 조건이나 반송 속도의 조건이면, 단위 시간당의 생산량의 증가가 예상되어 생산 효율면에서도 바람직하다.Moreover, if it is conditions of such temperature conditions and a conveyance speed, the increase of the production amount per unit time is anticipated, and it is preferable also from a production efficiency viewpoint.

또한, 상기 가열 공정에서의 2개 이상 영역의 각 영역의 설정 온도는 영역마다 각 영역의 반송 방향 측의 길이(각 영역의 길이 방향의 길이)에 대한 대략 중간점에 설치된 열전대 등의 온도 검출 장치에 의해 결정된다. 이때, 서로 인접하는 영역 내에 설치된 각 온도 검출 장치 간의 온도는, 통상 0.02∼1.11℃/mm, 바람직하게는 0.11∼0.89℃/mm, 보다 바람직하게는 0.22∼0.78℃/mm의 비율로 상승하도록 조정되어 있는 것이 바람직하다.Moreover, the temperature detection apparatuses, such as a thermocouple, provided in the substantially intermediate point with respect to the length (length in the longitudinal direction of each area | region) of the conveyance direction side of each area | region for each area | region in the said heating process, and the setting temperature of each area | region of two or more area | regions. Determined by At this time, the temperature between the respective temperature detection devices provided in the areas adjacent to each other is usually adjusted to increase at a rate of 0.02 to 1.11 ° C / mm, preferably 0.11 to 0.99 ° C / mm, more preferably 0.22 to 0.78 ° C / mm. It is preferable that it is done.

또한, 본 발명의 타깃재의 제조 방법은 상기 가열 공정에 더하여, 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여 그 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 냉각하는 냉각 공정을 갖는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the manufacturing method of the target material of this invention has a cooling process which cools the to-be-baked material so that both ends may have a temperature difference with respect to each to-be-baked material after a heating process in addition to the said heating process.

구체적으로는, 상기 냉각 공정은 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 냉각하는 공정인 것이 바람직하고, Specifically, it is preferable that the cooling step is a step of cooling while simultaneously covering two or more adjacent areas set to different temperatures with respect to one object to be baked after the heating step,

가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 냉각하는 공정인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that it is a process of cooling, conveying the to-be-baked material so that it may spread over two or more adjacent areas | regions set to different temperature simultaneously with respect to each to-be-baked material after a heating process.

이와 같은 냉각 공정을 통하여, 가열 공정을 거친 후의 피소성체, 즉 소결체를 그 소결체 1개당에 대하여, 그 반송 방향 측의 끝에서부터 순차적으로 냉각해 갈 수 있다.Through such a cooling process, the to-be-baked body after a heating process, ie, a sintered compact, can be cooled sequentially from the end of the conveying direction side to one of the sintered compacts.

상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여, 통상 10∼500℃, 바람직하게는 50∼400℃, 보다 바람직하게는 100∼350℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 낮아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도는 통상 1∼50mm/min의 범위이다.In the cooling step, the temperature of each region of the two or more regions is usually 10 to 500 ° C, preferably 50 to 400 ° C, more preferably 100 to 350 ° C, compared with the temperature of the regions adjacent to each other among them. The conveyance speed of each of the to-be-baked bodies passing through these two or more regions is set in a range of 1 to 50 mm / min, respectively, so as to be sequentially lowered in the conveyance direction within the range of.

또한, 본 발명에서는 상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 높은 영역의 온도는, 통상 1300∼1800℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Moreover, in this invention, in the said cooling process, it is preferable that the temperature of the area with the highest temperature among the said 2 or more areas exists normally in the range of 1300-1800 degreeC.

여기서, 상기 냉각 공정에서의, 각 영역의 설정 온도, 인접하는 각 영역의 온도차, 반송 속도의 관계를 영역수가 3개인 경우를 예로 들어 설명하면, 예를 들면 d, e, f의 순으로 피소성체의 반송 방향을 향함에 따라, 인접하여 존재하고 있는 3개의 영역 d∼f에서는, 각 영역 d, e, f는 각각 다른 온도로 설정되어 있고, 그 설정 온도는 바람직하게는 d > e > f이며, 영역 d와 영역 e의 온도차(=d-e), 영역 e와 영역 f의 온도차(=e-f)는 각각 상기의 온도 범위 내에 있다.Here, in the cooling process, when the relationship between the set temperature of each area | region, the temperature difference of each area | region adjacent, and a conveyance speed is demonstrated taking the case of three area | region as an example, it will be a to-be-baked body in order of d, e, f, for example. In the three regions d to f which are adjacent to each other, the respective regions d, e, and f are set to different temperatures, and the set temperature is preferably d> e> f. , The temperature difference (= de) between the region d and the region e is equal to the temperature difference (= ef) between the region e and the region f, respectively.

그리고 피소성체는 이들 영역 d∼f 중, 적어도 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록, 바람직하게는 그 영역 d∼f 사이 중, 적어도 인접하는 2개 이상의 영역 사이를 상기 범위 내의 반송 속도로 반송되면서 냉각된다.And the to-be-baked body conveys at least 2 or more adjacent area | regions among these areas d-f simultaneously, Preferably it carries between at least 2 or more adjacent area | regions among the area | regions d-f at the conveyance speed within the said range. As it cools down.

이와 같이, 냉각 공정에서, 서로 인접하는 2개 이상의 영역의 온도가 상기 범위 내에서 피소성체의 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 낮아지도록 각각 설정되고, 또한 이들 영역을 통과하는 피소성체의 반송 속도가 상기 범위 내로 설정되어 있으면, 피소성체는 이들 영역을 통과해 갈 때에, 피소성체의 한쪽, 바꿔 말하면 피소성체의 반송 방향 측의 끝에서부터 냉각되어 가지만, 이 경우에도 갈라짐이나 휘어짐 등은 발생하지 않는다. 또한, 이와 같은 온도 조건이나 반송 속도의 조건이면, 단위 시간당의 생산량의 증가가 예상되어 생산 효율면에서도 바람직하다.As described above, in the cooling step, the temperatures of two or more regions adjacent to each other are set to be sequentially lowered in the above range toward the conveying direction of the to-be-baked body, and the conveying speed of the to-be-baked body passing through these areas is If it is set in the said range, when a to-be-baked body passes through these area | regions, it will cool from one end of a to-be-baked body, in other words, the conveyance direction side of a to-be-baked material, but also a crack, a bending, etc. do not generate | occur | produce in this case. Moreover, if it is conditions of such temperature conditions and a conveyance speed, the increase of the production amount per unit time is anticipated, and it is preferable also from a production efficiency viewpoint.

따라서 본 발명은, 특히 상기 냉각 공정에서 피소성체가 3개 이상의 영역에 걸치는 장척물의 타깃재(예를 들면, 소성 후의 치수로 길이 500∼1000mm, 폭 10∼500mm, 두께 3∼30mm의 타깃재)의 제조에 적합하게 적용할 수 있다. 바꿔 말하면, 상기 냉각 공정에서의 영역의 수는 2개 이상이면 특별히 한정되지 않지만, 3개 이상을 바람직하게 들 수 있다. 피소성체가 걸치는 영역수의 상한은 얻으려고 하는 타깃재의 치수에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 통상의 경우 5개 이하이면 다양한 치수의 타깃재에 대응할 수 있어 편리하다.Therefore, this invention is especially the target material of the long object which a to-be-baked body covers three or more area | regions in the said cooling process (for example, the target material of length 500-1000 mm, width 10-500 mm, thickness 3-30 mm in the dimension after baking). It can apply suitably for manufacture of the. In other words, the number of regions in the cooling step is not particularly limited as long as it is two or more, but three or more are preferable. Although the upper limit of the number of the area | regions to which a to-be-baked body spreads can be set suitably according to the dimension of the target material to obtain, normally 5 or less can respond to the target material of various dimensions, and is convenient.

상기 냉각 공정에서의 각 영역의 반송 방향 측의 길이(길이 방향의 길이)는 영역마다 다른 영역과 같아도 달라도 되고, 피소성체의 크기, 사용하는 노의 크기, 배열 설치하는 영역수 등에 따라 적절히 결정할 수 있지만, 통상 300∼490mm가 바람직하다.The length (length in the longitudinal direction) of the conveyance direction side of each region in the cooling step may be the same as or different from other regions for each region, and can be appropriately determined according to the size of the body to be baked, the size of the furnace used, the number of regions to be arranged, and the like. However, 300-490 mm is preferable normally.

또한, 상기 냉각 공정에서의 2개 이상 영역의 각 영역의 설정 온도는 영역마다 각 영역의 반송 방향 측의 길이(각 영역의 길이 방향의 길이)에 대한 대략 중간점에 설치된 열전대 등의 온도 검출 장치에 의해 결정된다. 이때, 서로 인접하는 영역 내에 설치된 각 온도 검출 장치 간의 온도는, 통상 0.02∼1.11℃/mm, 바람직하게는 0.11∼0.89℃/mm, 보다 바람직하게는 0.22∼0.78℃/mm의 비율로 강하하도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.In addition, in the said cooling process, the set temperature of each area | region of two or more area | regions is a temperature detection apparatus, such as a thermocouple provided in the substantially intermediate point with respect to the length (length in the longitudinal direction of each area | region) of the conveyance direction side of each area | region for every area | region. Determined by At this time, the temperature between the respective temperature detection devices provided in the areas adjacent to each other is usually set to fall at a rate of 0.02 to 1.11 ° C / mm, preferably 0.11 to 0.99 ° C / mm, more preferably 0.22 to 0.78 ° C / mm. It is preferable that it is done.

또한, 본 발명의 타깃재의 제조 방법에서는, 필요에 따라 상기 가열 공정과 냉각 공정의 사이, 가열 공정이 단계적으로 복수회 행해지는 경우에는 각 가열 공정의 사이에 보온 공정을 마련할 수도 있다. 보온 공정에서는 바로 근처의 가열 공정 영역의 온도를 유지한다. 보온 공정에서의 영역의 길이, 수 등은 피소성체의 크기, 사용하는 노의 크기, 배열 설치하는 총 영역수 등에 따라 적절히 결정할 수 있다.Moreover, in the manufacturing method of the target material of this invention, when a heating process is performed in multiple times in steps between the said heating process and a cooling process as needed, a heat retention process can also be provided between each heating process. In the thermal insulation process, the temperature of the heating process region immediately nearby is maintained. The length, the number, and the like of the region in the thermal insulation step can be appropriately determined according to the size of the to-be-baked body, the size of the furnace to be used, the total number of regions to be arranged, and the like.

또한, 본 발명의 타깃재의 제조 방법으로 제조할 수 있는 타깃재는 분말 야금법에 의해 제조할 수 있는 것이면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 그 타깃재의 종류로서는, 예를 들면 산화인듐 및 산화주석을 주성분으로 하는 산화물(ITO ; In2O3-SnO2), In2O3-ZnO, SnO2-Sb2O3, ZnO-Al2O3 등의 세라믹스 소결체 타깃재; W계, Mo계, Al계, Ti계 등의 금속 타깃재를 들 수 있다. 이들 중에서는, 본 발명의 효과를 보다 효과적으로 발휘할 수 있다는 점에서 세라믹스 소결체 타깃재가 바람직하고, 그 중에서도 ITO 타깃재가 보다 바람직하다.In addition, the target material which can be manufactured by the manufacturing method of the target material of this invention should just be what can be manufactured by the powder metallurgy method, and is not specifically limited. Examples of the target material include oxides (ITO; In 2 O 3 -SnO 2 ), In 2 O 3 -ZnO, SnO 2 -Sb 2 O 3 , and ZnO-Al 2 which have indium oxide and tin oxide as main components. Ceramic sintered target materials such as O 3 ; Metal target materials, such as W type | system | group, Mo type | system | group, Al type, and Ti type, are mentioned. In these, the ceramic sintered compact target material is preferable at the point which can exhibit the effect of this invention more effectively, and an ITO target material is more preferable especially.

또한, 본 명세서 중, ITO 타깃은, 통상 산화인듐(In2O3)에 1∼35중량%의 산화주석(SnO2)을 첨가하여 얻어진 재료를 의미한다.In addition, the specification of, ITO target is, to the tin oxide of 1-35% by weight of (SnO 2) to indium oxide typically (In 2 O 3) was added; means a material obtained.

본 발명의 타깃재의 제조 방법에서는, 상기 가열 공정을 연속로 내에서 행하는 것이 바람직하고, 상기 가열 공정 및 냉각 공정을 연속로 내에서 행하는 것이 보다 바람직하다. 여기서, 연속로란, 피소성체를 연속적으로 가열할 수 있는 노, 또는 피소성체를 연속적으로 가열 및 냉각할 수 있는 노를 의미하고, 구체적으로는 예를 들면 롤러 하스 킬른, 푸셔로(pusher furnace), 메시 벨트로(mesh belt furnace) 등을 들 수 있다.In the manufacturing method of the target material of this invention, it is preferable to perform the said heating process in a continuous furnace, and it is more preferable to perform the said heating process and a cooling process in a continuous furnace. Here, a continuous furnace means the furnace which can continuously heat a to-be-baked body, or the furnace which can heat and cool a to-be-baked material continuously, Specifically, for example, a roller has kiln, a pusher furnace And mesh belt furnaces.

또한, 노내의, 폭방향의 온도 분포의 기울어짐을 작게 하여, 피소성체의 폭 방향 부분의 균일 가열을 달성하려고 하는 관점에서, 상기 연속로는 피소성체의 반송로를 경계로, 상하 방향에 가열 수단을 구비하고 있는 것이 바람직하고, 롤러 하스 킬른인 것이 보다 바람직하다. 또한, 피소성체의 반송로를 경계로, 상하 방향에 가열 수단을 마련했을 때에는, 열전대도 마찬가지로 상하에 마련하여, 상하에서 온도 검출 및 온도 제어를 하면 된다.In addition, from the viewpoint of reducing the inclination of the temperature distribution in the width direction in the furnace and achieving uniform heating in the width direction portion of the to-be-baked body, the continuous path is heated in the vertical direction, bounded by the conveying path of the to-be-baked material. It is preferable to have, and it is more preferable that it is a roller hearth kiln. In addition, when a heating means is provided in the up-down direction on the basis of the conveyance path of the to-be-baked body, a thermocouple may also be provided up and down similarly, and temperature detection and temperature control may be performed up and down.

또한, 본 발명의 제조 방법을 실시함에 있어서는, 그 연속로 내에 대기, 산소, 질소, 수소 등을 도입할 수 있다.Moreover, in implementing the manufacturing method of this invention, air | atmosphere, oxygen, nitrogen, hydrogen, etc. can be introduce | transduced into the continuous furnace.

구체적으로는, 본 발명의 제조 방법에 의해, 세라믹스 소결체 타깃재를 제조할 경우에는, 상기 연속로 내에 산소를 도입하여, 산소 분위기 내에서 상기 가열 공정 및/또는 냉각 공정을 행하는 것이 피소성체의 밀도 향상의 관점에서 바람직하다. 상기 연속로 내에 도입하는 산소의 유량은, 통상 0.1∼500m3/h의 범위 내의 양이다.Specifically, when the ceramic sintered compact target material is produced by the production method of the present invention, it is preferable to introduce oxygen into the continuous furnace to perform the heating step and / or the cooling step in an oxygen atmosphere. It is preferable from a viewpoint of improvement. The flow rate of oxygen introduced into the continuous furnace is usually an amount within the range of 0.1 to 500 m 3 / h.

또한, 본 발명의 제조 방법에 의해, 금속 타깃재를 제조할 경우에는, 상기 연속로 내에 수소 등의 환원 분위기를 도입하여, 환원 분위기 내에서 상기 가열 공정 및/또는 냉각 공정을 행하는 것이 금속의 산화를 방지하는 관점에서 바람직하다.Moreover, when manufacturing a metal target material by the manufacturing method of this invention, introducing a reducing atmosphere, such as hydrogen, into the said continuous furnace, and performing the said heating process and / or cooling process in a reducing atmosphere is oxidation of a metal. It is preferable from a viewpoint of preventing.

이하, 본 발명의 타깃재의 제조 방법을 롤러 하스 킬른에서 실시할 경우를 예로 들어, 필요에 따라 도면을 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the case where the manufacturing method of the target material of this invention is performed by a roller hearth kiln is taken as an example, and it demonstrates, referring drawings as needed.

롤러 하스 킬른이란, 그 설정 온도에 따라 예열역, 가열역, 보온역, 냉각역 등을 마련할 수 있어, 특정한 온도 프로파일을 실행할 수 있는 연속로의 일종이다.A roller hearth kiln is a kind of continuous furnace which can provide a preheating zone, a heating zone, a heat insulation zone, a cooling zone, etc. according to the set temperature, and can implement a specific temperature profile.

도 1A에 본 발명에 사용할 수 있는 롤러 하스 킬른의 일례의 개략적인 횡단면도를 나타낸다. 도 1A 중, 롤러 하스 킬른(1)에서 소성되는 피소성체(3)는 롤러(7)로부터 롤러(7')까지의 복수의 롤러 회전에 의해 화살표 방향으로 반송되어 가는 사이에, 예열, 가열, 보온, 냉각 등이 되어, 소성된다. 피소성체(3)는 도시한 바와 같이 소성판(2)에 탑재되어 있어도 된다. 또한, 도시한 예는, 피소성체(3)를 소성판(2)에 탑재한 1단의 실시 태양이지만, 더 다단으로 2단 쌓기, 3단 쌓기 등으로 행해도 된다.1A is a schematic cross-sectional view of an example of a roller hearth kiln that can be used in the present invention. In FIG. 1A, the to-be-baked body 3 baked in the roller hearth kiln 1 is preheated, heated, while conveyed in the arrow direction by the some roller rotation from the roller 7 to the roller 7 '. It heats, cools, etc., and bakes. The to-be-baked body 3 may be mounted in the baking plate 2 as shown. In addition, although the example shown is one-stage embodiment in which the to-be-baked body 3 was mounted to the baking board 2, you may carry out by two steps | times stacking | stacking, three steps | steps stacking | stacking etc. in more stages.

도 1B는 도 1A에 나타낸 롤러 하스 킬른의 I-I'선 단면도이며, 소성판(2)에 탑재된 피소성체(3)가 롤러(7)에 의해 반송되어 가는 반송로를 경계로 상하에는, 히터((9) 및 (9'))가 마련되어 있다. 노내의 온도는 이들 히터(9) 및 히터(9') 등에 의해 설정 온도로 조정된다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line II ′ of the roller hearth kiln shown in FIG. 1A, and the upper and lower sides of the roller 3 to be transported by the roller 7 are transported by the roller 7. Heaters 9 and 9 'are provided. The temperature in the furnace is adjusted to the set temperature by these heaters 9 and 9 '.

도 1A 중, 피소성체(3)는 칸막이(11)에 의해 칸막음되고, 히터(9) 및 히터(9') 등에 의해, 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역(이하, 그 영역을 간단히 「존」이라고 하는 경우도 있음)을, 복수의 롤러(7)의 회전에 의해, 동시에 걸치도록 반송되면서 가열 또는 냉각되어 간다(예를 들면, 도 1A에서는, 4개의 영역을 동시에 걸치도록 반송되고 있음).In FIG. 1A, the fired body 3 is partitioned by the partition 11, and two or more adjacent regions (hereinafter, referred to as regions) set to different temperatures by the heater 9, the heater 9 ', and the like. It may simply be referred to as "zone", and is heated or cooled while being conveyed so as to span at the same time by the rotation of the plurality of rollers 7 (for example, in FIG. 1A, conveyed to cover four areas at the same time). Being).

이때, 바람직하게는 가스 도입·배출구((5) 및 (5'))로부터, 산소 등의 가스를 도입·배출하여, 가스 분위기 내에서 소성을 행할 수 있다.At this time, Preferably, gas, such as oxygen, can be introduce | transduced and discharge | emitted from gas introduction and discharge ports (5 and 5 '), and baking can be performed in gas atmosphere.

또한, 본 발명자들이 아는 한, 롤러 하스 킬른에서, ITO 원료 분말의 하소를 한 예는 보고되어 있지만, ITO 타깃재를 소성하여 제조한 예는 보고되어 있지 않다. Moreover, as far as the present inventors know, the example which calcined ITO raw material powder in the roller hearth kiln is reported, but the example which calcined and manufactured the ITO target material is not reported.

이하, 실시예에 의거하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

[실시예 1]Example 1

롤러 하스 킬른(존수 16개, 전체 길이 7200mm)을 사용하여, 노내에 산소 농도 100%의 산소 가스를 흘려 보내면서, 탈지한 ITO 피소성체(In2O3에 SnO2 10중량% 첨가, 665mm×235mm×15mm, 11.4kg; 이하, 간단히 탈지체라고도 함)를 소성판(800mm×300mm×25mm)에 탑재한 상태에서, 표 1 및 표 2에 나타낸 조건에서 소성하여(온도 프로파일을 도 3에 나타냄), ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 실제의 소성 시간은 설정 소성 시간과 동일한 48시간이었다.Using a roller Haas kiln (16 zones, 7200 mm in total length), 10% by weight of SnO 2 is added to In 2 O 3 (SnO 2 , 665 mm x) while flowing oxygen gas with an oxygen concentration of 100% in the furnace. 235 mm x 15 mm, 11.4 kg; hereinafter referred to simply as a degreasing body) was fired under the conditions shown in Tables 1 and 2 (the temperature profile is shown in Fig. 3) in a state of mounting on a firing plate (800 mm x 300 mm x 25 mm). ), ITO target material was obtained. The actual firing time at this time was 48 hours same as the set firing time.

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 소성 밀도(g/cm3) 및 휘어짐(mm)을 하기의 방법으로 구하고, 갈라짐의 유무를 육안으로 평가했다.About the obtained ITO target material, baking density (g / cm <3> ) and curvature (mm) were calculated | required by the following method, and the presence or absence of a crack was evaluated visually.

소성 밀도는 얻어진 ITO 타깃재를 대략 직육면체로 절단하고, 면내기 가공(figuring)한 후, 중량을 측정하고, 이 중량을 면내기 가공 후의 직육면체의 체적으로 나눔으로써 산출했다. 또한, 면내기 가공 후의 직육면체의 체적은 노기스(미쯔토요제, M형 표준 노기스 N100(JIS B 7507)) 및 마이크로미터(미쯔토요제, 카운트 외측 마이크로미터 M820-25(JIS B 7502))를 사용하여 얻어진 측정값으로부터 계산했다.The firing density was calculated by cutting the obtained ITO target material into a substantially rectangular parallelepiped, figuring the surface, measuring the weight, and dividing the weight by the volume of the rectangular parallelepiped after the surface finishing. In addition, the volume of the rectangular parallelepiped after surface-treatment processing uses Nogisu (Mitsutoyo Co., Ltd., the M type standard Nogis N100 (JIS B 7507)), and a micrometer (Mitsutoyo Co., Ltd., count outer micrometer M820-25 (JIS B 7502)). It calculated from the measured value obtained by.

휘어짐은 얻어진 ITO 타깃재를 평판 위에 놓고, 평판과 ITO 타깃재 사이의 공간의 최대값을 극간 게이지(나가이 게이지 세이사쿠쇼제, JIS 스키마 게이지 JIS B 7524-1992)를 사용하여 계측했다.The curvature placed the obtained ITO target material on the flat plate, and measured the maximum value of the space between a flat plate and an ITO target material using a gap gauge (made by Nagai gauge Seisakusho, JIS schema gauge JIS B 7524-1992).

또한, 10일간에 걸쳐 제조를 실시했을 경우의 이론 소성 중량을 하기의 계산식에 의해 구했다.In addition, the theoretical plastic weight at the time of manufacturing over 10 days was calculated | required by the following formula.

10일간의 이론 소성 중량(kg)=10-day theoretical plastic weight (kg)

[단위 시간당의 소성 매수(매/시간)]×240(시간)×탈지체 중량(kg/매) [The number of firings per unit time (sheet / time)] * 240 (time) X degreasing body weight (kg / sheet)

그 결과, [(7200/800)/48]×240×11.4=513kg이 되었다.As a result, it was [(7200/800) / 48] x 240 x 11.4 = 513 kg.

또한, 단위 시간당의 소성 매수(매/시간)는 「노내에 들어가는 소성체 매수(매)(즉, 노 전체 길이(mm)/소성판 길이(mm))/실제의 소성 시간(시간)」으로부터 구했다.In addition, the number of firings per unit time (sheets / hour) is based on the number of firing bodies (sheets) (that is, furnace full length (mm) / baking plate length (mm)) / actual firing time (hours) in the furnace ''. Saved.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[실시예 2 및 3][Examples 2 and 3]

소성 조건을 표 1 및 표 3에 나타낸 조건으로 각각 바꾼(온도 프로파일을 도 4에 나타낸다. 온도 프로파일은 실시예 2 및 3에 공통임) 이외는 실시예 1과 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 실시예 2 및 3 모두, 실제의 소성 시간은 설정 소성 시간과 동일한 16시간이었다.The ITO target material was obtained by the same method as Example 1 except having changed baking conditions into the conditions shown in Table 1 and Table 3 (temperature profile is shown in FIG. 4. Temperature profile is common to Examples 2 and 3.). In Example 2 and 3, the actual baking time was 16 hours same as the preset baking time.

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량을 구했 다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to Example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was obtained.

10일간의 이론 소성 중량은, 실시예 2 및 3 모두, [(7200/800)/16]×240×11.4=1539kg이었다.The theoretical firing weight for 10 days was [(7200/800) / 16] x 240 x 11.4 = 1539 kg in Examples 2 and 3.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[실시예 4 및 5][Examples 4 and 5]

롤러 하스 킬른(존수 24개, 전체 길이 10800mm)을 사용하여, 노내에 산소 농도 100%의 산소 가스를 흘려 보내면서, 탈지한 ITO 피소성체(In2O3에 SnO2 10중량% 첨가, 665mm×235mm×15mm, 11.4kg)를 소성판(800mm×300mm×25mm)에 탑재한 상태에서, 표 1 및 표 4(실시예 4) 또는 표 1 및 표 5(실시예 5)에 나타낸 조건에서 각각 소성하여(실시예 4의 온도 프로파일을 도 5에, 실시예 5의 온도 프로파일을 도 6에 나타냄), ITO 타깃재를 얻었다. 실시예 4 및 5 모두, 실제의 소성 시간은 설정 소성 시간과 동일한 21.4시간이었다.Using a roller Haas kiln (24 zones, 10800 mm in total length), 10% by weight of SnO 2 added to In 2 O 3 was added while degassing oxygen gas with an oxygen concentration of 100% in the furnace. Firing under the conditions shown in Table 1 and Table 4 (Example 4) or Table 1 and Table 5 (Example 5), respectively, with 235 mm x 15 mm and 11.4 kg mounted on a firing plate (800 mm x 300 mm x 25 mm) (The temperature profile of Example 4 is shown in FIG. 5, and the temperature profile of Example 5 is shown in FIG. 6), and the ITO target material was obtained. In Examples 4 and 5, the actual firing time was 21.4 hours which was the same as the set firing time.

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량을 구했다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to Example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was determined.

실시예 4 및 5 모두, 10일간의 이론 소성 중량은 [(10800/800)/21.4]×240×11.4=1721kg이었다.In Examples 4 and 5, the theoretical firing weight for 10 days was [(10800/800) /21.4] x 240 x 11.4 = 1721 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[실시예 6]Example 6

실시예 4에서 얻어진 ITO 타깃재를 잘라내어, 동제(銅製) 배킹 플레이트와 접합하여, 직경 6인치×두께 4mm의 ITO 스퍼터링 타깃을 제작했다.The ITO target material obtained in Example 4 was cut out and bonded with the copper backing plate, and the ITO sputtering target of 6 inches of diameter x thickness 4mm was produced.

이 ITO 스퍼터링 타깃을 사용하여, 하기의 조건에서 스패터링 장치 내의 산소 분압을 변화시켜 스퍼터링을 행하고, 형성된 ITO 박막의 비저항을 측정하여, ITO 박막의 비저항에 대한 ITO 타깃재의 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성을 조사했다.By using this ITO sputtering target, the oxygen partial pressure in the sputtering apparatus is changed under the following conditions, sputtering is performed, and the specific resistance of the formed ITO thin film is measured, and the oxygen partial pressure dependency upon sputtering of the ITO target material to the specific resistance of the ITO thin film is determined. Investigated.

그 결과를 표 6 및 도 7에 나타낸다.The results are shown in Table 6 and FIG.

<스퍼터링 조건><Sputtering condition>

장치; 하이트레이트 스퍼터 장치(HSD 50L 개조, 주식회사 싱크론사제)Device; High rate sputter device (HSD 50L remodeling, product made by Syncron Corporation)

성막 조건:Deposition conditions:

도달 진공도; 6×10-4Pa, 기판 온도; 실온,Reach vacuum degree; 6 × 10 −4 Pa, substrate temperature; Room temperature,

프로세스 압력; 0.5Pa(Ar 50sccm), 산소 도입량; 0∼2sccmProcess pressure; 0.5 Pa (Ar 50 sccm), oxygen introduction amount; 0-2sccm

타깃-기판 사이 거리: 70mmTarget-to-board distance: 70 mm

기판; 코닝#1737Board; Corning # 1737

막두께; 300nm대(臺)Film thickness; 300nm band

또한, sccm이란, standard cc/min이며, 0℃, 1atm의 조건에서 환산한 가스 유량을 의미한다.In addition, sccm is standard cc / min, and means the gas flow volume converted on the conditions of 0 degreeC and 1 atm.

[비교예 1]Comparative Example 1

배치로를 사용하여, 노내에 산소 농도 100%의 산소 가스를 흘려 보내면서(유 량 1.0m3/h), 탈지한 ITO 피소성체(In2O3에 SnO2 10중량% 첨가, 665mm×235mm×15mm, 11.4kg; 이하, 간단히 탈지체라고도 함)를 소성판(800mm×300mm×25mm)에 탑재한 상태에서, 하기에 나타낸 소성 패턴으로 소성하여, ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 48시간이며, 실제의 소성 시간은 72시간이었다.Using a batch furnace, 10% by weight of SnO 2 was added to In 2 O 3 , 665 mm x 235 mm, while degassing 100% oxygen gas in the furnace (flow rate 1.0 m 3 / h). 15 mm and 11.4 kg (hereinafter also referred to simply as a degreasing body) were fired in a firing pattern shown below in a state where a firing plate (800 mm × 300 mm × 25 mm) was mounted, thereby obtaining an ITO target material. The set firing time at this time was 48 hours, and the actual firing time was 72 hours.

소성 조건;Firing conditions;

실온 → (30℃/hr) → 400℃ → (50℃/hr) → 800℃×3hr → (100℃/hr) → 1400℃×6hr → (-100℃/hr) → 500℃ → 노냉 Room temperature → (30 ℃ / hr) → 400 ℃ → (50 ℃ / hr) → 800 ℃ × 3hr → (100 ℃ / hr) → 1400 ℃ × 6hr → (-100 ℃ / hr) → 500 ℃ → furnace cooling

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 실시예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 하기의 계산식에 의해 10일간의 이론 소성 중량을 구했다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to Example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical plastic weight of 10 days was calculated | required by the following formula.

10일간의 이론 소성 중량(kg)=10-day theoretical plastic weight (kg)

[1배치당의 소성 매수(매)×240(시간)/소성 시간(시간)]×탈지체 중량(kg/매)[The number of firings per sheet (sheets) × 240 (hours) / baking time (hours)] × degreasing body weight (kg / sheet)

사용한 배치로에는, 탈지체를 1회마다 12매 투입할 수 있으므로, 1배치당의 소성 매수를 12매로 하여, [12×240/72]×11.4=456kg이 되었다.Since 12 sheets of degreasing bodies can be thrown in to the used batch furnace, 12 sheets of baking sheets per batch were made into 12 sheets, and it became [12 * 240/72] * 11.4 = 456 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 2]Comparative Example 2

하기에 나타낸 소성 패턴으로 소성한 이외는 비교예 1과 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 16시간이며, 실제의 소성 시간은 36.5시간이었다.The ITO target material was obtained by the method similar to the comparative example 1 except having baked with the baking pattern shown below. The set firing time at this time was 16 hours, and the actual firing time was 36.5 hours.

소성 조건;Firing conditions;

실온 → (320℃/hr) → 800℃×1hr → (300℃/hr) → 1400℃×4hr → (-250℃/hr) → 650℃ → 노냉 Room temperature → (320 ℃ / hr) → 800 ℃ × 1hr → (300 ℃ / hr) → 1400 ℃ × 4hr → (-250 ℃ / hr) → 650 ℃ → furnace cooling

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량에 대해서는, 얻어진 ITO 타깃재가 모두 갈라져 있었기 때문에 0으로 했다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, about the theoretical baking weight for 10 days, since all obtained ITO target materials were split, it was set to 0.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 3]Comparative Example 3

노내에 산소 가스를 흘려 보내지 않고, 대기를 흘려 보내면서(유량 1.0m3/h) 행한 이외는 비교예 2과 동일한 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 16시간이며, 실제의 소성 시간은 36.5시간이었다.An ITO target material was obtained in the same manner as in Comparative Example 2, except that oxygen gas was not flowed into the furnace but air was flowed (flow rate 1.0 m 3 / h). The set firing time at this time was 16 hours, and the actual firing time was 36.5 hours.

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량에 대해서는, 얻어진 ITO 타깃재가 모두 갈라져 있었기 때문에 0으로 했다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, about the theoretical baking weight for 10 days, since all obtained ITO target materials were split, it was set to 0.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 4][Comparative Example 4]

하기에 나타낸 소성 패턴으로 소성한 이외는 비교예 1과 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 54.3시간이며, 실제의 소성 시간 은 78.3시간이었다.The ITO target material was obtained by the method similar to the comparative example 1 except having baked with the baking pattern shown below. The set firing time at this time was 54.3 hours, and the actual firing time was 78.3 hours.

소성 조건;Firing conditions;

실온 → (30℃/hr) → 400℃ → (50℃/hr) → 800℃×1hr → (300℃/hr) → 1400℃×4hr → (-50℃/hr) → 800℃ → 노냉 Room temperature → (30 ℃ / hr) → 400 ℃ → (50 ℃ / hr) → 800 ℃ × 1hr → (300 ℃ / hr) → 1400 ℃ × 4hr → (-50 ℃ / hr) → 800 ℃ → furnace cooling

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량은 [12×240/78.3]×11.4=419kg이었다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was [12 × 240 / 78.3] × 11.4 = 419 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 5][Comparative Example 5]

노내에 산소 가스를 흘려 보내지 않고, 대기를 흘려 보내면서(유량 1.0m3/h) 행한 이외는 비교예 4와 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 54.3시간이며, 실제의 소성 시간은 78.3시간이었다.An ITO target material was obtained in the same manner as in Comparative Example 4, except that oxygen gas was not flowed into the furnace but air was flowed (flow rate 1.0 m 3 / h). The set firing time at this time was 54.3 hours, and the actual firing time was 78.3 hours.

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량은 [12×240/78.3]×11.4=419kg이었다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was [12 × 240 / 78.3] × 11.4 = 419 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 6]Comparative Example 6

하기에 나타낸 소성 패턴으로 소성한 이외는 비교예 1과 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 62.9시간이며, 실제의 소성 시간 은 84시간이었다.The ITO target material was obtained by the method similar to the comparative example 1 except having baked with the baking pattern shown below. The set firing time at this time was 62.9 hours, and the actual firing time was 84 hours.

소성 조건;Firing conditions;

실온 → (30℃/hr) → 400℃ → (50℃/hr) → 800℃×0.9hr → (300℃/hr) → 1600℃×8hr → (-50℃/hr) → 800℃ → 노냉 Room temperature → (30 ℃ / hr) → 400 ℃ → (50 ℃ / hr) → 800 ℃ × 0.9hr → (300 ℃ / hr) → 1600 ℃ × 8hr → (-50 ℃ / hr) → 800 ℃ → furnace cooling

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량은 [12×240/84]×11.4=391kg이었다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was [12 × 240/84] × 11.4 = 391 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 7]Comparative Example 7

하기에 나타낸 소성 패턴으로 소성한 이외에는 비교예 1과 마찬가지 방법으로 ITO 타깃재를 얻었다. 이때의 설정 소성 시간은 63.9시간이며, 실제의 소성 시간은 85시간이었다.Except having baked with the baking pattern shown below, the ITO target material was obtained by the method similar to the comparative example 1. The set firing time at this time was 63.9 hours, and the actual firing time was 85 hours.

실온 → (30℃/hr) → 400℃ → (50℃/hr) → 800℃×0.9hr → (318℃/hr) → 1650℃×8hr → (-50℃/hr) → 800℃ → 노냉 Room temperature → (30 ℃ / hr) → 400 ℃ → (50 ℃ / hr) → 800 ℃ × 0.9hr → (318 ℃ / hr) → 1650 ℃ × 8hr → (-50 ℃ / hr) → 800 ℃ → furnace cooling

얻어진 ITO 타깃재에 대하여, 비교예 1과 마찬가지로, 소성 밀도 및 휘어짐을 구하고, 갈라짐의 유무 평가를 행했다. 또한, 10일간의 이론 소성 중량은 [12×240/85]×11.4=386kg이었다.About the obtained ITO target material, baking density and curvature were calculated | required similarly to the comparative example 1, and the presence or absence of the crack was evaluated. In addition, the theoretical firing weight for 10 days was [12 × 240/85] × 11.4 = 386 kg.

이들 결과를 정리하여 표 1에 나타낸다.These results are summarized in Table 1.

[비교예 8]Comparative Example 8

비교예 6에서 얻어진 ITO 타깃재를 사용한 이외는 실시예 6과 마찬가지 방법 으로 ITO 스퍼터링 타깃을 제작하여, 스퍼터링을 행하고, 형성된 ITO 박막의 비저항을 측정하여, ITO 박막의 비저항에 대한 ITO 타깃재의 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성을 조사했다.Except for using the ITO target material obtained in Comparative Example 6 in the same manner as in Example 6 to produce an ITO sputtering target, sputtering, measuring the specific resistance of the formed ITO thin film, the sputtering of the ITO target material to the specific resistance of the ITO thin film The oxygen partial pressure dependence of was investigated.

그 결과를 표 6 및 도 7에 나타낸다.The results are shown in Table 6 and FIG.

<표 1>TABLE 1

Figure 112007000667044-PCT00001
Figure 112007000667044-PCT00001

<표 2>TABLE 2

Figure 112007000667044-PCT00002
Figure 112007000667044-PCT00002

<표 3>TABLE 3

<표 4>TABLE 4

Figure 112007000667044-PCT00004
Figure 112007000667044-PCT00004

<표 5>TABLE 5

Figure 112007000667044-PCT00005
Figure 112007000667044-PCT00005

<표 6>TABLE 6

Figure 112007000667044-PCT00006
Figure 112007000667044-PCT00006

표 6 및 도 7로부터, 예를 들면 비저항이 5.0×10-4Ω·cm 이하의 ITO 박막을 형성하기 위해서는, 배치로를 사용하여 제조한 ITO 타깃재를 사용할 경우에는, 스퍼터링 시의 도입 산소량을 약 0.3∼0.8sccm으로 컨트롤할 필요가 있지만, 연속로를 사용하여 제조한 ITO 타깃재를 사용할 경우에는, 스퍼터링 시의 도입 산소량이 약 0.3∼1.1sccm의 범위로 넓어져도 문제가 없음을 알 수 있다. From Table 6 and FIG. 7, for example, in order to form an ITO thin film having a specific resistance of 5.0 × 10 −4 Ω · cm or less, when using an ITO target material manufactured using a batch furnace, the amount of oxygen introduced during sputtering is determined. Although it is necessary to control to about 0.3-0.8 sccm, when using the ITO target material manufactured using the continuous furnace, it turns out that there is no problem even if the amount of introduced oxygen at the time of sputtering spreads to about 0.3-1.1 sccm. .

즉, 연속로를 사용하여 제조한 ITO 타깃재는 배치로를 사용하여 제조한 ITO 타깃재와 비교하여, 스퍼터링으로 형성된 박막의 비저항에 대한 스퍼터링 시의 산소 분압 의존성이 작아, 피소성체의 한쪽에서부터 소결시켜 가는 연속로 쪽이 배치로보다도 스퍼터링 타깃용 타깃재의 제조에 적합함을 알 수 있다. That is, compared with the ITO target material manufactured using the batch furnace, the ITO target material manufactured using the continuous furnace has a small dependence on the oxygen partial pressure at the time of sputtering to the specific resistance of the thin film formed by sputtering, and sintered from one side of the body It turns out that a thin continuous furnace is more suitable for manufacture of the target material for sputtering targets than a batch furnace.

본 발명에 의하면, 스퍼터링 타깃용 타깃재, 특히 소위 장척물이나 대형의 타깃재도 고품질로, 생산 효율 좋게, 단시간에 제조할 수 있다. 따라서 본 발명은 스퍼터링 타깃의 제조업에 유용하다.According to this invention, the target material for sputtering targets, especially what is called a long object and a large target material, can also be manufactured in a short time with high quality and high production efficiency. Therefore, the present invention is useful in the manufacture of sputtering targets.

Claims (21)

분말 야금법에 의해 스퍼터링 타깃의 타깃재를 제조하는 방법으로서,As a method of manufacturing the target material of a sputtering target by the powder metallurgy method, 성형 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 가열하여, 그 피소성체를 그 한쪽에서부터 소결시켜 가는 가열 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.A manufacturing method of the target material characterized by having the heating process which heats the to-be-baked material so that the both ends may have a temperature difference with respect to each to-be-baked material, and sinters the to-be-baked material from the one side. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 공정이 상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 가열하는 공정인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said heating process is a process of heating a to-be-baked material over 2 or more adjacent areas | regions set to different temperature with respect to each to-be-baked material simultaneously, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가열 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 낮은 영역의 설정 온도가 실온∼800℃의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said heating process WHEREIN: The manufacturing method of the target material of the two or more area | regions in which the set temperature of the area with the lowest temperature exists in the range of room temperature-800 degreeC. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 공정이 상기 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 가열하는 공정인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said heating process is a process of heating, conveying the to-be-baked material so that it may cover the two or more adjacent areas set to different temperature simultaneously with respect to each to-be-baked material, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가열 공정에서, 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여 10∼500℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 높아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도가 1∼50mm/min의 범위인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.In the said heating process, the temperature of each area | region of the said 2 or more area | regions is respectively set so that it may become sequentially high as it goes to a conveyance direction within the range of 10-500 degreeC compared with the temperature of the area | region adjacent to each other among these, Moreover, the conveyance speed of the to-be-baked material which passes through these two or more area | regions is the range of 1-50 mm / min, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 가열 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 낮은 영역의 설정 온도가 실온∼800℃의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said heating process WHEREIN: The manufacturing method of the target material of the two or more area | regions in which the set temperature of the area with the lowest temperature exists in the range of room temperature-800 degreeC. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가열 공정을 연속로 내에서 행하는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said heating process is performed in a continuous furnace, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 7, 상기 가열 공정에 더하여, 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여 그 양단이 온도차를 갖도록 그 피소성체를 냉각하는 냉각 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.In addition to the said heating process, it has a cooling process of cooling the to-be-baked material so that the both ends may have a temperature difference with respect to each to-be-baked material after a heating process, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 냉각 공정이 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역에 동시에 걸치면서 냉각하는 공정인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said cooling process is a process of cooling, while permeating a to-be-baked material to two or more areas set to different temperatures simultaneously with respect to each to-be-baked material after a heating process, The target material manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 높은 영역의 설정 온도가 1300∼1800℃의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said manufacturing process WHEREIN: The manufacturing method of the target material characterized by the set temperature of the area with the highest temperature among the said 2 or more area | regions in the range of 1300-1800 degreeC. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 냉각 공정이 가열 공정을 거친 후의 피소성체 1개당에 대하여, 그 피소성체를 서로 다른 온도로 설정된 인접하는 2개 이상의 영역을 동시에 걸치도록 반송하면서 냉각하는 공정인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said cooling process is a process of cooling, conveying the to-be-baked material so that it may cross over two or more adjacent areas set to different temperatures simultaneously with respect to each to-be-baked material after a heating process, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상 영역의 각 영역의 온도는 이들 중에서 서로 인접하는 영역의 온도와 비교하여 10∼500℃의 범위 내에서 반송 방향을 향함에 따라 순차적으로 낮아지도록 각각 설정되어 있고, 또한 이들 2개 이상의 영역 내를 통과하는 피소성체의 반송 속도가 1∼50mm/min의 범위인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.In the cooling step, the temperatures of the respective regions of the two or more regions are set so as to be sequentially lowered toward the conveyance direction within the range of 10 to 500 ° C, compared with the temperatures of the regions adjacent to each other among them, Moreover, the conveyance speed of the to-be-baked material which passes through these two or more area | regions is the range of 1-50 mm / min, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 냉각 공정에서, 상기 2개 이상의 영역 중, 가장 온도가 높은 영역의 설정 온도가 1300∼1800℃의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said manufacturing process WHEREIN: The manufacturing method of the target material characterized by the set temperature of the area with the highest temperature among the said 2 or more area | regions in the range of 1300-1800 degreeC. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 냉각 공정을 연속로 내에서 행하는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.A method for producing a target material, characterized in that the cooling step is performed in a continuous furnace. 제7항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 7 or 14, 상기 연속로가 피소성체의 반송로를 경계로, 상하에 가열 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The continuous furnace is provided with heating means above and below the conveyance path of a to-be-baked body, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제7항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 7 or 14, 상기 연속로가 롤러 하스 킬른(roller hearth kiln)인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The continuous furnace is a roller hearth kiln (roller hearth kiln), characterized in that the manufacturing method of the target material. 제7항 또는 제14항에 있어서,The method according to claim 7 or 14, 상기 연속로 내에 산소를 도입하는 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.Oxygen is introduced into the said continuous furnace, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 연속로 내에 도입하는 산소의 유량이 0.1∼500m3/h의 범위 내의 양인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.A flow rate of oxygen introduced into the continuous furnace is an amount within a range of 0.1 to 500 m 3 / h. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 타깃재가 투명 도전막 형성용 타깃재인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said target material is a target material for transparent conductive film formation, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 타깃재가 산화인듐, 산화주석, 산화아연 중 적어도 1개를 주성분으로 하는 산화물인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said target material is an oxide which has at least 1 of indium oxide, tin oxide, and zinc oxide as a main component, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 타깃재가 산화인듐 및 산화주석을 주성분으로 하는 산화물(ITO)인 것을 특징으로 하는 타깃재의 제조 방법.The said target material is an oxide (ITO) which has indium oxide and tin oxide as a main component, The manufacturing method of the target material characterized by the above-mentioned.
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