KR101272329B1 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
KR101272329B1
KR101272329B1 KR1020060052982A KR20060052982A KR101272329B1 KR 101272329 B1 KR101272329 B1 KR 101272329B1 KR 1020060052982 A KR1020060052982 A KR 1020060052982A KR 20060052982 A KR20060052982 A KR 20060052982A KR 101272329 B1 KR101272329 B1 KR 101272329B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
substrate
liquid crystal
small
small electrode
Prior art date
Application number
KR1020060052982A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070118809A (en
Inventor
여용석
김재현
이승규
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020060052982A priority Critical patent/KR101272329B1/en
Priority to US11/675,300 priority patent/US7830488B2/en
Publication of KR20070118809A publication Critical patent/KR20070118809A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101272329B1 publication Critical patent/KR101272329B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 교차하는 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 제1 소전극 및 제2 소전극을 포함하며 데이터선과 일부분이 중첩하는 화소 전극, 제1 기판 위에 형성되어 있으며 제1 소전극과 제2 소전극 사이에 배치되어 있으며 화소 전극과 중첩하는 부분을 가지는 유지 전극선, 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 제2 기판 위에 형성되어 있으며 제1 소전극 및 제2 소전극과 대응하는 절개부를 가지는 공통 전극, 공통 전극 및 화소 전극 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하고, 제1 소전극 및 제2 소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형이다.The liquid crystal display according to the present invention includes a first substrate, a gate line formed on the first substrate, a data line crossing the gate line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a first small electrode. And a pixel electrode including a second small electrode and partially overlapping the data line, a storage electrode line formed on the first substrate and disposed between the first small electrode and the second small electrode and having a portion overlapping the pixel electrode. A second substrate facing the first substrate and a second substrate, the liquid crystal layer formed between the common electrode, the common electrode, and the pixel electrode having a cutout corresponding to the first small electrode and the second small electrode; The first small electrode and the second small electrode are rectangular with rounded corners.

투과율, 액정표시장치, 소전극 Transmittance, Liquid Crystal Display, Small Electrode

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY [0002]

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout diagram of a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이다.FIG. 3 is a layout view of a common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 1.

도 5는 도 1의 V-V선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line V-V of FIG. 1.

*도면 주요 부호의 설명** Description of Drawing Key Codes *

3: 액정층 9a, 9b: 소전극3: liquid crystal layer 9a, 9b: small electrode

11, 21: 배향막 12, 22: 편광판11, 21: Orientation film 12, 22: Polarizing plate

31: 액정 분자 27: 절개부31: liquid crystal molecule 27:

81, 82: 접촉 보조 부재 85: 연결 부재81, 82: contact assistant member 85: connecting member

100: 박막 트랜지스터 표시판 110, 210: 절연 기판100: thin film transistor array panel 110, 210: insulating substrate

121, 129: 게이트선 124: 게이트 전극121 and 129: gate line 124: gate electrode

131: 유지 전극선 137: 확장부131: sustain electrode line 137: extension portion

140: 게이트 절연막 151, 154, 157: 반도체140: gate insulating film 151, 154, 157: semiconductor

163, 165: 저항성 접촉 부재163 and 165: ohmic contact member

171, 179: 데이터선 173: 소스 전극171 and 179: data line 173: source electrode

175: 드레인 전극 180: 보호막175: drain electrode 180: protective film

181, 182, 185: 접촉 구멍181, 182, 185: contact hole

191: 화소 전극 200: 공통 전극 표시판191: pixel electrode 200: common electrode display panel

210: 절연 기판 220: 차광 부재210: insulating substrate 220: light blocking member

230: 색필터 250: 덮개막230: color filter 250: overcoat

270: 공통 전극270: common electrode

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device.

액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전계 생성 전극(field generating electrode)과 편광판(polawizer)이 구비되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층을 포함한다.Liquid crystal display (LCD) is one of the most widely used flat panel display devices. Currently, two display panels are provided with a field generating electrode and a polarizer and the liquid crystal contained therebetween. Layer.

액정층의 액정 분자들은 전계 생성 전극에 인가된 전압에 의하여 액정층에 생성된 전계에 따라 그 배향(orientation)이 바뀌고 이에 액정층을 통과하는 빛의 편광이 변화하며 편광판은 이러한 빛의 편광을 빛의 투과율(transmittance)로 변환한다. 따라서 액정 표시 장치는 전게 생성 전극에 인가되는 전압을 조절하여 원하는 영상을 표시할 수 있다. 이때, 빛의 투과율은 액정층의 복굴절성(birefringence)에 의해 발생하는 위상 지연(phase retardation)에 의해 결정되 며, 이러한 위상 지연은 액정층의 굴절률 이방성(refractive anisotropy)과 두 표시판 사이의 간격의 곱으로 주어진다.The liquid crystal molecules of the liquid crystal layer change their orientation according to the electric field generated in the liquid crystal layer due to the voltage applied to the field generating electrode, and thus the polarization of the light passing through the liquid crystal layer changes, and the polarizing plate emits the light polarization. Convert to transmittance of. Accordingly, the liquid crystal display may display a desired image by adjusting the voltage applied to the electrode generating electrode. At this time, the transmittance of light is determined by phase retardation caused by birefringence of the liquid crystal layer, and the phase retardation is determined by the difference between the refractive anisotropy of the liquid crystal layer and the gap between the two panels. Given by the product.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 표시판 중 하나에는 전계 생성 전극의 일종인 복수의 화소 전극(pixel electrode)과 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)가 구비되어 있고, 다른 하나에는 다른 종류의 전계 생성 전극인 공통 전극(common electrode)과 색필터(color filter)가 구비되어 있는 액정 표시 장치이다.Among the liquid crystal display devices, one of the two display panels currently used includes a plurality of pixel electrodes, which are a kind of field generating electrodes, and a thin film transistor (TFT) for switching a voltage applied to the pixel electrodes. The other is a liquid crystal display provided with a common electrode and a color filter, which are different types of field generating electrodes.

이러한 액정 표시 장치는 스스로 발광하지 못하는 수광형 표시 장치이므로, 액정 표시 장치의 뒤쪽에 별개로 구비된 백라이트(backlight)의 램프에서 발광된 빛을 액정층을 통과시키거나 자연광 등 외부에서 들어오는 빛을 일단 액정층을 통과시켰다가 반사하여 액정층을 다시 통과시키는 방식으로 영상을 표시한다. Since the liquid crystal display is a light-receiving display device that does not emit light by itself, the light emitted from a backlight lamp provided at the rear of the liquid crystal display passes through the liquid crystal layer or receives light from outside such as natural light. The image is displayed by passing the liquid crystal layer and then reflecting the liquid crystal layer.

이러한 액정 표시 장치는 액정층의 배향이 틀어질 경우 이로 인해서 빛샘이 발생할 수 있다. 빛샘으로 주로 이웃하는 화소 전극 사이의 데이터선 부근에서 발생하며 이를 가려주는 블랙 매트릭스 등을 필요로 한다. In the liquid crystal display, when the alignment of the liquid crystal layer is misaligned, light leakage may occur. Light leakage occurs mainly near data lines between neighboring pixel electrodes and requires a black matrix or the like.

따라서 본 발명의 기술적 과제는 블랙 매트릭스로 인한 투과율 감소를 최소화할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of minimizing a decrease in transmittance due to a black matrix.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 제1 기판, 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 교차하는 데이터선, 게 이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 제1 소전극 및 제2 소전극을 포함하며 데이터선과 일부분이 중첩하는 화소 전극, 제1 기판 위에 형성되어 있으며 제1 소전극과 제2 소전극 사이에 배치되어 있으며 화소 전극과 중첩하는 부분을 가지는 유지 전극선, 제1 기판과 마주보는 제2 기판, 제2 기판 위에 형성되어 있으며 제1 소전극 및 제2 소전극과 대응하는 절개부를 가지는 공통 전극, 공통 전극 및 화소 전극 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하고, 제1 소전극 및 제2 소전극은 모퉁이가 둥글려진 사각형이다.In accordance with an aspect of the present invention, a liquid crystal display device includes a first substrate, a gate line formed on the first substrate, a data line crossing the gate line, a gate line, and a thin film transistor connected to the data line. A pixel electrode connected to the transistor and including a first small electrode and a second small electrode, wherein the pixel electrode partially overlaps the data line, and is formed on the first substrate and is disposed between the first small electrode and the second small electrode, A storage electrode line having an overlapping portion, a second substrate facing the first substrate, and a common electrode formed on the second substrate and having a cutout corresponding to the first small electrode and the second small electrode; The first small electrode and the second small electrode are rectangular with rounded corners.

제2 기판 위에 형성되어 있으며 박막 트랜지스터와 대응하는 차광 부재를 더 포함할 수 있다.It may further include a light blocking member formed on the second substrate and corresponding to the thin film transistor.

공통 전극 아래에 형성되어 있는 복수의 색필터를 더 포함할 수 있다.The display device may further include a plurality of color filters formed under the common electrode.

박막 트랜지스터는 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극, 게이트 전극과 중첩하는 반도체, 반도체 위에 형성되어 있는 드레인 전극, 반도체 위에서 드레인 전극과 마주하고 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극을 포함할 수 있다.The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate line, a semiconductor overlapping the gate electrode, a drain electrode formed on the semiconductor, and a source electrode facing the drain electrode on the semiconductor and connected to the data line.

드레인 전극은 유지 전극선과 중첩하는 확장부를 포함할 수 있다.The drain electrode may include an extension that overlaps the storage electrode line.

제1 소전극과 제2 소전극은 연결부에 의하여 서로 연결되며, 연결부는 제1 소전극과 제2 소전극을 일렬로 연결하는 세로부와 세로부로부터 좌, 우로 돌출되어 확장부와 연결되어 있는 돌출부로 이루어질 수 있다.The first small electrode and the second small electrode are connected to each other by a connecting portion, and the connecting portion protrudes left and right from the vertical portion and the vertical portion connecting the first small electrode and the second small electrode in a line and is connected to the extension portion. It may be made of a protrusion.

제1 소전극과 제2 소전극은 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다.The first small electrode and the second small electrode may have substantially the same area.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한 다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily practice the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. Like parts are designated with like reference numerals throughout the specification. It will be understood that when an element such as a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it includes not only the element directly over another element, Conversely, when a part is "directly over" another part, it means that there is no other part in the middle.

그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 1 내지 도 5를 참고로 하여 상세하게 설명한다.Next, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판의 배치도이고, 도 4는 도 1의 IV-IV선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1, and FIG. 3 is a layout view of the common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 1.

도 1 내지 도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주하는 박막 트랜지스터 표시판(100)과 공통 전극 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.1 to 5, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a liquid crystal interposed between a thin film transistor array panel 100, a common electrode panel 200, and two display panels 100 and 200 facing each other. Layer 3.

먼저, 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor display panel 100 will be described.

도 1, 도 2, 도 4 및 도 5를 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)이 형성되어 있다.1, 2, 4 and 5, a plurality of gate lines 121 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits the gate signal and extends mainly in the horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding upward and end portions 129 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached on the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, And may be integrated on the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend and be directly connected thereto.

게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극 선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The gate line 121 may be formed of a metal such as aluminum (Al), an aluminum alloy such as an aluminum alloy, a silver metal or a silver alloy, a copper metal such as copper (Cu) or a copper alloy, a molybdenum Molybdenum-based metals, chromium (Cr), tantalum (Ta), and titanium (Ti). However, they may have a multi-film structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having a low resistivity, for example, an aluminum-based metal, a silver-based metal, or a copper-based metal to reduce signal delay and voltage drop. Alternatively, the other conductive film is made of a material having excellent physical, chemical and electrical contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum metal, chromium, tantalum and titanium. A good example of such a combination is a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

게이트선(121)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.The side surface of the gate line 121 is inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 섬형 반도체(154, 157)가 형성되어 있다. 섬형 반도체(154)는 게이트 전극(124) 위에 위치한다. 섬형 반도체(157)는 유지 전극선(131)과 중첩한다.On the gate insulating layer 140, a plurality of island-like semiconductors 154 and 157 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si), polycrystalline silicon, or the like are formed. The island-like semiconductor 154 is located above the gate electrode 124. The island semiconductor 157 overlaps with the storage electrode line 131.

반도체(154) 위에는 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(163, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)는 쌍을 이루어 반도체(154) 위에 배치되어 있다. 유지 전극선(131)과 중첩하는 섬형 반도체(157) 위에도 섬형 저항성 접촉 부재(도시하지 않음)가 형성될 수 있다.On the semiconductor 154, island-like ohmic contacts 163 and 165 are formed. The resistive contact members 163 and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon, or may be made of silicide, which is heavily doped with phosphorous n-type impurities. The island-like resistive contact members 163 and 165 are arranged on the semiconductor 154 in pairs. An island-type ohmic contact (not shown) may also be formed on the island-like semiconductor 157 overlapping the storage electrode line 131.

반도체(154, 157)와 저항성 접촉 부재(163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30° 내지 80° 정도이다.Side surfaces of the semiconductors 154 and 157 and the ohmic contacts 163 and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is about 30 ° to 80 °.

저항성 접촉 부재(163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터 선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.A plurality of data lines 171 and a plurality of drain electrodes 175 are formed on the ohmic contacts 163 and 165 and the gate insulating layer 140.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(173)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The data line 171 transmits a data signal and extends mainly in the vertical direction and crosses the gate line 121 and the sustain electrode line 131. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and an end portion 179 having a large area for connection with another layer or an external driving circuit. A data driving circuit (not shown) for generating a data signal is mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110, directly mounted on the substrate 110, or integrated in the substrate 110. Can be. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 can extend and be directly connected thereto.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있으며 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주한다. 드레인 전극(175)은 유지 전극(133)과 중첩하는 확장부(177)와 연결부(176)에 의해서 연결되어 있다. 하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 반도체(154)에 형성된다.The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with the gate electrode 124 as a center. The drain electrode 175 is connected by an extension part 177 and a connection part 176 that overlap the storage electrode 133. One gate electrode 124, one source electrode 173 and one drain electrode 175 constitute one thin film transistor (TFT) together with the semiconductor 154, and the channel of the thin film transistor Is formed in the semiconductor 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175. [

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다중막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막, 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.The data line 171 and the drain electrode 175 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and include a refractory metal film (not shown) and a low resistance conductive film. It may have a multilayer structure including (not shown). Examples of the multilayer structure include a double film of a chromium or molybdenum (alloy) lower film and an aluminum (alloy) upper film, a molybdenum (alloy) lower film, an aluminum (alloy) intermediate film and a molybdenum (alloy) upper film. However, the data line 171 and the drain electrode 175 may be made of various other metals or conductors.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.It is preferable that the data line 171 and the drain electrode 175 are also inclined at an inclination angle of about 30 DEG to 80 DEG with respect to the substrate 110 surface.

저항성 접촉 부재(163, 165)는 그 아래의 반도체(154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 이들 사이의 접촉 저항을 낮추어 준다. 섬형 반도체(154, 157)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다.The resistive contact members 163 and 165 exist only between the semiconductor 154 under the resistive contact members 163 and 165 and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon and lower the contact resistance therebetween. The island-like semiconductors 154 and 157 are widened at portions where they meet the gate line 121 and the storage electrode line 131, thereby softening the profile of the surface, thereby preventing the data line 171 from being disconnected. The semiconductor 154 is exposed between the source electrode 173 and the drain electrode 175 as well as between the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 노출된 반도체(154) 부분 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, and the exposed semiconductor 154.

보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 그 표면은 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(154) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.The protective film 180 is made of an inorganic insulating material or an organic insulating material, and its surface may be flat. Examples of the inorganic insulating material include silicon nitride and silicon oxide. The organic insulating material may have photosensitivity and its dielectric constant is preferably about 4.0 or less. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portion of the semiconductor 154 while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. A plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 are formed at 140.

보호막(180) 위에는 IZO(indium zinc oxide) 또는 ITO(indium tin oxide)로 이루어지는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 연결 부재(85) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.On the passivation layer 180, a plurality of pixel electrodes 191 made of indium zinc oxide (IZO) or indium tin oxide (ITO), a plurality of connection members 85, and a plurality of contact assistants ( 81 and 82 are formed.

각 화소 전극(191)은 모퉁이가 둥글려진 제1 사각형(9a) 및 제2 사각형(9b)를 포함하며, 제1 사각형(9a) 및 제2 사각형(9b)은 연결부재(85)에 의해서 연결되어 있다. Each pixel electrode 191 includes a first rectangle 9a and a second rectangle 9b having rounded corners, and the first rectangle 9a and the second rectangle 9b are connected by a connection member 85. It is.

연결 부재(85)는 제1 사각형(9a) 및 제2 사각형(9b)을 연결하는 세로부와 세로부로부터 좌, 우로 돌출되어 있는 돌출부를 포함한다. The connecting member 85 includes a vertical portion connecting the first rectangle 9a and the second square 9b and protrusions protruding left and right from the vertical portion.

돌출부는 접촉 구멍(185)을 통해 확장부(177)와 물리적·전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받아 화소 전극(191)으로 전달한다. The protrusion is physically and electrically connected to the extended portion 177 through the contact hole 185 and receives the data voltage from the drain electrode 175 and transfers the data voltage to the pixel electrode 191.

데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 공통 전극 표시판(200)의 공통 전극(common electrode)(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(191, 270) 사이의 액정층(3)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 이와 같이 결정된 액정 분자의 방향에 따라 액정층(3)을 통과하는 빛의 편광이 달라진다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied generates an electric field together with a common electrode 270 of the common electrode panel 200 to which a common voltage is applied to thereby apply a voltage between the two electrodes 191 and 270 The direction of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 of the liquid crystal layer 3 is determined. The polarization of light passing through the liquid crystal layer 3 varies according to the direction of the liquid crystal molecules determined as described above. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter referred to as a " liquid crystal capacitor ") to maintain the applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

이웃하는 화소 전극(191)의 간격은 4㎛~7㎛ 일 수 있다. 화소 전극(191)의 간격이 4um 이상일 경우 화소 전극 사이의 프린지 필드(fringe field)로 인한 디스클리네이션(disclination)으로 인한 빛샘이 줄어든다.The interval between neighboring pixel electrodes 191 may be 4 μm to 7 μm. When the interval between the pixel electrodes 191 is 4um or more, light leakage due to disclination due to fringe fields between the pixel electrodes is reduced.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact assistants 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact assistants 81 and 82 complement and protect the adhesion between the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 and the external device.

다음으로 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described.

도 1, 도 3 내지 도 5를 참고하면, 투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며, 박막 트랜지스터와 대응한다. 기판 위에는 또한 복수의 색필터(color filter)(230)가 형성되어 있으며, 색필터(230)는 화소 전극(191)을 따라 세로 방향으로 길게 뻗어 띠(stripe)를 이룰 수 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.1 and 3 to 5, a light blocking member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass, plastic, or the like. The light blocking member 220 is also called a black matrix and corresponds to the thin film transistor. A plurality of color filters 230 is also formed on the substrate, and the color filters 230 may extend in the vertical direction along the pixel electrode 191 to form a stripe. Each color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

색필터(230) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 (유기) 절연물로 만들어질 수 있으며, 색필터(230)를 보호하고 색필 터(230)가 노출되는 것을 방지하며 평탄면을 제공한다.An overcoat 250 is formed on the color filter 230. The overcoat 250 may be made of an (organic) insulator, protects the color filter 230, prevents the color filter 230 from being exposed, and provides a flat surface.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO나 IZO 등 투명한 도전 도전체로 만들어지는 것이 바람직하다.A common electrode 270 is formed on the lid 250. The common electrode 270 is preferably made of a transparent conductive conductor such as ITO or IZO.

공통 전극(270)에는 복수의 원형 절개부(27)가 형성되어 있으며, 각각의 절개부(27)는 소전극(9a, 9b)의 중심 부분과 대응한다.A plurality of circular cutouts 27 are formed in the common electrode 270, and each cutout 27 corresponds to a central portion of the small electrodes 9a and 9b.

표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있으며, 두 편광자(12, 22)의 편광축은 직교한다.Alignment layers 11 and 21 are applied to the inner surfaces of the display panels 100 and 200, and they may be vertical alignment layers. Polarizers 12 and 22 are provided on outer surfaces of the display panels 100 and 200, and polarization axes of the two polarizers 12 and 22 are orthogonal to each other.

액정 표시 장치는 액정층(3)의 지연을 보상하기 위한 위상 지연막(retardation film)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다. 액정 표시 장치는 또한 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display may further include a phase retardation film (not shown) for compensating for the delay of the liquid crystal layer 3. The liquid crystal display may also include a polarizer 12 and 22, a phase retardation film, display panels 100 and 200, and a backlight unit (not shown) for supplying light to the liquid crystal layer 3.

액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며 액정층(3)의 액정 분자는 전기장이 없을 때 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 실질적으로 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.The liquid crystal layer 3 has a negative dielectric anisotropy and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are oriented such that their long axes are substantially perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 when there is no electric field. Therefore, the incident light is blocked without passing through the orthogonal polarizers 12 and 22.

공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(191)에 데이터 전압을 인가하면, 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 대략 수직인 전기장이 생성된다. 액정 분자(도시하지 않음)들은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장 방향에 수직이 되도 록 그 방향을 바꾸고자 한다. When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 191, an electric field substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated. Liquid crystal molecules (not shown) attempt to change their directions so that their major axis is perpendicular to the electric field direction in response to the electric field.

전기장 생성 전극(191, 270)의 절개부(27)와 화소 전극(191)의 변은 전기장을 왜곡하여 액정 분자들(31)의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다. 전기장의 수평 성분은 절개부(27)와 화소 전극(191)의 변에 거의 수직이다. 제1 소전극(9a) 및 제2 소전극(9b)의 네 변과 절개부(27)에 의해 형성되는 전기장에 의해 액정이 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자(31)가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.The edges of the cutout portions 27 of the electric field generating electrodes 191 and 270 and the pixel electrode 191 distort the electric field to produce a horizontal component that determines the oblique direction of the liquid crystal molecules 31. [ The horizontal component of the electric field is almost perpendicular to the sides of the cutout portion 27 and the pixel electrode 191. [ Since the liquid crystal is inclined by the electric field formed by the four sides of the first small electrode 9a and the second small electrode 9b and the cutout portion 27, The diagonal direction of the liquid crystal molecules 31 increases the reference viewing angle of the liquid crystal display device.

또한, 본 발명의 실시예에서는 박막 트랜지스터와 대응하는 부분에만 차광 부재를 형성함으로써 표 1에서와 같이 액정 표시 장치의 투과율이 증가한다. 포인트는 액정 표시 장치를 9부분으로 나누어 9개의 측정 지점을 나타내며, 포인트 5는 액정 표시 장치의 중앙이다. In addition, in the exemplary embodiment of the present invention, the light blocking member is formed only at a portion corresponding to the thin film transistor, thereby increasing the transmittance of the liquid crystal display as shown in Table 1. The point divides the liquid crystal display into nine parts to represent nine measurement points, and point 5 is the center of the liquid crystal display.

표 1은 차광 부재와 소전극으로 이루어지는 화소 전극을 가지는 종래에 액정 표시 장치의 투과율을 나타낸 표이고, 표 2는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 투과율이다.Table 1 is a table showing a transmittance of a liquid crystal display according to the present invention having a pixel electrode composed of a light blocking member and a small electrode, and Table 2 is a transmittance of a liquid crystal display according to the present invention.

[표 1][Table 1]

Figure 112006041292716-pat00001
Figure 112006041292716-pat00001

[표 2][Table 2]

Figure 112006041292716-pat00002
Figure 112006041292716-pat00002

표 1 및 표 2를 참조하여 포인트 5에서의 블랙 루미난스(luminance)를 비교하면 종래에는 0.3이나 본 발명에서는 0.31이고, 화이트 루미난스를 비교하면 종래에는 226에서 242.2로 증가한 것을 알 수 있다. 따라서 C/R 도 종래의 730.9에서 788.9로 증가한 것을 알 수 있다.Referring to Table 1 and Table 2, when comparing the black luminance (luminance) at the point 5 it is 0.3 in the prior art or 0.31 in the present invention, it can be seen that compared with the white luminescence increased from 226 to 242.2. Therefore, it can be seen that the C / R also increased from 730.9 to 788.9.

이상 설명한 바와 같이 본 발명은 차광 부재를 박막 트랜지스터와 대응하는 영역에만 형성함으로써 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율이 증가한다.As described above, the present invention increases the aperture ratio and transmittance of the liquid crystal display by forming the light blocking member only in a region corresponding to the thin film transistor.

또한, 사각형의 소전극과 공통 전극의 절개부를 형성함으로써 액정 표시 장치의 시야각이 커진다.In addition, the viewing angle of the liquid crystal display is increased by forming cutouts between the rectangular small electrode and the common electrode.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (8)

제1 기판,The first substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed on the first substrate, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 데이터선,A data line formed on the first substrate, 상기 게이트선 및 상기 데이터선과 전기적으로 연결되어 있는 박막 트랜지스터,A thin film transistor electrically connected to the gate line and the data line, 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있으며 제1 소전극 및 제2 소전극을 포함하며 상기 데이터선과 일부분이 중첩하는 화소 전극,A pixel electrode connected to the thin film transistor and including a first small electrode and a second small electrode and partially overlapping the data line; 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 소전극과 상기 제2 소전극 사이에 배치되어 있으며 상기 화소 전극과 중첩하는 부분을 가지는 유지 전극선,A storage electrode line formed on the first substrate and disposed between the first small electrode and the second small electrode and having a portion overlapping with the pixel electrode; 상기 제1 기판과 마주보는 제2 기판,A second substrate facing the first substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재,A light blocking member formed on the second substrate, 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 소전극 및 제2 소전극과 대응하는 절개부를 가지는 공통 전극,A common electrode formed on the second substrate and having a cutout corresponding to the first small electrode and the second small electrode, 상기 공통 전극 및 화소 전극 사이에 형성되어 있는 액정층을 포함하고,A liquid crystal layer formed between the common electrode and the pixel electrode, 상기 박막 트랜지스터는 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극,The thin film transistor may include a gate electrode connected to the gate line. 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체,A semiconductor overlapping the gate electrode; 상기 반도체 위에 형성되어 있는 드레인 전극,A drain electrode formed on the semiconductor, 상기 반도체 위에서 상기 드레인 전극과 마주하고 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극을 포함하고, A source electrode facing the drain electrode on the semiconductor and connected to the data line; 상기 드레인 전극은 상기 유지 전극선과 중첩하는 확장부를 포함하고,The drain electrode includes an extension that overlaps the sustain electrode line, 상기 제1 소전극 및 제2 소전극은 연결부에 의하여 서로 연결되며, The first small electrode and the second small electrode are connected to each other by a connecting portion, 상기 연결부는 상기 제1 소전극과 상기 제2 소전극을 일렬로 연결하는 세로부와 상기 세로부로부터 좌, 우로 돌출되어 상기 확장부와 연결되어 있는 돌출부로 이루어지는 The connecting part includes a vertical part connecting the first small electrode and the second small electrode in a line and a protrusion part protruding left and right from the vertical part and connected to the extension part. 액정 표시 장치.Liquid crystal display device. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 소전극 및 상기 제2 소전극은 모퉁이가 둘글려진 사각형인 액정 표시 장치.The first small electrode and the second small electrode are rectangular with rounded corners. 제1항에서,In claim 1, 상기 공통 전극 아래에 형성되어 있는 복수의 색필터를 더 포함하는 액정 표시 장치.And a plurality of color filters formed under the common electrode. 삭제delete 삭제delete 제1항에서,In claim 1, 상기 차광 부재는 상기 게이트선과 상기 박막 트랜지스터에 대응하는 위치에 위치하는 액정 표시 장치.The light blocking member is positioned at a position corresponding to the gate line and the thin film transistor. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 소전극과 상기 제2 소전극은 실질적으로 동일한 면적을 가지는 액정 표시 장치.And the first small electrode and the second small electrode have substantially the same area. 제1항에서,In claim 1, 이웃하는 상기 화소 전극의 간격은 4~7㎛인 액정 표시 장치.The liquid crystal display device of which the spacing of the adjacent pixel electrode is 4-7 micrometers.
KR1020060052982A 2006-06-13 2006-06-13 Liquid crystal display KR101272329B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060052982A KR101272329B1 (en) 2006-06-13 2006-06-13 Liquid crystal display
US11/675,300 US7830488B2 (en) 2006-06-13 2007-02-15 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060052982A KR101272329B1 (en) 2006-06-13 2006-06-13 Liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070118809A KR20070118809A (en) 2007-12-18
KR101272329B1 true KR101272329B1 (en) 2013-06-07

Family

ID=39137340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060052982A KR101272329B1 (en) 2006-06-13 2006-06-13 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101272329B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101545639B1 (en) 2008-12-12 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 Display substrate method of manufacturing the same and liquid crystal display device having the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060060843A (en) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060060843A (en) * 2004-12-01 2006-06-07 삼성전자주식회사 Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070118809A (en) 2007-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7880849B2 (en) Display panel with TFT and gate line disposed between sub-electrodes of pixel electrode
JP5009608B2 (en) Display board
US7817214B2 (en) Liquid crystal display device
KR101201969B1 (en) Liquid crystal display
KR101304902B1 (en) Liquid crystal display
KR20060114921A (en) Liquid crystal display
KR101230307B1 (en) Liquid crystal display device
US20080062370A1 (en) Liquid crystal display
KR20100065876A (en) Liquid crystal device and method for manufacturing the same
KR20080051536A (en) Liquid crystal display
JP2007004171A (en) Liquid crystal display device
KR20080002070A (en) Liquid crystal display
KR101272329B1 (en) Liquid crystal display
US7830488B2 (en) Liquid crystal display
KR20070087293A (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
KR20080036367A (en) Display panel
KR20060047023A (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
KR20060060843A (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR20070031580A (en) Liquid crystal display
JP2007011372A (en) Liquid crystal display
KR20080002028A (en) Liquid crystal display
KR20070117801A (en) Liquid crystal display
KR20050076402A (en) Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor
KR20080000859A (en) Display device
KR20070025443A (en) Thin film transistor array panel

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee