KR20070016602A - Display apparatus - Google Patents

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박대양
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Abstract

정전기 불량을 방지하기 위한 표시 장치가 개시된다. 표시 기판은 표시 영역에 복수의 게이트 선들과, 복수의 데이터 선들과, 게이트 선들과 데이터 선들에 의해 정의된 복수의 화소부들 및 각종 신호를 전달하기 위한 선들이 형성된다. 그리고, 비 표시영역에 외부로부터 입력되는 신호를 게이트 구동부에 전달하기 위한 게이트구동부 제어 신호선은 정전기로부터 보호하기 위하여 더미 스위칭 소자를 포함한다. 이에 따라, 게이트 구동부를 정전기로부터 불량을 방지 할 수 있다.A display device for preventing an electrostatic defect is disclosed. In the display substrate, a plurality of gate lines, a plurality of data lines, a plurality of pixel parts defined by the gate lines and the data lines, and lines for transmitting various signals are formed in the display area. The gate driver control signal line for transmitting a signal input from the outside into the non-display area to the gate driver includes a dummy switching element to protect from static electricity. Accordingly, the gate driver can be prevented from defects from static electricity.

정전기, 더미 스위칭 소자, 표시장치 Static, Dummy Switching Devices, Displays

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}Display device {DISPLAY APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 1 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 연성회로 필름과 연결하기 위한 외부단자부의 배치도이다.FIG. 2 is a layout view of an external terminal unit for connecting with the flexible circuit film of FIG. 1.

도 3은 도 1에 표시된 A 부분 및 1개의 화소부를 부분 확대한 평면도이다.3 is an enlarged plan view of a portion A and one pixel unit shown in FIG. 1.

도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.4A through 4C are process diagrams for describing a method of manufacturing the display substrate illustrated in FIG. 3.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 하부 기판 114a, 114b: 게이트 구동부 제어 신호선100: lower substrate 114a, 114b: gate driver control signal line

120: 화소부 121: 박막 트랜지스터(TFT)120: pixel portion 121: thin film transistor (TFT)

200: 상부 기판 270: 더미 스위칭 소자 200: upper substrate 270: dummy switching element

274: 데이터 금속패턴 450, 451: 게이트 구동부274: data metal patterns 450 and 451: gate driver

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기 불량을 방지하는 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device for preventing static electricity failure.

일반적으로 액정표시장치는 스위칭 소자가 어레이된 어레이 기판과, 어레이 기판과 대향하는 대향 기판과, 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함한다. In general, a liquid crystal display device includes an array substrate on which switching elements are arrayed, an opposing substrate facing the array substrate, and a liquid crystal layer interposed between the substrates.

최근 어레이 기판을 ASG(Amorphous Silicon Gate)나 COG(Chip On Glass) 등 집적도가 높은 새로운 기술 적용으로 인해 금속 밀도가 높은 패턴을 사용함에 따라 정전기 불량이 증가하고 있다. 어레이 기판의 화소부에 형성된 스위칭 소자에 적용되는 정전기 방지 대책으로 대표적인 것은 정전기 방지용 다이오드와, 더미 스위칭 소자들이다.Recently, due to the application of new high-density technologies such as ASG (Amorphous Silicon Gate) and Chip On Glass (COG), an array of high-density metal patterns is used to increase static electricity defects. Typical antistatic measures applied to switching elements formed in the pixel portion of the array substrate are antistatic diodes and dummy switching elements.

정전기 방지용 다이오드는 선들의 일단부로부터 유입되는 정전기를 다른 선들로 분산시키는 기능을 수행하며, 더미 스위칭 소자는 정전기에 의한 데미지를 화소부의 스위칭 소자 대신 받음으로써 스위칭 소자를 보호하는 기능을 수행한다. The antistatic diode performs a function of distributing the static electricity flowing from one end of the lines to other lines, and the dummy switching element serves to protect the switching element by receiving the damage caused by the static electricity instead of the switching element of the pixel portion.

일반적으로 정전기 방지용 다이오드는 어레이 기판의 게이트 및 데이터의 구동부분 안쪽에 형성되어 있기 때문에 외부에서 정전기가 유입시 정전기 불량을 방지할 수 없으며, 구동부분의 소자를 보호할 수 없다. 따라서 외부의 신호가 기판에 전달되는 경우에도 정전기 불량을 억제할 수 있는 표시장치가 요구된다. In general, since the antistatic diode is formed inside the driving portion of the gate and data of the array substrate, when the static electricity flows from the outside, the electrostatic defect cannot be prevented and the element of the driving portion cannot be protected. Accordingly, there is a need for a display device capable of suppressing an electrostatic defect even when an external signal is transmitted to a substrate.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 외부 신호에 의한 정전기 불량 발생을 감소시키는 표시 기판을 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a display substrate to reduce the occurrence of static electricity failure due to an external signal.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 결합되어 액정층을 수용하는 제2 기판, 상기 제2 기판 상에 데이터 선들과 게이트 선들에 의해 정의된 복수의 화소를 포함하며, 영상을 표시하는 표시부, 상기 게이트 선들과 연결되어 상기 게이트 선들에 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부, 상기 데이터 선들과 연결되어 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부, 상기 기판 상에 구비되고, 외부 신호를 입력받는 복수의 패드를 포함하는 제1 패드부 및 상기 제1 패드부의 상기 패드와 상기 게이트 구동부를 전기적으로 연결하며, 복수의 더미 스위칭 소자를 구비하는 게이트 구동부 제어 신호선을 포함한다.In accordance with another aspect of the present invention, a display device includes a first substrate, a second substrate coupled to the first substrate to accommodate a liquid crystal layer, and data lines and gate lines on the second substrate. A display unit for displaying an image, a gate driver connected to the gate lines to provide a gate signal to the gate lines, a data driver connected to the data lines to provide a data signal, and on the substrate A first pad part including a plurality of pads configured to receive an external signal, and electrically connecting the pad and the gate driver to the first pad part, and including a plurality of dummy switching elements. Include.

이러한 표시 기판 및 이를 구비한 표시 장치에 의하면, 정전기가 표지장치의 구동부 회로에 불량을 발생시키는 것을 방지할 수 있다.According to the display substrate and the display device having the same, it is possible to prevent static electricity from causing a defect in the driver circuit of the display device.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 연성회로 필름과 연결하기 위한 외부단자부의 배치도이다. 도 3은 도 1에 표시된 A 부분 및 1개의 화소부를 부분 확대한 평면도이다.1 is a plan view of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a layout view of an external terminal unit for connecting with the flexible circuit film of FIG. 1. 3 is an enlarged plan view of a portion A and one pixel unit shown in FIG. 1.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치(700)는 실시예로서 듀얼 게이트 구동회로가 집적된다. 액정표시장치는 하부기판(100)과 상부기판(200)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the liquid crystal display 700 according to the present invention integrates a dual gate driving circuit as an embodiment. The liquid crystal display device includes a lower substrate 100 and an upper substrate 200.

하부기판(100)은 상부기판(200)이 포개지는 제 1 영역(100a)과 포개지지 않은 제 2 영역(100b)으로 구분된다. The lower substrate 100 is divided into a first region 100a on which the upper substrate 200 is superimposed and a second region 100b not superimposed.

제 1 영역(100a)은 표시영역(104)과 표시영역(104)을 둘러싸는 비표시 영역(106)을 포함하고, 표시영역(104)에 액정이 주입된 다음에 그 주변부가 실링재로 실링된다. 표시영역(104)의 좌우 비표시 영역(106)에는 게이트 신호를 제공받아 게이트 신호를 출력하는 제 1 및 제 2 게이트 구동회로부(450, 451)가 각각 배치된다. 게이트 구동부(450, 451)는 박막 스위칭 소자(121)를 형성하는 공정과 동일한 공정으로 함께 형성된다.The first region 100a includes a display region 104 and a non-display region 106 surrounding the display region 104, and after the liquid crystal is injected into the display region 104, the peripheral portion thereof is sealed with a sealing material. . In the left and right non-display areas 106 of the display area 104, first and second gate driving circuits 450 and 451 which receive a gate signal and output a gate signal are disposed. The gate drivers 450 and 451 are formed together in the same process as the process of forming the thin film switching element 121.

그러나, 게이트 구동부(450, 451)는 구동칩(400)에 내장되거나, 별도의 칩으로 형성되어 상기 하부기판(100)의 비표시 영역(106)에 실장될 수도 있다.However, the gate drivers 450 and 451 may be embedded in the driving chip 400 or may be formed as a separate chip and mounted in the non-display area 106 of the lower substrate 100.

게이트 구동부(450, 451)가 데이터 구동부의 구동칩(400)에 내장되는 경우, 데이터 구동부의 구동칩(400)은 게이트 선(GL)들로 게이트 신호를 출력한다.When the gate drivers 450 and 451 are embedded in the driving chip 400 of the data driver, the driving chip 400 of the data driver outputs a gate signal to the gate lines GL.

제 2 영역(100b)에는 데이터 구동부와 외부연결단자(114)가 형성되고 외부연 결단자(114)에는 연성회로 필름(500)의 일단이 부착된다. 데이터 구동부는 칩 형태로 제작되어 하부기판(100) 상에 마운팅된다.The data driver and the external connection terminal 114 are formed in the second region 100b, and one end of the flexible circuit film 500 is attached to the external connector 114. The data driver is manufactured in a chip shape and mounted on the lower substrate 100.

연성회로 필름(500)의 타단은 통합인쇄회로기판(미도시)에 부착된다. 연성회로 필름(500)은 데이터 구동부의 구동칩(400)과 전기적으로 연결되어 데이터 구동부를 제어하기 위한 제어신호를 데이터 구동칩(400)으로 제공한다. 또한, 게이트 구동부(450, 451)에 게이트 구동부(450, 451)를 제어하기 위한 신호를 제공한다. The other end of the flexible circuit film 500 is attached to an integrated printed circuit board (not shown). The flexible circuit film 500 is electrically connected to the driving chip 400 of the data driver to provide a control signal for controlling the data driver to the data driver chip 400. In addition, a signal for controlling the gate drivers 450 and 451 is provided to the gate drivers 450 and 451.

연성회로 필름(500)은 제어신호의 타이밍을 조절하기 위한 타이밍 컨트롤러나 데이터 신호를 저장하기 위한 메모리 등을 포함할 수 있다. The flexible circuit film 500 may include a timing controller for adjusting the timing of the control signal, a memory for storing the data signal, and the like.

도 1 및 도 3을 참조하면, 하부기판(100)에는 데이터 구동칩(400)과 전기적으로 연결된 데이터 선(DL)들, 게이트 구동부(450, 451)와 전기적으로 연결된 게이트 선(GL)들, 데이터 선(DL) 및 게이트 선(GL)과 연결된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)(121), 게이트 절연막(미도시), 게이트 절연막 상에 구비된 보호막(미도시) 및 박막 트랜지스터(121)와 전기적으로 연결된 화소 전극(286)이 형성되어 있다.1 and 3, the lower substrate 100 includes data lines DL electrically connected to the data driving chip 400, gate lines GL electrically connected to the gate drivers 450 and 451, and Thin Film Transistor (TFT) 121 connected to the data line DL and the gate line GL, a gate insulating film (not shown), a protective film (not shown) and a thin film transistor 121 provided on the gate insulating film. A pixel electrode 286 electrically connected to the pixel electrode 286 is formed.

표시 영역(104)에는 D1방향으로 연장된 데이터 선(DL)들과, D1 방향과 교차하는 D2 방향으로 연장된 게이트 선(GL)들 및 데이터 선(DL)들과 게이트 선(GL)들에 의해 정의된 복수의 화소부(120)들이 형성되어 있다.The display area 104 includes data lines DL extending in the D1 direction, gate lines GL, data lines DL, and the gate lines GL extending in the D2 direction crossing the D1 direction. A plurality of pixel units 120 defined by the plurality are formed.

데이터 선(DL)들은 구동칩(400)으로부터 데이터 신호를 수신하여 표시 영역(104)으로 데이터 신호를 전송한다. 게이트 선(GL)들은 게이트 구동부(450, 451)로부터 게이트 신호를 수신하여 표시 영역(104)으로 게이트 신호를 전송한다.The data lines DL receive a data signal from the driving chip 400 and transmit the data signal to the display area 104. The gate lines GL receive gate signals from the gate drivers 450 and 451 and transmit gate signals to the display area 104.

각각의 화소부(120)는 박막 트랜지스터(121)와, 액정 캐패시터(CLC) 및 스토리지 캐패시터(CST)를 포함한다. 스토리지 전압선(미도시)에 공통전압이 인가되어, 각각의 화소부(120)에 형성된 스토리지 캐패시터(CST)에 전달된다. Each pixel unit 120 includes a thin film transistor 121, a liquid crystal capacitor CLC, and a storage capacitor CST. The common voltage is applied to the storage voltage line (not shown) and transferred to the storage capacitor CST formed in each pixel unit 120.

박막 트랜지스터(121)는 표시 영역(104)에 구비되고, 스위치 소자로서 동작한다. 박막 트랜지스터(121)는 게이트 선(GL) 및 데이터 선(DL)과 연결되어 신호 전압을 화소 전극(286)에 인가하거나, 차단한다. 하부기판(100)은 박막 트랜지스터(121)를 다수 구비하고, 박막 트랜지스터(121)들은 게이트 선(GL)들 및 데이터 선(DL)들에 의해 정의되는 화소 영역들 별로 구비된다.The thin film transistor 121 is provided in the display region 104 and operates as a switch element. The thin film transistor 121 is connected to the gate line GL and the data line DL to apply or block a signal voltage to the pixel electrode 286. The lower substrate 100 includes a plurality of thin film transistors 121, and the thin film transistors 121 are provided for each pixel area defined by the gate lines GL and the data lines DL.

상부기판(200) 위에는 차광 패턴(미도시), 컬러 필터 패턴(미도시) 및 공통전극층(미도시)이 형성되어 있다.A light blocking pattern (not shown), a color filter pattern (not shown), and a common electrode layer (not shown) are formed on the upper substrate 200.

차광 패턴은 하부기판(100)의 표시 영역(104) 및 비표시 영역(106)에 대응하여 형성되어 누설 광을 차단하고, 표시 영역(104)의 화소부(120)들에 대응하여 내부 공간들을 정의한다. 컬러 필터 패턴은 차광 패턴에 의해 정의된 내부 공간들에 형성되어, 투과되는 광을 고유의 컬러로 발현시킨다. 공통전극층은 하부기판(100)의 화소 전극(286)에 대응하는 대향전극으로서, 화소부(120)에 정의되는 액정 캐패시터(CLC)의 공통전극이다. The light blocking pattern is formed to correspond to the display area 104 and the non-display area 106 of the lower substrate 100 to block leakage light, and to form internal spaces corresponding to the pixel parts 120 of the display area 104. define. The color filter pattern is formed in the internal spaces defined by the light shielding pattern to express transmitted light in a unique color. The common electrode layer is a counter electrode corresponding to the pixel electrode 286 of the lower substrate 100 and is a common electrode of the liquid crystal capacitor CLC defined in the pixel unit 120.

액정층(미도시)은 하부기판(100) 및 상부기판(200) 사이에 개재된다. 액정층은 화소 전극(286)과 공통전극층 간의 전위차에 의해 배열각이 변화되며, 이를 이용하여 영상이 표시된다.The liquid crystal layer (not shown) is interposed between the lower substrate 100 and the upper substrate 200. The arrangement angle of the liquid crystal layer is changed by a potential difference between the pixel electrode 286 and the common electrode layer, and an image is displayed using the same.

비표시 영역(106)은 액정표시장치(700) 제조 공정시 게이트 패드(미도시) 및 데이터 패드부(미도시)로부터 유입되는 정전기를 분산시키는 다이오드들을 포함한다. 따라서 정전 분산의 다이오드가 표시 영역(104)에 유입되는 정전기를 방어함으로써 정전기 불량에 의한 손실을 줄일 수 있다. 정전기 다이오드는 스토리지 전압선(미도시)에 연결될 수 있다.The non-display area 106 includes diodes dispersing static electricity flowing from the gate pad (not shown) and the data pad part (not shown) during the manufacturing process of the liquid crystal display device 700. Therefore, by preventing the static electricity flowing into the display area 104 by the diode of the electrostatic dispersion it is possible to reduce the loss due to the electrostatic failure. The electrostatic diode may be connected to a storage voltage line (not shown).

본 발명의 실시예로서 도 1의 "A" 부분은 외부의 신호가 게이트 구동부(450, 451)로 전달되는 게이트 구동부 제어 신호선이다. 게이트 구동부 제어 신호선은 개시신호 입력단자(ST) 신호선, 클럭신호 입력단자(CK) 신호선, 제1 전원전압단자(VOFF or VSS) 신호선 및 제2 전원전압단자(VON or VDD) 신호선을 포함한다. 게이트 구동부 제어 신호선에 정전기가 유입되면 게이트 구동부(450, 451)의 회로에 유입되어 불량을 발생시킬 수 있다. 따라서, 게이트 구동부(450, 451)의 회로를 보호하기 위하여 개시신호 입력단자(ST) 신호선, 클럭신호 입력단자(CK) 신호선, 제1 전원전압단자(VOFF or VSS) 신호선 및 제2 전원전압단자(VON or VDD) 신호선은 더미 스위칭 소자를 포함한다. 즉, 비표시 영역(106)에 형성된 "A" 부분에 정전기에 의한 불량을 감소시킬 수 있도록 더미 정전방지 스위칭 소자를 형성하는 것이다.In an exemplary embodiment of the present invention, part “A” of FIG. 1 is a gate driver control signal line through which an external signal is transmitted to the gate drivers 450 and 451. The gate driver control signal line includes a start signal input terminal ST signal line, a clock signal input terminal CK signal line, a first power supply voltage terminal VOFF or VSS signal line, and a second power supply voltage terminal VON or VDD signal line. When static electricity flows into the gate driver control signal line, it may flow into the circuits of the gate drivers 450 and 451 to cause a defect. Therefore, the start signal input terminal (ST) signal line, the clock signal input terminal (CK) signal line, the first power voltage terminal (VOFF or VSS) signal line, and the second power voltage terminal to protect the circuits of the gate drivers 450 and 451. The (VON or VDD) signal line includes a dummy switching element. That is, a dummy antistatic switching element is formed in the “A” portion formed in the non-display area 106 so as to reduce defects caused by static electricity.

즉, 외부로 발생하는 정전기에 더미 정전 방지 스위칭 소자가 먼저 손상됨에 따라서 게이트 구동부(450, 451)의 손상을 방지할 수 있다.That is, since the dummy antistatic switching device is first damaged by static electricity generated outside, damage to the gate drivers 450 and 451 may be prevented.

"A" 부분의 게이트 구동부 제어 신호선 및 더미 스위칭 소자의 구조에 대해서는 상세하게 후술된다.The structures of the gate driver control signal line and the dummy switching element of the portion "A" will be described later in detail.

도 2에 도시한 바와 같이, 외부연결단자(114)의 개시신호 입력단자(ST), 제1 클럭신호 입력단자(CK), 제1 전원전압단자(VOFF or VSS), 제2 전원전압단자(VON or VDD)의 4개의 단자들(114a)은 제1 게이트 회로부에 연결되고, 제2 클럭신호 입력단자(CKB), 제1 전원전압단자(VOFF or VSS), 제2 전원전압단자(VON or VDD)의 3개의 단자들(114b)은 제2 게이트 회로부에 연결된다. 외부연결단자(114)의 채널단자들(114c)은 데이터 구동부의 구동칩(400)에 연결된다.As shown in FIG. 2, the start signal input terminal ST, the first clock signal input terminal CK, the first power supply voltage terminal VOFF or VSS, and the second power supply voltage terminal of the external connection terminal 114 ( Four terminals 114a of the VON or VDD are connected to the first gate circuit and include a second clock signal input terminal CKB, a first power voltage terminal VOFF or VSS, and a second power voltage terminal VON or VDD. The three terminals 114b of VDD are coupled to the second gate circuit. The channel terminals 114c of the external connection terminal 114 are connected to the driving chip 400 of the data driver.

다시 도 1 및 도 3을 참조하면, 화소부(120)에는 데이터 선(DL)과 게이트 선(GL)에 연결된 박막 트랜지스터(121)와 박막 트랜지스터(121)와 콘택홀(285)을 통해 전기적으로 연결된 화소 전극(286)이 형성된다. 박막 트랜지스터(121)는 게이트 선(GL)에 연결된 게이트 전극(281)과, 데이터 선(DL)에 연결된 소스 전극(283)과, 화소 전극에 연결된 드레인 전극(284)을 포함하며, 게이트 전극(281)과 데이터/드레인 전극(283, 284) 사이에 개재된 액티브층(282)을 포함한다.Referring to FIGS. 1 and 3 again, the pixel unit 120 may be electrically connected to the data line DL and the gate line GL through the thin film transistor 121, the thin film transistor 121, and the contact hole 285. Connected pixel electrodes 286 are formed. The thin film transistor 121 includes a gate electrode 281 connected to the gate line GL, a source electrode 283 connected to the data line DL, and a drain electrode 284 connected to the pixel electrode. An active layer 282 interposed between the 281 and the data / drain electrodes 283 and 284.

또한, 도 1의 "A" 로 표시된 부분은 도 3에서 "A" 부분으로 확대되어 상세한 구조가 도시되어 있다. 즉, "A" 부분은 외부의 신호를 게이트 구동부(450, 451)에 전달하는 게이트 구동부 제어 신호선인 CK 신호선, VDD 신호선, VSS 신호선, ST 신호선은 데이터 선(DL)들과, 게이트 선(GL)들과 게이트 전극선(GL)들을 형성할 때 동시에 형성된 더미 박막 스위칭 소자(270)들을 포함한다. 더미 박막 스위칭 소자(270)는 CK 신호선, VDD 신호선, VSS 신호선, ST 신호선에 각각 형성되며, 또한 다수개의 다이오드를 구비하고 있다. In addition, the portion labeled "A" in FIG. 1 is enlarged to the portion "A" in FIG. 3 to show a detailed structure. That is, the "A" portion represents the CK signal line, the VDD signal line, the VSS signal line, and the ST signal line, which are the gate driver control signal lines that transmit external signals to the gate drivers 450 and 451, and the data lines DL and the gate line GL. ) And dummy thin film switching elements 270 formed simultaneously when the gate electrode lines GL are formed. The dummy thin film switching element 270 is formed on the CK signal line, the VDD signal line, the VSS signal line, and the ST signal line, respectively, and includes a plurality of diodes.

각각의 더미 스위칭 소자(270)는 게이트 선(GL)에 연결된 게이트 전극(271)과, 액티브층(272)과, 데이터 선(DL)에 연결된 데이터 전극(273) 및 데이터 전극(273)과 마주하여 채널 영역을 정의하는 드레인 전극(274)을 포함한다. 더미 스위 칭 소자(270)는 게이트 전극(273)과 드레인 전극(274)에 의해 소정의 캐패시턴스를 정의한다.Each dummy switching element 270 faces the gate electrode 271 connected to the gate line GL, the active layer 272, and the data electrode 273 and the data electrode 273 connected to the data line DL. And a drain electrode 274 defining a channel region. The dummy switching element 270 defines a predetermined capacitance by the gate electrode 273 and the drain electrode 274.

더미 스위칭 소자(270)들은 드레인 전극(274)들에 의해 복수의 그룹으로 분리되고, 각각의 그룹의 더미 스위칭 소자(270)는 드레인 전극(274)에 의해 랜덤한 캐패시턴스를 갖는다. 즉, 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제1 데이터 금속패턴(274a)에 의해 일체로 형성되어 제1 그룹으로 그룹핑된다.The dummy switching elements 270 are separated into a plurality of groups by the drain electrodes 274, and each group of the dummy switching elements 270 has a random capacitance by the drain electrode 274. That is, each of the drain electrodes 274 of the dummy switching elements 270 is integrally formed by the first data metal pattern 274a and grouped into a first group.

다른 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제2 데이터 금속패턴(274b)에 의해 일체로 형성되어 제2 그룹으로 그룹핑된다.The drain electrodes 274 of the other dummy switching devices 270 are integrally formed by the second data metal pattern 274b and grouped into a second group.

또 다른 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제3 데이터 금속패턴(274c)에 의해 일체로 형성되어 제3 그룹으로 그룹핑된다. Each of the drain electrodes 274 of the other dummy switching elements 270 is integrally formed by the third data metal pattern 274c and grouped into a third group.

또 다른 더미 스위칭 소자(270)의 드레인 전극(274)은 제4 데이터 금속패턴(274d)에 의해 제4 그룹으로 그룹핑된다.The drain electrode 274 of another dummy switching element 270 is grouped into a fourth group by the fourth data metal pattern 274d.

제1 내지 제4 그룹의 캐패시턴스는 제1 내지 제4 데이터 금속패턴(247a, 247b, 247c, 247d)의 크기에 대응한다.The capacitances of the first to fourth groups correspond to the sizes of the first to fourth data metal patterns 247a, 247b, 247c, and 247d.

더미 스위칭 소자(270)들의 드레인 전극(270)들을 하나의 데이터 금속패턴으로 일체로 형성하지 않고, 다양한 크기의 데이터 금속패턴(247a, 247b, 247c, 247d)들로 분리하여 형성함으로써 다양한 크기의 외부로부터 유입되는 정전기로부터 게이트 구동부(450, 451)의 회로가 손상되는 것을 막을 수 있다. 제1 데이터 금속패턴(274a)에 의해 드레인 전극(270)들이 일체로 형성된 제1 그룹의 더미 스위칭 소자는 상대적으로 큰 전압의 제1 정전기에 의해 손상되며, 제2 데이터 금속패턴 (274b)에 의해 드레인 전극(270)들이 일체로 형성된 제2 그룹의 더미 스위칭 소자들은 제1 정전기보다 작은 제2 정전기에 의해 손상된다. 또한, 제4 데이터 금속패턴(274d)에 의해 드레인 전극(270)이 형성된 제4 그룹의 더미 스위칭 소자는 제2 정전기보다 작은 제3 정전기에 의해 손상된다. 따라서, 다양한 크기의 정전기 및 여러 경로를 통해서 게이트 구동부(450, 451)의 회로를 보호할 수 있다. Instead of forming the drain electrodes 270 of the dummy switching elements 270 into a single data metal pattern, the drain electrodes 270 are separately formed into data metal patterns 247a, 247b, 247c, and 247d of various sizes. It is possible to prevent the circuits of the gate drivers 450 and 451 from being damaged by the static electricity flowing from the same. The first group of dummy switching elements in which the drain electrodes 270 are integrally formed by the first data metal pattern 274a is damaged by the first static electricity having a relatively large voltage, and is caused by the second data metal pattern 274b. The second group of dummy switching elements in which the drain electrodes 270 are integrally formed are damaged by a second static electricity smaller than the first static electricity. In addition, the fourth group of dummy switching elements in which the drain electrode 270 is formed by the fourth data metal pattern 274d is damaged by a third static electricity smaller than the second static electricity. Therefore, the circuits of the gate drivers 450 and 451 may be protected through various sizes of static electricity and various paths.

도 4a 내지 도 4c는 도 3에 도시된 표시 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 4A through 4C are process diagrams for describing a method of manufacturing the display substrate illustrated in FIG. 3.

도 1 내지 도 3 및 도 4a를 참조하면, 하부 기판(100) 위에 게이트 금속층을 형성하고, 포토 공정을 통해 게이트 금속패턴들을 형성한다. 게이트 금속패턴들은 게이트 선(GL)들과, 게이트 선(GL)에 연결된 화소부(120) 박막 트랜지스터(121)들의 게이트 전극(281)들 및 게이트 선(GL)에 연결된 더미 스위칭 소자(270) 게이트 전극(271)들을 포함한다.1 to 3 and 4A, a gate metal layer is formed on the lower substrate 100, and gate metal patterns are formed through a photo process. The gate metal patterns include the gate lines GL, the dummy electrodes 270 connected to the gate electrodes 281 of the pixel portion 120 thin film transistors 121 connected to the gate line GL, and the gate line GL. Gate electrodes 271 are included.

이어서, 게이트 금속패턴들 위에 게이트 절연층(미도시)을 형성한다. 게이트 절연층은 질화 실리콘 및 산화 실리콘과 같은 절연 물질로 형성한다. Subsequently, a gate insulating layer (not shown) is formed on the gate metal patterns. The gate insulating layer is formed of an insulating material such as silicon nitride and silicon oxide.

도 1 내지 도 3 및 도 4b를 참조하면, 게이트 절연층 위에 액티브층(272, 282)을 형성한다. 구체적으로, 게이트 절연층 위에 아몰퍼스 실리콘막 및 인 시튜(in-situ)로 도핑된 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법으로 차례로 적층한다. 적층된 아몰퍼스 실리콘막 및 n+ 아몰퍼스 실리콘막을 패터닝하여 화소부(120)의 박막 트랜지스터(121)들의 액티브층(282)과 더미 스위칭 소자(270) 들의 액티브층(272)을 형성한다.1 to 3 and 4B, active layers 272 and 282 are formed on the gate insulating layer. Specifically, an amorphous silicon film and an n + amorphous silicon film doped in-situ are sequentially deposited on the gate insulating layer by a plasma chemical vapor deposition method. The stacked amorphous silicon film and the n + amorphous silicon film are patterned to form an active layer 282 of the thin film transistors 121 of the pixel unit 120 and an active layer 272 of the dummy switching elements 270.

도 1 내지 도 3 및 도 4c를 참조하면, 액티브층(272, 282) 위에 데이터 금속층을 형성하고, 포토 공정을 통해 데이터 금속패턴들을 형성한다. 즉 동시에 데이터 선(DL), CK 신호선, VDD 신호선, VSS 신호선, ST 신호선들을 형성한다.1 to 3 and 4C, a data metal layer is formed on the active layers 272 and 282, and data metal patterns are formed through a photo process. That is, data lines DL, CK signal lines, VDD signal lines, VSS signal lines, and ST signal lines are simultaneously formed.

데이터 금속패턴들은 데이터 선(DL), CK 신호선, VDD 신호선, VSS 신호선, ST 신호선들과 더미 스위칭 소자(270)들의 데이터 전극(273) 및 드레인 전극(274)들과 화소부(120)의 박막 트랜지스터들의 데이터 전극(283)들 및 드레인 전극(284)들을 포함한다.더미 스위칭 소자(270)들의 드레인 전극(274)들은 다른 크기의 데이터 금속패턴들로 분리되어 형성된다. The data metal patterns include the data line DL, the CK signal line, the VDD signal line, the VSS signal line, the ST signal lines, the data electrodes 273 and the drain electrodes 274 of the dummy switching elements 270, and the thin film of the pixel portion 120. Data electrodes 283 and transistors 284 of the transistors. Drain electrodes 274 of the dummy switching elements 270 are formed by separating data metal patterns of different sizes.

구체적으로 제1 그룹의 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제1 크기의 제1 데이터 금속패턴(274a)에 의해 일체로 형성된다.In detail, each of the drain electrodes 274 of the first group of dummy switching elements 270 is integrally formed by the first data metal pattern 274a having the first size.

제2 그룹의 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제1 크기보다 작은 제2 크기의 제2 데이터 금속패턴(274b)에 의해 일체로 형성된다. Each of the drain electrodes 274 of the second group of dummy switching elements 270 is integrally formed by a second data metal pattern 274b having a second size smaller than the first size.

제3 그룹의 더미 스위칭 소자(270)들의 각각의 드레인 전극(274)들은 제2 크기의 제3 데이터 금속패턴(274c)에 의해 일체로 형성된다.Each of the drain electrodes 274 of the third group of dummy switching elements 270 is integrally formed by a third data metal pattern 274c having a second size.

제4 그룹의 더미 스위칭 소자(270)의 드레인 전극(274)은 제2 크기보다 작은 제3 크기의 제4 데이터 금속패턴(274d)에 의해 형성된다.The drain electrode 274 of the fourth group of dummy switching elements 270 is formed by the fourth data metal pattern 274d having a third size smaller than the second size.

이상과 같이, CK 신호선, VDD 신호선, VSS 신호선, ST 신호선들에 더미 스위칭 소자(270)들의 드레인 전극(274)들을 하나의 데이터 금속패턴으로 일체로 형성하지 않고, 서로 다른 크기의 데이터 금속패턴들로 분리하여 형성함에 따라서 다양 한 용량의 정전기로부터 게이트 구동부((450, 451)의 손상을 막을 수 있다.As described above, the drain electrodes 274 of the dummy switching elements 270 are not integrally formed in one data metal pattern on the CK signal line, the VDD signal line, the VSS signal line, and the ST signal lines, and data metal patterns having different sizes are formed. As it is formed separately, the damage of the gate drivers 450 and 451 may be prevented from static electricity of various capacities.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 데이터 금속패턴들 위에 보호층(미도시)을 형성한다. 이어서, 보호층의 일부 영역을 제거하여 콘택홀(285)를 형성한다. 1 to 3, a protective layer (not shown) is formed on the data metal patterns. Subsequently, a portion of the protective layer is removed to form the contact hole 285.

콘택홀(285)이 형성된 보호층 위에 화소전극층(286)을 형성한다. 화소전극층(286)은 투명한 전도성 물질로서, 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide; ITO), 인듐-아연-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide; IZO) 또는 인듐-틴-아연 옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide)를 포함한다. 화소전극층(286)을 포토 공정을 통해 패터닝하여 화소부(120)에 화소 전극(286)을 형성한다.The pixel electrode layer 286 is formed on the passivation layer on which the contact hole 285 is formed. The pixel electrode layer 286 is a transparent conductive material, and may be indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), or indium-tin-zinc oxide (Indium- Tin-Zinc-Oxide). The pixel electrode layer 286 is patterned through a photo process to form the pixel electrode 286 in the pixel portion 120.

이상의 설명에서 알 수 있듯이, 외부의 단자에 연결된 개시신호(ST) 신호선, 클럭신호(CK) 신호선, 제 1 전원전압(VOFF or VSS) 신호선, 제2 전원전압(VON or VDD) 신호선에 더미 스위칭 소자(270)들을 형성함으로써 외부에서 유입되는 정전기를 차단하여 게이트 구동부(450, 451)나 다른 회로부의 손상을 방지할 수 있다.As can be seen from the above description, dummy switching is performed on the start signal (ST) signal line, the clock signal (CK) signal line, the first power supply voltage (VOFF or VSS) signal line, and the second power supply voltage (VON or VDD) signal line connected to an external terminal. By forming the devices 270, the static electricity flowing from the outside may be blocked to prevent damage to the gate drivers 450 and 451 or other circuit parts.

또한, 정전 방지용의 더미 스위칭 소자(270)를 다양한 크기로 하여 정전용량을 랜덤하게 구성함으로써 효과적으로 정전 불량을 감소시킬 수 있다. In addition, by randomly configuring the capacitance by setting the dummy switching element 270 for preventing static electricity in various sizes, it is possible to effectively reduce the electrostatic failure.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 외부의 신호를 표시장치의 회로부에 전달하는 게이트 구동부 제어 신호선에 더미 스위칭 소자를 형성함으로써 정전 불량을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, a failure of the electrostatic discharge can be prevented by forming a dummy switching element on the gate driver control signal line that transmits an external signal to the circuit portion of the display device.

Claims (7)

제1 기판;A first substrate; 상기 제1 기판과 결합되어 액정층을 수용하는 제2 기판;A second substrate coupled to the first substrate to receive a liquid crystal layer; 상기 제2 기판 상에 데이터 선들과 게이트 선들에 의해 정의된 복수의 화소를 포함하며, 영상을 표시하는 표시부;A display unit including a plurality of pixels defined by data lines and gate lines on the second substrate and displaying an image; 상기 게이트 선들과 연결되어 상기 게이트 선들에 게이트 신호를 제공하는 게이트 구동부;A gate driver connected to the gate lines to provide a gate signal to the gate lines; 상기 데이터 선들과 연결되어 데이터 신호를 제공하는 데이터 구동부;A data driver connected to the data lines to provide a data signal; 상기 기판 상에 구비되고, 외부 신호를 입력받는 복수의 패드를 포함하는 제1 패드부; 및A first pad part provided on the substrate and including a plurality of pads for receiving an external signal; And 상기 제1 패드부의 상기 패드와 상기 게이트 구동부를 전기적으로 연결하며, 복수의 더미 스위칭 소자를 구비하는 게이트 구동부 제어 신호선을 포함하는 표시장치.And a gate driver control signal line electrically connecting the pad and the gate driver to the first pad part and including a plurality of dummy switching elements. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 데이터 구동부는 상기 데이터 선과 연결된 복수의 패드를 포함하는 제2 패드부와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 패드부를 통해 인가되는 데이터 제어신호를 입력받아 데이터 구동 신호를 출력단자를 통해서 출력하는 구동칩을 포함하는 표시장치.The data driver is electrically connected to a second pad part including a plurality of pads connected to the data line, and receives a data control signal applied through the first pad part and outputs a data driving signal through an output terminal. Display device comprising a. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 외부 신호는 연성회로 필름을 통해 상기 제1 패드부 및/또는 상기 제2 패드부에 입력되는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the external signal is input to the first pad portion and / or the second pad portion through a flexible circuit film. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 더미 스위칭 소자는 다이오드를 포함하는 표시장치.The dummy switching device includes a diode. 제4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 다이오드는 2개 이상의 부분으로 형성되는 표시장치.The diode is formed in two or more parts. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 더미 스위칭 소자는 상기 게이트 선에 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 선에 연결된 데이터 전극 및 상기 데이터 전극과 마주하여 채널 영역을 정의하는 드레인 전극을 포함하는 표시장치.The dummy switching element includes a gate electrode connected to the gate line, a data electrode connected to the data line, and a drain electrode defining a channel region facing the data electrode. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 스위칭 소자의 상기 게이트 전극 및 상기 드레인 전극은 정전 용량을 정의하는 표시장치.And the gate electrode and the drain electrode of the switching element define capacitance.
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