KR20070003288A - Liquid crystal divice - Google Patents

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KR20070003288A KR1020050059153A KR20050059153A KR20070003288A KR 20070003288 A KR20070003288 A KR 20070003288A KR 1020050059153 A KR1020050059153 A KR 1020050059153A KR 20050059153 A KR20050059153 A KR 20050059153A KR 20070003288 A KR20070003288 A KR 20070003288A
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Abstract

An LCD is provided to prevent static electricity from being concentrated on cutout portions of a pixel electrode, by forming storage electrodes below the cutout portions of the pixel electrode. A gate line is formed on a first substrate(110). A storage electrode line has a plurality of storage electrodes(133a). A data line crosses the gate line and the storage electrode line. A thin film transistor is electrically connected to the gate line and the data line. A passivation layer(180) covers the thin film transistor. The passivation layer is formed of an organic layer, and has a flat surface. A pixel electrode(191) is formed on the passivation layer, and has a plurality of cutout portions(92,93a,94a). The storage electrodes overlap the cutout portions, respectively.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DIVICE}Liquid crystal display {LIQUID CRYSTAL DIVICE}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이다.FIG. 3 is a layout view of a common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV'-IV'-IV'''선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line IV-IV'-IV'-IV '' '.

*도면 부호의 설명** Description of Drawing Symbols *

7: 노치 11, 21: 배향막7: notch 11, 21: alignment layer

12, 22: 편광자 81, 82: 접촉 보조 부재12, 22: polarizer 81, 82: contact auxiliary member

71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, 95b: 절개부71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b, 91, 92, 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, 95b: incision

110, 210: 절연기판 121: 게이트선110 and 210: insulated substrate 121: gate line

131: 유지 전극선 133a~133c: 유지 전극131: sustain electrode lines 133a to 133c: sustain electrode

154: 반도체 161, 165: 저항성 접촉 부재154: semiconductor 161, 165: ohmic contact member

171: 데이터선 175: 드레인 전극171: data line 175: drain electrode

180: 보호막 181, 182, 185: 접촉구180: protective film 181, 182, 185: contact hole

191: 화소 전극191: pixel electrode

220: 차광 부재 230: 색필터220: light blocking member 230: color filter

250: 덮개막 270: 공통 전극250: overcoat 270: common electrode

본 발명은 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것으로 특히 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor array panel, and more particularly, to a thin film transistor array panel for a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표지 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 방향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices, and includes two display panels on which a field generating electrode such as a pixel electrode and a common electrode are formed, and a liquid crystal layer interposed therebetween. The liquid crystal display generates an electric field in the liquid crystal layer by applying a voltage to the field generating electrode, thereby determining an orientation of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer and controlling the polarization of incident light to display an image.

두 표시판 중 하나에는 게이트선 및 데이터선과 같은 다수의 배선, 화소 전극 및 화소 전극에 전달되는 데이터 신호를 제어하는 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 나머지 다른 표시판에는 화소 전극과 마주하는 공통 전극 및 색필터가 형성되어 있다.One of the two display panels includes a plurality of wirings such as a gate line and a data line, a thin film transistor that controls a data signal transmitted to the pixel electrode and the pixel electrode, and the other display panel includes a common electrode and a color filter facing the pixel electrode. Formed.

이때, 박막 트랜지스터 표시판은 다수의 배선 등이 형성되는 투명한 절연 기판이 절연체이기 때문에 제조 공정 중에 발생하는 정전기에 노출되기 쉬우며 이러한 정전기는 기판 상에 국소적으로 존재하게 된다. 유입된 정전기가 적은 양일지라도 유입된 부분에서는 국소적으로 존재하는 것에 의해 그 전압이 높게 되므로 정 전기에 취약한 부위를 손상시키게 된다.In this case, the thin film transistor array panel is easily exposed to static electricity generated during the manufacturing process because the transparent insulating substrate on which the plurality of wirings are formed is an insulator, and the static electricity is locally present on the substrate. Even if a small amount of static electricity is introduced, the voltage is increased by being locally present in the introduced part, thereby damaging the vulnerable areas of static electricity.

특히 절개부를 포함하는 액정 표시 장치의 경우 정전기가 주로 절개부로 몰려 절개부를 손상시킨다.In particular, in the case of a liquid crystal display including an incision, static electricity is mainly concentrated in the incision to damage the incision.

이를 해결하기 위해서 정전기 방지 처리가 된 배향막 및 편광판을 사용하고 있으나 이는 비용이 비싸지는 문제점이 있다.In order to solve this problem, an alignment film and a polarizing plate which have been treated with an antistatic treatment are used, but this has a problem of high cost.

그래서 본 발명의 기술적 과제는 정전기 방지 처리가 되지 않은 배향막 및 편광판을 사용하여 비용이 증가하지 않으면서도 정전기가 절개부로 몰리는 것을 방지하는 것이다.Therefore, the technical problem of the present invention is to prevent the static electricity from being driven into the incision without increasing the cost by using the alignment film and the polarizing plate which is not subjected to the antistatic treatment.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 제1 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 유지 전극을 가지는 유지 전극선, 제1 기판 위에 형성되어 있으며 게이트선 및 유지 전극선과 교차하는 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮으며 유기 물질로 이루어져 표면이 평탄한 보호막, 그리고 보호막 위에 형성되어 있으며 복수의 절개부를 가지는 화소 전극을 포함하고 유지 전극은 절개부와 중첩한다.The liquid crystal display according to the present invention for achieving the above technical problem is a first substrate, a gate line formed on the first substrate, a sustain electrode line formed on the first substrate and having a plurality of sustain electrodes, on the first substrate A thin film transistor which is formed and intersects the gate line and the storage electrode line, the thin film transistor connected to the gate line and the data line, and covers the thin film transistor, and is formed of an organic material, and has a flat protective film, and is formed on the protective film, A pixel electrode is included and the sustain electrode overlaps the cutout.

보호막 위에 형성되어 있으며 화소 전극과 분리되어 있는 차폐 전극을 더 포함할 수 있으며, 차폐 전극은 데이터선과 중첩하며 데이터선의 폭보다 넓을 수 있다.The shielding electrode may further include a shielding electrode formed on the passivation layer and separated from the pixel electrode. The shielding electrode may overlap the data line and be wider than the width of the data line.

절개부는 게이트선 및 데이터선과 빗각을 이루며, 절개부와 게이트선이 이루는 각도는 45°일 수 있다.The cutout forms an oblique angle with the gate line and the data line, and an angle formed by the cutout and the gate line may be 45 °.

유지 전극은 게이트선 및 데이터선과 빗각을 이루는 복수의 사선부를 포함할 수 있으며, 사선부는 게이트선과 45°를 이룰 수 있다.The sustain electrode may include a plurality of oblique portions that form an oblique angle with the gate line and the data line, and the oblique portions may form 45 ° with the gate line.

유지 전극은 사선부 일부를 연결하며 화소 전극의 변과 중첩하는 세로부를 더 포함할 수 있다.The storage electrode may further include a vertical portion connecting a portion of the diagonal portion and overlapping the side of the pixel electrode.

유지 전극은 사선부 일부 및 세로부와 연결되어 있는 확장부를 더 포함할 수 있다.The sustain electrode may further include an extension part connected to the diagonal part and the vertical part.

제1 기판과 마주하는 제2 기판, 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재, 차광 부재 위에 형성되어 있는 색필터, 색필터 위에 형성되어 있으며 절개부를 가지는 공통 전극을 더 포함하고, 공통 전극의 절개부는 화소 전극의 절개부와 교대로 배치되어 있을 수 있다.A second substrate facing the first substrate, a light blocking member formed on the second substrate, a color filter formed on the light blocking member, and a common electrode formed on the color filter and having a cutout, wherein the cutout of the common electrode It may be arranged alternately with the cutout of the pixel electrode.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 층, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, layer, area, plate, etc. is over another part, this includes not only the part directly above the other part but also another part in the middle. On the contrary, when a part is just above another part, it means that there is no other part in the middle.

그러면 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.Next, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV'-IV'-IV'''선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1, and FIG. 3 is a layout view of the common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line IV-IV'-IV'-IV '' '.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.1 to 4, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other and between the two display panels 100 and 200. The liquid crystal layer 3 is included.

먼저, 도 1, 도 2 및 도 4를 참고하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 4.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가 요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upwards and a wide end portion 129 for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121)과 거의 동일한 거리를 두고 있다. 유지 전극선(131)은 아래위로 확장된 확장부(137)와 확장부(137)로부터 뻗어 나온 복수의 사선부(133a, 133b) 및 사선부(133a, 133b)를 연결하는 세로부(133c)를 포함하는 복수의 유지 전극 집합을 포함한다. 사선부(133a, 133b)는확장부(137)로부터 아래 위로 비스듬하게 뻗어 있다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and almost extends in parallel with the gate line 121. Each storage electrode line 131 is positioned between two adjacent gate lines 121 and is substantially equal to the two gate lines 121. The storage electrode line 131 connects the expanded portion 137 extending up and down, the plurality of diagonal portions 133a and 133b extending from the expanded portion 137 and the vertical portion 133c connecting the diagonal portions 133a and 133b. It includes a plurality of sustain electrode set including. Diagonal portions 133a and 133b extend obliquely up and down from extension portion 137. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접 촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver-based metal such as silver (Ag) or silver alloy, copper-based metal such as copper (Cu) or copper alloy, or molybdenum ( It may be made of molybdenum-based metals such as Mo) or molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. On the other hand, other conductive films are made of other materials, especially materials having excellent physical, chemical and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, tantalum, and titanium. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30 내지 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 to 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiN x ) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 섬형 반도체(154)가 형성되어 있다. 반도체(154) 위에는 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있다.On the gate insulating layer 140, a plurality of island semiconductors 154 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si), polycrystalline silicon, or the like are formed. A plurality of island type ohmic contacts 163 and 165 are formed on the semiconductor 154. The ohmic contacts 163 and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped, or may be made of silicide. The ohmic contacts 163 and 165 are paired and disposed on the semiconductor 154.

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 30 내지 80°정도이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 to 80 °.

저항 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 소스 전극(173)은 아래에서 위로 갈수록 폭이 좁아 졌다가 다시 넓어져 허리가 오목한 절구통 모양이다.The data line 171 transmits a data voltage and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and the storage electrode line 131. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and a wide end portion 179 for connection with another layer or an external driving circuit. The source electrode 173 becomes narrower from bottom to top, and then widens again to have a concave mortar shape.

데이터 전압을 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.A data driving circuit (not shown) for generating a data voltage is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

각 드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고, 소스 전극(173)을 중심으로 두 갈래로 갈라진 굽은 부분(176), 굽은 부분(176)과 연결되어 있는 넓은 끝 부분(177)을 포함한다. 굽은 부분(176)과 넓은 끝 부분(177)은 막대형 연결부(178)에 의해서 연결된다. 넓은 끝 부분(177)은 유지 전극(137)과 중첩하며, 굽은 부분(176)의 양끝 부분은 소스 전극(173)의 오목한 부분으로 둘러싸여 있다.Each drain electrode 175 is separated from the data line 171, and is divided into two bifurcated bent portions 176 around the source electrode 173 and a wide end portion 177 connected to the bent portions 176. It includes. Bent portion 176 and wide end portion 177 are connected by rod-shaped connection 178. The wide end portion 177 overlaps the storage electrode 137, and both ends of the curved portion 176 are surrounded by the concave portion of the source electrode 173.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, in addition to the data line 171 and the drain electrode 175, it may be made of various metals or conductors.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30 내지 80°정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.It is preferable that the side surfaces of the data line 171 and the drain electrode 175 are inclined at an inclination angle of about 30 to 80 degrees with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 하부의 반도체(151)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다.The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 151 below and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon, thereby lowering the contact resistance.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(151) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 보호막(180)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물로 만들어진 하부막(180p)과 유기 절연물로 만들어진 상부막(180q)을 포함한다. 유기 절연물은 4.0 이하의 유전 상수를 가지는 것이 바람직하고, 감광성(photosensitivity)을 가질 수도 있으며, 평탄면을 제공한다. 보호막(180)은 유기 절연물로 만들어진 단일막 구조를 가질 수도 있다. 이처럼 유기 절연물로 보호막(180)을 형성하면 하부의 배선 등으로 인한 단차가 발생하지 않아 상부가 평탄하게 된다. 따라서 종래의 단차 부위에서 액정 분자의 배열이 틀어지는 현상이 발생하지 않으므로 단차로 인한 빛샘을 방지할 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 151. The passivation layer 180 may include a lower layer 180p made of an inorganic insulator such as silicon nitride or silicon oxide, and an upper layer 180q made of an organic insulator. The organic insulator preferably has a dielectric constant of 4.0 or less, may have photosensitivity, and provide a flat surface. The passivation layer 180 may have a single layer structure made of an organic insulator. As such, when the passivation layer 180 is formed of an organic insulator, a step may not be generated due to the wiring at the bottom thereof, thereby making the top flat. Therefore, since the arrangement of the liquid crystal molecules is not distorted in the conventional stepped portion, light leakage due to the stepped portion can be prevented.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. A plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 are formed at 140.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 차폐 전극(88) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191, a shielding electrode 88, and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180. They may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적ㅇ전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 and receives a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied is generated between the two electrodes 191 and 270 by generating an electric field together with the common electrode 270 of the other display panel 200 to which the common voltage is applied. The direction of the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules 31 determined as described above. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

화소 전극(191)은 유지 전극(137)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131) 과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)"라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The pixel electrode 191 overlaps the storage electrode line 131 including the storage electrode 137. A capacitor formed by the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected to the pixel electrode 191 overlapping the storage electrode line 131 is called a storage capacitor, and the storage capacitor enhances the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor.

각 화소 전극(191)은 네 모퉁이가 모따기되어 있는(chamfered) 대략 사각형 모양이며, 모따기된 빗변은 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이룬다.Each pixel electrode 191 has a substantially rectangular shape in which four corners are chamfered, and the chamfered hypotenuse forms an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

화소 전극(191)에는 제1 및 제2 중앙 절개부(91, 92), 하부 절개부(93a, 94a, 95a) 및 상부 절개부(93b, 94b, 95b)가 형성되어 있으며, 화소 전극(191)은 이들 절개부(91~95b)에 의하여 복수의 영역(partition)으로 분할된다. 절개부(91~95b)는 유지 전극선(131)에 대하여 거의 반전 대칭을 이룬다. 하부 및 상부 절개부(93a, 93b, 94a, 94b, 95a, 95b)는 대략 화소 전극(191)의 오른쪽 변에서부터 왼쪽 변, 왼쪽 모퉁이, 아래쪽 변 또는 위쪽 변으로 비스듬하게 뻗어 있다. 하부 및 상부 절개부(93a-95b)는 유지 전극선(131)에 대하여 하반부와 상반부에 각각 위치하고 있다. 하부 및 상부 절개부(93a-95b)는 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이루며 서로 수직으로 뻗어 있다.The pixel electrode 191 includes first and second central cutouts 91 and 92, lower cutouts 93a, 94a and 95a, and upper cutouts 93b, 94b and 95b, and the pixel electrode 191. ) Is divided into a plurality of partitions by these cutouts 91 to 95b. The cutouts 91 to 95b have almost inverted symmetry with respect to the sustain electrode line 131. The lower and upper cutouts 93a, 93b, 94a, 94b, 95a, and 95b extend obliquely from the right side of the pixel electrode 191 to the left side, left corner, lower side, or upper side. The lower and upper cutouts 93a-95b are positioned at the lower half and the upper half with respect to the storage electrode line 131, respectively. The lower and upper cutouts 93a-95b extend perpendicular to each other at an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

제1 중앙 절개부(91)는 화소 전극(191)의 가로 중심선을 따라 뻗으며 왼쪽 변 쪽에 입구를 가지고 있다. 제1 중앙 절개부(91)의 입구는 하부 절개부(93a, 94a, 95a)와 상부 절개부(93b, 94b, 95b)에 각각 거의 평행한 한 쌍의 빗변을 가지고 있다. 제2 중앙 절개부(92)는 중앙 가로부 및 한 쌍의 사선부를 포함한다. 중앙 가로부는 대략 화소 전극(191)의 오른쪽 변에서부터 유지 전극선(131)을 따라 왼쪽으로 뻗으며, 한 쌍의 사선부는 중앙 가로부의 끝에서 화소 전극(191)의 왼쪽 변을 향하여 각각 하부 및 상부 절개부(93a-95b)와 거의 나란하게 뻗는다.The first central cutout 91 extends along a horizontal centerline of the pixel electrode 191 and has an inlet at a left side thereof. The inlet of the first central incision 91 has a pair of hypotenuses that are substantially parallel to the lower incisions 93a, 94a, 95a and the upper incisions 93b, 94b, 95b, respectively. The second central cutout 92 includes a central cross section and a pair of diagonal lines. The central horizontal portion extends from the right side of the pixel electrode 191 to the left along the storage electrode line 131, and the pair of diagonal portions respectively cuts the lower and upper portions toward the left side of the pixel electrode 191 at the end of the central horizontal portion. It extends almost in parallel with the parts 93a-95b.

따라서, 화소 전극(191)의 하반부는 중앙 절개부(92) 및 하부 절개부(93a, 93b, 94a)에 의하여 5 개의 영역(partition)으로 나누어지고, 상반부 또한 중앙 절개부(92) 및 상부 절개부(94b, 95a, 95b)에 의하여 5 개의 영역으로 분할된다. 이 때, 영역의 수효 또는 절개부의 수효는 화소의 크기, 화소 전극의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라질 수 있다.Accordingly, the lower half of the pixel electrode 191 is divided into five regions by the central cutout 92 and the lower cutouts 93a, 93b, and 94a, and the upper half also includes the center cutout 92 and the upper cutout. The sections 94b, 95a, and 95b are divided into five regions. In this case, the number of regions or the number of cutouts may vary depending on the size of the pixel, the ratio of the length of the horizontal side to the vertical side of the pixel electrode, and the type or characteristics of the liquid crystal layer 3.

화소 전극(191)에서 제2 중앙 절개부(92)의 사선부, 하부 및 상부 절개부(93a-95b)는 유지 전극 집합의 사선부(133a, 133b)와 중첩하고 있다. 이때, 화소 전극(191)의 절개부(91~95b)의 폭은 유지 전극선(131)의 사선부(133a, 133b) 폭보다 넓은 것이 바람직하다. 이처럼 절개부(92-95b)와 사선부(133a, 133b)를 중첩시키면, 절개부(92-95b)쪽으로 전하가 대전되기 보다는 유지 전극선(131)의 사선부(133a, 133b)를 통해서 빠져나가기 때문에 정전기 방전에 의한 손상을 방지할 수 있다.The diagonal, lower and upper cutouts 93a-95b of the second center cutout 92 of the pixel electrode 191 overlap the diagonals 133a and 133b of the storage electrode set. In this case, the width of the cutouts 91 to 95b of the pixel electrode 191 may be wider than the widths of the oblique portions 133a and 133b of the storage electrode line 131. When the cutouts 92-95b and the inclined portions 133a and 133b overlap each other, the electric charge is discharged through the inclined portions 133a and 133b of the sustain electrode line 131 rather than the charge being charged toward the cutout portions 92-95b. Therefore, the damage by the electrostatic discharge can be prevented.

차폐 전극(88)은 공통 전압을 인가 받으며, 데이터선(171)을 따라 뻗은 세로부와 게이트선(121)을 따라 뻗은 가로부를 포함한다. 세로부는 데이터선(171)을 완전히 덮고 있고, 가로부는 인접한 세로부를 연결하며 게이트선(121)의 경계선 안쪽에 위치한다. 차폐 전극(88)은 데이터선(171)과 화소 전극(191) 사이 및 데이터선(171)과 공통 전극(270) 사이의 전자기 간섭을 차단하여 화소 전극(191)의 전압 왜곡 및 데이터선(171)이 전달하는 데이터 전압의 신호 지연을 줄여준다.The shielding electrode 88 receives a common voltage and includes a vertical portion extending along the data line 171 and a horizontal portion extending along the gate line 121. The vertical portion completely covers the data line 171, and the horizontal portion connects the adjacent vertical portions and is located inside the boundary line of the gate line 121. The shielding electrode 88 blocks electromagnetic interference between the data line 171 and the pixel electrode 191 and between the data line 171 and the common electrode 270 to prevent voltage distortion and the data line 171 of the pixel electrode 191. Reduces the signal delay of the data voltage delivered by

접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 각각 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portions 179 and 129 of the data line 171 and the gate line 121 and the external device.

다음, 도 1, 도 3 및 도 4를 참고로 하여, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4.

투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다. 차광 부재(220)는 데이터선(171)에 대응하는 선형 부분(221)과 박막 트랜지스터에 대응하는 면형 부분(222)을 포함하며, 화소 전극(191) 사이의 빛샘을 막고 화소 전극(191)과 마주하는 개구 영역을 정의한다. 그러나 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부(도시하지 않음)를 가질 수도 있다.A light blocking member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass, plastic, or the like. The light blocking member 220 is also called a black matrix and prevents light leakage. The light blocking member 220 includes a linear portion 221 corresponding to the data line 171 and a planar portion 222 corresponding to the thin film transistor, and prevents light leakage between the pixel electrodes 191 and prevents the pixel electrode 191. Define the facing opening area. However, the light blocking member 220 may have a plurality of openings (not shown) facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191.

기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A plurality of color filters 230 is also formed on the substrate 210. The color filter 230 is mostly present in an area surrounded by the light blocking member 230, and may extend in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. Each color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.An overcoat 250 is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220. The overcoat 250 may be made of an (organic) insulator, which prevents the color filter 230 from being exposed and provides a flat surface. The overcoat 250 may be omitted.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어진다.The common electrode 270 is formed on the overcoat 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO.

공통 전극(270)에는 복수의 절개부(71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b)가 형성되어 있다.The plurality of cutouts 71, 72, 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, and 75b are formed in the common electrode 270.

하나의 절개부 집합(71~75b)은 하나의 화소 전극(191)과 마주 보며 제1 및 제2 중앙 절개부(71, 72), 하부 절개부(73a, 73b, 74a) 및 상부 절개부(74b, 75a, 75b)를 포함한다. 절개부(71~75b) 각각은 화소 전극(191)의 인접 절개부(91-95b) 사이 또는 절개부(91-95b)와 화소 전극(191)의 모딴 빗변 사이에 배치되어 있다. 또한, 각 절개부(71~75b)는 화소 전극(191)의 하부 절개부(93a, 94a, 95a) 또는 상부 절개부(93b, 94b, 95b)와 평행하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함한다.One set of cutouts 71 to 75b faces the pixel electrode 191 and faces the first and second central cutouts 71 and 72, the lower cutouts 73a, 73b and 74a, and the upper cutout ( 74b, 75a, 75b). Each of the cutouts 71 to 75b is disposed between the adjacent cutouts 91-95b of the pixel electrode 191 or between the cutouts 91-95b and the concave hypotenuse of the pixel electrode 191. In addition, each cutout 71 to 75b includes at least one diagonal line extending in parallel with the lower cutouts 93a, 94a and 95a or the upper cutouts 93b, 94b and 95b of the pixel electrode 191.

상부 및 하부 절개부(73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b) 각각은 사선부와 가로부 또는 세로부를 포함한다. 사선부는 대략 화소 전극(191)의 오른쪽 변에서 화소 전극(191)의 아래쪽 변, 위쪽 변 또는 왼쪽 변으로 뻗는다. 가로부 또는 세로부는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(191)의 변을 따라 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.Each of the upper and lower incisions 73a, 73b, 74a, 74b, 75a, 75b includes an oblique portion and a horizontal portion or a longitudinal portion. The diagonal portion extends from the right side of the pixel electrode 191 to the lower side, the upper side, or the left side of the pixel electrode 191. The horizontal portion or the vertical portion extends from each end of the diagonal portion along the side of the pixel electrode 191 and forms an obtuse angle with the diagonal portion.

중앙 절개부(71, 72)는 중앙 가로부, 한 쌍의 사선부 및 한 쌍의 종단 세로부를 포함한다. 중앙 가로부는 대략 화소 전극(191)의 오른쪽 변에서부터 화소 전극(191)의 가로 중심선을 따라 왼쪽으로 뻗으며, 한 쌍의 사선부는 중앙 가로부의 끝에서 화소 전극(191)의 왼쪽 변을 향하여 각각 하부 및 상부 절개부(73a-75b)와 거의 나란하게 뻗는다. 종단 세로부는는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(191)의 변을 따라 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다. 절개부(71~75b)의 수효 및 방향 또한 설계 요소에 따라 달라질 수 있다.The central cutouts 71, 72 comprise a central transverse section, a pair of oblique sections and a pair of longitudinal longitudinal sections. The central horizontal portion extends from the right side of the pixel electrode 191 to the left along the horizontal center line of the pixel electrode 191, and the pair of diagonal portions respectively lower toward the left side of the pixel electrode 191 at the end of the central horizontal portion. And almost parallel with the upper incisions 73a-75b. The vertical vertical portion extends along each side of the pixel electrode 191 from each end of the diagonal portion and forms an obtuse angle with the diagonal portion. The number and direction of the cutouts 71 to 75b may also vary depending on design factors.

그리고 공통 전극(270)의 절개부(71~75b) 각각은 사선부는 오목한 노치(notch)(7)를 포함한다.Each of the cutouts 71 to 75b of the common electrode 270 includes a notch 7 in which an oblique portion is concave.

표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있는데, 두 편광자(12, 22)의 투과축은 직교하며 이중 한 투과축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다. 본 발명에서는 화소 전극의 절개부 아래에 유지 전극을 형성함으로써 절개부로 유입되는 정전기를 효과적으로 제거하여, 정전기 방지 처리를 하지 않은 편광자를 사용할 수 있다.Alignment layers 11 and 21 are coated on inner surfaces of the display panels 100 and 200, and they may be vertical alignment layers. Polarizers 12 and 22 are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200, and the transmission axes of the two polarizers 12 and 22 are perpendicular to each other, and one of the transmission axes is parallel to the gate line 121. desirable. In the case of a reflective liquid crystal display, one of the two polarizers 12 and 22 may be omitted. In the present invention, a polarizer having no antistatic treatment can be used by effectively removing the static electricity flowing into the cutout by forming the sustain electrode under the cutout of the pixel electrode.

액정 표시 장치는 편광자(12, 22), 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.The liquid crystal display may include a polarizer 12 and 22, display panels 100 and 200, and a backlight unit (not shown) that supplies light to the liquid crystal layer 3.

액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.The liquid crystal layer 3 has negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are aligned such that their major axes are perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. Therefore, incident light does not pass through the quadrature polarizers 12 and 22 and is blocked.

전기장 생성 전극(191, 270)의 절개부(71~75b, 91~95b)와 화소 전극(191)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 절개부(71~75b, 91~95b)의 변과 화소 전극(191)의 변에 거의 수직이다.The cutouts 71 to 75b and 91 to 95b of the field generating electrodes 191 and 270 and the sides of the pixel electrode 191 distort the electric field to create horizontal components that determine the inclination direction of the liquid crystal molecules. The horizontal component of the electric field is substantially perpendicular to the sides of the cutouts 71 to 75b and 91 to 95b and the sides of the pixel electrode 191.

한편, 절개부(71~75b)에 형성되어 있는 노치는 액정 분자들의 경사 방향이 임의로 결정되는 것을 막아주며, 액정 분자의 경사 방향을 쉽게 결정하여 반응 시간이 빨라지도록 한다.On the other hand, the notch formed in the cutouts 71 to 75b prevents the inclination direction of the liquid crystal molecules from being arbitrarily determined, and the reaction time is accelerated by easily determining the inclination direction of the liquid crystal molecules.

도 1을 참고하면, 하나의 절개부 집합(71~75b, 91~95b)은 화소 전극(191)을 복수의 부영역(sub-area)으로 나누며, 각 부영역은 화소 전극(191)의 주 변과 빗각을 이루는 두 개의 주 변(major edge)을 가진다. 각 부영역 위의 액정 분자들은 대부분 주 변에 수직인 방향으로 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.Referring to FIG. 1, one set of cutouts 71 to 75b and 91 to 95b divides the pixel electrode 191 into a plurality of sub-areas, and each sub-region is a main portion of the pixel electrode 191. It has two major edges forming an oblique angle with the sides. Most of the liquid crystal molecules on each subregion are inclined in a direction perpendicular to the periphery thereof, and thus, the inclination directions are approximately four directions. As described above, when the liquid crystal molecules are inclined in various directions, the reference viewing angle of the liquid crystal display is increased.

절개부(71~75b, 91~95b)의 모양 및 배치는 변형될 수 있다.The shape and arrangement of the cutouts 71-75b and 91-95b can be modified.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 유기 절연막을 이용하여 배선으로 인한 단차를 제거함으로써 단차로 인한 빛샘을 방지할 수 있다. 또한, 절개부 아래에 유지 전극을 형성함으로써 정전기가 절개부에 모이지 않도록 하여 배향막 및 편광판에 정전기 방지 처리를 하지 않아도 되어 생산 비용을 절약할 수 있다.As described above, the present invention can prevent light leakage due to the step by removing the step due to the wiring by using the organic insulating film. In addition, by forming the sustain electrode under the cutout, static electricity does not collect in the cutout, so that the alignment film and the polarizer do not need to be subjected to the antistatic treatment, thereby reducing production costs.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (10)

제1 기판,First substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed on the first substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 복수의 유지 전극을 가지는 유지 전극선,A storage electrode line formed on the first substrate and having a plurality of storage electrodes; 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선 및 상기 유지 전극선과 교차하는 데이터선,A data line formed on the first substrate and crossing the gate line and the storage electrode line; 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor connected to the gate line and the data line, 상기 박막 트랜지스터를 덮으며 유기 물질로 이루어져 표면이 평탄한 보호막, 그리고A protective film covering the thin film transistor and having a flat surface made of an organic material, and 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 복수의 절개부를 가지는 화소 전극,A pixel electrode formed on the passivation layer and having a plurality of cutouts; 을 포함하고Including 상기 유지 전극은 상기 절개부와 중첩하는 The sustain electrode overlaps the cutout. 액정 표시 장치.Liquid crystal display. 제1항에서,In claim 1, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 화소 전극과 분리되어 있는 차폐 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.And a shielding electrode formed on the passivation layer and separated from the pixel electrode. 제2항에서,In claim 2, 상기 차폐 전극은 상기 데이터선과 중첩하며 상기 데이터선의 폭보다 넓은 액정 표시 장치.The shielding electrode overlaps the data line and is wider than the width of the data line. 제1항에서,In claim 1, 상기 절개부는 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 빗각을 이루는 액정 표시 장치.And the cutout forms an oblique angle with the gate line and the data line. 제4항에서,In claim 4, 상기 절개부와 상기 게이트선이 이루는 각도는 45°인 액정 표시 장치.And an angle formed between the cutout portion and the gate line is 45 °. 제1항에서,In claim 1, 상기 유지 전극은 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 빗각을 이루는 복수의 사선부를 포함하는 액정 표시 장치.The sustain electrode includes a plurality of oblique portions formed at an oblique angle with the gate line and the data line. 제6항에서,In claim 6, 상기 사선부는 상기 게이트선과 45°를 이루는 액정 표시 장치.The diagonal portion forms a 45 ° angle with the gate line. 제6항에서,In claim 6, 상기 유지 전극은 상기 사선부 일부를 연결하며 상기 화소 전극의 변과 중첩 하는 세로부를 더 포함하는 액정 표시 장치.The storage electrode further includes a vertical portion connecting a portion of the diagonal portion and overlapping a side of the pixel electrode. 제8항에서,In claim 8, 상기 유지 전극은 상기 사선부 일부 및 상기 세로부와 연결되어 있는 확장부를 더 포함하는 액정 표시 장치.The sustain electrode further includes an extension part connected to a portion of the oblique part and the vertical part. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 기판과 마주하는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재,A light blocking member formed on the second substrate, 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 색필터,A color filter formed on the light blocking member; 상기 색필터 위에 형성되어 있으며 절개부를 가지는 공통 전극A common electrode formed on the color filter and having a cutout 을 더 포함하고,More, 상기 공통 전극의 절개부는 상기 화소 전극의 절개부와 교대로 배치되어 있는 액정 표시 장치.The cutout portion of the common electrode is alternately arranged with the cutout portion of the pixel electrode.
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