KR20070031580A - Liquid crystal display - Google Patents

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KR20070031580A
KR20070031580A KR1020050086168A KR20050086168A KR20070031580A KR 20070031580 A KR20070031580 A KR 20070031580A KR 1020050086168 A KR1020050086168 A KR 1020050086168A KR 20050086168 A KR20050086168 A KR 20050086168A KR 20070031580 A KR20070031580 A KR 20070031580A
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subpixel electrode
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엄윤성
유재진
김현욱
도희욱
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 투명 기판, 상기 투명 기판에 형성된 투명 도전체, 상기 투명 도전체 상에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 형성되어 있으며, 제1 부화소 전극, 제2 부화소 전극 및 제3 부화소 전극을 포함하는 화소 전극, 그리고 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 스위칭 소자를 포함하며, 상기 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극은 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제3 부화소 전극은 상기 제1 및 제2 부화소 전극과 분리되어 있다.The present invention relates to a liquid crystal display device. The liquid crystal display according to the present invention is defined as a transparent substrate, a transparent conductor formed on the transparent substrate, a gate line formed on the transparent conductor, a data line crossing the gate line, the gate line and the data line. A pixel electrode formed in the pixel area, the pixel electrode including a first subpixel electrode, a second subpixel electrode, and a third subpixel electrode, and a switching element electrically connected to the gate line, the data line, and the pixel electrode. The first subpixel electrode and the second subpixel electrode are electrically connected to each other, and the third subpixel electrode is separated from the first and second subpixel electrodes.

부화소 전극, 용량성 결합, 시인성, 투과율, 응답 속도 Subpixel electrode, capacitive coupling, visibility, transmittance, response speed

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}Liquid crystal display {LIQUID CRYSTAL DISPLAY}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3은 각각 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선 및 Ⅲ-Ⅲ 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 한 예.2 and 3 are each an example of a cross-sectional view of the liquid crystal display shown in FIG. 1 taken along lines II-II and III-III.

도 4는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예.4 is another example of a cross-sectional view of the liquid crystal display shown in FIG. 1 taken along the line II-II.

도 5a는 도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 한 화소에 대한 등가 회로도.FIG. 5A is an equivalent circuit diagram of one pixel of the liquid crystal display shown in FIGS.

도 5b는 도 1 내지 도 4에 도시한 액정 표시 장치에서 등전위선과 액정 분자의 배열을 나타낸 도면.FIG. 5B is a diagram illustrating an arrangement of equipotential lines and liquid crystal molecules in the liquid crystal display of FIGS. 1 to 4.

도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시한 액정 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 단면도.6A-6E are cross-sectional views at intermediate stages of the method of manufacturing the liquid crystal display shown in FIG. 4 according to one embodiment of the invention.

도 7은 도 1의 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예.FIG. 7 is another example of a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line II-II; FIG.

도 8은 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도.8 to 10 are layout views of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 11a 및 도 11b는 도 9 및 도 10에 도시한 액정 표시 장치에서 각 부화소 전극의 기본이 되는 전극부의 도면.11A and 11B are views of an electrode portion that is the basis of each subpixel electrode in the liquid crystal display device shown in FIGS. 9 and 10.

<도면 부호의 설명><Description of Drawing>

11, 21: 배향막 12, 22: 편광판11, 21: alignment film 12, 22: polarizing plate

71, 71a, 71b: 절개부 81, 82: 접촉 보조 부재71, 71a, 71b: incision 81, 82: contact aid member

100: 트랜지스터 표시판 110, 210: 기판100: transistor display panel 110, 210: substrate

121: 게이트선 124: 게이트 전극121: gate line 124: gate electrode

131: 유지 전극선 137: 유지 전극131: sustain electrode line 137: sustain electrode

140: 게이트 절연막 154: 반도체140: gate insulating film 154: semiconductor

163, 165: 저항성 접촉 부재 171: 데이터선163 and 165: ohmic contact 171: data line

173: 소스 전극 175: 드레인 전극173: source electrode 175: drain electrode

180: 보호막 181, 182, 185: 접촉 구멍180: protective film 181, 182, 185: contact hole

191: 화소 전극 193: 제1 상부 부화소 전극191: pixel electrode 193: first upper subpixel electrode

194: 하부 부화소 전극 195: 제2 상부 부화소 전극194: lower subpixel electrode 195: second upper subpixel electrode

193a-f, 194a-f, 195a-f: 전극편 196, 197: 전극부193a-f, 194a-f, 195a-f: electrode pieces 196, 197: electrode portion

200: 공통 전극 표시판 220: 차광 부재200: common electrode display panel 220: light blocking member

230: 색필터 250: 덮개막230: color filter 250: overcoat

270: 공통 전극270 common electrode

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 색필터 등이 형성되어 있는 상부 표시판과 박막 트랜지스터와 화소 전극이 형성되어 있는 하부 표시판 및 두 표시판 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다. 화소 전극과 공통 전극에 전위차를 주면 액정층에 전기장이 생성되고 이 전기장에 의하여 방향이 결정된다. 액정 분자들의 배열 방향에 따라 입사광의 투과율이 결정되므로 두 전극 사이의 전위차를 조절함으로써 원하는 영상을 표시할 수 있다.The liquid crystal display generally includes an upper display panel on which a common electrode, a color filter, and the like are formed, a lower display panel on which a thin film transistor and a pixel electrode are formed, and a liquid crystal layer interposed between the two display panels. When a potential difference is applied to the pixel electrode and the common electrode, an electric field is generated in the liquid crystal layer, and the direction is determined by the electric field. Since the transmittance of incident light is determined according to the alignment direction of the liquid crystal molecules, a desired image may be displayed by adjusting a potential difference between two electrodes.

액정 표시 장치는 또한 각 화소 전극과 연결되어 있는 스위칭 소자와 스위칭 소자를 제어하여 화소 전극에 전압을 인가하기 위한 게이트선과 데이터선 등 다수의 신호선을 포함한다.The liquid crystal display also includes a switching element connected to each pixel electrode and a plurality of signal lines such as a gate line and a data line for controlling the switching element and applying a voltage to the pixel electrode.

이러한 액정 표시 장치 중에서도, 전기장이 인가되지 않은 상태에서 액정 분자의 장축을 상하 표시판에 대하여 수직을 이루도록 배열한 수직 배향 방식(vertically aligned mode)의 액정 표시 장치는 대비비가 크고 기준 시야각이 넓어서 각광받고 있다. 여기에서 기준 시야각이란 대비비가 1:10인 시야각 또는 계조간 휘도 반전 한계 각도를 의미한다.Among such liquid crystal display devices, a liquid crystal display device having a vertically aligned mode in which the long axis of the liquid crystal molecules are arranged perpendicular to the upper and lower display panels without an electric field applied to the liquid crystal display device is gaining attention due to its large contrast ratio and wide reference viewing angle. . Here, the reference viewing angle refers to a viewing angle having a contrast ratio of 1:10 or a luminance inversion limit angle between gray levels.

수직 배향 방식 액정 표시 장치에서 넓은 기준 시야각을 구현하기 위한 수단으로는 전기장 생성 전극에 절개부를 형성하는 방법과 전기장 생성 전극 위에 돌기를 형성하는 방법 등이 있다. 절개부 또는 돌기는 액정 분자가 기울어지는 방향(tilt direction)을 결정해 주므로 이들을 다양하게 배치하여 액정 분자의 경사 방향을 여러 방향으로 분산시킴으로써 기준 시야각을 넓힐 수 있다.Means for implementing a wide reference viewing angle in a vertical alignment liquid crystal display include a method of forming a cutout in the field generating electrode and a method of forming a protrusion on the field generating electrode. Since the incision or protrusion determines the tilt direction of the liquid crystal molecules, the reference viewing angle may be widened by disposing the variously arranged and dispersing the inclined directions of the liquid crystal molecules in various directions.

돌기나 절개부가 있는 부분은 빛이 투과하기 어려우므로 이들이 많을수록 투과율이 떨어진다. 그러나 투과율을 높이기 위하여 돌기나 절개부 사이의 간격을 넓히면 돌기나 절개부로 인한 효과가 상대적으로 줄고 데이터선에 의한 전기장의 교란이 커져 응답 시간이 길어질 수 있다.The part with protrusions or cutouts is difficult to transmit light, so the more they are, the lower the transmittance. However, increasing the distance between protrusions and incisions in order to increase transmittance may reduce the effects due to protrusions or incisions and increase the disturbance of the electric field by data lines, thereby increasing the response time.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 투과율을 확보하면서 액정의 응답 속도를 향상하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to improve the response speed of the liquid crystal while ensuring the transmittance.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 투명 기판, 상기 투명 기판에 형성된 투명 도전체, 상기 투명 도전체 상에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 형성되어 있으며, 제1 부화소 전극, 제2 부화소 전극 및 제3 부화소 전극을 포함하는 화소 전극, 그리고 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 스위칭 소자를 포함하며, 상기 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극은 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제3 부화소 전극은 상기 제1 및 제2 부화소 전극과 분리되어 있다.A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a transparent substrate, a transparent conductor formed on the transparent substrate, a gate line formed on the transparent conductor, a data line crossing the gate line, the gate line and the data line. A pixel electrode formed in the pixel area defined by the pixel electrode, the pixel electrode including a first subpixel electrode, a second subpixel electrode, and a third subpixel electrode, and electrically connected to the gate line, the data line, and the pixel electrode. An element, wherein the first subpixel electrode and the second subpixel electrode are electrically connected, and the third subpixel electrode is separated from the first and second subpixel electrodes.

상기 제2 부화소 전극은 상기 투명 전극과 같은 물질을 포함할 수 있다.The second subpixel electrode may include the same material as the transparent electrode.

상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 및 제3 부화소 전극과 다른 층에 위치할 수 있다.The second subpixel electrode may be positioned on a different layer from the first and third subpixel electrodes.

상기 제2 부화소 전극은 상기 투명 도전체와 같은 층에 위치할 수 있다.The second subpixel electrode may be positioned on the same layer as the transparent conductor.

본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치는 전기적으로 서로 연결되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극, 상기 제1 및 제2 부화소 전극과 분리되어 있는 제3 부화소 전극, 그리고 상기 제2 부화소 전극을 덮고 상기 제1 부화소 전극은 덮지 않는 제1 절연막을 포함하는 제1 표시판, 상기 제1 표시판과 마주하며 공통 전극을 포함하는 제2 표시판, 그리고 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display may include first and second subpixel electrodes electrically connected to each other, a third subpixel electrode separated from the first and second subpixel electrodes, and the second subpixel electrode. A first display panel including a first insulating layer covering a subpixel electrode and not covering the first subpixel electrode, a second display panel facing the first display panel and including a common electrode, and the first display panel and the second display panel It includes the liquid crystal layer interposed therebetween.

상기 제1 절연막은 상기 제1 및 제3 부화소 전극의 아래에 위치할 수 있다.The first insulating layer may be positioned under the first and third subpixel electrodes.

상기 제2 부화소 전극과 상기 제3부화소 전극은 중첩할 수 있다.The second subpixel electrode and the third subpixel electrode may overlap.

상기 제1 부화소 전극 또는 제2부화소 전극과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 게이트선, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 데이터선, 그리고 상기 게이트선과 상기 데이터선의 사이에 형성되어 있는 제2 절연막을 더 포함하며, 상기 제1 절연막은 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트선 및 상기 데이터선 위에 위치할 수 있다.A thin film transistor connected to the first subpixel electrode or the second subpixel electrode, a gate line connected to the thin film transistor, a data line connected to the thin film transistor, and formed between the gate line and the data line. The semiconductor device may further include a second insulating layer, and the first insulating layer may be positioned on the thin film transistor, the gate line, and the data line.

상기 제2부화소 전극은 상기 제2 절연막 위에 위치할 수 있다.The second subpixel electrode may be positioned on the second insulating layer.

상기 제2 부화소 전극은 상기 제2 절연막 아래에 위치할 수 있다.The second subpixel electrode may be positioned under the second insulating layer.

상기 제1 또는 제2 절연막의 두께는 200nm 내지 1000nm일 수 있다.The thickness of the first or second insulating film may be 200 nm to 1000 nm.

상기 제1 또는 제2 절연막의 유전율은 2 내지 8배일 수 있다.The dielectric constant of the first or second insulating film may be 2 to 8 times.

상기 제2 부화소 전극 또는 제3 부화소 전극의 면적은 상기 제1 부화소 전극의 면적의 0.2 내지 2 배일 수 있다.An area of the second subpixel electrode or the third subpixel electrode may be 0.2 to 2 times the area of the first subpixel electrode.

상기 제2 부화소 전극은 상기 게이트선 또는 상기 데이터선과 같은 재질로 이루어질 수 있다.The second subpixel electrode may be made of the same material as the gate line or the data line.

상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 및 제3 부화소 전극과 같은 재질로 이루어질 수 있다.The second subpixel electrode may be made of the same material as the first and third subpixel electrodes.

상기 제1 및 제2 표시판 중 적어도 하나에 구비되어 있는 편광자를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a polarizer provided in at least one of the first and second display panels.

상기 제1 및 제3 부화소 전극 각각은 상기 편광자의 편광축에 대하여 빗각을 이루는 적어도 하나의 경계를 포함할 수 있다.Each of the first and third subpixel electrodes may include at least one boundary that forms an oblique angle with respect to the polarization axis of the polarizer.

상기 빗각은 45°일 수 있다.The oblique angle may be 45 °.

상기 제1 내지 제3 부화소 전극의 바깥 경계는 직사각형일 수 있다.An outer boundary of the first to third subpixel electrodes may be rectangular.

상기 제1 내지 제3 부화소 전극의 바깥 경계는 중 한 쌍은 서로 나란하게 꺾여 있을 수 있다.One pair of the outer boundaries of the first to third subpixel electrodes may be bent parallel to each other.

본 발명의 다른 측면에 따른 액정 표시 장치는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제1 액정 축전기, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제1 결합 축전기, 상기 제1 결합 축전기와 연결되어 있는 제2 액정 축전기, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제2 결합 축전기, 그리고 상기 제2 결합 축전기와 연결되어 있는 제3 액정 축전기를 포함한다.According to another aspect of the present invention, a liquid crystal display device includes a gate line, a data line crossing the gate line, a switching element connected to the gate line and the data line, a first liquid crystal capacitor connected to the switching element, and the switching element. A first coupling capacitor connected to the first coupling capacitor, a second liquid crystal capacitor connected to the first coupling capacitor, a second coupling capacitor connected to the switching element, and a third liquid crystal capacitor connected to the second coupling capacitor. Include.

상기 제1 액정 축전기의 두 단자 사이의 거리는 제2 액정 축전기의 두 단자 사이의 거리와 다를 수 있다.The distance between two terminals of the first liquid crystal capacitor may be different from the distance between two terminals of the second liquid crystal capacitor.

상기 제2 또는 제3 액정 축전기의 전압은 상기 제1 액정 축전기의 전압의 0.55 내지 0.85배일 수 있다.The voltage of the second or third liquid crystal capacitor may be 0.55 to 0.85 times the voltage of the first liquid crystal capacitor.

그러면 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

먼저 도 1 내지 도 3을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 관하여 설명한다.First, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 한 예이고, 도 3은 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 III-III 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 한 예이며, 도 4는 도 1에 도시한 액정 표시 장치를 II-II 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is an example of a cross-sectional view of the liquid crystal display shown in FIG. 1 taken along the line II-II, and FIG. 4 is an example of the cross section which cut out the liquid crystal display device shown along line III-III, and FIG. 4 is another example of the cross section which cut out the liquid crystal display device shown in FIG. 1 along line II-II.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 이들 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.1 to 4, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 200, and a liquid crystal layer interposed between the two display panels 100 and 200. Include 3).

먼저 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 상세하게 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described in detail.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121), 복수의 유지 전극선(storage electrode line)(131) 및 하부 부화소 전극(sub-pixel electrode)(194)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121, a plurality of storage electrode lines 131, and a lower sub-pixel electrode 194 on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic. ) Is formed.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위 아래로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 게이트 구동부와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding up and down, and end portions 129 having a large area for connection with other layers or gate drivers. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗는다. 각 유지 전극선(131)은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 두 게이트선(121)과 거의 동일한 거리를 두고 있다. 유지 전극선(131)은 아래 위로 확장된 유지 전극(storage electrode)(137)을 포함한다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and almost extends in parallel with the gate line 121. Each storage electrode line 131 is positioned between two adjacent gate lines 121 and is substantially equal to the two gate lines 121. The storage electrode line 131 includes a storage electrode 137 extending up and down. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

하부 부화소 전극(194)은 띠 모양인 4개의 하부 전극편(194a, 194b, 194c, 194d)으로 이루어지며, 각각의 하부 전극편(194a-d)은 게이트선(121)에 대하여 빗 각으로, 예를 들면 약 45°의 방향으로 뻗어 있다.The lower subpixel electrode 194 is composed of four stripe-shaped lower electrode pieces 194a, 194b, 194c, and 194d, and each of the lower electrode pieces 194a-d has a comb angle with respect to the gate line 121. , For example, in a direction of about 45 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위 중에서 적어도 하나로 만들어질 수 있다. 도 2 및 도 3에 도시한 예에서 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 앞에 나열한 물질 중 하나로 만들어진 단일막 구조를 가진다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 may be formed of aluminum-based metal such as aluminum (Al) or aluminum alloy, silver-based metal such as silver (Ag) or silver alloy, copper-based metal such as copper (Cu) or copper alloy, or molybdenum ( It may be made of at least one of molybdenum-based metal such as Mo) and molybdenum alloy, chromium (Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). In the example shown in FIGS. 2 and 3, the gate line 121 and the storage electrode line 131 have a single film structure made of one of the materials listed above.

그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다.However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may have a multi-layer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. In contrast, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, tantalum, and titanium.

도 4에 도시한 예에서 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 네 개의 도전막을 포함한다. 가장 아래의 제1 도전막은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 물질로 만들어지고, 그 위의 제2 도전막은 제1 도전막과의 접촉 특성이 우수한 몰리브덴 계열 금속 등으로 만들어진다. 제2 도전막 위의 제3 도전막은 저저항 물질로 만들어지며, 그 위의 제4 도전막은 제2 도전막과 동일한 물질로 만들어질 수 있다.In the example shown in FIG. 4, the gate line 121 and the storage electrode line 131 include four conductive films. The lowermost first conductive film is made of a transparent material such as ITO or IZO, and the second conductive film thereon is made of molybdenum-based metal or the like having excellent contact characteristics with the first conductive film. The third conductive film on the second conductive film may be made of a low resistance material, and the fourth conductive film on the second conductive film may be made of the same material as the second conductive film.

도 4에서 하부 부화소 전극(194)은 게이트선(121)의 제1 도전막(124p)와 동 일한 물질, 즉 ITO 또는 IZO 등의 투명 물질로 만들어지며, 제1 도전막(124p)과 동일한 층에 동시에 형성된다. 도 4에서, 게이트 전극(124) 및 유지 전극(137)에 대하여 제1 도전막은 영문자 p를, 제2 도전막은 영문자 q를, 제3 도전막은 영문자 r을, 제4 도전막은 영문자 s를 도면 부호에 덧붙여 표기하였다.In FIG. 4, the lower subpixel electrode 194 is made of the same material as the first conductive layer 124p of the gate line 121, that is, a transparent material such as ITO or IZO, and is the same as the first conductive layer 124p. Formed simultaneously in the layer. In FIG. 4, the gate electrode 124 and the sustain electrode 137 are denoted by the letter p for the first conductive film, the letter q for the second conductive film, the letter r for the third conductive film, and the letter s for the fourth conductive film. In addition to the above.

그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

하부 부화소 전극(194a-d)은 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 같은 재질로 만들어질 수도 있고, ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 만들어질 수도 있다. 도 4에 도시한 예의 경우 하부 부화소 전극(194b)은 ITO 또는 IZO 등의 투명 물질로 이루어질 수 있다.The lower subpixel electrodes 194a-d may be made of the same material as the gate line 121 and the storage electrode line 131, or may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. In the example illustrated in FIG. 4, the lower subpixel electrode 194b may be made of a transparent material such as ITO or IZO.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121), 유지 전극선(131) 및 하부 부화소 전극(194a-d) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121, the storage electrode line 131, and the lower subpixel electrodes 194a-d.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다.A plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si) or polysilicon are formed on the gate insulating layer 140. The linear semiconductor 151 mainly extends in the longitudinal direction and includes a plurality of projections 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 is wide in the vicinity of the storage electrode line 131 and covers them widely.

반도체(151) 위에는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(도시하지 않음) 및 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear ohmic contacts (not shown) and island type ohmic contacts 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contact 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped, or may be made of silicide. The linear ohmic contact (not shown) has a plurality of protrusions 163, which are arranged in pairs on the protrusions 154 of the semiconductor 151. .

반도체(154)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.Side surfaces of the semiconductor 154 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다.A data conductor including a plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 is formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 J자형으로 굽은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 전압을 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data voltage and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 121 and the storage electrode line 131. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and bent in a J-shape and a wide end portion 179 for connection with another layer or an external driving circuit. do. A data driving circuit (not shown) for generating a data voltage is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다. 각 드레인 전극(175)은 넓은 한 쪽 끝 부분(177)과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 포함한다. 넓은 끝 부분(177)은 유지 전극(137)과 중첩하며, 막대형 끝 부분은 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 around the gate electrode 124. Each drain electrode 175 includes one wide end 177 and the other end having a rod shape. The wide end portion 177 overlaps the storage electrode 137, and the rod-shaped end portion is partially surrounded by the source electrode 173.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer and aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data line 171 and the drain electrode 175 may be made of various metals or conductors.

데이터 도전체(171, 175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.In addition, the data conductors 171 and 175 may be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터 도 전체(171, 175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)가 데이터선(171)보다 좁지만, 앞서 설명하였듯이 유지 전극선(131)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터 도전체(171, 175)로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The ohmic contacts 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 below and the entire data 171 and 175 thereon, thereby lowering the contact resistance therebetween. Although the linear semiconductor 151 is narrower than the data line 171 in most places, as described above, the width of the linear semiconductor 151 is widened at the portion where it meets the storage electrode line 131, thereby smoothing the profile of the surface, thereby disconnecting the data line 171. prevent. The semiconductor 154 may be exposed between the source electrode 173 and the drain electrode 175 without being blocked by the data conductors 171 and 175.

데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154[151]) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171 and 175 and the exposed portion of the semiconductor 154. The passivation layer 180 may be made of an inorganic insulator or an organic insulator, and may have a flat surface. Examples of the inorganic insulator include silicon nitride and silicon oxide. The organic insulator can have photosensitivity. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portion of the semiconductor 154 [151] while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)과 게이트 절연막(140)의 유전 상수는 2 내지 8일 수 있으며, 그 두께는 200nm 내지 1,000nm일 수 있다.The dielectric constant of the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140 may be 2 to 8, and the thickness thereof may be 200 nm to 1,000 nm.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182) 및 드레인 전극(175)의 확장부(177)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(185)이 형성되어 있다. 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181) 및 하부 부화소 전극(194a-d)를 드러내는 복수의 접촉 구멍(189)이 형성되어 있다.The passivation layer 180 has a plurality of contact holes 185 exposing the end portion 179 of the data line 171 and an extension 177 of the drain electrode 175. Is formed. The passivation layer 180 and the gate insulating layer 140 have a plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 and a plurality of contact holes 189 exposing the lower subpixel electrodes 194a-d. Is formed.

보호막(180) 위에는 복수의 제1 상부 부화소 전극(193) 및 복수의 제2 상부 부화소 전극(195)과 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of first upper subpixel electrodes 193, a plurality of second upper subpixel electrodes 195, and a plurality of contact assistants 81 and 82 are formed on the passivation layer 180. They may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a reflective metal such as aluminum, silver, chromium or an alloy thereof.

제2 상부 부화소 전극(195)은 띠 모양인 4개의 상부 전극편(195a, 195b, 195c, 195d)으로 이루어지며, 제1 상부 부화소 전극(193) 및 제2 상부 부화소 전극(195)은 하부 부화소 전극(194)과 함께 화소 전극(191)을 이룬다.The second upper subpixel electrode 195 is formed of four upper electrode pieces 195a, 195b, 195c, and 195d having a band shape, and includes a first upper subpixel electrode 193 and a second upper subpixel electrode 195. The pixel electrode 191 is formed together with the lower subpixel electrode 194.

제1 상부 부화소 전극(193)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있고, 접촉 구멍(189)을 통하여 하부 부화소 전극(194)과 연결되어 있다. 또한 하부 부화소 전극(194)과 제2 상부 부화소 전극(195)은 서로 중첩하여 "결합 축전기(coupling capacitor)"를 이룬다.The first upper subpixel electrode 193 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185, and is connected to the lower subpixel electrode 194 through the contact hole 189. In addition, the lower subpixel electrode 194 and the second upper subpixel electrode 195 overlap each other to form a “coupling capacitor”.

제1 상부 부화소 전극(193)은 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 받고 이를 하부 부화소 전극(194)에 전달하며, 제2 상부 부화소 전극(195)은 하부 부화소 전극(194)과의 용량성 결합으로 인하여 유도되는 전압을 가진다.The first upper subpixel electrode 193 receives a data voltage from the drain electrode 175 and transfers the data voltage to the lower subpixel electrode 194, and the second upper subpixel electrode 195 is connected to the lower subpixel electrode 194. It has a voltage induced due to the capacitive coupling of.

이러한 부화소 전극(193, 194, 195)으로 이루어진 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자(31)의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 "액정 축전기(liquid crystal capacitor)"라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 including the subpixel electrodes 193, 194, and 195 generates an electric field together with the common electrode 270 of the common electrode display panel 200 to which a common voltage is applied. The direction of the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 between the two electrodes 191 and 270 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules 31 determined as described above. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

화소 전극(191) 및 이와 연결된 드레인 전극(175) 끝 부분(177)은 유지 전극(137)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩한다. 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 "유지 축전기(storage capacitor)"라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The pixel electrode 191 and the end portion 177 of the drain electrode 175 connected thereto overlap the storage electrode line 131 including the storage electrode 137. A capacitor in which the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected thereto overlap the storage electrode line 131 is called a "storage capacitor", and the storage capacitor enhances the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor. .

각 화소 전극(191)은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 거의 평행한 네 개의 주 변을 가지며 네 모퉁이가 모따기되어 있는(chamfered) 대략 사각형 모양이다. 화소 전극(191)의 오른 쪽 주변의 중앙부 또한 깔때기 형태로 잘려 빗변을 이루며, 화소 전극(191)의 모딴 모퉁이와 빗변은 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이룬다. 화소 전극(191)은 유지 전극선(131)을 기준으로 거의 반전 대칭을 이룬다.Each pixel electrode 191 has four peripheral sides substantially parallel to the gate line 121 or the data line 171 and has a substantially rectangular shape in which four corners are chamfered. The central portion around the right side of the pixel electrode 191 is also cut into a funnel to form a hypotenuse, and the corners and the hypotenuse of the pixel electrode 191 form an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121. The pixel electrode 191 is almost inverted symmetric with respect to the storage electrode line 131.

제1 부화소 전극(193) 및 상부 전극편(195a-d)은 화소 전극(191)의 주 변과 빗각을 이루는 적어도 하나의 주 변(primary edge)을 가지며, 이 주 변은 편광자(12, 22)의 편광축과 약 45°의 각도를 이루는데, 이는 광효율을 최대로 하기 위해서이다.The first subpixel electrode 193 and the upper electrode pieces 195a-d have at least one primary edge that forms an oblique angle with a peripheral side of the pixel electrode 191, and the peripheral side has a polarizer 12. An angle of about 45 ° is made with the polarization axis of 22) in order to maximize the light efficiency.

상부 전극편(195a-d)은 제1 상부 부화소 전극(193)의 양쪽에 배치되어 있으며, 제1 상부 부화소 전극(193)과 상부 전극편(195a-d)의 마주하는 대변은 이러한 주 변으로서 실질적으로 서로 평행하다. 제1 상부 부화소 전극(193)과 상부 전극편(195a-d) 사이의 공간은 하부 전극편(194a-d)이 차지하여 빈틈이 없다.The upper electrode pieces 195a-d are disposed on both sides of the first upper subpixel electrode 193, and the opposite sides of the first upper subpixel electrode 193 and the upper electrode pieces 195a-d are formed in the main portion. As sides, they are substantially parallel to each other. The space between the first upper subpixel electrode 193 and the upper electrode pieces 195a-d is occupied by the lower electrode pieces 194a-d so that there is no gap.

하부 부화소 전극(194) 및 제2 상부 부화소 전극(195)의 면적은 제1 상부 부화소 전극(193)의 면적의 0.2 내지 2 배인 것이 바람직하다.The area of the lower subpixel electrode 194 and the second upper subpixel electrode 195 is preferably 0.2 to 2 times the area of the first upper subpixel electrode 193.

화소 전극(191)에는 제1 부화소 전극(193) 및 상부 전극편(195a-d)의 주 변과 거의 평행하게 뻗은 절개부가 형성될 수 있다. 이러한 절개부는 부화소 전극(193, 194, 195)을 복수의 영역으로 나눈다.The pixel electrode 191 may be formed with a cutout extending substantially parallel to the periphery of the first subpixel electrode 193 and the upper electrode pieces 195a-d. This cutout divides the subpixel electrodes 193, 194, 195 into a plurality of regions.

앞서 설명하였듯이, 화소 전극(191)은 복수의 부화소 전극(193, 194, 195) 및 전극편(194a-d, 195a-d)으로 나뉘어 있는데, 이러한 부화소 전극의 수효는 화소 전극(191)의 크기, 화소 전극(191)의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라질 수 있다.As described above, the pixel electrode 191 is divided into a plurality of subpixel electrodes 193, 194, and 195 and electrode pieces 194a-d and 195a-d, and the number of the subpixel electrodes is equivalent to the pixel electrode 191. May vary according to design factors such as the size, the ratio of the length of the horizontal side to the vertical side of the pixel electrode 191, the type and characteristics of the liquid crystal layer 3, and the like.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

다음, 상부 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the upper panel 200 will be described.

투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛샘을 막아준다.A light blocking member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass, plastic, or the like. The light blocking member 220 is also called a black matrix and prevents light leakage.

기판(210) 및 차광 부재(220) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 차광 부재(220)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 길게 뻗을 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A plurality of color filters 230 is also formed on the substrate 210 and the light blocking member 220. The color filter 230 is mostly present in an area surrounded by the light blocking member 220, and may extend long along the column of pixel electrodes 191. Each color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 유기 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지하고 평탄면을 제공한다. 덮개막(250)은 생략할 수 있다.An overcoat 250 is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220. The overcoat 250 may be made of an organic insulator, and may prevent the color filter 230 from being exposed and provide a flat surface. The overcoat 250 may be omitted.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어지며 복수의 절개부(71a, 71b) 집합을 가진다.The common electrode 270 is formed on the overcoat 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO, and has a plurality of cutouts 71a and 71b.

하나의 절개부(71a, 71b) 집합은 하나의 화소 전극(191)과 마주하며 하부 절개부(71a) 및 상부 절개부(71b)를 포함한다.One set of cutouts 71a and 71b faces one pixel electrode 191 and includes a lower cutout 71a and an upper cutout 71b.

하부 및 상부 절개부(71a, 71b)는 제1 부화소 전극(193) 및 상부 전극편(195a-d)의 주 변과 거의 평행하게 대략 화소 전극(191)의 오른 쪽 변에서 왼쪽 변으로 뻗는다. 절개부(71a, 71b)는 제1 상부 부화소 전극(193)을 이등분한다.The lower and upper cutouts 71a and 71b extend from the right side to the left side of the pixel electrode 191 approximately in parallel with the peripheral sides of the first subpixel electrode 193 and the upper electrode pieces 195a-d. . The cutouts 71a and 71b bisect the first upper subpixel electrode 193.

절개부(71a, 71b)의 수효 또한 설계 요소에 따라 달라질 수 있으며, 차광 부재(220)가 절개부(71a, 71b)와 중첩하여 절개부(71a, 71b) 부근의 빛샘을 차단할 수 있다.The number of the cutouts 71a and 71b may also vary according to design factors, and the light blocking member 220 may overlap the cutouts 71a and 71b to block light leakage near the cutouts 71a and 71b.

표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(21, 22)가 구비되어 있는데, 두 편광자의 편광축은 직교하며 사선 절개부(92a, 92b)와 제1 부화소 전극(193) 및 상부 전극편(195a-d)의 주 변과 대략 45°의 각도를 이루는 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개 의 편광자 중 하나가 생략될 수 있다.Alignment layers 11 and 21 are coated on inner surfaces of the display panels 100 and 200, and they may be vertical alignment layers. Polarizers 21 and 22 are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200, and the polarization axes of the two polarizers are orthogonal, and the oblique cuts 92a and 92b and the first subpixel electrode 193 and It is preferable to form an angle of approximately 45 ° with the periphery of the upper electrode pieces 195a-d. In the case of a reflective liquid crystal display, one of two polarizers may be omitted.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정층(3)의 지연을 보상하기 위한 위상 지연막(retardation film)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.The liquid crystal display according to the present exemplary embodiment may further include a phase retardation film (not shown) for compensating for the delay of the liquid crystal layer 3. The liquid crystal display may also include a polarizer 12 and 22, a phase retardation film, display panels 100 and 200, and a backlight unit (not shown) for supplying light to the liquid crystal layer 3.

액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자(31)는 전기장이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 거의 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.The liquid crystal layer 3 has negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 are oriented such that their major axes are substantially perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. have. Therefore, incident light does not pass through the quadrature polarizers 12 and 22 and is blocked.

한편, 앞서 설명하였듯이, 제1 상부 부화소 전극(193)은 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 받고 이를 하부 부화소 전극(194)에 전달한다.As described above, the first upper subpixel electrode 193 receives a data voltage from the drain electrode 175 and transfers the data voltage to the lower subpixel electrode 194.

데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압을 인가 받는 공통 전극(270)과 함께 액정 축전기를 이루며 액정층(3)에 전기장을 생성한다. 이때 제1 상부 부화소 전극(193)의 전압과 하부 부화소 전극(194)의 전압은 동일하지만, 하부 부화소 전극(194) 위에 위치한 액정 분자들이 느끼는 전기장의 세기는 제1 상부 부화소 전극(193) 위에 위치한 액정 분자들이 느끼는 전기장의 세기와 다르다. 이는 하부 부화소 전극(194)과 공통 전극(270) 사이의 거리가 상부 부화소 전극(193)과 공통 전극(270) 사이의 거리가 다르고, 하부 부화소 전극(194) 위에 위치한 게이트 절연막(140)과 보호막(180)의 유전율이 액정층(3)의 유전율과 다르기 때문이다.The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied forms a liquid crystal capacitor together with the common electrode 270 to which the common voltage is applied, and generates an electric field in the liquid crystal layer 3. In this case, although the voltage of the first upper subpixel electrode 193 and the voltage of the lower subpixel electrode 194 are the same, the intensity of the electric field felt by the liquid crystal molecules positioned on the lower subpixel electrode 194 is equal to the first upper subpixel electrode ( 193) is different from the intensity of the electric field felt by liquid crystal molecules located above. The distance between the lower subpixel electrode 194 and the common electrode 270 is different from that between the upper subpixel electrode 193 and the common electrode 270, and the gate insulating layer 140 disposed on the lower subpixel electrode 194. And the dielectric constant of the protective film 180 are different from those of the liquid crystal layer 3.

그러므로 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 이루는 액정 축전기는 제1 상 부 부화소 전극(193)과 공통 전극(270) 사이의 액정층(3) 부분을 유전체로 하는 제1 액정 축전기, 하부 부화소 전극(194) 위의 게이트 절연막(140)과 보호막(180) 부분을 유전체로 하는 제1 결합 축전기, 하부 부화소 전극(194) 위의 액정층(3) 부분을 유전체로 하는 제2 액정 축전기, 하부 부화소 전극(194)과 제2 상부 부화소 전극(195) 사이의 게이트 절연막(140)과 보호막(180) 부분을 유전체로 하는 제2 결합 축전기, 그리고 제1 상부 부화소 전극(193)과 공통 전극(270) 사이의 액정층(3) 부분을 유전체로 하는 제3 액정 축전기로 세분할 수 있다.Therefore, the liquid crystal capacitor formed by the pixel electrode 191 and the common electrode 270 may include a first liquid crystal capacitor having a portion of the liquid crystal layer 3 between the first upper subpixel electrode 193 and the common electrode 270 as a dielectric material; A first coupling capacitor having a portion of the gate insulating layer 140 and the passivation layer 180 on the lower subpixel electrode 194 as a dielectric, and a second portion of the liquid crystal layer 3 on the lower subpixel electrode 194 as a dielectric. A liquid crystal capacitor, a second coupling capacitor having a portion of the gate insulating layer 140 and the passivation layer 180 between the lower subpixel electrode 194 and the second upper subpixel electrode 195 as a dielectric, and the first upper subpixel electrode ( A portion of the liquid crystal layer 3 between the 193 and the common electrode 270 may be subdivided into a third liquid crystal capacitor having a dielectric.

이러한 액정 표시 장치는 도 5a의 등가 회로도로 표현할 수 있다.Such a liquid crystal display may be represented by an equivalent circuit diagram of FIG. 5A.

도 5a를 참고하면, 액정 표시 장치의 한 화소는 박막 트랜지스터(Q), 제1 액정 축전기(Clc1), 제2 액정 축전기(Clc2), 제3 액정 축전기(Clc3), 제1 결합 축전기(Ccp1) 및 제2 결합 축전기(Ccp2)를 포함한다. 각 화소는 이외에도 유지 축전기(도시하지 않음)를 더 포함한다.Referring to FIG. 5A, one pixel of the liquid crystal display includes a thin film transistor Q, a first liquid crystal capacitor Clc1, a second liquid crystal capacitor Clc2, a third liquid crystal capacitor Clc3, and a first coupling capacitor Ccp1. And a second coupling capacitor Ccp2. Each pixel further includes a storage capacitor (not shown).

제1 액정 축전기(Clc1)는 박막 트랜지스터(Q)의 드레인에 연결되어 있다. 제1 결합 축전기(Ccp1)는 박막 트랜지스터(Q)와 제2 액정 축전기(Clc2) 사이에 연결되어 있으며, 제2 결합 축전기(Ccp2)는 박막 트랜지스터(Q)와 제3 액정 축전기(Clc3) 사이에 연결되어 있다. 공통 전극(270)에는 공통 전압(Vcom)이 인가된다.The first liquid crystal capacitor Clc1 is connected to the drain of the thin film transistor Q. The first coupling capacitor Ccp1 is connected between the thin film transistor Q and the second liquid crystal capacitor Clc2, and the second coupling capacitor Ccp2 is between the thin film transistor Q and the third liquid crystal capacitor Clc3. It is connected. The common voltage Vcom is applied to the common electrode 270.

박막 트랜지스터(Q)는 게이트선(121)으로부터의 게이트 신호에 따라 데이터선(171)으로부터의 데이터 전압을 제1 액정 축전기(Clc1)와 제1 및 제2 결합 축전기(Ccp1, Ccp2)에 인가하고, 제1 및 제2 결합 축전기(Ccp1, Ccp2)는 각각 이 전압을 그 크기를 바꾸어 제2 및 제3 액정 축전기(Clc2, Ccl3)에 전달한다.The thin film transistor Q applies the data voltage from the data line 171 to the first liquid crystal capacitor Clc1 and the first and second coupling capacitors Ccp1 and Ccp2 according to the gate signal from the gate line 121. The first and second coupling capacitors Ccp1 and Ccp2 change their magnitudes and transfer the voltages to the second and third liquid crystal capacitors Clc2 and Ccl3, respectively.

축전기(Clc1, Clc2, Clc3, Ccp1, Ccp2)와 그 정전 용량을 동일한 도면 부호로 나타낸다고 하면, 제1 액정 축전기(Clc1)에 충전된 전압(Va)과 제2 액정 축전기(Clc2)에 충전된 전압(Vb) 및 제3 액정 축전기(Clc3)에 충전된 전압(Vc)은 다음과 같은 관계를 가진다.If capacitors Clc1, Clc2, Clc3, Ccp1, and Ccp2 are denoted by the same reference numerals, the voltage Va charged in the first liquid crystal capacitor Clc1 and the voltage charged in the second liquid crystal capacitor Clc2 Vb and the voltage Vc charged in the third liquid crystal capacitor Clc3 have the following relationship.

Vb=Vaㅧ[Ccp1/(Ccp1+ Clc2)]Vb = Va ㅧ [Ccp1 / (Ccp1 + Clc2)]

Vc=Vaㅧ[Ccp2/(Ccp2+ Clc3)]Vc = Va ㅧ [Ccp2 / (Ccp2 + Clc3)]

Ccp1/(Ccp1+ Clc2) 및 Ccp2/(Ccp2+ Clc3)의 값이 1보다 작기 때문에 제2 및 제3 액정 축전기(Clc2, Clc3)에 충전된 전압(Vb, Vc)은 제1 액정 축전기(Clc1)에 충전된 전압(Va)에 비하여 항상 작다. 또한 제2 액정 축전기(Clc2)의 전압(Vb)과 제3 액정 축전기(Clc3)의 전압(Vc)도 서로 다르다.Since the values of Ccp1 / (Ccp1 + Clc2) and Ccp2 / (Ccp2 + Clc3) are less than 1, the voltages Vb and Vc charged in the second and third liquid crystal capacitors Clc2 and Clc3 are transferred to the first liquid crystal capacitor Clc1. It is always small compared to the charged voltage Va. The voltage Vb of the second liquid crystal capacitor Clc2 and the voltage Vc of the third liquid crystal capacitor Clc3 are also different from each other.

이와 같이, 제1 내지 제3 액정 축전기(Clc1, Clc2, Clc3)의 양단에 전위차가 생기면 표시판(100, 200)의 면에 거의 수직인 전기장이 액정층(3)에 생성된다. [앞으로 부화소 전극(193, 194, 195)을 포함하는 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)을 아울러 "전기장 생성 전극(field generating electrode)"라 한다.] 그러면 액정층(3)의 액정 분자들은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장의 방향에 수직을 이루도록 기울어지며, 액정 분자가 기울어진 정도에 따라 액정층(3)에 입사된 빛의 편광의 변화 정도가 달라진다. 이러한 편광의 변화는 편광자(12, 22)에 의하여 투과율 변화로 나타나며 이를 통하여 액정 표시 장치는 영상을 표시한다.As such, when a potential difference occurs between both ends of the first to third liquid crystal capacitors Clc1, Clc2, and Clc3, an electric field substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated in the liquid crystal layer 3. [Hereinafter, the pixel electrode 191 and the common electrode 270 including the subpixel electrodes 193, 194, and 195 will also be referred to as "field generating electrodes".] Then, the liquid crystal of the liquid crystal layer 3 The molecules are inclined so that their major axis is perpendicular to the direction of the electric field in response to the electric field, and the degree of change in polarization of light incident on the liquid crystal layer 3 varies according to the degree of inclination of the liquid crystal molecules. This change in polarization is represented by a change in transmittance by the polarizers 12 and 22, through which the liquid crystal display displays an image.

액정 분자가 기울어지는 각도는 전기장의 세기에 따라 달라지는데, 제1 액정 축전기(Clc1)의 전압(Va), 제2 액정 축전기(Clc2)의 전압(Vb) 및 제3 액정 축전기 (Clc3)의 전압(Vc)이 서로 다르므로 각 액정 축전기(Clc1, Clc2, Clc3) 내에서 액정 분자들이 기울어진 각도가 다르고 이에 따라 각 액정 축전기(Clc1, Clc2, Clc3)의 휘도가 다르다. 따라서 제1 액정 축전기(Clc1)의 전압(Va), 제2 액정 축전기(Clc2)의 전압(Vb) 및 제3 액정 축전기(Clc3)의 전압(Vc)을 적절하게 맞추면 측면에서 바라보는 영상이 정면에서 바라보는 영상에 최대한 가깝게 할 수 있으며 이렇게 함으로써 측면 시인성을 향상할 수 있다.The angle at which the liquid crystal molecules are inclined depends on the intensity of the electric field. The voltage Va of the first liquid crystal capacitor Clc1, the voltage Vb of the second liquid crystal capacitor Clc2, and the voltage of the third liquid crystal capacitor Clc3 ( Since Vc) is different from each other, the inclination angles of the liquid crystal molecules in the liquid crystal capacitors Clc1, Clc2, and Clc3 are different, and thus, the luminance of each liquid crystal capacitor Clc1, Clc2, and Clc3 is different. Therefore, when the voltage Va of the first liquid crystal capacitor Clc1, the voltage Vb of the second liquid crystal capacitor Clc2, and the voltage Vc of the third liquid crystal capacitor Clc3 are properly adjusted, the image viewed from the side may be viewed in front. You can get as close as possible to the image you see in, which improves side visibility.

제1 액정 축전기(Clc1) 전압(Va), 제2 액정 축전기(Clc2) 전압(Vb) 및 제3 액정 축전기(Clc3) 전압(Vc)의 비율은 제1 및 제2 결합 축전기(Ccp1, Ccp2)의 정전 용량을 변화함으로써 조정할 수 있다. 제1 결합 축전기(Ccp1)의 정전 용량은 하부 부화소 전극(194)과 공통 전극(270)의 중첩 면적 및 유전체로 기능하는 게이트 절연막(140) 또는 보호막(180)의 유전 상수를 조정함으로써 바꿀 수 있다. 제2 결합 축전기(Ccp2)의 정전 용량은 하부 부화소 전극(194)과 제2 상부 부화소 전극(1950))의 중첩 면적과 거리를 조정함으로써 바꿀 수 있다.The ratio of the first liquid crystal capacitor Clc1 voltage Va, the second liquid crystal capacitor Clc2 voltage Vb, and the third liquid crystal capacitor Clc3 voltage Vc is the first and second coupling capacitors Ccp1 and Ccp2. It can be adjusted by changing the electrostatic capacitance. The capacitance of the first coupling capacitor Ccp1 can be changed by adjusting the overlap area of the lower subpixel electrode 194 and the common electrode 270 and the dielectric constant of the gate insulating layer 140 or the protective layer 180 serving as a dielectric. have. The capacitance of the second coupling capacitor Ccp2 can be changed by adjusting the overlapping area and the distance of the lower subpixel electrode 194 and the second upper subpixel electrode 1950.

제2 또는 제3 액정 축전기(Clc2, Clc3)의 전압(Vb, Vc)은 제1 액정 축정기(Clc1)의 전압(Va)의 0.55 내지 0.85배 인 것이 바람직하다.The voltages Vb and Vc of the second or third liquid crystal capacitors Clc2 and Clc3 are preferably 0.55 to 0.85 times the voltage Va of the first liquid crystal capacitor Clc1.

액정 분자들이 기울어지는 방향은 부화소 전극(193, 194, 195)의 변과 공통 전극(270)의 절개부(71a, 71b)가 전기장을 왜곡하여 만들어내는 수평 성분에 의하여 결정되며, 이러한 전기장의 수평 성분은 부화소 전극(193, 194, 195)의 변과 절개부(71a, 71b)의 변에 수직이다.The direction in which the liquid crystal molecules are inclined is determined by the sides of the subpixel electrodes 193, 194, and 195 and the horizontal component that the cutouts 71a and 71b of the common electrode 270 distort in the electric field. The horizontal component is perpendicular to the sides of the subpixel electrodes 193, 194, 195 and the sides of the cutouts 71a, 71b.

도 1을 참고하면, 하나의 절개부 집합(71a, 71b)은 화소 전극(191)을 각각 두 개의 경사진 주 변(major edge)을 가지는 복수의 부영역(sub-area)으로 나눈다. 각 부영역 위의 액정 분자들은 주 변에 수직인 방향으로 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.Referring to FIG. 1, one set of cutouts 71a and 71b divides the pixel electrode 191 into a plurality of sub-areas each having two inclined major edges. Since the liquid crystal molecules on each subregion are inclined in a direction perpendicular to the periphery, the directions of inclination are approximately four directions. As described above, when the liquid crystal molecules are inclined in various directions, the reference viewing angle of the liquid crystal display is increased.

각 부영역은 부화소 전극(193, 194, 195) 및 전극편(194a-d, 195a-d)의 변에 의하여 복수의 소영역으로 나뉘며, 앞서 설명한 것처럼, 각 소영역 위에 위치한 액정 분자의 경사 각도가 달라 시인성이 좋아진다. 또한 각 소영역의 경계 부분에서 등전위선 또는 전기장의 방향이 일시적으로 변화하여 전기장에 수평 성분이 생기므로 액정의 응답 시간이 줄어든다.Each subregion is divided into a plurality of small regions by the sides of the subpixel electrodes 193, 194, and 195 and the electrode pieces 194a-d and 195a-d, and as described above, the inclination of the liquid crystal molecules located on each of the small regions. Different angles improve visibility. In addition, since the direction of the equipotential lines or the electric field is temporarily changed at the boundary of each small region, a horizontal component is generated in the electric field, thereby reducing the response time of the liquid crystal.

또한, 화소 전극(191)에 절개부를 두는 종래의 액정 표시 장치에서는 절개부가 차지하는 면적만큼 투과율이 낮지만, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 절개부가 거의 없으므로 투과율이 매우 향상된다. 또한 화소 전극(191)에 절개부를 둔다 하더라도 각 소영역의 경계, 즉 제1 부화소 전극(193) 및 상부 전극편(195a-d)의 경계 부분에서 수평 성분이 생기므로 절개부 사이의 거리를 충분히 넓게 할 수 있다.In addition, in the conventional liquid crystal display device having the cutout in the pixel electrode 191, the transmittance is as low as the area occupied by the cutout, but in the liquid crystal display according to the present embodiment, since the cutout is almost absent, the transmittance is greatly improved. In addition, even when the cutout is placed on the pixel electrode 191, a horizontal component is formed at the boundary of each small region, that is, at the boundary between the first subpixel electrode 193 and the upper electrode piece 195a-d, thereby reducing the distance between the cutouts. Can be made wide enough.

부화소 전극(193, 194, 195)과 절개부(71a, 71b)의 모양과 배치는 바뀔 수 있으며, 적어도 하나의 절개부(71a-71b)는 돌기(protrusion)(도시하지 않음)나 함몰부(depression)(도시하지 않음) 또는 경사 부재(도시하지 않음)로 대체할 수 있다. 돌기 또는 경사 부재는 유기물 또는 무기물로 만들어질 수 있고 전기장 생성 전극(191, 270)의 위 또는 아래에 배치될 수 있다.The shape and arrangement of the subpixel electrodes 193, 194, 195 and the cutouts 71a and 71b may be changed, and the at least one cutout 71a-71b may be a protrusion (not shown) or a depression. (depression) (not shown) or inclined member (not shown) can be replaced. The protrusion or inclined member may be made of an organic material or an inorganic material and may be disposed above or below the field generating electrodes 191 and 270.

그러면, 도 5b를 참고하여 이러한 액정 표시 장치에서 등전위선과 액정 분자의 배열에 대하여 상세하게 설명한다.5B, the arrangement of the equipotential lines and the liquid crystal molecules in the liquid crystal display will be described in detail.

도 5b는 도 1 내지 도 4에 도시한 액정 표시 장치에서 등전위선과 액정 분자의 배열을 나타낸 도면이다.FIG. 5B is a diagram illustrating an arrangement of equipotential lines and liquid crystal molecules in the liquid crystal display illustrated in FIGS. 1 to 4.

도 5b에서 제1 및 제2 상부 부화소 전극(193, 195a-d)의 변으로 구획되는 각 소영역의 너비는 각각 약 20??m였으며, 제1 상부 부화소 전극(193) 위의 액정층(3) 부분에 걸린 전압은 약 7.0V, 제2 상부 부화소 전극(195) 위의 액정층(3) 부분에 걸린 전압은 약 4.9V, 그리고 하부 부화소 전극(194) 위의 액정층(3) 부분에 걸린 전압은 약 5.94V였다.In FIG. 5B, each of the small regions divided by the sides of the first and second upper subpixel electrodes 193 and 195a-d has a width of about 20 μm, respectively, and the liquid crystal on the first upper subpixel electrode 193. The voltage across the layer 3 is about 7.0V, the voltage across the liquid crystal layer 3 above the second upper subpixel electrode 195 is about 4.9V, and the liquid crystal layer above the lower subpixel electrode 194. The voltage applied to the part (3) was about 5.94V.

도 5b에서 알 수 있듯이, 부화소 전극(193, 195a-d)의 경계 부분에서는 등전위선이 급격하게 변화한다. 이에 따라 액정 분자들은 등전위선과 빗각을 이루게 되고, 예각을 이루는 쪽으로 움직이므로 응답 속도가 빨라진다.As can be seen in FIG. 5B, the equipotential lines change abruptly at the boundary portions of the subpixel electrodes 193 and 195a-d. As a result, the liquid crystal molecules form an oblique angle with the equipotential lines and move toward the acute angle, thereby increasing the response speed.

이제 도 6a 내지 도 6e를 참고하여 도 4에 도시한 액정 표시 장치에서 하부 부화소 전극을 형성하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.A method of forming the lower subpixel electrode in the liquid crystal display shown in FIG. 4 will now be described in detail with reference to FIGS. 6A to 6E.

도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시한 액정 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 단면도이다.6A to 6E are cross-sectional views at intermediate stages of a method of manufacturing the liquid crystal display shown in FIG. 4 according to an embodiment of the present invention.

도 6a를 참고하면, 기판(110) 위에 ITO나 IZO를 스퍼터링 따위로 증착하여 제1 도전막(120p)을 형성한다. 제1 도전막(120p) 위에 금속 따위를 스퍼터링 등으로 적층하여 제2, 제3 및 제4 도전막(120q, 120r, 120s)을 차례로 형성하고, 제4 박막(120s) 위에 감광막(40)을 도포한다.Referring to FIG. 6A, the first conductive layer 120p is formed by depositing ITO or IZO on the substrate 110 by sputtering. The second, third and fourth conductive layers 120q, 120r and 120s are sequentially formed by sputtering or the like on a first conductive layer 120p, and the photoresist layer 40 is formed on the fourth thin film 120s. Apply.

기판(110) 위에 기판(51) 및 그 위의 차광막(52)을 포함하는 광마스크(50)를 정렬한다. 광마스크(50)는 차광막(52)의 존재 형태에 따라 투과 영역, 반투과 영역, 그리고 차광 영역으로 나뉘는데, 차광 영역은 차광막(52)의 너비가 소정 값 이상인 영역이고, 투과 영역은 차광막(52)이 없는 소정 너비 이상의 영역이며, 반투과 영역은 차광막(52)의 너비 및 차광막(52) 사이의 간격이 소정 값 이하인 영역이다.The optical mask 50 including the substrate 51 and the light blocking film 52 thereon is aligned on the substrate 110. The photomask 50 is divided into a transmissive region, a transflective region, and a light shielding region according to the shape of the light shielding film 52. ) Is a region equal to or greater than a predetermined width, and the transflective region is an region in which the width of the light shielding film 52 and the distance between the light shielding films 52 are equal to or less than a predetermined value.

이러한 광마스크(50)를 통하여 감광막(40)에 빛을 조사한 후 노광하면 도 6b에 도시한 것처럼, 위치에 따라 두께가 다른 식각 마스크(52, 54)가 형성된다. 도 6b에서는 두께가 두꺼운 부분은 도면 부호 42로, 얇은 부분을 44로 나타내었다.When the photosensitive film 40 is irradiated with light through the photomask 50 and then exposed, the etching masks 52 and 54 having different thicknesses are formed as shown in FIG. 6B. In FIG. 6B, thick portions are denoted by 42 and thin portions are denoted by 44.

도 6c를 참고하면, 식각 마스크(42, 44)로 덮이지 않고 노출된 제1 내지 제4 도전막(120p-s) 부분을 제거하여 게이트 전극(124), 유지 전극(137) 및 하부 부화소 전극(194)과 그 위의 제1 내지 제3 도체(121q-r)을 형성한다.Referring to FIG. 6C, the portions of the first to fourth conductive layers 120p-s that are not covered by the etching masks 42 and 44 are removed to remove the gate electrode 124, the storage electrode 137, and the lower subpixel. The electrode 194 and the first to third conductors 121q-r thereon are formed.

도 6d를 참고하면, 애싱 따위의 공정을 실시하여 얇은 부분(44)이 없어질 때까지 식각 마스크(42, 44)의 두께를 줄인다.Referring to FIG. 6D, a process such as ashing is performed to reduce the thickness of the etching masks 42 and 44 until the thin portion 44 is removed.

마지막으로 도 6e를 참고하면, 식각 마스크(42)로 덮이지 않은 제1 내지 제3 도체(120q-s)를 제거하여 하부 부화소 전극(194)만을 남긴다. 마지막으로 식각 마스크(42)를 제거한다.6E, the first to third conductors 120q-s not covered by the etching mask 42 may be removed to leave only the lower subpixel electrode 194. Finally, the etching mask 42 is removed.

한편, 도 6a 내지 도 6e와는 달리, 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트선(121) 및 유지 전극(137)을 포함하는 유지 전극선(131)을 먼저 형성한 후, 한 차례의 공정을 더 거쳐 하부 부화소 전극(194)를 형성할 수도 있다.Meanwhile, unlike FIGS. 6A to 6E, the gate line 121 including the gate electrode 124 and the storage electrode line 131 including the storage electrode 137 are first formed and then subjected to one more process. The lower subpixel electrode 194 may be formed.

이제 도 7을 참고하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세하게 설명한다.A liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to FIG. 7.

도 7은 도 1의 액정 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ 선을 따라 잘라 도시한 단면도의 다른 예이다.FIG. 7 is another example of a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line II-II. FIG.

도 1 및 도 7에 도시한 바와 같이 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 이들 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 두 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 편광자(11, 21)를 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 7, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100 and a common electrode panel 200 facing each other, a liquid crystal layer 3 interposed therebetween, and two display panels. 100, 200) and polarizers 11, 21 attached to the outer surface.

본 실시예에 따른 표시판(100, 200)의 층상 구조는 대개 도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 층상 구조와 유사하다.The layered structure of the display panels 100 and 200 according to the present exemplary embodiment is generally similar to the layered structure of the liquid crystal display shown in FIGS. 1 to 3.

박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 복수의 게이트 전극(124)과 끝 부분(129)을 포함하며, 유지 전극선(121)은 아래 위로 확장된 유지 전극(137)을 포함한다. 게이트선(121) 및 유지 전극선 위에는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 가지는 복수의 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 가지는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(도시하지 않음) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173) 및 끝 부분(179)을 포함하는 복수의 데이터선(171)이 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 제1 및 제2 상부 부화소 전극(193, 195) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있으며, 그 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.Referring to the thin film transistor array panel 100, a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on the substrate 110. The gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 and an end portion 129, and the storage electrode line 121 includes a storage electrode 137 extending up and down. On the gate line 121 and the storage electrode line, a gate insulating layer 140, a plurality of linear semiconductors 151 having protrusions 154, a plurality of linear ohmic contact members (not shown) having protrusions 163, and a plurality of island shapes are provided. The ohmic contact 165 is formed in sequence. A plurality of data lines 171 including a source electrode 173 and an end portion 179 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140, and a passivation layer 180 is formed thereon. . A plurality of contact holes 181, 182, and 185 are formed in the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140. First and second upper subpixel electrodes 193 and 195 and a plurality of contact auxiliary members 81 and 82 are formed on the passivation layer 180, and an alignment layer 11 is formed thereon.

공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 색필터(230), 덮개막(250), 절개부(71a, 71b)를 가지는 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 차례로 형성되어 있다.Referring to the common electrode display panel 200, the light blocking member 220, the color filter 230, the overcoat 250, the common electrode 270 having the cutouts 71a and 71b, and the alignment layer 21 are insulated from each other. It is formed on the substrate 210 in order.

그러나 도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치와 달리, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 하부 부화소 전극(194)이 게이트 절연막(140) 아래에 있는 것이 아니라, 게이트 절연막(140)과 보호막(180) 사이에 위치한다. 하부 부화소 전극(194)은 데이터 도전체(171, 175)와 동일한 재질로 만들어질 수 있다.However, unlike the liquid crystal display shown in FIGS. 1 to 3, in the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, the lower subpixel electrode 194 is not under the gate insulating layer 140, but the gate insulating layer 140 and the protective layer. Located between 180. The lower subpixel electrode 194 may be made of the same material as the data conductors 171 and 175.

도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 많은 특징들이 도 7에 도시한 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다.Many features of the liquid crystal display shown in FIGS. 1 to 3 may also be applied to the liquid crystal display shown in FIG. 7.

다음, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.8 is a layout view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 8에 도시한 액정 표시 장치의 층상 구조는 도 2 및 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 층상 구조와 유사하므로, 따로 도시하지 않고 도 2 및 도 3에 도시한 도면 부호와 동일한 도면 부호를 사용하여 설명한다.Since the layer structure of the liquid crystal display shown in FIG. 8 is similar to the layer structure of the liquid crystal display shown in FIGS. 2 and 3, the same reference numerals as those shown in FIGS. Will be explained.

도 8에 도시한 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 두 표시판(100, 200) 사이의 액정층(3) 및 두 표시판(100, 200) 바깥면 위의 편광자(11, 21)을 포함한다.8 shows a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 200, a liquid crystal layer 3 between two display panels 100 and 200, and a polarizer on an outer surface of the two display panels 100 and 200. (11, 21).

박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 기판(110) 위에 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. 게이트선(121)은 복 수의 게이트 전극(124)과 끝 부분(129)을 포함하며, 유지 전극선(131)은 복수의 유지 전극(137)를 포함한다. 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 게이트 절연막(140), 돌출부(154)를 가지는 선형 반도체(151), 돌출부(163)를 가지는 복수의 선형 저항성 접촉 부재(161) 및 복수의 섬형 저항성 접촉 부재(165)가 차례로 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173) 및 끝 부분(179)을 포함하는 복수의 데이터선(171)이 형성되어 있고 그 위에 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 제1 및 제2 상부 부화소 전극(193, 195) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 보호막(180) 아래에는 복수의 하부 부화소 전극(194)이 형성되어 있다. 상부 부화소 전극(193, 195), 접촉 보조 부재(81, 82) 및 보호막(180) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.Referring to the thin film transistor array panel 100, a plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on the substrate 110. The gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 and end portions 129, and the storage electrode line 131 includes a plurality of storage electrodes 137. On the gate line 121 and the storage electrode line 131, the gate insulating layer 140, the linear semiconductor 151 having the protrusion 154, the plurality of linear ohmic contacts 161 having the protrusion 163, and the plurality of island resistive electrodes are disposed on the gate line 121 and the storage electrode line 131. The contact member 165 is formed in order. A plurality of data lines 171 including a source electrode 173 and an end portion 179 are formed on the ohmic contacts 161 and 165 and the gate insulating layer 140, and a passivation layer 180 is formed thereon. . A plurality of contact holes 181, 182, and 185 are formed in the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140. A plurality of first and second upper subpixel electrodes 193 and 195 and a plurality of contact auxiliary members 81 and 82 are formed on the passivation layer 180, and a plurality of lower subpixel electrodes (below the passivation layer 180). 194 is formed. An alignment layer 11 is formed on the upper subpixel electrodes 193 and 195, the contact auxiliary members 81 and 82, and the passivation layer 180.

공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 절개부(71a, 71b)를 가지는 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 차례로 형성되어 있다.Referring to the common electrode display panel 200, the light blocking member 220, the common electrode 270 having the cutouts 71a and 71b, and the alignment layer 21 are sequentially formed on the insulating substrate 210.

그러나 도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치와 달리, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 제1 상부 부화소 전극(193)과 제2 상부 부화소 전극(195)의 위치가 뒤바뀌어 있다. 따라서 제1 상부 부화소 전극(193)이 4 개의 전극편(193a, 193b, 193c, 193d)으로 나뉘며, 제2 상부 부화소 전극(195)는 한 조각으로 이루어져 있다. 제1 상부 부화소 전극(193)은 전극편(193a-d)을 연결하는 연결부(195)를 더 포함한다.However, unlike the liquid crystal display of FIGS. 1 to 3, in the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, positions of the first upper subpixel electrode 193 and the second upper subpixel electrode 195 are reversed. Accordingly, the first upper subpixel electrode 193 is divided into four electrode pieces 193a, 193b, 193c, and 193d, and the second upper subpixel electrode 195 is formed in one piece. The first upper subpixel electrode 193 further includes a connection portion 195 for connecting the electrode pieces 193a-d.

또한, 공통 전극(270)에 구비된 절개부(71a, 71b)는 제1 상부 부화소 전극(193)이 아니라 제2 상부 부화소 전극(195)을 이등분한다.In addition, the cutouts 71a and 71b of the common electrode 270 bisect the second upper subpixel electrode 195 instead of the first upper subpixel electrode 193.

도 1 내지 도 3에 도시한 액정 표시 장치의 많은 특징들이 도 8에 도시한 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다.Many features of the liquid crystal display shown in FIGS. 1 to 3 may also be applied to the liquid crystal display shown in FIG. 8.

도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이며, 도 11a 및 도 11b는 도 9 및 도 10에 도시한 액정 표시 장치에서 각 부화소 전극의 기본이 되는 전극부의 평면도이다.9 and 10 are layout views of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 11A and 11B are plan views of electrode units serving as bases of sub-pixel electrodes in the liquid crystal display of FIGS. 9 and 10. to be.

본 실시예에 따른 액정 표시판 조립체의 층상 구조는 대개 도 2 및 도 3에 도시한 액정 표시판 조립체의 층상 구조와 동일하므로, 따로 도시하지 않고 도 2 및 도 3에 도시한 도면 부호와 동일한 도면 부호를 사용하여 도 1과 비교 설명한다.Since the layered structure of the liquid crystal panel assembly according to the present exemplary embodiment is generally the same as the layered structure of the liquid crystal panel assembly shown in FIGS. 2 and 3, the same reference numerals as those shown in FIGS. 2 and 3 are not shown. It demonstrates compared with FIG.

도 9 및 도 10에 도시한 액정 표시 장치도 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200), 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3) 및 두 표시판(100, 200) 바깥 면에 부착되어 있는 편광자(11, 21)를 포함한다.9 and 10 also show a thin film transistor array panel 100, a common electrode display panel 200, a liquid crystal layer 3 interposed between two display panels 100 and 200, and two display panels 100 and 200. And polarizers 11 and 21 attached to the outer surface.

하부 표시판(100)에 대하여 설명하자면, 절연 기판(100) 위에 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있다. 각 게이트선(121)은 게이트 전극(124)과 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트선(121) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 반도체(154)가 형성되어 있고, 그 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이 트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)과 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체가 형성되어 있다. 데이터선(171)은 소스 전극(173)과 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 도전체(171, 175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185)이 형성되어 있다. 보호막(180) 위에는 복수의 제1 및 제2 상부 부화소 전극(193, 195)과 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)가 형성되어 있고, 보호막(180) 아래에는 복수의 하부 부화소 전극(194)이 형성되어 있다. 상부 부화소 전극(193, 195), 접촉 보조 부재(81, 82) 및 보호막(180) 위에는 배향막(11)이 형성되어 있다.Referring to the lower panel 100, a plurality of gate lines 121 are formed on the insulating substrate 100. Each gate line 121 includes a gate electrode 124 and an end portion 129. The gate insulating layer 140 is formed on the gate line 121. A plurality of semiconductors 154 are formed on the gate insulating layer 140, and a plurality of ohmic contacts 163 and 165 are formed thereon. A data conductor including a plurality of data lines 171 and a drain electrode 175 is formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140. The data line 171 includes a source electrode 173 and an end portion 179. A passivation layer 180 is formed on the data conductors 171 and 175 and the exposed semiconductor 154, and a plurality of contact holes 181, 182, and 185 are formed in the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140. It is. A plurality of first and second upper subpixel electrodes 193 and 195 and a plurality of contact auxiliary members 81 and 82 are formed on the passivation layer 180, and a plurality of lower subpixel electrodes (below the passivation layer 180). 194 is formed. An alignment layer 11 is formed on the upper subpixel electrodes 193 and 195, the contact auxiliary members 81 and 82, and the passivation layer 180.

공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명하자면, 차광 부재(220), 절개부(71)를 가지는 공통 전극(270) 및 배향막(21)이 절연 기판(210) 위에 차례로 형성되어 있다.Referring to the common electrode display panel 200, the light blocking member 220, the common electrode 270 having the cutout 71, and the alignment layer 21 are sequentially formed on the insulating substrate 210.

제1 및 제2 상부 부화소 전극(193, 195)과 하부 부화소 전극(194)은 하나의 화소 전극(191)을 이룬다. 하부 부화소 전극(194)은 복수의 하부 전극편(194e, 194f)으로 이루어지고, 제1/제2 상부 부화소 전극(193/195)은 각각 복수의 전극편(193e, 193f)/(195e, 195f)으로 이루어진다.The first and second upper subpixel electrodes 193 and 195 and the lower subpixel electrode 194 form one pixel electrode 191. The lower subpixel electrode 194 is composed of a plurality of lower electrode pieces 194e and 194f, and the first and second upper subpixel electrodes 193/195 are respectively a plurality of electrode pieces 193e and 193f / 195e. 195f).

그러나 도 1에 도시한 액정 표시 장치와 달리, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치에서는 화소 전극(191)이 서로 나란한 한 쌍의 꺾인 변을 가진다. 이와 유사하게, 전극편(193e, 193f, 194e, 194f, 195e, 195f) 및 제1 상부 화소 전극(193) 각각도 서로 나란한 한 쌍의 꺾인 변을 가진다. 또한 전극편(193e, 193f, 194e, 194f, 195e, 195f) 및 제1 상부 화소 전극(193) 각각은 적어도 도 11a에 도시한 평행사변형의 전극부(196) 하나와 도 11b에 도시한 평행사변형의 전극부(197) 하나를 포함한다.However, unlike the liquid crystal display shown in FIG. 1, in the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, the pixel electrodes 191 have a pair of curved sides parallel to each other. Similarly, each of the electrode pieces 193e, 193f, 194e, 194f, 195e, and 195f and the first upper pixel electrode 193 also have a pair of curved sides parallel to each other. Further, each of the electrode pieces 193e, 193f, 194e, 194f, 195e, and 195f and the first upper pixel electrode 193 has at least one parallelogram electrode portion 196 shown in Fig. 11A and a parallelogram shown in Fig. 11B. One electrode portion 197 of the.

도 11a 및 도 11b에 도시한 바와 같이, 전극부(196, 197) 각각은 한 쌍의 빗변(oblique edge)(196o, 197o) 및 한 쌍의 가로변(transverse edge)(196t, 197t)을 가지며 대략 평행사변형이다. 각 빗변(196o, 197o)은 가로변(196t, 197t)에 대하여 빗각(oblique angle)을 이루며, 빗각의 크기는 대략 45도 내지 135도인 것이 바람직하다. 편의상 앞으로 밑변(196t, 197t)을 중심으로 수직인 상태에서 기울어진 방향("경사 방향")에 따라 구분하며, 도 10a와 같이 오른쪽으로 기울어진 경우를 "우경사"라 하고 도 10b와 같이 왼쪽으로 기울어진 경우를 "좌경사"라 한다.As shown in FIGS. 11A and 11B, each of the electrode portions 196 and 197 has a pair of oblique edges 196o and 197o and a pair of transverse edges 196t and 197t and is approximately Parallelogram. Each of the oblique sides 196o and 197o forms an oblique angle with respect to the horizontal sides 196t and 197t, and the size of the oblique angle is preferably about 45 degrees to 135 degrees. For convenience, it is divided according to the inclined direction ("inclination direction") in a vertical state with the bases 196t and 197t forward, and the case inclined to the right as shown in FIG. 10A is called "right inclination" and left as shown in FIG. 10B. The case of tilting is called "left slope".

도 9 및 도 10에 도시한 전극편(193e, 193f, 194e, 194f, 195e, 195f) 및 제1 상부 화소 전극(193)은 좌경사 전극부(197)와 우경사 전극부(196)가 아래위로 연결된 형태이다.In the electrode pieces 193e, 193f, 194e, 194f, 195e, and 195f and the first upper pixel electrode 193 illustrated in FIGS. 9 and 10, the left inclined electrode portion 197 and the right inclined electrode portion 196 are disposed below. It's connected up.

도 9의 경우 제1 상부 부화소 전극(193)이 화소 전극(191)의 중심에 위치하고 제2 상부 부화소 전극(195)이 두 개의 전극편(195e, 195f)로 이루어진다. 반면, 도 10의 경우 제2 상부 전극편(193)이 화소 전극(191)의 중심에 위치하고 제1 상부 부화소 전극(193)이 두 개의 전극편(193e, 193f)으로 이루어지며, 두 전극편(193e, 193f)은 연결부(198)로 연결된다.In FIG. 9, the first upper subpixel electrode 193 is positioned at the center of the pixel electrode 191, and the second upper subpixel electrode 195 includes two electrode pieces 195e and 195f. 10, the second upper electrode piece 193 is positioned at the center of the pixel electrode 191, and the first upper subpixel electrode 193 is formed of two electrode pieces 193e and 193f. 193e and 193f are connected to the connecting portion 198.

공통 전극(270)의 절개부(71)는 화소 전극(191)의 꺾인 변과 실질적으로 평행하며, 화소 전극(191) 및 제1/제2 상부 부화소 전극(193/195)을 이등분하는 사선 부 및 사선부와 둔각을 이루면서 화소 전극(191)의 가로변과 중첩하는 가로부를 포함한다.The cutout 71 of the common electrode 270 is substantially parallel to the bent side of the pixel electrode 191, and diagonally divides the pixel electrode 191 and the first and second upper subpixel electrodes 193/195. A horizontal portion overlapping the horizontal side of the pixel electrode 191 while forming an obtuse angle with the portion and the diagonal portion.

한편, 도 9 및 도 10에 도시한 구조에서 화소 전극(191) 사이의 전압 차에 의하여 부차적으로 생성되는 부 전기장(secondary electric field)의 방향은 상부 부화소 전극(193, 195)의 경계 및 절개부(71)의 경계에서 생기는 주 전기장의 수평 성분의 방향과 일치한다. 그러므로 화소 전극(191) 사이의 부 전기장이 액정 분자들의 경사 방향의 결정을 강화하는 쪽으로 작용한다.Meanwhile, in the structures shown in FIGS. 9 and 10, the direction of the secondary electric field generated by the voltage difference between the pixel electrodes 191 is cut and bounded by the upper subpixel electrodes 193 and 195. It coincides with the direction of the horizontal component of the main electric field occurring at the boundary of the portion 71. Therefore, the negative electric field between the pixel electrodes 191 acts to strengthen the crystal in the oblique direction of the liquid crystal molecules.

본 발명에 따르면, 투과율을 확보하면서 액정의 응답 속도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, the response speed of the liquid crystal can be improved while securing the transmittance.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (25)

투명 기판,Transparent substrate, 상기 투명 기판에 형성된 투명 도전체,A transparent conductor formed on the transparent substrate, 상기 투명 도전체 상에 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed on the transparent conductor, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,A data line intersecting the gate line, 상기 게이트선 및 상기 데이터선으로 정의되는 화소 영역에 형성되어 있으며, 제1 부화소 전극, 제2 부화소 전극 및 제3 부화소 전극을 포함하는 화소 전극, 그리고A pixel electrode formed in the pixel region defined by the gate line and the data line, the pixel electrode including a first subpixel electrode, a second subpixel electrode, and a third subpixel electrode; and 상기 게이트선, 상기 데이터선 및 상기 화소 전극과 전기적으로 연결된 스위칭 소자A switching element electrically connected to the gate line, the data line, and the pixel electrode 를 포함하며,Including; 상기 제1 부화소 전극 및 제2 부화소 전극은 전기적으로 연결되어 있고, 상기 제3 부화소 전극은 상기 제1 및 제2 부화소 전극과 분리되어 있는The first subpixel electrode and the second subpixel electrode are electrically connected, and the third subpixel electrode is separated from the first and second subpixel electrodes. 액정 표시 장치.Liquid crystal display. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 부화소 전극은 상기 투명 전극과 같은 물질을 포함하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode includes the same material as the transparent electrode. 제2항에서,In claim 2, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 및 제3 부화소 전극과 다른 층에 위치하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is positioned on a different layer from the first and third subpixel electrodes. 제3항에서,In claim 3, 상기 제2 부화소 전극은 상기 투명 도전체와 같은 층에 위치하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is positioned in the same layer as the transparent conductor. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 부화소 전극과 상기 제3 부화소 전극은 중첩하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode and the third subpixel electrode overlap each other. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 부화소 전극 또는 상기 제3 부화소 전극의 면적은 상기 제1 부화소 전극의 면적의 0.2 내지 2 배인 액정 표시 장치.The area of the second subpixel electrode or the third subpixel electrode is 0.2 to 2 times the area of the first subpixel electrode. 전기적으로 서로 연결되어 있는 제1 및 제2 부화소 전극, 상기 제1 및 제2 부화소 전극과 분리되어 있는 제3 부화소 전극, 그리고 상기 제2 부화소 전극을 덮고 상기 제1 부화소 전극은 덮지 않는 제1 절연막을 포함하는 제1 표시판,First and second subpixel electrodes electrically connected to each other, a third subpixel electrode separated from the first and second subpixel electrodes, and the second subpixel electrode and covering the first subpixel electrode A first display panel comprising a first insulating film not covered, 상기 제1 표시판과 마주하며 공통 전극을 포함하는 제2 표시판, 그리고A second display panel facing the first display panel and including a common electrode, and 상기 제1 표시판과 상기 제2 표시판 사이에 들어 있는 액정층A liquid crystal layer interposed between the first display panel and the second display panel 을 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display comprising a. 제7항에서,In claim 7, 상기 제1 절연막은 상기 제1 및 제3 부화소 전극의 아래에 위치하는 액정 표시 장치.The first insulating layer is positioned under the first and third subpixel electrodes. 제8항에서,In claim 8, 상기 제2 부화소 전극과 상기 제3 부화소 전극은 중첩하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode and the third subpixel electrode overlap each other. 제9항에서,In claim 9, 상기 제1 부화소 전극 또는 제2부화소 전극과 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor connected to the first subpixel electrode or the second subpixel electrode, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 게이트선,A gate line connected to the thin film transistor, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 데이터선, 그리고A data line connected to the thin film transistor, and 상기 게이트선과 상기 데이터선의 사이에 형성되어 있는 제2 절연막A second insulating film formed between the gate line and the data line 을 더 포함하며,More, 상기 제1 절연막은 상기 박막 트랜지스터, 상기 게이트선 및 상기 데이터선 위에 위치하는The first insulating layer is positioned on the thin film transistor, the gate line, and the data line. 액정 표시 장치.Liquid crystal display. 제10항에서,In claim 10, 상기 제2부화소 전극은 상기 제2 절연막 위에 위치하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is on the second insulating layer. 제10항에서,In claim 10, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제2 절연막 아래에 위치하는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is positioned under the second insulating layer. 제10항에서,In claim 10, 상기 제1 또는 제2 절연막의 두께는 200nm 내지 1,000nm인 액정 표시 장치.The thickness of the first or second insulating film is 200nm to 1,000nm liquid crystal display device. 제10항에서,In claim 10, 상기 제1 또는 제2 절연막의 유전율은 2 내지 8배인 액정 표시 장치.The dielectric constant of the first or second insulating film is 2 to 8 times. 제10항에서,In claim 10, 상기 제2 부화소 전극 또는 상기 제3 부화소 전극의 면적은 상기 제1 부화소 전극의 면적의 0.2 내지 2 배인 액정 표시 장치.The area of the second subpixel electrode or the third subpixel electrode is 0.2 to 2 times the area of the first subpixel electrode. 제10항에서,In claim 10, 상기 제2 부화소 전극은 상기 게이트선 또는 상기 데이터선과 같은 재질로 이루어지는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is made of the same material as the gate line or the data line. 제10항에서,In claim 10, 상기 제2 부화소 전극은 상기 제1 및 제3 부화소 전극과 같은 재질로 이루어지는 액정 표시 장치.The second subpixel electrode is made of the same material as the first and third subpixel electrodes. 제10항에서,In claim 10, 상기 제1 및 제2 표시판 중 적어도 하나에 구비되어 있는 편광자를 더 포함하는 액정 표시 장치.And a polarizer provided on at least one of the first and second display panels. 제18항에서,The method of claim 18, 상기 제1 및 제3 부화소 전극 각각은 상기 편광자의 편광축에 대하여 빗각을 이루는 적어도 하나의 경계를 포함하는 액정 표시 장치.And each of the first and third subpixel electrodes includes at least one boundary that forms an oblique angle with respect to the polarization axis of the polarizer. 제19항에서,The method of claim 19, 상기 빗각은 45°인 액정 표시 장치.The oblique angle is 45 ° liquid crystal display device. 제7항에서,In claim 7, 상기 제1 내지 제3 부화소 전극의 바깥 경계는 직사각형인 액정 표시 장치.An outer boundary of the first to third subpixel electrodes is a rectangular liquid crystal display. 제10항에서,In claim 10, 상기 제1 내지 제3 부화소 전극의 바깥 경계 중 한 쌍은 서로 나란하게 꺾여 있는 액정 표시 장치.The pair of outer boundaries of the first to third subpixel electrodes are bent in parallel with each other. 게이트선,Gate Line, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선,A data line intersecting the gate line, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 연결되어 있는 스위칭 소자,A switching element connected to the gate line and the data line, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제1 액정 축전기,A first liquid crystal capacitor connected to the switching element, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제1 결합 축전기,A first coupling capacitor connected with the switching element, 상기 제1 결합 축전기와 연결되어 있는 제2 액정 축전기,A second liquid crystal capacitor connected to the first coupling capacitor, 상기 스위칭 소자와 연결되어 있는 제2 결합 축전기, 그리고A second coupling capacitor connected to the switching element, and 상기 제2 결합 축전기와 연결되어 있는 제3 액정 축전기A third liquid crystal capacitor connected to the second coupling capacitor 를 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display comprising a. 제23항에서,The method of claim 23, 상기 제1 액정 축전기의 두 단자 사이의 거리는 제2 액정 축전기의 두 단자 사이의 거리와 다른 액정 표시 장치.And a distance between two terminals of the first liquid crystal capacitor is different from a distance between two terminals of the second liquid crystal capacitor. 제24항에서,The method of claim 24, 상기 제2 또는 제3 액정 축전기의 전압은 상기 제1 액정 축전기의 전압의 0.55 내지 0.85배인 액정 표시 장치.The voltage of the second or third liquid crystal capacitor is 0.55 to 0.85 times the voltage of the first liquid crystal capacitor.
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