KR20070024789A - 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 - Google Patents
금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070024789A KR20070024789A KR1020050080303A KR20050080303A KR20070024789A KR 20070024789 A KR20070024789 A KR 20070024789A KR 1020050080303 A KR1020050080303 A KR 1020050080303A KR 20050080303 A KR20050080303 A KR 20050080303A KR 20070024789 A KR20070024789 A KR 20070024789A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- ion implantation
- image sensor
- oxide film
- gate electrode
- region
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 title abstract description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title abstract description 22
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 43
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 fluorine ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/665—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET using self aligned silicidation, i.e. salicide
Abstract
본 발명은 금속 오염으로 인한 광 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 기판에 포토다이오드와 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 상기 게이트 전극을 포함하는 전면에 금속 이온과 반응하여 휘발성 물질을 생성하는 불순물을 포함하는 산화막을 형성하는 단계; 및 실리사이드 공정을 실시하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
CMOS 이미지센서, 금속 오염, 금속 실리사이드, 클로린, 플로린, 산화막, 이온주입.
Description
도 1a 내지 도 1g는 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서의 메탈 콘택 형성 이전까지의 공정을 도시한 단면도.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 메탈 콘택 형성 이전까지의 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
200 : 기판 201 : 필드 산화막
204 : 게이트 산화막 205 : 폴리실리콘막
208 : n-영역 209 : 스페이서
212 : 플로팅 확산영역 215 : P0 영역
216 : 산화막 217 : 플로린 또는 클로린 이온주입 공정
본 발명은 이미지센서 제조 방법에 관한 것으로 특히, 이미지센서에 실리사이드 공정 적용시 금속 오염으로 인한 광 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.
이미지센서는 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자이며, 이미지센서는 크게 전하결합소자(Charge Coupled Device; 이하 CCD라 함)와 CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS라 함) 이미지센서로 이루어진다.
CCD는 개개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터가 서로 매우 근접하도록 배치되어 있고, 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 방식의 소자이다.
반면, CMOS 이미지센서는 반도체의 CMOS 공정을 적용하여 하나의 단위 화소에 하나의 포토다이오드와 3개 또는 4개 등의 단위 화소 구동을 위한 트랜지스터를 포함한다. CMOS 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하며, 화소 수만큼 구동을 위한 MOS 트랜지스터들을 만들고, 이들을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
도 1a 내지 도 1g는 종래기술에 따른 CMOS 이미지센서의 메탈 콘택 형성 이전까지의 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 종래의 이미지센서 제조 공정을 살펴본다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 기판(100)에 소자간 절연을 위한 필드산화막 (101)을 형성한 다음, 이온주입을 통해 웰(도시하지 않음)을 형성한다.
기판(100)은 하부의 P형 영역과 상부의 P형 에피층이 적층된 구조를 갖는 바, 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(102)를 이용한 문턱전압 조절용 이온주입 공정(103)을 실시한다. 이어서, 이온주입 마스크(102)를 제거한다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 전면에 게이트 산화막(104)과 폴리실리콘막(105)을 차례로 증착한 다음, 패터닝하여 게이트 전극 구조를 형성한다. 도시된 게이트 전극 구조는 CMOS 이미지센서의 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극이다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(106)를 형성한 다음, 게이트 전극 구조의 일측에 얼라인되도록 이온주입 공정(107)을 실시하여 포토다이오드의 깊은 n-영역(108)을 형성한다.
이어서, 이온주입 마스크(106)를 제거한다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 게이트 전극 구조의 측면에 스페이서(109)를 형성한다.
이온주입 마스크(110)을 형성한 다음, 이온주입 공정(111)을 실시하여 게이트 전극 구조의 타측면에 얼라인된 기판(100)에 고농도 N형(n+)의 플로팅 확산영역(112)을 형성한다. 이때, 다른 트랜지스터의 소스/드레인도 이온주입 공정을 이용하여 형성한다. 이어서, 이온주입 마스크(110)를 제거한다.
도 1f에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(113)을 형성한 다음, 이온주입 공정(114)을 실시하여 n-영역(108) 상부의 표면 하부에 포토다이오드의 얕은 P형 불순물 영역(115, 이하 P0 영역 이라 함)을 형성한다.
도 1g에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(113)를 제거한다.
후속 공정으로 실리사이드 공정을 실시하여 게이트 전극 또는 로직 영역의 콘택 형성 영역에 금속 실리사이드를 형성한다.
상기한 바와 같이, 빛의 조사로 생성된 전하를 모으는 포토다이오드 및 인접 소자를 구현하기 위해 다양한 이온주입을 포함한 열처리 공정이 진행된다.
한편, 전술한 이온주입 공정의 경우 Fe, Ni, Co 등의 금속 원자들에 의한 실리콘 기판의 오염을 야기하는 문제점이 있으며, 이후 주변 로직 소자를 구현하는데 있어 진행되는 실리사이드 형성 공정은 치명적인 금속 오염원이 될 수 있다.
금속 오염은, 빛이 없는 상태에서도 포토다이오드 내에 전하를 생성시켜 마치 밝은 빛이 조사되어 나타나는 결과처럼 이미지의 왜곡 현상을 발생시킨다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 금속 오염으로 인한 광 특성 열화를 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판에 포토다이오드와 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드와 상기 게이트 전극을 포함하는 전면에 금 속 이온과 반응하여 휘발성 물질을 생성하는 불순물을 포함하는 산화막을 형성하는 단계; 및 실리사이드 공정을 실시하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 여러 가지 이온주입 공정 및 실리사이드 형성 공정에 의해 발생되는 금속 오염 및 다양한 공정에서 발생하는 금속 오염원에 의한 문제점을 최소화시키기 위해 포토다이오드 소자 형성 공정 후 및 실리사이드 형성 공정 이전에 실리콘 표면에 그 내부에 다량의 플로린(Fluorine) 또는 클로린(Cluorine)을 포함하는 산화막을 형성한다.
이는, 산화막을 증착함과 동시에 산화막 내에 플로린 또는 클로린 이온주입 공정을 실시함으로써 이룰 수 있다. 이렇게 되면, 산화막 내의 플로린 또는 클로린과 금속과의 반응을 통하여 휘발성 물질을 만들어 줌으로써 금속 오염원의 양을 최소화시켜 왜곡되지 않고 선명한 이미지를 얻을 수 있게 된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시 예에 따른 CMOS 이미지센서의 메탈 콘택 형성 이전까지의 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명의 CMOS 이 미지센서 제조 공정을 살펴본다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(200)에 소자간 절연을 위한 필드산화막(201)을 형성한다.
필드산화막(201)은 광소자가 형성되지 않는 영역으로, 각 소자 간의 격리를 위해 사용한다.
필드산화막(201) 형성시 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 방식을 이용할 수도 있으나, LOCOS 방식은 버즈(Bird's beak)와 집적도의 문제가 있어 STI(Shallow Trench Isolation) 방식을 사용한다.
STI 방식의 필드산화막(201)은 식각을 통한 트랜치의 형성과 트랜치를 매립하는 산화막의 증착 및 평탄화 공정으로 이루어진다.
이어서, 이온주입을 통해 웰(도시하지 않음)을 형성한다.
한편, 필드산화막(201)의 트렌치 하부에는 포토다이오드의 N형 불순물 영역(이하 n-영역이라 함)과 필드산화막(201) 측면을 격리하기 위한 채널 스탑 영역이 형성되며, 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
기판(200)은 하부의 P형 영역과 상부의 P형 에피층이 적층된 구조를 갖는 바, 도면의 간략화를 위해 생략하였다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(202)를 이용한 문턱전압 조절용 이온주입 공정(203)을 실시한다. 이어서, 이온주입 마스크(202)를 제거한다.
트랜스퍼 트랜지스터는 포토다이오드에서 생성된 전하를 손실없이 전달하는 역할을 하는 소자이므로, 문턱전압이 거의 "0"에 가깝도록 한다. 트랜스퍼 트랜지 스터는 NMOS 트랜지스터인 반면, 이렇게 문턱전압을 줄이기 위해서 P웰 또는 문턱전압 조절용 이온주입 공정(203)을 실시하게 된다.
도 2c에 도시된 바와 같이, 전면에 게이트 산화막(204)과 폴리실리콘막(205)을 차례로 증착한 다음, 패터닝하여 게이트 전극 구조를 형성한다. 도시된 게이트 전극 구조는 CMOS 이미지센서의 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극이다.
게이트 전극을 이루는 폴리실리콘막(205)이 N형 불순물이 갖도록 함에 있어서, 패터닝 전에 이온주입을 실시하거나 후속 소스/드레인 형성 공정에서의 이온주입을 이용할 수 있다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(206)를 형성한 다음, 게이트 전극 구조의 일측에 얼라인되도록 이온주입 공정(207)을 실시하여 포토다이오드의 깊은 n-영역(208)을 형성한다.
이온주입 공정(207)은 넓은 영역을 확보하고자 높은 에너지와 전하가 용이하게 잘 생성될 수 있도록 저농도로 실시한다. n-영역(208)은 빛의 조사에 의해 생성되는 전하를 집적시키는 역할을 하므로, 그 깊이는 청색 계통의 빛에 대한 효율을 증가시킬 수 있도록 약 1㎛ 이하의 범위를 갖도록 한다.
n-영역(208)의 하부 즉, P형 에피층은 포토다이오드의 P형 접합이 형성될 부분으로써, 빛에 조사에 의해 생성되는 전하를 집적시키는 역할을 하며, 그 깊이는 적색 계통의 빛에 대한 효율을 증가시킬 수 있도록 약 0.5㎛ ∼ 수 ㎛의 범위를 갖도록 한다.
이어서, 이온주입 마스크(206)를 제거한다.
도 2e에 도시된 바와 같이, 게이트 전극 구조의 측면에 스페이서(209)를 형성한다.
이온주입 마스크(210)을 형성한 다음, 이온주입 공정(211)을 실시하여 게이트 전극 구조의 타측면에 얼라인된 기판(200)에 고농도 N형(n+)의 플로팅 확산영역(212)을 형성한다. 이때, 다른 트랜지스터의 소스/드레인도 이온주입 공정을 이용하여 형성한다. 이어서, 이온주입 마스크(210)를 제거한다.
이어서, n-영역(208)과 플로팅 확산영역(212) 등의 도펀트가 확산될 수 있도록 급속 열처리(Rapid Thermal Process; 이하 RTP라 함) 방식을 통한 열처리 공정을 실시한다.
폴리실리콘막(205)과 플로팅 확산영역(212)은 금속과 접촉함으로써 동작 전압이 걸리며, 이로 인해 캐리어들의 흐름을 선택적으로 조절하는 역할을 한다.
도 2f에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(213)을 형성한 다음, 이온주입 공정(214)을 실시하여 n-영역(208) 상부의 표면 하부에 포토다이오드의 얕은 P형 불순물 영역(215, 이하 P0 영역 이라 함)을 형성한다.
P0 영역(215)은 기판(200) 표면의 데미지로 인한 전하의 손실을 방지하고, 청 광감도 향상을 위한 것이다.
도 2g에 도시된 바와 같이, 이온주입 마스크(213)를 제거한 다음, 전면에 산화막(216)을 증착하고, 산화막(216)내에 금속과의 반응을 통해 휘발성 물질을 생성하는 불순물 주입을 위한 이온주입 공정(217)을 실시한다.
이때, 불순물로는 클로린 또는 플로린 이온을 사용하며, 이들은 산화막(216) 내에 분포하다가 하부(즉, 기판(100)으로) 확산해가는 금속과 반응하여 휘발성 물질을 생성함으로써, 하부로의 금속 오염을 방지한다.
산화막(216)은 300Å ∼ 1000Å의 두께를 갖도록 하며, 그 증착 온도는 400℃ ∼ 800℃의 범위로 한다.
플로린 이온주입의 경우 3KeV ∼ 30KeV의 에너지를 사용하며, 클로린의 경우 5KeV ∼ 50KeV의 에너지를 사용한다.
플로린 및 클로린의 이온주입시 총 도즈는 1.0E14 atoms/㎠ ∼ 1.0E16 atoms/㎠로 하며, 이온주입시 틸트(Tilt)는 0°∼ 10°, 트위스트(Twist)는 0°∼ 360°로 한다.
후속 공정으로 실리사이드 공정을 실시하여 게이트 전극 또는 로직 영역의 콘택 형성 영역에 금속 실리사이드를 형성한다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 포토다이오드 형성 공정 후 및 실리사이드 형성 공정 전에 클로린 또는 플로린을 다량 포함하는 산화막을 형성하여, 금속 이온에 의한 기판의 오염을 방지함으로써, 암전류 등에 의한 이미지 왜곡을 방지할 수 있음을 실시 예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상술한 본 발명의 실시 예에서는 트랜스퍼 트랜지스터를 갖는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 실리사이드 공정을 적용하는 모든 이미지센서 제조 공정에 적용이 가능할 것이다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 이미지 왜곡을 방지할 수 있어, 이미지센서의 성능을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (6)
- 기판에 포토다이오드와 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 포토다이오드와 상기 게이트 전극을 포함하는 전면에 금속 이온과 반응하여 휘발성 물질을 생성하는 불순물을 포함하는 산화막을 형성하는 단계; 및실리사이드 공정을 실시하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 불순물은 클로린 또는 플로린을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화막을 형성하는 단계는,산화막을 증착하는 단계와, 상기 산화막에 상기 불순물을 이온주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 이온주입시 총 도즈는 1.0E14 atoms/㎠ 내지 1.0E16 atoms/㎠로 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 클로린 이온주입시 5KeV 내지 50KeV의 에너지를 사용하고, 상기 플로린 이온주입시 3KeV 내지 30KeV의 에너지를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 산화막을 300Å 내지 1000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050080303A KR20070024789A (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050080303A KR20070024789A (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070024789A true KR20070024789A (ko) | 2007-03-08 |
Family
ID=38099130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050080303A KR20070024789A (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070024789A (ko) |
-
2005
- 2005-08-30 KR KR1020050080303A patent/KR20070024789A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100997326B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US8268662B2 (en) | Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor | |
| KR101544511B1 (ko) | 게터링 영역들을 갖는 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US7595210B2 (en) | Method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor image sensor | |
| US7713808B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| KR100293718B1 (ko) | 개선된 이미지센서 제조방법 | |
| KR20080008719A (ko) | 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US6303421B1 (en) | Method of manufacturing CMOS sensor | |
| US7645652B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
| KR20070029369A (ko) | 암전류 발생을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
| US20080160731A1 (en) | Method for fabricating cmos image sensor | |
| KR100873288B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100587608B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR20070024789A (ko) | 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100790287B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| KR20060114399A (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지센서의 드라이브 트랜지스터 형성 방법 | |
| KR100870823B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20070027109A (ko) | 금속 오염을 방지할 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20040058754A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100700266B1 (ko) | 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100486084B1 (ko) | 엘디디형 씨모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR100664850B1 (ko) | 전하운송효율을 향상시키기 위한 이미지센서 제조 방법 | |
| KR20040058753A (ko) | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100982604B1 (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100766705B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |