KR20070011009A - Oled device without partition and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

An OLED(organic light emitting diode) apparatus without a partition and a method for manufacturing the same are provided to prevent a penetration of moisture and oxygen by protecting formation of void region in a partition. An insulating portion(210) is constantly formed at a predetermined region of a transparent substrate(200). A transparent electrode(205) is formed at the transparent substrate between the insulating portions. An organic luminescence layer(225) is formed at the transparent electrode. An upper electrode(230) is formed on the organic luminescence layer, and attached to the insulating portion in order to protect a penetration of moisture. A passivation layer is formed at the upper electrode and the insulating portion.

Description

격벽이 없는 유기발광소자 및 그 제조 방법{OLED device without partition and method for fabricating the same}Organic light emitting device without partitions and method for manufacturing the same {OLED device without partition and method for fabricating the same}

도 1은 종래의 유기발광소자 디스플레이 장치에 대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.2A to 2G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode without a partition according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

200: 투명 기판 205: 투명전극패턴200: transparent substrate 205: transparent electrode pattern

210: 절연체 215: 버퍼링층210: insulator 215: buffering layer

220: 역상형 격벽 225: 유기발광층220: reversed phase partition wall 225: organic light emitting layer

230: 상부전극 235: 장벽층230: upper electrode 235: barrier layer

240: 보호막 241: 유기막240: protective film 241: organic film

242: 무기막242: inorganic film

본 발명은 격벽이 없는 유기발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기발광소자에 있어서 격벽을 없애고 보호막을 전면에 도포하여 산소 및 수분의 침투를 방지함과 동시에 두께를 감소시켜 박형화가 가능한 유기발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device without a partition and a method of manufacturing the same. More specifically, the organic light emitting device eliminates the partition and applies a protective film to the entire surface to prevent oxygen and moisture from penetrating and at the same time reduce the thickness. The present invention relates to an organic light emitting diode and a method of manufacturing the same.

유기발광소자(Organic Light Emitting Diode)란 형광성(luminescent) 유기화합물을 전기적으로 여기시켜(excited) 발광시키는 자발광형 디스플레이를 말한다. An organic light emitting diode (OLED) is a self-luminous display that emits light by electrically exciting a fluorescent organic compound.

이러한 유기발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하고 박형화, 광시야각, 빠른 응답속도 등 LCD에서 문제로 지적되고 있는 결점을 해소할 수 있으며, 다른 디스플레이 소자에 비해 중형 이하에서는 TFT-LCD와 동등하거나 그 이상의 화질을 가질 수 있다는 잠과 제조 공정이 단순하여 향후 가격 경쟁에서 유리하다는 등의 장점을 가진 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.These organic light emitting diodes can be driven at low voltages, and can solve the drawbacks of LCDs such as thinning, wide viewing angles, and fast response speeds. It is attracting attention as a next-generation display that has advantages such as being able to have the above image quality and its simple manufacturing process to be advantageous in future price competition.

도 1은 종래의 유기발광소자 디스플레이 장치에 대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device.

도 1에 도시된 바와 같이 유기 발광소자는 투명기판(100) 상에 형성된 투명전극패턴(110) 및 절연체(120), 상기 절연체(120) 상에 형성되는 역상형 격벽(150), 상기 역상형 격벽(120)에 의해 수직으로 가려지는 부분을 제외한 투명전극패턴(110) 상에 형성된 유기발광층(130) 및 상부전극(140)으로 구성되어 있으며, 이러한 구조물 상에 전면적으로 보호막(passivation layer;160)이 도포되어 있다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting diode includes a transparent electrode pattern 110 formed on the transparent substrate 100, an insulator 120, and an inverted-type partition wall 150 formed on the insulator 120. An organic light emitting layer 130 and an upper electrode 140 formed on the transparent electrode pattern 110 except for a portion that is vertically covered by the partition wall 120, and a passivation layer on the structure. ) Is applied.

보호막(160)은 수분에 약한 유기발광층(130)으로 수분의 침투를 방지하고, 산소에 의해 산화되기 쉬운 금속성 상부전극(140)을 보호하며, 유기발광소자 구성체를 전체적으로 보호하기 위하여 도포되는 막이다.The passivation layer 160 is a film that is applied to prevent the penetration of moisture into the organic light emitting layer 130 which is weak to moisture, protects the metallic upper electrode 140 which is easily oxidized by oxygen, and protects the organic light emitting device structure as a whole. .

그런데, 보호막(160)을 도포함에 있어서 유기발광소자의 전체적인 구조 상에 컨포막(conformal)하게 완전히 밀착되는 방식으로 보호막(160)이 도포되어야 하나, 실제로는 역상형 격벽(150)의 형상으로 인해 역상형 격벽(150)과 절연체(120)의 경계부분에는 보이드(void) 영역(170)이 존재하게 된다. 이러한 보이드 영역은 유기발광소자 패널을 따라 길이 방향으로 연결되어 형성되기 때문에 산소, 수분 및 기타 유기발광소자를 열화(degradation)시킬 수 있는 물질의 통로가 될 수 있다.However, in applying the protective film 160, the protective film 160 should be applied in such a manner that the conformal film is completely adhered to the overall structure of the organic light emitting diode, but in reality, due to the shape of the reverse phase barrier rib 150, A void region 170 is present at a boundary between the reverse phase barrier wall 150 and the insulator 120. Since the void region is formed along the organic light emitting diode panel in the longitudinal direction, it may be a passage for a material capable of degrading oxygen, moisture, and other organic light emitting diodes.

이러한 보이드영역(170)을 없애기 위해서 많은 연구가 진행되고 있으나, 보이드영역(170)은 역상형 격벽(150)의 형상-구조적인 문제로 인해 발생한다는 근본적인 문제가 존재하기 때문에, 역상형 격벽(150)의 구조 내지는 형상을 변화시키지 않고서는 보이드영역(170)의 제거가 힘들다는 것이 현재 유기발광소자 기술적 한계이다.In order to eliminate the void region 170, many studies have been conducted, but since the fundamental problem that the void region 170 is caused by the shape-structural problem of the inverted partition wall 150 exists, the inverted partition wall 150 It is a technical limitation of the present organic light emitting device that it is difficult to remove the void region 170 without changing the structure or shape.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 보이드 영역의 발생을 근본적으로 차단하기 위해 역상형 격벽을 제거하고 보호막을 도포할 수 있는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법을 제공하는데에 있다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method for manufacturing an organic light emitting device without a partition capable of removing the reverse phase barrier rib and applying a protective film in order to fundamentally block the generation of the void region.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기의 방법에 의해 제조된 격벽이 없는 유기발광소자를 제공하는데에 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide an organic light emitting device without a partition manufactured by the above method.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법은 (a)투명 기판 상에 투명 전극 패턴 및 상기 투명 전극 패턴을 서로 전기적으로 절연시키는 절연체를 형성하는 단계, (b)절연체 상에 버퍼링층을 형성하는 단계, (c)버퍼링층 상에 역상형 격벽을 형성하는 단계, (d)역상형 격벽에 의해 가려지는 부분을 제외한 투명 전극 패턴 상에 유기발광층을 형성하는 단계, (e)유기발광층 상에 유기발광층 전면을 덮고 절연체층에 밀착되도록 하여 유기발광층으로 산소 및 수분의 침투를 방지하도록 하는 상부전극을 형성하는 단계, (f)습식식각을 통해 버퍼링층을 제거함으로써 역상형 격벽을 제거해주는 단계, 및 (g)상기 단계에 의해 형성된 구조물 상에 컨포말하게 보호막을 형성하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention for solving the above technical problem, a method of manufacturing an organic light emitting device without a partition includes: (a) forming a transparent electrode pattern and an insulator electrically insulating the transparent electrode pattern from each other on a transparent substrate; (b) forming a buffering layer on the insulator, (c) forming a reverse phase barrier rib on the buffer layer, and (d) forming an organic light emitting layer on the transparent electrode pattern except for the portion covered by the reverse phase barrier rib. Forming, (e) forming an upper electrode to cover the entire surface of the organic light emitting layer on the organic light emitting layer and to be in close contact with the insulator layer to prevent the penetration of oxygen and moisture into the organic light emitting layer, (f) the buffering layer through wet etching Removing the reverse phase partition wall by removing the film, and (g) conformally forming a protective film on the structure formed by the step.

상기의 다른 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자는 투명 기판, 투명 기판 상의 소정의 위치에 서로 일정한 간격을 가지고 형성되는 절연체, 절연체 사이의 투명 기판 상에 형성되는 투명 전극, 투명 전극 상에 형성되는 유기 발광층, 유기 발광층 상에 유기 발광층으로 수분의 침투를 방지하기 위하여 절연체에 밀착되도록 형성되는 상부전극, 및 절연체 및 상 부전극 상에 컨포말하게 형성되는 보호막을 포함한다.An organic light emitting device without a partition according to an embodiment of the present invention for solving the above technical problem is formed on a transparent substrate, an insulator formed at a predetermined distance from each other at a predetermined position on the transparent substrate, a transparent substrate between the insulators Transparent electrode, an organic light emitting layer formed on the transparent electrode, an upper electrode formed to be in close contact with the insulator to prevent the penetration of moisture into the organic light emitting layer on the organic light emitting layer, and a protective film formed conformally on the insulator and the upper electrode It includes.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the accompanying drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various different forms, only the present embodiments to make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

또한, 도면에서 층과 막 또는 영역들의 크기 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어 기술된 것이며, 어떤 막 또는 층이 다른 막 또는 층의 "상에" 형성된다라고 기재된 경우, 상기 어떤 막 또는 층이 상기 다른 막 또는 층의 위에 직접 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 다른 막 또는 층이 개재될 수도 있다.In addition, in the drawings, the size and thickness of layers and films or regions are exaggerated for clarity of description, and when any film or layer is described as being formed "on" of another film or layer, It may be directly on top of the other film or layer, and a third other film or layer may be interposed therebetween.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.2A to 2G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting diode without a partition according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자를 제조하기 위해서는 먼저, 투명 기판(200)상에 투명전극패턴(205) 및 절연체(210)를 형성한다.In order to manufacture an organic light emitting device without a partition according to an embodiment of the present invention, first, a transparent electrode pattern 205 and an insulator 210 are formed on a transparent substrate 200.

투명 기판(200)은 유기발광소자의 베이스층(base layer)이 되는 것으로 유기발광소자에서 발광된 빛이 투과되는 영역이다.The transparent substrate 200 serves as a base layer of the organic light emitting diode and is a region through which light emitted from the organic light emitting diode is transmitted.

투명전극패턴(205)는 애노드(anode)로서 형성되며, 유기발광소자에서 발산되는 빛이 투과되어 투명기판(200)으로 전달되어야 하기 때문에 투명한 성질을 가지는 전도체, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 물질을 투명 기판(200) 전면에 도포한 후 포토공정에 의해 패터닝하여 형성한다.The transparent electrode pattern 205 is formed as an anode, and since the light emitted from the organic light emitting device must be transmitted to the transparent substrate 200, the transparent electrode pattern 205 has a transparent property such as indium tin oxide (ITO) or IZO. A material such as (Indium Zinc Oxide) is applied to the entire surface of the transparent substrate 200 and then patterned by a photo process.

절연체(210)는 투명전극패턴(205) 상호간을 전기적으로 절연시켜 주기 위하여 형성하는 것으로 유기발광소자 내부의 유전상수가 증가하는 것을 방지하기 위하여 저유전상수를 가지는 물질, 구체적으로는 BCB(Benzene Cyclo Butene) 레진을 이용하여 형성한다.The insulator 210 is formed to electrically insulate the transparent electrode patterns 205 from each other. The insulator 210 is formed of a material having a low dielectric constant, specifically, BCB (Benzene Cyclo Butene) to prevent an increase in the dielectric constant inside the organic light emitting diode. ) Is formed using resin.

다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 절연체(210) 상에 버퍼링층(215)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2B, a buffering layer 215 is formed on the insulator 210.

버퍼링층(215)은 후에 형성될 역상형 격벽을 제거하기 위하여 형성, 즉 버퍼링층(215) 상에 역상형 격벽이 후 공정에서 형성되는데, 역상형 격벽의 하부의 버퍼링층(215)을 제거함으로서 역상형 격벽이 쉽게 제거될 수 있도록 해주기 위해 형성되는 것이다.The buffering layer 215 is formed to remove the reverse phase barrier ribs to be formed later, that is, the reverse phase barrier ribs are formed on the buffering layer 215 in a later process, by removing the buffering layer 215 below the reverse phase barrier ribs. It is formed so that the reversed phase bulkhead can be easily removed.

버퍼링층(215)은 습식식각 용액 내지는 현상액에 쉽게 제거될 수 있는 물질로 형성, 구체적으로는 폴리이미드(polyimide), 기타 포지티브형 포토레지스트를 사용하여 형성하여 준다.The buffering layer 215 is formed of a material that can be easily removed from the wet etching solution or the developer, and specifically, is formed using polyimide or other positive photoresist.

다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이 버퍼링층(215) 상에 역상형 격벽(220)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2C, an inverted partition wall 220 is formed on the buffering layer 215.

격벽(220)은 유기발광소자의 셀과 셀을 정의하는 구조물로서, 그 형상을 역 상형(도 2c에서는 역사다리꼴형)으로 형성하여 주는 이유는 후에 상부전극층이 역상형 격벽(220)의 상부에 의해 각 셀의 일부 영역, 구체적으로는 절연체(210)와 접하는 영역을 가려줌(일종의 섀도우 마스크로서의 역할)으로써 상부전극을 이루는 금속물질이 피증착체 상에 컨포말(conformal)하게 형성되지 않고 절연체와 접하는 영역이 절단되게 함으로써 전체적으로 유기발광소자의 셀과 셀의 상부전극이 서로 전기적으로 절연되도록 하여주기 위함이다.The partition wall 220 is a structure defining a cell and a cell of the organic light emitting diode, and the reason for forming the shape in the reverse phase shape (inverted trapezoidal shape in FIG. 2C) is because the upper electrode layer is formed on the upper portion of the reverse phase partition wall 220. By covering a portion of each cell, specifically, the region in contact with the insulator 210 (it serves as a kind of shadow mask), the metal material forming the upper electrode is not conformally formed on the object to be deposited. This is to allow the cell of the organic light emitting device and the upper electrode of the cell to be electrically insulated from each other by cutting the area in contact with the contact area.

역상형 격벽(220)은 일반적으로 포지티브 포토레지스트로서는 형성하기 힘들기 때문에 네가티브 포토레지스트, 구체적으로는 노블락(Novolack)계열의 포토레지스트를 이용해 포토공정을 통해 형성한다.The reverse phase barrier rib 220 is generally formed through a photo process using a negative photoresist, specifically, a Novolack series photoresist, because it is difficult to form a positive photoresist.

다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이 역상형 격벽(220)을 일종의 섀도우 마스크로 하여 역상형 격벽(220)의 상부에서 수직으로 내려 보았을 때 보여지는 투명전극 패턴(205) 상에 유기 발광층(225)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2D, the organic light emitting layer 225 is disposed on the transparent electrode pattern 205 when viewed vertically from the top of the reverse phase partition wall 220 using the reverse phase partition wall 220 as a kind of shadow mask. ).

유기 발광층(225)이란 일정한 전계가 가해지면 여기자(excitron)가 만들어져 여기자가 낮은 에너지 준위로 떨어지면서 자발광을 하는 물질로 구성되는 층을 의미한다.The organic light emitting layer 225 refers to a layer composed of a material that emits excitons when a predetermined electric field is applied, and thus excitons fall to a low energy level and emit light.

다음으로, 도 2e에 도시된 바와 같이 유기발광층(225) 상에 상부전극(230) 및 장벽층(235)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2E, the upper electrode 230 and the barrier layer 235 are formed on the organic light emitting layer 225.

상부전극(230)은 유기발광소자의 캐소드(cathode)로서 알루미늄(Al)과 같은 금속물질을 이용하여 형성한다.The upper electrode 230 is formed using a metal material such as aluminum (Al) as a cathode of the organic light emitting diode.

상부전극(230)은 유기발광층(225) 상에 유기발광층(225)의 전면을 덮고 절연 체(210)와 밀착되도록 형성하여 수분에 매우 민감한 유기발광층(225)으로 수분이 침투하는 것을 1차적으로 방지하여 준다.The upper electrode 230 is formed on the organic light emitting layer 225 to cover the entire surface of the organic light emitting layer 225 and to be in close contact with the insulator 210 to primarily infiltrate moisture into the organic light emitting layer 225 which is very sensitive to moisture. Prevent it.

장벽층(235)은 유기발광층(225)이 수분에 매우 민감하고, 상부전극(230)을 구성하는 금속층이 산소에 산화되기 쉽기 때문에, 수분과 산소가 상부전극(230) 및 유기발광층(225)에 침투하는 것을 방지하기 위해 형성하는 것으로, 본 발명에서는 산화마그네슘(MgO)로 형성하였다.Since the barrier layer 235 is very sensitive to moisture and the metal layer constituting the upper electrode 230 is easily oxidized to oxygen, the moisture and oxygen are the upper electrode 230 and the organic light emitting layer 225. It is formed in order to prevent the infiltration into and, in the present invention, it was formed of magnesium oxide (MgO).

장벽층(235)은 상부전극(230) 상에 상부전극(230)의 전면을 덮고 절연체(210)와 밀착되도록 형성하여 수분의 침투를 2차적으로 방지하고, 또한 상부전극(230)으로 산소가 침투되는 것을 방지할 수 있다.The barrier layer 235 is formed on the upper electrode 230 so as to cover the entire surface of the upper electrode 230 and to be in close contact with the insulator 210 to prevent the penetration of moisture in a second manner, and also to prevent oxygen from entering the upper electrode 230. Penetration can be prevented.

다음으로, 도 2f에 도시된 바와 같이 버퍼링층(215)을 제거함으로써 역상형 격벽(220)을 제거하여 준다.Next, as shown in FIG. 2F, the reverse phase partition wall 220 is removed by removing the buffering layer 215.

버퍼링층(215)을 제거하기 위한 방법은 버퍼링층(215)을 습식식각액에 대한 선택성(selectivity)이 좋은 물질로 형성하고, 습식용액을 통해 제거해 주거나, 일반적으로 네가티브 포토레지스트에 의해 형성되는 역상형 격벽(220)에 비해 포지티브 포토레지스트로 버퍼링층을 형성함으로써 포지티브형 현상액(development liquid)을 통해 제거해줄 수도 있다.The method for removing the buffering layer 215 may be performed by forming the buffering layer 215 with a material having good selectivity to the wet etching solution, removing the buffering layer 215 through the wet solution, or generally formed by a negative photoresist. Compared to the barrier rib 220, the buffer layer may be formed of a positive photoresist to be removed through a positive developer liquid.

버퍼링층(215)이 제거되면 그 상부에 형성되는 역상형 격벽(220)도 제거된다.When the buffering layer 215 is removed, the reverse phase partition wall 220 formed thereon is also removed.

마지막으로, 도 2g에 도시된 바와 같이 상기의 단계에 의해 형성된 구조물 상에 컨포말하게 보호막을 형성하여 준다.Finally, as shown in FIG. 2G, a protective film is conformally formed on the structure formed by the above step.

보호막(passivation layer; 240)은 유기발광소자의 구성물을 전체적으로 보호하고 또한 상부전극(230) 및 유기발광층(225)으로 산소 및 수분의 침투를 3차적으로 방지하기 위한 막이다.The passivation layer 240 is a film that protects the components of the organic light emitting diode as a whole and also prevents the penetration of oxygen and moisture into the upper electrode 230 and the organic light emitting layer 225.

보호막(240)은 유기막(241)과 무기막(242) 두층으로 구성되는 것이 바람직한데, 그 이유는 산소 침투를 방지하는데는 무기막(242)이 적합하고, 수분의 침투를 방지하는데는 유기막(241)이 적합하기 때문이다.The passivation layer 240 is preferably composed of two layers of the organic layer 241 and the inorganic layer 242. The reason is that the inorganic layer 242 is suitable for preventing oxygen penetration, and the organic layer is for preventing the penetration of moisture. This is because the film 241 is suitable.

유기막(241)으로 사용될 수 있는 물질로는 아크릴(Acryl)계 레진(resin)이 있으며, 그 형성 방법은 코팅 또는 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성될 수 있다.A material that can be used as the organic layer 241 is an acrylic resin, and a method of forming the same may be formed by coating or screen printing.

무기막(242)으로 사용될 수 있는 물질로는 실리콘 나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx)가 있으며, 그 형성 방법은 확산증착, CVD에 의한 기상증착 등이 있다.Materials that can be used for the inorganic layer 242 include silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO x ), and the formation methods thereof include diffusion deposition and vapor deposition by CVD.

이하에서는 CD의 변이에 따른 문턱 전압의 변동이 정션 콘택 플러그 이온 주입 레서피의 조정에 의해 효과적으로 조절될 수 있음을 구체적인 실험예들을 들어 설명한다. 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.Hereinafter, specific experimental examples will be described that the variation of the threshold voltage according to the variation of the CD can be effectively controlled by adjusting the junction contact plug ion implantation recipe. Details not described herein are omitted because they can be sufficiently inferred by those skilled in the art.

본 발명에 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자는 도 2g에 도시되어 있으며, 이를 설명하면 다음과 같다.The organic light emitting device without the partition according to the embodiment of the present invention is shown in Figure 2g, which will be described as follows.

본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자는 투명기판(200), 상기 투명 기판(200) 상에 애노드로 형성되는 투명전극패턴(205), 상기 투명기판(200) 상의 소정의 위치에 서로 일정한 간격을 가지고 형성되며 투명전극패턴(205)를 전기적으로 절연시키는 절연체(210), 상기 투명전극상에 형성되는 유기발광층(225), 상기 유기발광층(225) 상에 유기발광층(225)으로 수분이 침투되는 것을 방지하기 위하여 상기 절연체(210)에 밀착되도록 형성되며 캐소드 역할을 하는 상부전극(230) 및 상기 절연체(210) 및 상기 상부전극(230) 상에 컨포말(conformal)하게 형성되며 상부전극(230) 및 유기발광층(225) 내부로 산소 및 수분이 침투되는 것을 방지하기 위한 보호막(240)을 포함한다.In the organic light emitting device without a partition according to the embodiment of the present invention, the transparent substrate 200, the transparent electrode pattern 205 formed as an anode on the transparent substrate 200, and a predetermined position on the transparent substrate 200 are provided. Insulators 210 formed at regular intervals to electrically insulate the transparent electrode pattern 205 from each other, an organic light emitting layer 225 formed on the transparent electrode, and an organic light emitting layer 225 on the organic light emitting layer 225. It is formed to be in close contact with the insulator 210 in order to prevent the penetration of moisture, and is formed conformally on the upper electrode 230 and the insulator 210 and the upper electrode 230 as a cathode. The passivation layer 240 may be formed to prevent oxygen and moisture from penetrating into the upper electrode 230 and the organic light emitting layer 225.

또한, 상부전극(230)과 보호막(240) 사이에는 산소와 수분의 침투를 2차적으로 방지하기 위한 장벽층(235)이 더 형성될 수도 있다.In addition, a barrier layer 235 may be further formed between the upper electrode 230 and the passivation layer 240 to secondarily prevent penetration of oxygen and moisture.

또한, 보호막(240)은 단일구조도 가능하는 이층구조로 형성하는게 바람직하며 2층 구조로 함에 있어서는 유기막(214)과 무기막(242)으로 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the protective film 240 is preferably formed in a two-layer structure that can be a single structure, and in the two-layer structure, it is preferable to form the organic film 214 and the inorganic film 242.

기타 본 발명에 의한 격벽이 없는 유기발광소자에 대한 특징은 앞서 설명한 도면부호와 동일한 번호는 동일부재를 의미한다.Other features of the organic light emitting device without a partition according to the present invention is the same reference numerals as described above means the same member.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에 서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it is to be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 실시예에 따른 격벽이 없는 유기발광소자 및 그 제조 방법에 의하면 다음의 효과가 하나 또는 그 이상 존재한다.According to the organic light emitting device without a partition according to an embodiment of the present invention and a manufacturing method there is one or more of the following effects.

첫째, 역상형 격벽층의 측면에 보이드영역이 발생하는 것을 억제하여 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다.First, it is possible to prevent the void region from occurring on the side of the reverse phase barrier layer to prevent the penetration of moisture and oxygen.

둘째, 격벽이 없기 때문에 두께감소효과를 가져와 유기발광소자의 박형화를 이룰 수 있다.Second, since there is no partition wall, the thickness reduction effect can be achieved, thereby making the organic light emitting device thin.

Claims (13)

투명 기판;Transparent substrates; 상기 투명 기판 상의 소정의 위치에 서로 일정한 간격을 가지고 형성되는 절연체;An insulator formed at a predetermined position on the transparent substrate at regular intervals; 상기 절연체 사이의 상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전극;A transparent electrode formed on the transparent substrate between the insulators; 상기 투명 전극 상에 형성되는 유기 발광층;An organic light emitting layer formed on the transparent electrode; 상기 유기 발광층 상에 상기 유기 발광층으로 수분의 침투를 방지하기 위하여 상기 절연체에 밀착되도록 형성되는 상부전극; 및An upper electrode formed on the organic light emitting layer to be in close contact with the insulator to prevent penetration of moisture into the organic light emitting layer; And 상기 절연체 및 상기 상부전극 상에 컨포말하게 형성되는 보호막을 포함하는 격벽이 없는 유기발광소자.An organic light emitting device without a partition including the insulator and a protective film conformally formed on the upper electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부전극과 상기 보호막 사이에 상기 유기 발광층으로 산소 및 수분의 침투를 방지하기 위해 상기 절연체와 밀착되도록 하는 장벽층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자.And a barrier layer between the upper electrode and the passivation layer, the barrier layer being in close contact with the insulator to prevent oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막은 유기보호막 및 무기보호막 두 층 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자.The protective film is an organic light emitting device without a partition, characterized in that the organic protective film and the inorganic protective film has a two-layer structure. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 장벽층은 MgO로 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자.The barrier layer is an organic light emitting device without a partition, characterized in that formed of MgO. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 유기보호막은 아크릴계 레진인 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자.The organic protective film is an organic light emitting device without a partition, characterized in that the acrylic resin. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 무기보호막은 실리콘나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘옥사이드(SiO2)인 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자.The inorganic protective film is an organic light emitting device without a barrier, characterized in that the silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiO 2 ). (a) 투명 기판 상에 투명 전극 패턴 및 상기 투명 전극 패턴을 서로 전기적으로 절연시키는 절연체를 형성하는 단계;(a) forming an insulator on the transparent substrate to electrically insulate the transparent electrode pattern and the transparent electrode pattern from each other; (b) 상기 절연체 상에 버퍼링층을 형성하는 단계;(b) forming a buffering layer on the insulator; (c) 상기 버퍼링층 상에 역상형 격벽을 형성하는 단계;(c) forming a reverse phase barrier rib on the buffering layer; (d) 상기 역상형 격벽에 의해 가려지는 부분을 제외한 상기 투명 전극 패턴 상에 유기발광층을 형성하는 단계;(d) forming an organic light emitting layer on the transparent electrode pattern except for the portion covered by the reverse phase barrier; (e) 상기 유기발광층 상에 상기 유기발광층 전면을 덮고 상기 절연체층에 밀착되도록 하여 상기 유기발광층으로 산소 및 수분의 침투를 방지하도록 하는 상부전극을 형성하는 단계;(e) forming an upper electrode on the organic light emitting layer to cover the entire surface of the organic light emitting layer and to be in close contact with the insulator layer to prevent oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting layer; (f) 습식식각 또는 현상공정을 통해 상기 버퍼링층을 제거함으로써 상기 역상형 격벽을 제거해주는 단계; 및(f) removing the reverse phase barrier rib by removing the buffering layer through a wet etching or developing process; And (g) 상기 단계에 의해 형성된 구조물 상에 컨포말하게 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.(g) A method of manufacturing an organic light emitting device without a partition, the method comprising conformally forming a protective film on the structure formed by the step. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 (e)단계와 상기 (f)단계 사이에 상기 유기 발광층으로 산소 및 수분의 침투를 방지하기 위해 상기 절연체와 밀착되도록 하는 장벽층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.And forming a barrier layer between the step (e) and the step (f) so as to be in close contact with the insulator to prevent oxygen and moisture from penetrating into the organic light emitting layer. Method of manufacturing a light emitting device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 (g) 단계에 있어서 상기 보호막은 유기보호막 및 무기보호막 두 층 구조로 되어 있는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.In the step (g), the protective film has an organic protective film and an inorganic protective film of a two-layer structure, characterized in that the manufacturing method of the organic light emitting device without a partition. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 장벽층은 MgO로 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.The barrier layer is a method of manufacturing an organic light emitting device without a partition, characterized in that formed of MgO. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 유기보호막은 아크릴계 레진인 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.The organic protective film is a method of manufacturing an organic light emitting device without a partition, characterized in that the acrylic resin. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 무기보호막은 실리콘나이트라이드(SiNx) 또는 실리콘옥사이드(SiO2)인 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.The inorganic protective film is a silicon nitride (SiN x ) or a silicon oxide (SiO 2 ) method of manufacturing an organic light emitting device without a partition, characterized in that. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 버퍼링층은 폴리이미드(polyimide)로 형성되는 것을 특징으로 하는 격벽이 없는 유기발광소자의 제조 방법.The buffering layer is a method of manufacturing an organic light emitting device without a partition, characterized in that formed of polyimide (polyimide).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108321175A (en) * 2018-01-31 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 Substrate and its manufacturing method, display device
US10325970B2 (en) 2017-06-19 2019-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Display device
EP2731139B1 (en) * 2012-11-13 2022-03-23 BOE Technology Group Co., Ltd. Light-emitting display backplane, display device and manufacturing method of pixel define layer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2731139B1 (en) * 2012-11-13 2022-03-23 BOE Technology Group Co., Ltd. Light-emitting display backplane, display device and manufacturing method of pixel define layer
EP4012780A1 (en) * 2012-11-13 2022-06-15 BOE Technology Group Co., Ltd. Light-emitting display backplane, display device and manufacturing method of pixel define layer
US10325970B2 (en) 2017-06-19 2019-06-18 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN108321175A (en) * 2018-01-31 2018-07-24 京东方科技集团股份有限公司 Substrate and its manufacturing method, display device

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