KR20070013099A - 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의공정 챔버를 세정하는 방법들 - Google Patents

질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의공정 챔버를 세정하는 방법들 Download PDF

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Abstract

질소 퍼지(Nitrogen Purge)의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들을 제공한다. 이 방법들은 질소 퍼지 동안 적절한 수행 시간을 채택해서 공정 챔버 내 세정을 실시하여 반도체 장치의 공정 주기를 단축시키는 방안을 제시한다. 이를 위해서, 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 고압 세정, 저압 세정 및 가스 배기를 순서적으로 실시한다. 그리고, 상기 공정 챔버 내 산소 처리 및 질소 퍼지를 순서적으로 연이어 실시한다. 이를 통해서, 상기 방법들은 반도체 장치의 공정 주기를 단축시켜서 반도체 장치의 제조 원가를 낮출 수 있다.
반도체 증착 장비, 공정 챔버, 질소 퍼지.

Description

질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들{METHODS OF CLEANING PROCESS CHAMBER OF SEMICONDUCTOR DEPOSITION EQUIPMENT OPTIMIZING PERFORMANCE TIME OF NITROGEN PURGE}
도 1 은 본 발명 및 종래 기술에 따른 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 세정 단계들을 보여주는 순서도이다.
도 2 는 본 발명에 따른 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 3 내지 도 5 는 각각이 도 1 의 순서도에 따라서 공정 챔버 내 세정 전/ 후의 반도체 기판들 상에 각각 증착된 반도체 막들의 두께를 보여주는 그래프들이다.
본 발명은 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들에 관한 것으로써, 상세하게는, 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치는 그 장치 내 개별 소자들을 절연시키거나 또는 개 별 소자들을 서로 연결시키기 위해서 반도체 증착 장비를 사용하여 제조된다. 더불어서, 상기 반도체 증착 장비는 반도체 장치의 개별 소자들을 형성하기 위해서 증착 공정을 통하여 반도체 기판 상에 반도체 막을 제공한다. 상기 반도체 막은 증착 공정 동안 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 주입시킨 공정 가스들을 사용해서 형성된다. 상기 공정 가스들은 반도체 증착 장비 내 알고리듬에 의해서 반도체 기판 상에 균일한 두께를 갖는 반도체 막을 제공한다.
그러나, 상기 공정 가스들은 공정 챔버의 내벽 및 그 챔버 내 구성 요소들 상에 공정 부산물을 형성시켜서 공정 챔버의 사용 주기를 짧게한다. 상기 공정 부산물을 제거하기 위해서, 상기 공정 챔버 내 복수의 세정 단계들이 실시된다. 이때에, 상기 세정 단계들은 순서 및 수행 시간이 적절히 채택되지 않는다면 반도체 장치의 공정 주기를 길게하고 그리고 반도체 장치의 제조 원가를 저하시킬 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 공정 챔버 내 증착 부산물을 제거하는데 적합하도록 세정 단계들 중 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들을 제공한다.
상기 기술적 과제를 구현하기 위해서, 본 발명은 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법을 제공한다.
이 방법은 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 가스 배기, 산소 처리 및 질소 퍼지를 순서적으로 실시하는 것을 포함한다. 이때에, 상기 질소 처리는 산소 처리 의 수행 시간보다 길게 실시하고 그리고 가스 배기의 수행 시간과 적어도 동일하도록 실시한다.
이제, 본 발명에 따른 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법은 첨부한 도면들을 참조해서 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명 및 종래 기술에 따른 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 세정 단계들을 보여주는 순서도이고, 그리고 도 2 는 본 발명에 따른 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 1 및 도 2 를 참조하면, 반도체 증착 장비(도면에 미 도시)를 준비한다. 상기 반도체 증착 장비는 공정 챔버(5)를 구비한다. 상기 공정 챔버(5)는 그 챔버(5)의 하부에 배기구(15)들 그리고 그 챔버(5) 내 히터 블럭(Heater Block; 30) 및 샤워 헤드(Shower Head; 20) 등을 포함한다. 상기 샤워 헤드(20)는 주입구(23) 및 투입구(26)들을 갖는다. 상기 투입구(26)들 및 주입구(23)는 세정 소오스 가스들(40, 43, 46, 49)을 공정 챔버(5) 내에 유도시킨다. 상기 세정 소오스 가스들(40, 43, 46, 49)은 세정 가스들(40, 46), 배기 가스(43), 퍼지 가스(49)로 세분되오질 수 있다. 상기 세정 가스들(40, 46)은 세정 단계들이 실시되는 동안 플라즈마로 변형되어서 공정 챔버 내에서 사용된다. 상기 배기구(15)들은 증착 공정 동안 반응하고 남은 세정 소오스 가스들(40, 43, 46, 49)을 공정 챔버(5) 밖으로 배기시킨다.
한편, 상기 반도체 증착 장비는 세정 단계들(S10 내지 S50)을 실시하기 이전에 증착 공정이 실시되었다고 가정한다. 이때에, 상기 증착 공정은 공정 가스(50) 를 공정 챔버(5) 내 주입시켜서 공정 챔버(5)의 내벽(10), 그 챔버(5)의 히터 블럭(30) 및 샤워 헤드(20) 상에 공정 부산물을 형성한다. 상기 공정 부산물을 제거하기 위해서, 상기 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10 내지 S50)을 순서적으로 실시하기로 한다.
우선적으로, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 고압 세정(High Pressure Clean; S10)을 실시한다. 상기 고압 세정(S10)은 샤워 헤드(20)를 통해서 세정 가스들(40)을 공정 챔버(5) 내 투입한다. 상기 세정 가스들(40)은 C3F8 및 O2 를 포함한다. 상기 세정 가스들(40)은 고압 세정(S10) 동안 압력 2.7 Torr 및 알. 에프(R.F; Radio Frequency) 3500 W 의 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용한다. 따라서, 상기 세정 가스들(40)은 고압 세정(S10) 동안 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30) 사이에서 직진성을 갖는다. 이를 통해서, 상기 고압 세정(S10)은 세정 가스들(40)을 사용해서 히터 블럭(30) 및 그 블럭(30)의 주변을 세정한다. 즉, 상기 고압 세정(S10)은 히터 블럭(30)으로부터 공정 부산물을 제거한다. 상기 공정 부산물은 세정 가스들(40)과 함께 배기구(15)들을 통해서 배기된다. 상기 고압 세정(S10)은 세정 가스들(40)의 플라즈마로 인해서 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 발생시킨다. 상기 고압 세정(S10)은 수행 시간 1200 초 동안 실시된다.
다음으로, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 저압 세정(Low Pressure Clean; S20)을 실시한다. 상기 저압 세정(S20)은 샤워 헤드(20)를 통해서 세정 가스들(40)을 공정 챔버(5) 내 투입한다. 상기 세정 가스들(40)은 고압 세정 (S10)과 동일하게 C3F8 및 O2 를 포함한다. 상기 세정 가스들(40)은 저압 세정(S10) 동안 압력 1.7 Torr 및 알. 에프 3500 W 의 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용한다. 따라서, 상기 세정 가스들(40)은 저압 세정(S20) 동안 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30) 사이에서 이방성을 갖는다. 이를 통해서, 상기 저압 세정(S20)은 세정 가스들(40)을 사용해서 히터 블럭(30) 및 공정 챔버(5)의 내벽(10)을 세정한다. 즉, 상기 저압 세정(S20)은 히터 블럭(30) 및 공정 챔버(5)의 내벽(10)으로부터 공정 부산물을 제거한다. 상기 공정 부산물은 세정 가스들(40)과 함께 배기구(15)들을 통해서 배기된다. 상기 저압 세정(S20)은 세정 가스들(40)의 플라즈마로 인해서 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 발생시킨다. 상기 저압 세정(S20)은 수행 시간 600 초 동안 실시된다.
계속해서, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 가스 배기(Full Flush; S30)를 실시한다. 상기 가스 배기(S30)는 샤워 헤드(20)를 통해서 배기 가스(43)를 공정 챔버(5) 내 투입한다. 상기 배기 가스(43)는 N2 를 사용한다. 상기 배기 가스(43)는 가스 배기(S30) 동안 압력 수십 mTorr 의 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용한다. 따라서, 상기 배기 가스(43)는 공정 챔버(5) 내 분위기를 고 진공으로 형성해서 그 챔버(5) 내에 남아있는 고압 및 저압 세정들(S10, S20)의 세정 가스(40)들을 배기구(15)로 배기시킨다. 이때에, 상기 배기 가스(43)는 가스 배기(S30) 동안 공정 챔버(5) 내 부유하는 공정 부산물도 세정 가스(40)들과 함께 배기구(15)로 배기시킨다. 상기 가스 배기(S30)은 고압 및 저압 세정들(S10, S20)의 세정 가스들(40) 의 플라즈마에 기인한 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)의 열을 식힌다. 상기 가스 배기(S30)은 수행 시간 300 초 동안 실시된다.
이어서, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 샤워 헤드 세정(Shower Head Clean; S40)을 실시한다. 상기 샤워 헤드 세정(S40)은 본 발명에 따르면 산소 처리(Oxygen Treatment; S42) 및 질소 퍼지(Nitrogen Purge; S44)를 사용해서 순서적으로 실시된다. 상기 산소 처리(S42)는 샤워 헤드(20)를 통해서 세정 가스(46)를 공정 챔버(5) 내 투입한다. 상기 세정 가스(46)는 O2 를 사용한다. 상기 세정 가스(46)는 산소 처리(S42) 동안 압력 2.8 Torr 및 알. 에프 2000 W 의 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용한다. 따라서, 상기 세정 가스(46)는 산소 처리(S42) 동안 알. 에프 제너레이터의 파워가 낮아서 샤워 헤드(20) 및 그 헤드(20)의 주변(29)으로 활동성을 갖는다. 물론, 상기 세정 가스(46)는 고압 세정(S10)과 다른 시간을 가지고 히터 블럭(30)에 도달될 수 있다. 이를 통해서, 상기 산소 처리(S42)는 세정 가스(46)를 사용해서 샤워 헤드(20) 및 그 헤드(20) 주변(29)을 세정한다. 즉, 상기 산소 처리(S42)는 고압 및 저압 세정들(S10, S20)의 세정 가스(40)들을 통해서 제거되지 않은 공정 부산물을 샤워헤드(20)로부터 제거한다. 상기 공정 부산물은 세정 가스(46)와 함께 배기구(15)들을 통해서 배기된다. 상기 산소 처리(S42)은 세정 가스(46)의 플라즈마로 인해서 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 발생시킨다. 상기 산소 처리(S42)는 수행 시간 120 초 동안 실시된다.
상기 샤워 헤드 세정(S40)의 산소 처리(S42)를 수행후 질소 퍼지(S44)를 반 도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 실시한다. 상기 질소 퍼지(S44)는 샤워 헤드(20)를 통해서 퍼지 가스(49)를 공정 챔버(5) 내 투입한다. 상기 퍼지 가스(49)는 N2 를 사용한다. 상기 퍼지 가스(49)는 질소 퍼지(S44) 동안 압력 수십 mTorr 의 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용한다. 따라서, 상기 퍼지 가스(49)는 공정 챔버(5) 내 분위기를 고 진공으로 형성해서 샤워 헤드(20) 및 공정 챔버(5) 내에 남아있는 산소 처리(S42)의 세정 가스(46)를 배기구(15)로 배기시킨다. 이때에, 상기 퍼지 가스(49)는 질소 퍼지(S44) 동안 공정 챔버(5) 내 부유하는 공정 부산물도 세정 가스(46)와 함께 배기구(15)로 배기시킨다. 이를 통해서, 상기 샤워 헤드 세정(S40)은 질소 퍼지(S44) 및 산소 처리(S42)를 사용하여 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 공정 부산물을 완전히 제거시킬 수 있다. 상기 질소 퍼지(S44)는 산소 처리(S42)의 세정 가스(40)의 플라즈마에 기인한 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)의 열을 식힌다. 상기 질소 퍼지(S44)는 수행 시간 300 초 동안 실시된다.
이와는 반대로, 상기 샤워 헤드 세정(Shower Head Clean; S40)는 종래 기술에 따라서 질소 퍼지(S46) 및 산소 처리(S48)의 순서로 실시하기도 한다. 상기 질소 퍼지(S46) 및 산소 퍼지(S48)는 각각이 본 발명에 따른 질소 퍼지(S44) 및 산소 처리(S42)와 동일한 공정 챔버(5) 내 분위기를 사용해서 실시된다. 상기 질소 퍼지(S46)는 300 내지 600 초 사이에 실시할 수 있다. 이때에, 상기 질소 퍼지(S46)는 가스 배기(S30)와 함께 고압 및 저압 세정들(S10, S20)의 세정 가스들(40)에 기인한 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)의 열을 식힌다. 그러나, 상기 산소 처리(S48) 는 세정 가스(46)의 플라즈마를 사용해서 샤워 헤드(20) 및 그 헤드(20) 주변(29)의 공정 부산물을 제거하는 동안 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 다시 발생시킨다. 상기 산소 처리(S48)는 수행 시간 120초 동안 실시할 수 있다.
상기 샤워 헤드 세정(S40)을 실시한 후 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 예비 증착(S50)을 실시한다. 상기 예비 증착(S50)은 샤워 헤드(20)의 주입구(23) 및 투입구(26)들을 통해서 공정 챔버(5) 내 공정 가스(50)들을 주입한다. 상기 공정 가스(50)들을 주입하는 이유는 증착 공정을 실시하기 전에 공정 챔버(5) 내 분위기를 안정화시키기 위한 것이다. 상기 공정 가스(50)들은 각각이 증착 공정 동안 사용하는 소오스(Source) 가스들이다. 상기 공정 가스(50)들의 주입후에 반도체 제조 공정(S60)을 실시할 수 있다. 상기 반도체 제조 공정(S60)은 반도체 기판(도면에 미 도시) 상에 반도체 막을 형성하기 위한 증착 공정이다.
도 3 내지 도 5 는 각각이 도 1 의 순서도에 따라서 공정 챔버 내 세정 전/ 후의 반도체 기판들 상에 각각 증착된 반도체 막들의 두께를 보여주는 그래프들이다.
도 1 및 도 3 을 참조하면, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 고압 및 저압 세정들(S10, S20) 그리고 가스 배기(S30)를 순서적으로 실시하였다. 계속해서, 상기 가스 배기(S30) 후에 종래 기술에 따른 샤워 헤드 세정(S40) 및 예비 증착(S50)을 순서적으로 실시하였다. 상기 샤워 헤드 세정(S40)은 질소 퍼지(S46) 및 산소 처리(S48)를 사용해서 순서적으로 실시될 수 있다. 이때에, 상기 질소 퍼지(S46) 및 산소 처리(S48)는 각각이 수행 시간들 600 초 및 120초 동안 실시하였 다.
상기 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 600 초 및 산소 처리(S48)의 수행 시간 120 초의 샤워 헤드 세정(S40)을 실시해서 반도체 제조 공정(S60)을 통하여 반도체 기판 상에 반도체 막들을 증착하였다. 상기 반도체 막들은 각각이 반도체 제조 공정(S60)을 통해서 반도체 기판 상에 두께 15000 ± 1500 Å 의 타겟으로 증착된 것들이다. 상기 반도체 막들의 두께는 반도체 증착 장비의 공정 챔버 내 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)을 실시하기 이전(60)에 반도체 제조 공정을 통해서 얻은 다른 반도체 막들의 두께와 함께 그래프를 사용하여 비교하였다. 상기 반도체 막들 및 다른 반도체 막들은 BPSG 막, USG 막, PSG 막, SOG 막 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나이다.
상기 샤워 헤드 세정(40) 동안 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 600 초를 실시한 경우, 상기 질소 퍼지(S46)는 산소 처리(S48)의 세정 가스(46)가 공정 챔버(5)에 주는 영향을 그 퍼지(S46)의 수행 시간을 이용해서 충분히 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 질소 퍼지(S46)는 산소 처리(S48)의 세정 가스(46)의 플라즈마가 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 가하더라도 공정 챔버(5) 내 분위기를 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)을 실시하기 이전(60)으로 계속해서 유지시킬 수 있다. 이를 통해서, 상기 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 600 초을 갖는 샤워 헤드 세정은 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)의 실시 전/ 후(60, 70)로 반도체 막들 및 다른 반도체 막들의 두께를 일정하게 유지할 수 있다.
도 1 및 도 4 를 참조하면, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 고압 및 저압 세정들(S10, S20) 그리고 가스 배기(S30)를 순서적으로 실시하였다. 계속해서, 상기 가스 배기(S30) 후에 종래 기술에 따른 샤워 헤드 세정(S40) 및 예비 증착(S50)을 순서적으로 실시하였다. 상기 샤워 헤드 세정(S40)은 질소 퍼지(S46) 및 산소 처리(S48)를 사용해서 순서적으로 실시될 수 있다. 이때에, 상기 질소 퍼지(S46) 및 산소 처리(S48)는 각각이 수행 시간들 300 초 및 120초 동안 실시하였다.
상기 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 300 초 및 산소 처리(S48)의 수행 시간 120 초의 샤워 헤드 세정(S40)을 실시해서 반도체 제조 공정(S60)을 통하여 반도체 기판 상에 반도체 막들을 증착하였다. 상기 반도체 막들은 각각이 반도체 제조 공정(S60)을 통해서 반도체 기판 상에 두께 15000 ± 1500 Å 의 타겟으로 증착된 것들이다. 상기 반도체 막들의 두께는 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)을 실시하기 이전(80)에 반도체 제조 공정을 통해서 얻은 다른 반도체 막들의 두께와 함께 그래프를 사용하여 비교하였다. 상기 반도체 막들 및 다른 반도체 막들은 BPSG 막, USG 막, PSG 막, SOG 막 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나이다.
상기 샤워 헤드 세정(40) 동안 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 300 초를 실시한 경우, 상기 질소 퍼지(S46)는 산소 처리(S48)의 세정 가스(46)가 공정 챔버(5)에 주는 영향을 그 퍼지(S46)의 수행 시간을 이용해서 충분히 감소시킬 수 없다. 즉, 상기 질소 퍼지(S46)는 산소 처리(S48)의 세정 가스(46)의 플라즈마가 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 주는 열때문에 공정 챔버(5) 내 분위기를 세정 단계들 (S10, S20, S30, S46, S48, S50)을 실시하기 이전(80)으로 계속해서 유지시킬 수 없다. 이는 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 300 초는 산소 처리(S48)의 세정 가스(46)의 영향을 감소시키는데 부족함을 의미한다. 이를 통해서, 상기 공정 챔버(5)는 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)의 실시 전/ 후(80, 90)의 분위기들을 다르게 갖는다. 따라서, 상기 질소 퍼지(S46)의 수행 시간 300 초을 갖는 샤워 헤드 세정은 반도체 막들 및 다른 반도체 막들의 두께를 일정하게 유지할 수 없다.
도 1 및 도 5 를 참조하면, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 고압 및 저압 세정들(S10, S20) 그리고 가스 배기(S30)를 순서적으로 실시하였다. 계속해서, 상기 가스 배기(S30) 후에 본 발명에 따른 샤워 헤드 세정(S40) 및 예비 증착(S50)을 순서적으로 실시하였다. 상기 샤워 헤드 세정(S40)은 산소 처리(S42) 및 질소 퍼지(S44)를 사용해서 순서적으로 실시될 수 있다. 이때에, 상기 질소 퍼지(S44) 및 산소 처리(S42)는 각각이 수행 시간들 300 초 및 120초 동안 실시하였다. 상기 질소 퍼지(S44)는 산소 처리(S42)의 수행 시간보다 길게 실시하고 그리고 가스 배기(S30)의 수행 시간과 적어도 동일하도록 실시하는 것이 바람직하다.
상기 산소 처리(S42)의 수행 시간 120 초 및 질소 퍼지(S44)의 수행 시간 300 초의 샤워 헤드 세정(S40)을 실시해서 반도체 제조 공정(S60)을 통하여 반도체 기판 상에 반도체 막들을 증착하였다. 상기 반도체 막들은 각각이 반도체 제조 공정(S60)을 통해서 반도체 기판 상에 두께 15000 ± 1500 Å 의 타겟으로 증착된 것들이다. 상기 반도체 막들의 두께는 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10, S20, S30, S42, S44, S50)을 실시하기 이전(100)에 반도체 제조 공정을 통해서 얻은 다른 반도체 막들의 두께와 함께 그래프를 사용하여 비교하였다. 상기 반도체 막들 및 다른 반도체 막들은 BPSG 막, USG 막, PSG 막, SOG 막 등으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나이다.
상기 샤워 헤드 세정(S40) 동안 질소 퍼지(S44)의 수행 시간 300 초를 실시한 경우, 상기 질소 퍼지(S44)는 산소 처리(S42)의 세정 가스(46)가 공정 챔버(5)에 주는 영향을 그 퍼지(S44)의 수행 시간을 이용해서 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 질소 퍼지(S44)는 산소 처리(S42)의 세정 가스(46)의 플라즈마가 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)에 열을 가하더라도 공정 챔버(5) 내 분위기를 세정 단계들(S10, S20, S30, S46, S48, S50)을 실시하기 이전(100)으로 계속해서 유지시킬 수 있다. 왜냐하면, 상기 질소 퍼지(S44)는 산소 처리(S42) 이후에 실시되어서 샤워 헤드(20) 및 히터 블럭(30)의 열을 완전히 식히기 때문이다. 이를 통해서, 상기 질소 퍼지(S44)의 수행 시간 300 초을 갖는 샤워 헤드 세정은 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10, S20, S30, S42, S44, S50)의 실시 전/ 후(100, 110)로 반도체 막들 및 다른 반도체 막들의 두께를 일정하게 유지할 수 있다.
결론적으로, 상기 반도체 증착 장비의 공정 챔버(5) 내 세정 단계들(S10 내지 S50) 중 샤워 헤드 세정(S40)에서 질소 퍼지를 산소 처리 이후 실시하면, 상기 세정 단계들(S10 내지 S50)의 전/ 후의 공정 챔버(5)의 분위기들은 계속해서 일정하게 유지될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 공정 챔버 내 증착 부산물을 제거하는데 적합 하도록 세정 단계들 중 질소 퍼지의 수행 시간을 최적화시켜서 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법들을 제공한다. 이를 통해서, 본 발명은 반도체 장치의 공정 주기를 감소시키고 그리고 반도체 장치의 원가 절감을 이룰수 있다.

Claims (5)

  1. 반도체 증착 장비의 공정 챔버를 세정하는 방법에 있어서,
    상기 공정 챔버 내 가스 배기, 산소 처리 및 질소 퍼지를 순서적으로 실시하는 것을 포함하되,
    상기 질소 퍼지는 상기 산소 처리의 수행 시간보다 길게 실시하고 그리고 상기 가스 배기의 수행 시간과 적어도 동일하도록 실시하는 것이 특징인 공정 챔버를 세정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 배기는 300 초의 수행 시간을 가지고 실시하는 것이 특징인 공정 챔버를 세정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산소 처리는 120 초의 수행 시간을 가지고 실시하는 것이 특징인 공정 챔버를 세정하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 배기를 실시하기 전에,
    상기 공정 챔버 내 고압 세정 및 저압 세정을 순서적으로 실시하는 것을 더 포함하는 것이 특징인 공정 챔버를 세정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 배기는 질소(N2)를 사용해서 실시하는 것이 특징인 공정 챔버를 세정하는 방법.
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