KR20070027885A - 가스 홀 커버를 구비한 반도체 제조 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는, 반도체 소자를 형성하기 위한 공정에서 가스를 공급하기 위한 적어도 하나 이상의 가스 홀들과; 상기 가스 홀 각각에 장착되는 가스홀 커버를 구비한다. 따라서 본 발명에 따르면, 가스홀의 오염을 방지 또는 최소화할 수 있게 된다. 또한 가스홀들의 오염에 따른 공정 불량을 방지 또는 최소화 할 수 있게 된다.

가스 홀, 가스홀 커버, 클리닝,

Description

가스 홀 커버를 구비한 반도체 제조 장치{Semiconductor fabricating apparatus having gas hole cover}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비의 가스홀과 가스홀 커버를 나타낸 도면

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조설비에서 가스홀에 가스홀 커버가 장착된 모습을 나타낸 도면

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10 : 장치 내부 20 : 가스홀

30 : 가스홀 커버

본 발명은 가스 홀 커버를 구비한 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 가스홀의 오염을 방지 또는 최소화 하기 위하여 가스홀 커버를 구비한 반도체 제조장치에 관한 것이다.

일반적으로, 하나의 반도체 소자가 생산되기 위해서는 수많은 공정들과, 이 수많은 공정들을 진행하는 복수의 반도체 제조설비들을 필요로 한다. 즉 , 웨이퍼는 사진 공정, 이온확산 공정, 식각 공정, 박막증착 공정 등 제반 공정들을 반복적으로 수행하여 반도체 장치인 칩(Chip)으로 제조된다.

이와 같은 공정 중에서 박막증착 공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 공정으로, 박막증착 방법에 따라 크게 물리기상증착 방법과 화학기상증착 방법으로 나누어지며, 최근에는 기체상태의 화합물을 분해한 후 화학적 반응에 의해 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 화학기상증착 방법이 널리 사용되고 있다.

특히, 이러한 화학기상증착 방법은 다시 박막을 형성시키기 위해서 화학 반응이 발생되는 조건 즉, 압력과 온도와 주입되는 에너지에 따라 크게 대기압에서 화학기상증착이 이루어지는 AP CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition)와 저압에서 화학기상증착이 이루어지는 LP CVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 저압상태에서 플라즈마에 의해 화학기상증착이 이루어지는 PE CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등으로 나누어진다.

이러한 박막 증착 공정을 포함하는 다수의 공정을 위한 반도체 제조 설비들은 각 설비마다 각각 서로 다른 반도체 공정을 수행하기 때문에 각 반도체 공정을 원활하게 수행하기 위해서는 각 반도체 공정에 따라 반응가스, 반응온도, 반응압력 등 공정을 진행하기 위한 여러 가지 조건들을 충족시켜야 한다.

한편, 이러한 박막 증착 공정을 수행하기 전이나 후에 반도체 제조설비들은 공정 챔버 내의 불순물을 제거하기 위하여 클리닝 공정을 진행한다.

이러한 클리닝 공정은 NF3 가스를 유입하고 RF 파워를 인가하는 등의 방법으로 진행한다. 반도체 제조설비에는 공정이 진행되는 챔버 내부로 공정가스 등을 공급하기 위한 가스홀 들이 구비된다. 이러한 가스 홀들은 외부의 가스 라인에 연결되어 외부에서 가스를 공급하게 된다. 이러한 가스홀들은 상기와 같은 클리닝 공정 진행시에 대기에 노출되어 오염될 여지가 있다. 또한, 클리닝 시에 발생되는 미세한 오염물질이 침투하여 설비 가동시에 공정불량의 원인이 되고 있다. 즉 가스 홀들이 오염된 상태에서 공정을 진행하게 되면, 공정 불량이 발생할 수 있고 파티클의 증가율이 높아지는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 가스 홀 커버를 구비한 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 가스홀의 오염을 방지 또는 최소화할 수 있는 가스홀 커버를 구비한 반도체 제조장지를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 가스홀들의 오염에 따른 공정 불량을 방지 또는 최소화 할 수 있는 가스홀 커버를 구비한 반도체 제조장치를 제공하는 데 있다.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 양상(aspect)에 따라, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는, 반도체 소자를 형성하기 위한 공정에서 가 스를 공급하기 위한 적어도 하나 이상의 가스 홀들과; 상기 가스 홀 각각에 장착되는 가스홀 커버를 구비한다.

상기 가스홀 커버는 테프론을 재질로 할 수 있으며, 상기 가스홀 커버는 클리닝 공정 진행시 상기 가스홀 들에 장착될 수 있다. 그리고, 상기 가스홀 커버는 상기 가스홀의 내부와 동일한 형태의 돌출부를 가지며, 상기 돌출부가 상기 가스홀에 끼워지도록 구성될 수 있다.

상기한 구성에 따르면, 가스 홀들의 오염을 방지 또는 최소화 할 수 있게 된다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.

본 발명에 따른 반도체 제조장치는 전체적으로 보아 웨이퍼 상에 소정 프로세스가 진행되는 다수의 프로세스 챔버와, 이러한 다수의 프로세스 챔버에서 소정 프로세스를 진행될 수 있도록 선행공정을 수행한 웨이퍼가 대기되는 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버의 웨이퍼가 상기 프로세스 챔버로 이송되기 전 미리 정렬되어지는 얼라인 챔버와, 상기 프로세스 챔버에서 소정 프로세스가 진행된 웨이퍼를 일정온도로 냉각시켜주는 쿨링 챔버 및 이러한 제반 챔버들에 각각 연결되도록 제반 챔버들의 중앙에 설치되며 공정진행에 따라 웨이퍼를 일 챔버에서 타 챔버로 각각 이송시켜주는 웨이퍼 이송로봇이 설치된 트랜스퍼 챔버로 구성된다.

반도체 제조설비의 프로세스 챔버에는 공정진행을 위하여 다수의 반응가스가 공급되어야 한다. 이러한 반응가스는 외부에서 가스라인을 통하여 상기 챔버에 공급된다. 이러한 반응가스가 공급되는 위한 가스 홀들이 상기 프로세스 챔버 내에 구비된다. 예를 들어 GENUS 7000 설비의 경우 리드(lid)로 가스를 분사하기 위한 가스홀(hole)이 3개 구비된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치에서의 내부(10)에 구비되는 가스홀(20)과 가스 홀 커버(30)를 나타낸 것이고, 도 2는 본발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치에서의 가스홀(20)에 상기 가스 홀 커버(30)가 장착된 모습을 나타낸 도면이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조장치에는 가스 홀(20)이 적어도 하나 이상 구비된다. 이러한 가스홀(20)은 가스를 공급하지 않는 공정 진행시나 클리닝 작업시에는 오염의 여지가 있다. 따라서 상기 가스홀(20)의 오염을 방지 또는 최소화 하기 위한 가스홀 커버(30)가 구비된다.

상기 가스홀 커버(30)는 테프론(teflon) 재질로 형성될 수 있다. 상기 가스홀 커버(30)는 상기 가스홀(20)의 내벽 및 바닥을 모두 커버할 수 있도록 형성된다.

상기 가스홀 커버(30)는 상기 가스홀(20)의 내부와 동일한 형태의 돌출부를 가지며, 상기 돌출부가 상기 가스홀(20)에 끼워지는 형태로 구성된다.

상기와 같이 반도체 제조 장치가 공정가스 등의 주입을 위한 가스홀들을 구비하는 경우에, 상기 가스홀들을 주위의 오염원으로부터 보호할 수 있도록 하기 위 한 가스홀 커버를 구비하면, 파티클이나 기타 오염원으로부터의 가스홀 오염을 방지할 수 있으며 설비 가동시에 공정 불량을 방지할 수 있게 된다.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 공정가스나 기타 가스의 공급을 위해 구비되는 가스홀 들에 가스홀 커버를 장착함에 의하여, 가스홀의 오염을 방지 또는 최소화할 수 있게 된다. 또한 가스홀들의 오염에 따른 공정 불량을 방지 또는 최소화 할 수 있게 된다.

Claims (4)

1. 반도체 제조장치에 있어서:

   반도체 소자를 형성하기 위한 공정에서 가스를 공급하기 위한 적어도 하나 이상의 가스 홀들과;

   상기 가스 홀 각각에 장착되는 가스홀 커버를 구비함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 가스홀 커버는 테프론을 재질로 함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
3. 제2항에 있어서,

   상기 가스홀 커버는 클리닝 공정 진행시 상기 가스홀 들에 장착됨을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
4. 제3항에 있어서,

   상기 가스홀 커버는 상기 가스홀의 내부와 동일한 형태의 돌출부를 가지며, 상기 돌출부가 상기 가스홀에 끼워짐을 특징으로 하는 반도체 제조장치.

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