KR20070016584A - Apparatus for checking gas leakage in line - Google Patents

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KR20070016584A KR1020050071382A KR20050071382A KR20070016584A KR 20070016584 A KR20070016584 A KR 20070016584A KR 1020050071382 A KR1020050071382 A KR 1020050071382A KR 20050071382 A KR20050071382 A KR 20050071382A KR 20070016584 A KR20070016584 A KR 20070016584A
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Abstract

본 발명은 가스라인 누설 점검 장치에 관한 것으로, 이송가능하고 별도의 펌프와 센서를 포함하여, 가스 라인의 누설을 반도체 제조를 위한 메인 장치 설치 전에 점검할 수 있는 가스 라인 누설 점검 장치 및 가스 라인 누설 점검 방법을 제공한다. 이로써, 반도체 생산 시스템의 구축 시간을 현저하게 단축시킬 수 있어 작업의 효율은 물론 생산성을 향상시킬 수 있다. The present invention relates to a gas line leak check device, which includes a gas line leak check device and a gas line leak which are transportable and include a separate pump and a sensor to check the leak of the gas line before installing the main device for semiconductor manufacturing. Provide an inspection method. As a result, the construction time of the semiconductor production system can be significantly shortened, and the productivity as well as the work efficiency can be improved.

가스 라인, 누설 점검, 펌프, 누설 검출, 배관 Gas line, leak check, pump, leak detection, piping

Description

가스 라인 누설 점검 장치{Apparatus for checking gas leakage in line}Apparatus for checking gas leakage in line}

도 1은 종래의 반도체 제조 설비를 설명하기 위한 개념도. 1 is a conceptual diagram illustrating a conventional semiconductor manufacturing facility.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 개념도.2 is a conceptual diagram of a gas line leakage checking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 일 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 분해 사시도. Figure 3 is an exploded perspective view of a gas line leak check apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4d는 각각 본 발명에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 평면도, 정면도, 측면도 및 배면도. 4A to 4D are a plan view, a front view, a side view, and a rear view, respectively, of a gas line leak checking apparatus according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 가스 라인 누설 점검 방법을 설명하기 위한 흐름도. 5 is a flowchart illustrating a gas line leak checking method according to the present invention.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조 시스템의 개념도. 6 and 7 are conceptual diagrams of a semiconductor manufacturing system according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10, 100, 400 : 챔버 20, 200 : 가스 라인 배관10, 100, 400: chamber 20, 200: gas line piping

30 : 외부 탱크 및 배기부 110, 320, 510 : 펌프부30: outer tank and exhaust section 110, 320, 510: pump section

120, 330, 520 : 누설 검출부 130, 340, 530 : 제어부120, 330, 520: leak detection unit 130, 340, 530: control unit

본 발명은 가스라인 누설 점검 장치에 관한 것으로, 반도체 제조를 위한 배관 설비의 누설을 사전에 점검할 수 있는 배관 점검 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas line leak inspection apparatus, and more particularly, to a pipe inspection apparatus capable of inspecting a leak of a piping facility for semiconductor manufacturing in advance.

일반적으로 반도체 제조를 위해서는 많은 유해한 가스를 사용하고 있다. 따라서, 반도체 설비는 안전요구 사항에 따라 가스라인 배관의 누설 체크를 의무화 하고 있다. In general, many harmful gases are used for semiconductor manufacturing. Therefore, semiconductor equipment is required to check the leakage of gas line piping in accordance with safety requirements.

먼저 종래의 반도체 제조 설비를 도면을 참조하여 간락히 설명하면 다음과 같다. First, the conventional semiconductor manufacturing equipment will be briefly described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 반도체 제조 설비를 설명하기 위한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating a conventional semiconductor manufacturing facility.

도 1을 참조하면, 종래의 반도체 제조 설비는 소정의 반도체 박막을 증착하거나, 이를 패터닝하는 챔버(10)와, 챔버(10)에 접속된 다수의 외부 가스 라인 배관(20)과, 외부 가스라인 배관(20)에 접속된 다수의 외부탱크 및 배기부(30)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a conventional semiconductor manufacturing facility includes a chamber 10 for depositing or patterning a predetermined semiconductor thin film, a plurality of external gas line piping 20 connected to the chamber 10, and an external gas line. It includes a plurality of external tanks and the exhaust portion 30 connected to the pipe (20).

챔버(10)에는 소정의 반응공간(12)과, 반응공간(12)에 소정의 가스를 공급하는 가스 인젝터부(14)와, 반응 공간(12)의 내부 압력을 조절하거나, 반응 부산물을 배기하기 위한 다수의 펌프부(16)와, 반응 공간(12)을 가열 또는 냉각시키기 위한 온도조절부(18)와, 이들을 제어하기 위한 제어부(19)를 포함한다. In the chamber 10, a predetermined reaction space 12, a gas injector unit 14 supplying a predetermined gas to the reaction space 12, and an internal pressure of the reaction space 12 are adjusted or exhausted reaction by-products. And a plurality of pump portions 16, a temperature control portion 18 for heating or cooling the reaction space 12, and a control portion 19 for controlling them.

상술한 설비에 따른 반도체 제조 방법 즉, 박막 증착에 관해 간략히 설명하 면, 외부의 유독가스 또는 일반 가스가 저장된 외부 탱크(30)의 가스가 외부 가스 라인 배관(20)을 통해 챔버(10)에 인가된다. 한편, 챔버(10)의 반응 공간 내에 웨이퍼가 로딩되고, 제어부(19)의 제어 신호에 따라 온도 조절부(18)를 통해 반응 공간(12)의 온도를 상승시키고, 펌프부(16)를 통해 챔버(10) 내부의 압력을 조절한다. 이후, 가스 인젝터부(14)를 통해 챔버(10)의 반응 공간(12)에 외부 가스 라인 배관(20)을 통해 인가된 가스를 분사하여 소정의 박막을 형성한다. 이후, 챔버(10) 내부의 온도를 하강시키고, 챔버(10) 내부의 반응 부산물을 배기한 후, 챔버(10) 외부로 웨이퍼를 언로딩한다. The semiconductor manufacturing method according to the above-described equipment, that is, the thin film deposition will be briefly described. Gases of the external tank 30 in which external toxic gases or general gases are stored are transferred to the chamber 10 through the external gas line piping 20. Is approved. On the other hand, the wafer is loaded in the reaction space of the chamber 10, the temperature of the reaction space 12 is increased through the temperature control unit 18 according to the control signal of the controller 19, and the pump unit 16 is used. The pressure inside the chamber 10 is adjusted. Thereafter, the gas applied through the external gas line pipe 20 is injected into the reaction space 12 of the chamber 10 through the gas injector unit 14 to form a predetermined thin film. Thereafter, the temperature inside the chamber 10 is lowered, the reaction by-products inside the chamber 10 are exhausted, and the wafer is unloaded to the outside of the chamber 10.

이러한 제조 공정 중 사용되는 가스로는 NH3와 같은 유독가스가 사용된다. 만일, 이러한 유독가스가 누설될 경우, 반도체 전 공정이 중단될 뿐만 아니라 많은 인명 피해까지 발생할 수 있다. 따라서, 반도체 제조 설비 즉, 가스 라인 배관을 설치한 다음, 이의 누설유무를 필수적으로 점검하여야 한다. 하지만, 현재 이러한 반도체 설비에서 가스라인 배관의 누설 체크를 위해서는 반도체 제조 장치인 챔버가 설치된 후에 배관의 누설상태를 점검하게 된다. 이는 챔버를 설치하기 전에 외부에 가스 라인 설비를 먼저 실시한 다음, 챔버의 다수의 가스 입력라인과 외부의 가스 라인을 연결하고, 그후, 챔버 내부의 펌프를 이용하여 외부 가스 라인 배관의 누설 유무를 판단하였다. 즉, 반도체 생산용 메인 장치가 설치되고, 장치의 모든 전원이 온 상태에서만이 장치가 포함하고 있는 진공펌프를 이용할 수가 있었다. 따라서, 이러한 장치를 설치하는 동안 많은 시간을 기다려야 할 뿐 아니라, 만일 배 관의 누설 점검시 누설이 발견될 경우에는 장치를 설치하는데 소요되는 시간 이상의 시간이 요구되는 문제가 발생한다. 이와 같이 반도체 장치의 설치에 걸리는 시간이 길어지게 되면 업무의 효율은 물론 생산성에 있어서도 많은 악영향을 미치게 된다. 또한, 메인 장치가 설치된 후에는 누설된 배관을 교체 또는 수리하기 위한 충분한 공간을 갖지 못하게 되는 문제가 발생한다. Toxic gas such as NH 3 is used as the gas used in this manufacturing process. If the toxic gas leaks, not only the entire semiconductor process is interrupted, but also many casualties can occur. Therefore, after installing the semiconductor manufacturing equipment, that is, the gas line piping, it is necessary to check whether there is leakage. However, in order to check the leakage of gas line piping in such a semiconductor facility, the leakage state of the piping is checked after the chamber, which is a semiconductor manufacturing apparatus, is installed. Before installing the chamber, it is necessary to first install a gas line to the outside, and then connect a plurality of gas input lines to the outside gas line of the chamber, and then determine whether the external gas line is leaked by using a pump inside the chamber. It was. In other words, the main pump for semiconductor production was installed, and the vacuum pump included in the device could be used only when all the power supplies of the apparatus were turned on. Therefore, not only has to wait a lot of time during the installation of such a device, but if a leak is found in the leak check of the pipe, a problem that requires more than the time required to install the device occurs. In this way, when the time required for the installation of the semiconductor device becomes longer, there are many adverse effects not only on work efficiency but also on productivity. In addition, after the main device is installed, a problem arises in that there is not enough space for replacing or repairing the leaked pipe.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 반도체 생산 설비인 가스라인과 접속하여 가스라인의 누설을 메인 장치인 챔버 설치 전에 점검할 수 있는 이송가능한 가스 라인 누설 점검 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a transferable gas line leakage checking device that can be connected to a gas line, which is a semiconductor production facility, to check the leakage of the gas line before installing the chamber, which is the main device, to solve the above problems. do.

본 발명에 따른 외부 가스 라인 배관에 소정의 압력을 인가하는 펌프부와, 상기 펌프부와 상기 외부 가스 라인 배관 사이에 접속되어 상기 외부 가스 라인 배관의 압력변화를 검출하는 누설 검출부 및 상기 누설 검출부와 상기 펌브부의 동작을 제어하고, 상기 누설 검출부의 검출 결과에 따라 누설 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치를 제공한다. A pump unit for applying a predetermined pressure to the external gas line pipe according to the present invention, a leak detector connected between the pump unit and the external gas line pipe and detecting a pressure change of the external gas line pipe, and the leak detector; It provides a gas line leakage checking apparatus including a control unit for controlling the operation of the pump unit, and determines whether or not the leakage according to the detection result of the leak detection unit.

여기서, 상기 펌프부는 진공 펌프를 포함하는 것이 바람직하다. Here, the pump unit preferably includes a vacuum pump.

상기의 누설 검출부는 상기 펌프부와, 다수의 외부 가스 라인 배관에 각기 접속된 다수의 점검부를 포함하는 것이 효과적이다. 이때, 상기 점검부 각각은 밸브와, 외부 가스 라인 배관의 압력을 검출하는 센서 수단을 포함하고, 상기 외부 가스 라인과의 접속을 위한 연통 배관을 포함하는 것이 바람직하다. It is effective that the leak detection unit includes the pump unit and a plurality of inspection units each connected to a plurality of external gas line pipes. At this time, each of the inspection unit includes a valve, the sensor means for detecting the pressure of the external gas line pipe, preferably comprises a communication pipe for connecting to the external gas line.

상기의 제어부는, 전원의 입출력을 제어하는 전원 입출력 모듈과, 데이터의 입출력을 제어하는 데이터 입출력 모듈과, 상기 펌프부, 누설 검출부 및 제어부의 동작을 제어하고, 외부 가스 라인 배관의 누설을 판단하는 컨트롤 모듈 및 상기 컨트롤 모듈에 의해 동작하여 소정의 데이터 값을 표시하는 디스플레이 모듈을 포함할 수 있다. The control unit may control the operation of the power input / output module for controlling the input / output of the power source, the data input / output module for controlling the input / output of data, the pump unit, the leak detection unit, and the control unit, and determine the leakage of the external gas line piping. It may include a control module and a display module operated by the control module to display a predetermined data value.

이때, 이송부재에 의해 이송가능하고, 상기 펌핑부, 누설 검출부 및 제어부가 실장된 메인 케이스를 더 포함하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 메인 케이스의 일부에 냉각 수단이 형성될 수 있다. In this case, it is preferable to further include a main case which is transferable by a transfer member and in which the pumping unit, the leak detector and the control unit are mounted. Here, the cooling means may be formed in a part of the main case.

또한, 본 발명에 따른 가스 라인 배관 점검 방법에 있어서, 가스 라인 배관에 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 가스 라인 누설 점검 장치를 연결하는 단계와, 펌브부를 구동하여 가스 라인 배관에 소정의 압력을 인가하는 단계와, 상기 가스 라인 배관에 인가된 압력의 변화를 검출하는 단계와, 상기 인가된 압력과 검출된 압력을 비교하여 가스 라인 배관의 누설 유무를 판단하는 단계 및 상기 가스 라인 배관의 누설 유무에 따라 상기 가스 라인 배관을 보수하거나, 상기 가스 라인 배관과 상기 가스 라인 누설 점검 장치를 분리하는 단계를 포함하는 가스 라인 배관 점검 방법을 제공한다. Further, in the gas line pipe inspection method according to the present invention, the step of connecting the gas line leakage check device according to any one of claims 1 to 5 to the gas line pipe, and driving the pump unit to a predetermined Applying a pressure, detecting a change in pressure applied to the gas line pipe, comparing the applied pressure with the detected pressure, and determining whether the gas line pipe is leaked; Repairing the gas line piping according to the presence or absence of the gas line piping and providing a gas line pipe inspection method comprising the step of separating the gas line leakage check device.

또한, 본 발명에 따른 반도체 제조 시스템에 있어서, 반응 공간을 포함하는 챔버 및 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 가스 라인 누설 점검 장치를 포함하는 반도체 제조 시스템을 제공한다. In addition, in the semiconductor manufacturing system according to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing system including a chamber including a reaction space and a gas line leakage checking device according to any one of claims 1 to 5.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like numbers refer to like elements in the figures.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 개념도이다. 2 is a conceptual diagram of a gas line leak checking apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치는 펌프부(110)와, 외부의 가스 라인 배관(200)과 접속되어 가스라인 배관(200)이 가스 누설을 검출하는 누설 검출부(120)와, 상기 펌프부(110)와 누설 검출부(120)의 동작을 제어하고, 누설여부를 표시하는 제어부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the gas line leak checking apparatus according to the present embodiment is connected to a pump unit 110 and an external gas line pipe 200 so that the gas line pipe 200 detects a gas leak. 120 and a control unit 130 for controlling the operation of the pump unit 110 and the leak detection unit 120, and displays the leakage.

여기서, 펌프부(110)는 적어도 하나의 소형 진공 펌프를 포함하고, 진공펌프가 본 발명의 가스 라인 누설 점검 장치내의 운반용 케이스 내부에 조립 배치되도록 한다. 상기의 진공 펌프는 최고 펌핑 스피드(Peak pumping speed)가 20 내지 40㎥/h이고, 최대 압력(Ultimate pressure w/o purge)은 1×102 내지 4×102 mbar이 고, 입력전압(Input voltage)은 90에서 254V 사이의 50/60Hz를 사용한다. 전력(Power consumption)은 700 내지 1200W 이고, 주위 온도(ambient temperature)는 10 내지 40도 이고, 포트를 DN 25 또는 DN 40을 사용한다. 그리고 무게는 33.0 내지 40.5Kg인 펌프를 사용한다. Here, the pump unit 110 includes at least one small vacuum pump, so that the vacuum pump is assembled and placed inside the carrying case in the gas line leakage checking apparatus of the present invention. The vacuum pump has a maximum pumping speed of 20 to 40 m 3 / h, a maximum pressure (Ultimate pressure w / o purge) of 1 × 10 2 to 4 × 10 2 mbar, and an input voltage voltage) use 50 / 60Hz between 90 and 254V. Power consumption is 700 to 1200 W, ambient temperature is 10 to 40 degrees, and the port uses DN 25 or DN 40. And a pump having a weight of 33.0 to 40.5 Kg.

펌프부(110)는 제어부(130)의 제어전압에 따라 동작하는 것이 바람직하다. 물론, 제어부(130)를 거치지 않고, 펌프부(110)와 직접 접속된 별도의 스위치와 전원 라인을 통해 펌프부(110)의 동작을 제어할 수도 있다. 즉, 외부의 220V 또는 110V 전원이 직접 인가될 수도 있고, 제어부에 의해 변화된 전압을 인가 받을 수도 있고, 제어부(130)에 의해 외부 220V 또는 110V 전원의 인가가 제어될 수도 있다. 또한, 본 발명의 펌프부(110)는 냉각수 주입을 위한 냉각수 주입구(미도시)와, N2가스 주입을 위한 가스 주입구(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이를 통해 외부의 냉각수 배관과, N2 가스 배관과 이들을 연결하여 펌프부(110)를 동작시킬 수 있다. 물론 상기 N2가스 배관은 누설 검출부(120)와 접속되고, 이를 통해 펌프부(110)에 인가될 수도 있다.The pump unit 110 preferably operates according to the control voltage of the controller 130. Of course, the operation of the pump unit 110 may be controlled through a separate switch and a power line directly connected to the pump unit 110 without passing through the controller 130. That is, the external 220V or 110V power may be directly applied, the voltage changed by the controller may be applied, or the application of the external 220V or 110V power may be controlled by the controller 130. In addition, the pump unit 110 of the present invention may further include a cooling water inlet (not shown) for cooling water injection, and a gas inlet (not shown) for N 2 gas injection. Through this, it is possible to operate the pump unit 110 by connecting the external cooling water pipe, N 2 gas pipe and these. Of course, the N 2 gas pipe may be connected to the leak detector 120 and applied to the pump unit 110 through the N 2 gas pipe.

누설 검출부(120)는 펌프부(110)에 접속되고, 각기 외부 배관(200)과 접속되는 다수의 점검부(120-1, 120-2, 120-n)를 포함하고 있다. 개개의 점검부(120-1, 120-2, 120-n)는 각기 밸브와 게이지 표시를 위한 센서수단(미도시)이 포함되어 있고, 이들 각각이 외부 배관(200)과 접속을 위한 연통 배관(미도시)을 포함한다. The leak detection unit 120 is connected to the pump unit 110 and includes a plurality of inspection units 120-1, 120-2, and 120-n connected to the external pipe 200, respectively. Each of the inspection units 120-1, 120-2, and 120-n includes sensor means (not shown) for displaying valves and gauges, respectively, each of which is in communication pipe for connection with an external pipe 200. (Not shown).

센서 수단의 밸브는 제어부(130)에 의해 동작하는 것이 바람직하다. 물론 수 동으로 밸브의 개폐를 제어할 수도 있다. 또한, 센서수단은 전기전자 센서일 수도 있고, 게이지 표시장치일 수도 있다. 이때, 센서 수단은 점검부(120-1, 120-2, 120-n)에 접속된 가스 라인 배관(200)의 진공 정도를 감지하는 동작을 한다. 물론, 가스 라인 배관(200)의 압력을 감지할 수도 있다. 또한, 센서 수단은 제어부(130)에 센싱 결과값을 전송한다. 이를 통해 제어부(130)는 센싱 결과 값에 따라 가스 라인 배관(200)의 누설 유무를 판단할 수 있다. 물론 센서 수단을 수동으로 체크하여 가스 라인 배관(200)의 누설 유무를 판단할 수 있다. The valve of the sensor means is preferably operated by the control unit 130. Of course, it is possible to control the opening and closing of the valve manually. In addition, the sensor means may be an electrical and electronic sensor, or may be a gauge display device. At this time, the sensor means is operable to detect the degree of vacuum of the gas line pipe 200 connected to the inspection unit (120-1, 120-2, 120-n). Of course, the pressure of the gas line pipe 200 may be sensed. In addition, the sensor means transmits a sensing result value to the controller 130. As a result, the controller 130 may determine whether the gas line pipe 200 is leaked according to the sensing result value. Of course, the sensor means may be manually checked to determine whether the gas line pipe 200 is leaked.

상기의 누설 검출부(120)는 소정의 정글박스 형태로 제작되어 있고, 다수의 점검부(120-1, 120-2, 120-n)가 정글 박스 내에 위치해 있고, 케이스 외부로 연통배관이 노출되어 있다. 이때, 점검부(120-1, 120-2, 120-n) 각각은 다양한 형태의 외부 가스 라인 배관(200)과 접속될 수 있도록 다양한 연통배관이 있으며, 한번에 다수의 외부 가스 라인 배관(200)과 접속되어 이들의 누설을 동시에 점검할 수 있다. 즉, 약 1 내지 10개의 점검부를 두어 1 내지 10개의 배관을 동시에 점검할 수 있다. 예를 들어 8개의 외부 가스 배관과 8개의 점검부를 연통배관을 통해 각기 연결시킨 다음 이들 각각에 각기 상이한 점검 조건을 주어 누설을 동시에 점검할 수 있다. The leak detection unit 120 is manufactured in a predetermined jungle box shape, a plurality of inspection units (120-1, 120-2, 120-n) is located in the jungle box, the communication pipe is exposed to the outside of the case have. In this case, each of the checkers 120-1, 120-2, and 120-n has various communication pipes to be connected to various types of external gas line pipes 200, and a plurality of external gas line pipes 200 at a time. It can be connected to and can check their leakage at the same time. That is, about 1 to 10 inspection units can be provided to check 1 to 10 pipes at the same time. For example, eight external gas pipes and eight checks can be connected to each other via a communication line, and then each can be given a different check condition to check for leaks simultaneously.

제어부(130)는 컨트롤 모듈, 디스플레이 모듈, 데이터 입출력 모듈, 전원 입출력 모듈을 포함한다. 여기서 데이터 입출력 모듈은 누설 검출부로 부터 데이터를 입력받고 이를 컨트롤 모듈에 전송한다. 전원 입출력 모듈은 외부 전원을 인가받아 이를 바이패스시켜 제어부 외의 장치에 직접 인가하거나, 외부전원을 소정 레 벨로 변환시켜 인가한다. 컨트롤 모듈을 통해 상기 펌프부(110) 및 누설 검출부(120)의 동작은 물론 전체 장치의 동작을 제어한다. 컨트롤 모듈 내에는 다수의 프로그램이 프로그램밍되어 있어 외부의 조작에 따라 각 부의 동작을 개별적으로 제어할 수 있고, 누설 검출부(120)의 결과에 따라 배관(200)의 누설을 판단하여 디스플레이 모듈을 통해 외부로 디스플레이할 수 있다. The controller 130 includes a control module, a display module, a data input / output module, and a power input / output module. Here, the data input / output module receives data from the leak detector and transmits it to the control module. The power input / output module receives external power and bypasses it, and directly applies the device to a device other than the controller, or converts the external power to a predetermined level. The control module controls not only the operation of the pump unit 110 and the leak detection unit 120 but also the operation of the entire apparatus. In the control module, a number of programs are programmed so that the operation of each part can be controlled individually according to an external operation, and the leakage of the pipe 200 is judged according to the result of the leak detection unit 120 to determine the outside through the display module. Can be displayed.

상술한 구조를 갖는 본 발명의 장치를 구현한 장비의 구조를 도면을 참조하여 설명한다. The structure of equipment implementing the apparatus of the present invention having the above-described structure will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 분해 사시도이다. 도 4a 내지 도 4d는 각각 본 발명에 따른 가스 라인 누설 점검 장치의 평면도, 정면도, 측면도 및 배면도이다. 3 is an exploded perspective view of a gas line leak checking apparatus according to an embodiment of the present invention. 4A to 4D are a plan view, a front view, a side view and a back view, respectively, of a gas line leak checking apparatus according to the present invention.

도 3 및 도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 본 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치는 이송부재(311)를 포함하고 소정의 수납 공간을 갖는 메인 프레임(310)과, 메인 프레임(310) 내에 배치된 펌프부(320), 누설 검출부(330) 및 제어부(340)를 포함한다. 메인 프레임(310)의 전, 후, 좌, 우 및 상부에는 커버(351, 352, 353, 354, 355)가 형성되어 외부 충격으로부터 내부의 펌프부(110), 누설 검출부(330) 및 제어부(340)를 보호한다. 3 and 4A to 4D, the gas line leakage checking apparatus according to the present embodiment includes a main frame 310 including a transfer member 311 and a predetermined storage space, and a main frame 310 in the main frame 310. It includes a pump unit 320, a leak detector 330 and the control unit 340 disposed. Covers 351, 352, 353, 354, and 355 are formed at the front, rear, left, right, and upper portions of the main frame 310 to prevent the internal pump unit 110, the leak detector 330, and the controller ( 340 protect.

메인 프레임(310)은 다면체 형상으로 형성하되 도면에 도시된 바와 같이 거의 직육면체 형상을 갖는 것이 바람직하다. 각면에는 소정의 커버(351, 352, 353, 354, 355)로 덮여 있다. The main frame 310 is formed in a polyhedral shape, but preferably has a substantially rectangular parallelepiped shape as shown in the drawing. Each surface is covered with predetermined covers 351, 352, 353, 354, and 355.

여기서, 메인 프레임(310) 내부에 배치되는 펌프부(320), 누설 검출부(330) 및 제어부(340)의 배치 형태는 한정되지 않고 다양한 배치가 가능하다. 바람직하게는 도 4d에 도시된 바와 같이 누설 검출부(330)는 메인 프레임 뒷쪽 영역에 박스 형태로 배치되고, 박스의 일면에는 외부의 가스라인 배관과 접속될 다수의 배관 연결부(331)가 노출되어 있다. 또한, 누설 검출부(330)가 배치된 뒷면 커버(353)의 일측에는 냉각 팬을 포함하는 냉각 수단(361)이 형성되고, 외부의 전원을 입력받는 전원 입력단(370)이 형성된다. Here, the arrangement form of the pump 320, the leak detector 330, and the controller 340 disposed inside the main frame 310 is not limited, and various arrangements are possible. Preferably, as shown in FIG. 4D, the leak detector 330 is disposed in a box shape in a region behind the main frame, and a plurality of pipe connections 331 to be connected to an external gas line pipe are exposed on one surface of the box. . In addition, a cooling means 361 including a cooling fan is formed at one side of the rear cover 353 in which the leak detector 330 is disposed, and a power input terminal 370 for receiving external power is formed.

이때, 본 발명의 진공 펌프를 포함하는 펌프부(320)는 반도체 생산라인에서 이미 설치되어 있는 상용 220V의 전원을 인가하고, 장치의 유지 보수를 위한 N2가스라인만을 누설 검출부의 배관 연결부(331)에 연결하여 구동시킬 수 있다. At this time, the pump unit 320 including the vacuum pump of the present invention is applied to the commercial 220V power that is already installed in the semiconductor production line, only the N2 gas line for maintenance of the device pipe connection portion 331 of the leak detection unit It can be connected to and driven.

또한, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이 전면과 상부면 사이에 소정의 경사면이 형성되어 있어 제어부(340)에 따라 화상을 표시하는 모니터(341)와 소정의 데이터를 입력하기 위한 키보드를 포함하는 데이터 입력수단(342)이 배치되어 있다. 이때, 키보드는 메인 프레임(310) 내부로 삽입될 수도 있다. 이에 따라 제어부(340)는 전면에 배치되어 있는 것이 효과적이다. 또한, 제어부(340)는 소형 컴퓨터를 포함하는 것이 바람직하다. Also, as shown in FIGS. 4A and 4B, a predetermined inclined surface is formed between the front surface and the upper surface, and includes a monitor 341 for displaying an image according to the controller 340 and a keyboard for inputting predetermined data. Data input means 342 is arranged. In this case, the keyboard may be inserted into the main frame 310. Accordingly, it is effective that the controller 340 is disposed on the front surface. In addition, the controller 340 preferably includes a small computer.

상부 커버(351)에는 냉각 팬을 포함하는 냉각 수단(361)이 형성되어 있고, 앞면 커버(352)는 장비의 유지 보수를 위한 개폐기능을 수행할 수 있는 도어 형상으로 형성되어 있다. The upper cover 351 is formed with a cooling means 361 including a cooling fan, the front cover 352 is formed in a door shape that can perform the opening and closing function for the maintenance of the equipment.

또한, 메인 프레임(310)의 소정 영역에는 본 실시예의 가스 라인 누설 점검 장치를 용이하게 이송시키기 위한 손잡이(312)가 부착되어 있다. 바람직하게는 뒷 면 커버(353)와 상부 커버(351)의 사이 굴절 영역에서 돌출된 형상의 손잡이(312)가 형성된다. In addition, a handle 312 is attached to a predetermined region of the main frame 310 to easily transport the gas line leakage checking apparatus of the present embodiment. Preferably, the handle 312 is formed to protrude in the refractive region between the back cover 353 and the top cover 351.

즉, 본 실시예에 따른 가스 라인 누설 점검 장치는 소정의 이송수단을 포함하는 케이스 내부에 배치되어 있어 자유롭게 이동가능하며 외부의 충격으로부터도 내부를 보호할 수 있다. 또한, 케이스 외부에는 제어부와 접속된 입출력부 및 디스플레이부를 포함한다. 또한, 가스 라인 누설 점검 장치를 냉각시키기 위한 별도의 냉각 부재를 더 포함할 수도 있다. That is, the gas line leakage checking apparatus according to the present embodiment is disposed inside the case including a predetermined conveying means, which can be freely moved and protects the interior from external impact. In addition, the case includes an input / output unit and a display unit connected to the control unit. In addition, it may further include a separate cooling member for cooling the gas line leak check device.

상술한 구조를 갖는 본 발명의 가스라인 누설 점검 장치를 이용한 반도체 제조를 위한 가스 라인 배관의 누설 점검 방법에 관해 설명하면 다음과 같다. A leak checking method of a gas line piping for semiconductor manufacturing using the gas line leak checking apparatus of the present invention having the above-described structure will be described below.

도 5는 본 발명에 따른 가스 라인 누설 점검 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 5 is a flowchart illustrating a gas line leak checking method according to the present invention.

도 5를 참조하면, 반도체 제조 설비를 위한 공간에 가스 라인 배관 설비를 실시한다(S10). 설비가 완료된 다음, 가스 라인 배관의 일 끝단에 가스 라인 누설 점검 장치를 연결한다(S20). 이때, 누설 검출부의 다수의 점검부 각각에 대응하는 가스라인 배관을 연결한다. 이때 점검부와 가스라인 배관 사이를 연결하기 위한 별도의 연통배관을 사용할 수도 있다. 이는 배관의 지름이 각기 다를 수 있기 때문이다. 제어부에 의해 펌프부가 구동하여 누설 검출부의 점검부에 배관 점검을 위한 압력을 인가하고, 점검부는 이 압력을 자신에 접속된 배관에 인가한다(S30). 여기서 점검을 위한 압력은 일반 대기압보다 높을 수도 있고, 낮을 수도 있다. 바람직하게는 진공 상태의 기압을 인가하는 것이 바람직하다. 이후, 배관에 인가된 압력 의 변화를 누설 검출부 내의 센서 수단에 의해 검출하고, 그 결과를 제어부에 전송하여 가스 라인 누설을 탐지한다(S40). 이때, 제어부는 펌프부의 구동을 제어하여 가스라인에 인가되는 압력의 레벨을 제어하고, 이 입력 당시의 압력값과, 누설 검출부의 센서 수단에 의해 검출된 가스압력과의 차를 비교하여 가스 라인 배관의 누설 유무를 판단하게 된다(S50). 이때, 누설이 발생하였을 경우에는 누설이 발생한 라인을 보수하거나, 그 라인에 관한 재설비를 실시한다(S60). 가스라인 보수 및 재 설비후에 다시 가스라인에 가스 라인 점검 장치를 연결하고(S20), 점검을 위한 압력을 인가하고(S30), 가스 라인 누설을 탐지한다(S40). 한편 누설이 발생하지 않았을 경우에는 가스 라인과 누설 점검 장치를 분리하여 가스 라인 점검을 완료한다. 이후에 반도체 제조를 위한 메인 장치인 챔버를 설치하고, 상기의 라인들과 챔버간을 연결하여 반도체 제조 설비를 완성한다. Referring to FIG. 5, a gas line piping facility is performed in a space for a semiconductor manufacturing facility (S10). After the installation is completed, connect the gas line leakage check device to one end of the gas line pipe (S20). At this time, the gas line piping corresponding to each of the plurality of inspection units of the leak detection unit is connected. In this case, a separate communication pipe for connecting between the inspection unit and the gas line pipe may be used. This is because the pipe diameters can be different. The pump unit is driven by the control unit to apply a pressure for pipe inspection to the inspection unit of the leak detection unit, and the inspection unit applies this pressure to the pipe connected to the self (S30). The pressure for inspection here may be higher or lower than normal atmospheric pressure. Preferably, it is preferable to apply atmospheric pressure in a vacuum state. Thereafter, the change in the pressure applied to the pipe is detected by the sensor means in the leak detection unit, and the result is transmitted to the control unit to detect the gas line leakage (S40). At this time, the control unit controls the driving of the pump unit to control the level of the pressure applied to the gas line, and compares the difference between the pressure value at the time of input and the gas pressure detected by the sensor means of the leak detection unit, and the gas line piping It is determined whether the leakage of (S50). At this time, if a leak occurs, the line in which the leak occurs is repaired or a refurbishment regarding the line is performed (S60). After the gas line is repaired and refitted, the gas line check device is connected to the gas line again (S20), a pressure for inspection is applied (S30), and a gas line leak is detected (S40). On the other hand, if no leakage occurs, separate the gas line and the leak check device to complete the gas line check. Thereafter, a chamber, which is a main apparatus for manufacturing a semiconductor, is installed, and the lines are connected between the chambers to complete a semiconductor manufacturing facility.

상술한 바와 같이 가스라인에 누설 점검 장치 연결 후의 거의 모든 동작은 제어부에 의해 제어되고 또한, 가스라인의 누설 유무도 제어부에 의해 검출될 수 있도록 본 발명에 따른 장치 내부의 프로그램은 원 클릭 방식으로 디자인되어 있다. 따라서, 누구나 쉽게 장치의 동작을 간단하게 제어할 수 있어 본 장치를 이용하여 배관의 누설을 용이하게 점검할 수 있고, 작업 능률을 향상시킬 수 있다. 또한, 종래에는 모든 작업을 작업자가 모든 조건을 결정하여 설정하고, 변경하여 운영하였고, 반도체 생산 장치인 챔버를 이용하여야 하기 때문에 안전장치를 모두 해제하고, 조작하여야 만이 동작이 가능하였다. 그러나 본 발명에 따른 배관 누설 검사 장치는 독립적으로 운전되어 모든 작업이 자동으로 수행될 수 있고, 작업자가 선택한 작업이 조건에 맞지 않으면 동작을 하지 않고, 경고하여 올바른 방법을 작업자에게 알려줄 수 있다. As described above, almost all operations after connecting the leak check device to the gas line are controlled by the control unit, and the program inside the device is designed in a one-click manner so that the leakage of the gas line can be detected by the control unit. It is. Therefore, anyone can easily control the operation of the device, so that the leak of the pipe can be easily checked by using this device, and the work efficiency can be improved. In addition, in the related art, all operations were determined, set, changed, and operated by the operator, and since the chamber, which is a semiconductor production apparatus, must be used, all the safety devices must be released and operated. However, the pipe leakage inspection apparatus according to the present invention can be operated independently so that all operations can be performed automatically, and if the operation selected by the operator does not meet the conditions, the operation is not performed, and a warning can be notified to the operator.

또한, 본 발명의 가스 라인 누설 점검 장치를 챔버 내부의 반응 공간을 진공시키기 위한 진공 펌프 수단으로 사용할 수도 있다. 이하 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 설명한다. The gas line leak checking apparatus of the present invention can also be used as a vacuum pump means for evacuating the reaction space inside the chamber. Hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus according to another exemplary embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 반도체 제조 시스템의 개념도이다. 6 and 7 are conceptual diagrams of a semiconductor manufacturing system according to the present invention.

도 6 및 도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 제조 시스템은 웨이퍼가 안착되는 안착 수단을 포함하는 반응 공간(410), 가스 인젝터 수단(420), 배기 펌프수단(430), 온도 조절 수단(440) 및 제어수단(450)을 포함하는 챔버(400)와, 상기 챔버(400)의 반응 공간의 압력을 조절하기 위한 압력 조절 장치(500)를 포함한다. 6 and 7, the semiconductor manufacturing system according to the present embodiment includes a reaction space 410 including a seating means on which a wafer is seated, a gas injector means 420, an exhaust pump means 430, and a temperature control means. A chamber 400 including a 440 and the control means 450, and a pressure regulator 500 for adjusting the pressure of the reaction space of the chamber 400.

압력 조절 장치(500)는 제어부(530)와, 펌프부(510)와 누설 검출부(520)는 포함한다. 누설 검출부(520)에는 펌프부(510)와 각기 연결된 다수의 점검부(미도시)를 포함한다. 이를 통해 챔버(400)의 제어 수단(450)으로 부터 반응 공간(410)을 진공상태로 만들기 위한 신호가 입력되면 압력 조절 장치(500)의 펌프부(510)가 동작하고, 펌프부(510)와 챔버(400)의 반응 공간 사이에 접속된 점검부가 개방되어 반응 공간(410) 내부를 진공 상태로 만든다. 이때, 누설 검출부(520) 내에는 다수의 점검부가 있을 경우 도 7과 같이 개개의 점검부에 각기 챔버(400-1, 400-2, 400-3)가 접속되어 동시에 다수의 챔버(400) 내의 반응 공간(410)을 진공 상태로 만들 수 있다. The pressure regulating device 500 includes a control unit 530, a pump unit 510, and a leak detector 520. The leak detector 520 includes a plurality of checkers (not shown) connected to the pump unit 510, respectively. When the signal for making the reaction space 410 into the vacuum state is input from the control means 450 of the chamber 400 through this, the pump unit 510 of the pressure regulating device 500 operates, and the pump unit 510 And a checker connected between the reaction space of the chamber 400 and the inside of the reaction space 410 are vacuumed. In this case, when there are a plurality of inspection units in the leak detection unit 520, the chambers 400-1, 400-2, and 400-3 are connected to the respective inspection units as shown in FIG. The reaction space 410 may be brought into a vacuum state.

상술한 바와 같이 본 발명은 반도체 생산 설비인 가스라인과 접속하여 가스라인의 누설을 메인 장치인 챔버 설치전에 점검할 수 있다. As described above, the present invention can be connected to a gas line, which is a semiconductor production facility, to check the leakage of the gas line before installing the chamber, which is the main device.

또한, 반도체 생산 시스템의 구축 시간을 현저하게 단축시킬 수 있어 작업의 효율을 물론 생산성을 향상시킬 수 있다. In addition, the construction time of the semiconductor production system can be significantly shortened, thereby improving productivity as well as work efficiency.

또한, 다수의 가스라인의 누설을 동시에 점검할 수 있을 뿐 아니라, 이송이 용이하여 설비가 완료된 가스 라인에 한정되지 않고, 가스 라인의 누설을 점검할 수 있다. In addition, not only the leakage of a plurality of gas lines can be checked at the same time, but also the transportation is easy, and the installation is not limited to a completed gas line.

Claims (9)

외부 가스 라인 배관에 소정의 압력을 인가하는 펌프부;A pump unit for applying a predetermined pressure to an external gas line pipe; 상기 펌프부와 상기 외부 가스 라인 배관 사이에 접속되어 상기 외부 가스 라인 배관의 압력변화를 검출하는 누설 검출부; 및A leakage detector connected between the pump unit and the external gas line pipe to detect a pressure change of the external gas line pipe; And 상기 누설 검출부와 상기 펌브부의 동작을 제어하고, 상기 누설 검출부의 검출 결과에 따라 누설 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.And a control unit for controlling operations of the leak detector and the pump unit, and determining whether to leak according to a detection result of the leak detector. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 펌프부는 진공 펌프를 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.The pump unit is a gas line leak check device comprising a vacuum pump. 청구항 1에 있어서, The method according to claim 1, 상기 누설 검출부는 상기 펌프부와, 다수의 외부 가스 라인 배관에 각기 접속된 다수의 점검부를 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.And the leak detection unit includes a plurality of inspection units each connected to the pump unit and a plurality of external gas line pipes. 청구항 3에 있어서, The method according to claim 3, 상기 점검부 각각은 밸브와, 외부 가스 라인 배관의 압력을 검출하는 센서 수단을 포함하고, 상기 외부 가스 라인과의 접속을 위한 연통 배관을 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.Each of the inspection units includes a valve and sensor means for detecting a pressure of an external gas line pipe, and a communication pipe for connection with the external gas line. 청구항 1에 있어서, 상기 제어부는,The method according to claim 1, wherein the control unit, 전원의 입출력을 제어하는 전원 입출력 모듈;A power input / output module for controlling input / output of a power source; 데이터의 입출력을 제어하는 데이터 입출력 모듈;A data input / output module for controlling input and output of data; 상기 펌프부, 누설 검출부 및 제어부의 동작을 제어하고, 외부 가스 라인 배관의 누설을 판단하는 컨트롤 모듈; 및A control module for controlling operations of the pump unit, the leak detector and the controller, and determining leakage of an external gas line pipe; And 상기 컨트롤 모듈에 의해 동작하여 소정의 데이터 값을 표시하는 디스플레이 모듈을 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.And a display module operated by the control module to display a predetermined data value. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 5, 이송부재에 의해 이송가능하고, 상기 펌핑부, 누설 검출부 및 제어부가 실장된 메인 케이스를 더 포함하는 가스 라인 누설 점검 장치.Gas line leakage checking device further comprises a main case, which is transportable by a transfer member, the pump case, the leak detection unit and the control unit is mounted. 청구항 6에 있어서, The method according to claim 6, 상기 메인 케이스의 일부에 냉각 수단이 형성된 가스 라인 누설 점검 장치.Gas line leakage checking device formed with a cooling means in a part of the main case. 가스 라인 배관 점검 방법에 있어서, In the gas line piping inspection method, 가스 라인 배관에 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 가스 라인 누설 점검 장치를 연결하는 단계;Connecting a gas line leak checking device according to any one of claims 1 to 5 to a gas line pipe; 펌브부를 구동하여 가스 라인 배관에 소정의 압력을 인가하는 단계;Driving a pump unit to apply a predetermined pressure to the gas line pipe; 상기 가스 라인 배관에 인가된 압력의 변화를 검출하는 단계;Detecting a change in pressure applied to the gas line pipe; 상기 인가된 압력과 검출된 압력을 비교하여 가스 라인 배관의 누설 유무를 판단하는 단계; 및Comparing the applied pressure with the detected pressure to determine whether a gas line is leaking; And 상기 가스 라인 배관의 누설 유무에 따라 상기 가스 라인 배관을 보수하거나, 상기 가스 라인 배관과 상기 가스 라인 누설 점검 장치를 분리하는 단계를 포함하는 가스 라인 배관 점검 방법.Repairing the gas line pipe or separating the gas line pipe from the gas line leakage checking device according to whether the gas line pipe is leaked. 반도체 제조 시스템에 있어서, In a semiconductor manufacturing system, 반응 공간을 포함하는 챔버; 및A chamber containing a reaction space; And 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따른 가스 라인 누설 점검 장치를 포함하는 반도체 제조 시스템.A semiconductor manufacturing system comprising the gas line leak checking apparatus according to any one of claims 1 to 5.
KR1020050071382A 2005-08-04 2005-08-04 Apparatus for checking gas leakage in line KR20070016584A (en)

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KR20220075668A (en) 2020-11-30 2022-06-08 주식회사 네오탑 Device and method for detecting leakage of gas including gas sampler

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