KR20070028343A - 나노복합체 유전 증대 재료 및 나노복합체 땜납 레지스트를포함하는 마이크로전자 패키지 - Google Patents
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Abstract
Description
에폭시 수지 페놀 경화제 촉매(아민, 무수물(anhydride) 또는 이미다졸(imidazole)형 촉매) 실리카 충전제 고무 충격 보강재 박막으로의 변환 및 혼합을 용이하게 하는 용매 선택사양으로, 점성 제어를 위한 틱소트로피 첨가제(예를 들어, 퓸드(fumed) 실리카) 선택사양으로, 거품 억제제 선택사양으로, 안료 또는 물감 선택사양으로, 난연제(flame retardants) |
에폭시 수지 페놀 경화제 촉매(아민, 무수물 또는 이미다졸형 촉매) 박막으로의 변환 및 혼합을 용이하게 하는 용매 선택사양으로, 점성 제어를 위한 틱소트로피 첨가제(예를 들어, 퓸드 실리카) 선택사양으로, 거품 억제제 선택사양으로, 안료 또는 물감 선택사양으로, 난연제 |
아크릴레이트 수지(이를테면, 트리스(히드록시에틸) 이소시안우레이트 디아크릴레이트) 광활성 촉매 박막으로의 변환 및 혼합을 용이하게 하는 용매 선택사양으로, 점성 제어를 위한 틱소트로피 첨가제(예를 들어, 퓸드 실리카) 선택사양으로, 거품 억제제 선택사양으로, 안료 또는 물감 선택사양으로, 난연제 |
Claims (56)
- 복수의 도전층을 포함하는 기판; 및상기 도전층들 사이에 삽입(sandwich)된 나노복합체 층간 유전체(nanocomposite inter-layer dielectric: ILD)를 포함하고,상기 나노복합체 ILD 층은 복수의 나노클레이(nanoclay) 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더(polymer binder)를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비(aspect ratio)를 갖는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 50보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 200보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 작은 판(platelet)들 또는 탁토이드(tactoid)들인 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 25 중량 퍼센트 미 만을 포함하는 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 10 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 5 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 1/2 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 나노클레이는 천연 점토들, 합성 점토들, 변형된 필로실리케이트(phyllosilicate)들, 또는 이들의 화합물(combination)들 또는 혼합물(blend)들을 포함하는 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 열 경화성 폴리머를 포함하는 장치.
- 접촉 표면을 갖는 기판; 및상기 접촉 표면 상에 배치된 나노복합체 땜납 레지스트 층을 포함하고, 상기 땜납 레지스트는 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산 되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 50보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 200보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 작은 판들 또는 탁토이드들인 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 25 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 10 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 5 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 1/2 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 나노클레이는 천연 점토들, 합성 점토들, 변형된 필로실리케이트들, 또는 이들의 화합물들 또는 혼합물들을 포함하는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 열 경화성 폴리머를 포함하는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 광 경화성 폴리머를 포함하는 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 기판은,복수의 도전층; 및상기 도전층들 사이에 삽입된 나노복합체 층간 유전체(ILD)를 포함하고, 상기 나노복합체 ILD 층은 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 접촉 표면을 갖는 기판;상기 접촉 표면 상에 배치된 나노복합체 땜납 레지스트 층 - 상기 땜납 레지 스트는 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 가짐 -; 및상기 접촉 표면에 부착되어 상기 접촉 표면과 전기적 접촉을 하는 다이(die)를 포함하고, 상기 다이는 상기 나노복합체 땜납 레지스트 층 내의 홀(hole)들 내에 용착된 땜납을 사용하여 부착되는 시스템.
- 제23항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 50보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 200보다 큰 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 작은 판들 또는 탁토이드들인 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 25 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제27항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 10 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제28항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 5 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 1/2 중량 퍼센트 미만을 포함하는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 나노클레이는 천연 점토들, 합성 점토들, 변형된 필로실리케이트들, 또는 이들의 화합물들 또는 혼합물들을 포함하는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 열 경화성 폴리머를 포함하는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 광 경화성 폴리머를 포함하는 장치.
- 제23항에 있어서, 상기 기판은,복수의 도전층; 및상기 도전층들 사이에 삽입된 나노복합체 층간 유전체(ILD)를 포함하고, 상기 나노복합체 ILD 층은 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 갖는 장치.
- 복수의 도전층을 제공하는 단계; 및상기 도전층들 사이에 나노복합체 층간 유전체(ILD)를 삽입하는 단계를 포함하고, 상기 나노복합체 ILD 층은 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 50보다 큰 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 200보다 큰 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 작은 판들 또는 탁토이드들인 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 25 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제39항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 10 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제40항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 5 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제41항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 1/2 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 나노클레이는 천연 점토들, 합성 점토들, 변형된 필로실리케이트들, 또는 이들의 화합물들 또는 혼합물들을 포함하는 프로세스.
- 제35항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 열 경화성 폴리머를 포함하는 프로세스.
- 접촉 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계;상기 접촉 표면 상에 나노복합체 땜납 레지스트 층을 배치하는 단계 - 상기 땜납 레지스트는 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 가짐 -; 및다이가 상기 접촉 표면과 전기적 접촉을 하도록 다이를 상기 기판에 부착하 는 단계를 포함하고, 상기 다이는 상기 나노복합체 땜납 레지스트 층 내의 홀들 내에 용착된 땜납을 사용하여 부착되는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 50보다 큰 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 약 200보다 큰 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 나노클레이 입자들은 작은 판들 또는 탁토이드들인 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 25 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제49항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 10 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제50항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 5 중량 퍼센트 미 만을 포함하는 프로세스.
- 제51항에 있어서, 상기 나노복합체는 나노클레이 입자들의 1/2 중량 퍼센트 미만을 포함하는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 나노클레이는 천연 점토들, 합성 점토들, 변형된 필로실리케이트들, 또는 이들의 화합물들 또는 혼합물들을 포함하는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 열 경화성 폴리머를 포함하는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 폴리머 바인더는 광 경화성 폴리머를 포함하는 프로세스.
- 제45항에 있어서, 상기 기판은,복수의 도전층; 및상기 도전층들 사이에 삽입된 나노복합체 층간 유전체(ILD)를 포함하고, 상기 나노복합체 ILD 층은 복수의 나노클레이 입자들이 안에 분산되어 있는 폴리머 바인더를 포함하는 나노복합체를 포함하고, 상기 나노클레이 입자들은 높은 애스펙트 비를 갖는 프로세스.
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