KR20070001374A - Liquid crystal display and manufacturing method thereof - Google Patents

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주묘경
김병주
허철
이상헌
강민
손경근
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Abstract

An LCD(Liquid Crystal Display) and a method of manufacturing the LCD are provided to improve the reliability of the LCD by preventing image from remaining. An LCD includes a light-shielding member formed on a substrate, a color filter formed on the light-shielding member, an overcoat film formed on the color filter, protrusions(251,252a,252b) formed on the overcoat film, and a common electrode formed on the overcoat film and the protrusions. The protrusions include a vertex and inclined faces. The protrusions and the overcoat film are integrated. The overcoat film is formed of a photosensitive organic insulating material. The LCD further includes a column spacer formed on the common electrode, and an alignment film formed on the column spacer.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}Liquid crystal display device and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이다.1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판에 대한 배치도이다.FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판에 대한 배치도이다.FIG. 3 is a layout view of a common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1.

도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV'-IV''-IV'''선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line IV-IV'-IV ''-IV '' '.

도 5 내지 도 8은 도 4의 공통 전극 표시판의 제조 방법을 차례로 보여주는 단면도이다.5 through 8 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the common electrode display panel of FIG. 4.

※도면의 주요부분에 대한 부호 설명※※ Explanation of symbols on main parts of drawing ※

110: 하부 기판 121: 게이트선110: lower substrate 121: gate line

124: 게이트 전극 131: 유지 전극선124: gate electrode 131: sustain electrode line

140: 게이트 절연막 151: 반도체140: gate insulating film 151: semiconductor

171: 데이터선 173: 소스 전극171: data line 173: source electrode

175: 드레인 전극 181, 182, 185: 접촉 구멍175: drain electrodes 181, 182, and 185: contact holes

191: 화소 전극 251: 중앙 돌기191: pixel electrode 251: center projection

252a: 하부 돌기 252b: 상부 돌기252a: lower projection 252b: upper projection

본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

액정 표시 장치는 가장 널리 사용되는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장을 생성하는 전계 생성 전극을 가지고 있으며, 간극(間隙)을 두고 있는 두 표시판과 표시판 사이의 간극에 채워진 액정층을 포함한다. 이러한 액정 표시 장치에서는 두 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전계를 형성함으로써 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 조절하여 영상을 표시한다. The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel displays, and includes a field generating electrode that generates an electric field such as a pixel electrode and a common electrode, and a liquid crystal layer filled in the gap between the display panel and the display panel having a gap therebetween. It includes. In such a liquid crystal display, an electric field is formed on the liquid crystal layer by applying a voltage to two field generating electrodes to determine the alignment of liquid crystal molecules and to adjust the polarization of incident light to display an image.

이러한 액정 표시 장치는 전계 생성 전극과 이에 연결된 박막 트랜지스터를 포함하며 행렬의 형태로 배열되어 있는 복수의 화소와 이에 신호를 전달하는 복수의 신호선을 포함한다. 신호선에는 주사 신호를 전달하는 게이트선과 데이터 신호를 전달하는 데이터선 등이 있으며, 각 화소는 전계 생성 전극과 박막 트랜지스터 외에도 색상을 표시하기 위한 색필터를 포함한다. The liquid crystal display includes a plurality of pixels including a field generating electrode and a thin film transistor connected thereto and arranged in a matrix form, and a plurality of signal lines transferring signals thereto. The signal line includes a gate line for transmitting a scan signal and a data line for transmitting a data signal, and each pixel includes a color filter for displaying color in addition to the field generating electrode and the thin film transistor.

게이트선, 데이터선, 화소 전극 및 박막 트랜지스터는 두 표시판 중 한쪽에 배치되어 있으며 이 표시판을 통상 박막 트랜지스터 표시판이라 한다. 다른 표시판에는 공통 전극과 색필터 따위가 구비되어 있는 것이 일반적이며 이 표시판은 통상 공통 전극 표시판이라 하고, 박막 트랜지스터 표시판과 공통 전극 표시판 사이 에는 액정층이 존재한다.The gate line, the data line, the pixel electrode, and the thin film transistor are disposed on one of the two display panels, and this display panel is commonly referred to as a thin film transistor display panel. The other display panel is generally provided with a common electrode and a color filter. The display panel is commonly referred to as a common electrode display panel, and a liquid crystal layer exists between the thin film transistor array panel and the common electrode display panel.

이와 같은 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 전기장을 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경하고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.Such a liquid crystal display forms an electric field by applying different potentials to the pixel electrode and the common electrode to change the arrangement of the liquid crystal molecules, and thereby displays an image by adjusting the light transmittance.

한편, 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 것이 단점이 됨에 따라 시야각을 넓히기 위해 액정 분자를 상하 기판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 공통 전극에 일정한 절개 패턴을 만들거나 돌기를 만들어 화소를 다중 도메인으로 분할하는 방법이 유력시되고 있다. 이때, 돌기는 저유전율을 가지는 유기 절연물을 포함한다.On the other hand, the disadvantage of the liquid crystal display device is that the narrow viewing angle is disadvantageous, in order to widen the viewing angle, the liquid crystal molecules are oriented vertically with respect to the upper and lower substrates, and the pixel is divided into multiple domains by making a constant cutting pattern or protrusion on the pixel electrode and the common electrode. How to do this is becoming prominent. At this time, the projections include an organic insulator having a low dielectric constant.

그러나 돌기를 이용하여 다중 도메인으로 분할할 경우, 액정층에 노출되어 있는 돌기는 이온성 물질이나 저분자 물질을 배출한다. 이로 인해, 액정층이 오염되어 잔상이 생길 수 있다.However, when divided into multiple domains using protrusions, the protrusions exposed to the liquid crystal layer emit ionic materials or low molecular materials. For this reason, the liquid crystal layer may be contaminated and an afterimage may occur.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 액정 표시 장치의 잔상을 방지하여 액정 표시 장치의 신뢰성을 향상하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which prevents afterimages of the liquid crystal display device, thereby improving the reliability of the liquid crystal display device.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 기판 위에 형성되어 있는 차광 부재, 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 색필터, 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막, 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 돌기, 그리고 상기 덮개막 및 상기 돌기 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하며, 상기 돌기는 정점과 기울어진 면을 포함한다.In order to solve this problem, a liquid crystal display and a method of manufacturing the same according to the present invention include a light blocking member formed on a substrate, a color filter formed on the light blocking member, an overcoat formed on the color filter, and an overcoat. And a projection formed thereon, and a common electrode formed on the overcoat and the projection, wherein the projection includes a vertex and an inclined surface.

상기 돌기와 상기 덮개막은 일체일 수 있다.The protrusion and the overcoat may be integrated.

상기 덮개막은 감광성 유기 절연물을 포함할 수 있다.The overcoat may include a photosensitive organic insulator.

상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 기둥형 간격재, 그리고 상기 기둥형 간격재 위에 형성되어 있는 배향막을 더 포함할 수 있다.It may further include a columnar spacer formed on the common electrode, and an alignment layer formed on the columnar spacer.

기판, 상기 기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계, 상기 차광 부재 위에 색필터를 형성하는 단계, 상기 색필터 위에 덮개막을 형성하는 단계, 상기 덮개막을 사진 식각하여 표면에 돌기를 형성하는 단계, 그리고 상기 덮개막 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함한다.Forming a light blocking member on the substrate, forming a color filter on the light blocking member, forming an overcoat on the color filter, photo etching the overcoat to form protrusions on the surface, and the lid Forming a common electrode over the film.

상기 돌기는 정점과 기울어진 면을 가질 수 있다.The protrusion may have a vertex and an inclined surface.

상기 덮개막 사진 식각은 슬릿 마스크를 사용할 수 있다.The overcoat photo etch may use a slit mask.

상기 공통 전극 위에 기둥형 간격재를 형성하는 단계, 그리고 상기 공통 전극 및 상기 기둥형 간격재 위에 배향막을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a columnar spacer on the common electrode, and applying an alignment layer on the common electrode and the columnar spacer.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙 였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

그러면, 도 1 내지 도 4를 참고로 하여 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에 대하여 상세히 설명한다. Next, the structure of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 2는 도 1의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판에 대한 배치도이고, 도 3은 도 1의 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판에 대한 배치도이고, 도 4는 도 1의 액정 표시 장치를 IV-IV'-IV''-IV'''선을 따라 잘라 도시한 단면도이다. 1 is a layout view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout view of a thin film transistor array panel for the liquid crystal display of FIG. 1, and FIG. 3 is a common electrode display panel for the liquid crystal display of FIG. 1. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display of FIG. 1 taken along the line IV-IV'-IV ''-IV '' '.

도 1 내지 도 4를 참고하면, 본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 표시판(100), 공통 전극 표시판(200) 및 그 사이에 들어 있는 액정층(3)을 포함한다.1 to 4, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a thin film transistor array panel 100, a common electrode panel 200, and a liquid crystal layer 3 interposed therebetween.

먼저, 도 1, 도 2 및 도 4를 참고로 하여 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 설명한다.First, the thin film transistor array panel 100 will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 4.

투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121) 및 복수의 유지 전극선(storage electrodes lines)(131)이 형성되어 있다.A plurality of gate lines 121 and a plurality of storage electrode lines 131 are formed on an insulating substrate 110 made of transparent glass or plastic.

게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며, 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 아래 위로 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)과 다른 층 또는 구동 회로와의 접속을 위한 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함한다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)는 기판(110) 위에 부착되는 가요성 인쇄 회로막(flexible printed circuit film)(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 게이트 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다.The gate line 121 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 121 includes a plurality of gate electrodes 124 protruding up and down, and end portions 129 having a large area for connection with other layers or driving circuits. A gate driving circuit (not shown) for generating a gate signal may be mounted on a flexible printed circuit film (not shown) attached to the substrate 110 or directly mounted on the substrate 110, It may be integrated into the substrate 110. When the gate driving circuit is integrated on the substrate 110, the gate line 121 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

유지 전극선(131)은 소정의 전압을 인가 받으며, 게이트선(121)과 거의 나란하게 뻗은 줄기선과 이로부터 갈라진 복수의 제1, 제2, 제3 및 제4 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d) 집합 및 복수의 연결부(133e)를 포함한다. 유지 전극선(131) 각각은 인접한 두 게이트선(121) 사이에 위치하며 줄기선은 두 게이트선(12) 중 위쪽에 가깝다.The storage electrode line 131 receives a predetermined voltage and has a stem line extending substantially in parallel with the gate line 121 and a plurality of first, second, third and fourth storage electrodes 133a, 133b, 133c, 133d) an assembly and a plurality of connecting portions 133e. Each of the storage electrode lines 131 is positioned between two adjacent gate lines 121, and the stem line is closer to the upper side of the two gate lines 12.

제1 및 제2 유지 전극(133a, 133b)은 세로 방향으로 뻗으며 서로 마주한다. 제1 유지 전극(133a)은 줄기선에 연결된 고정단과 그 반대 쪽의 자유단을 가지며, 자유단은 돌출부를 포함한다. 제3 및 제4 유지 전극(133c, 133d)은 대략 제1 유지 전극(133a)의 중앙에서 제2 유지 전극(133b)의 하단 및 상단까지 비스듬하게 뻗어 있다. 그러나 유지 전극선(131)의 모양 및 배치는 여러 가지로 변형될 수 있다.The first and second storage electrodes 133a and 133b extend in the vertical direction and face each other. The first storage electrode 133a has a fixed end connected to the stem line and a free end opposite thereto, and the free end includes a protrusion. The third and fourth storage electrodes 133c and 133d extend obliquely from the center of the first storage electrode 133a to the lower end and the upper end of the second storage electrode 133b. However, the shape and arrangement of the storage electrode line 131 may be modified in various ways.

알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하 지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 이 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 비저항(resistivity)이 낮은 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 만들어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 물리적, 화학적, 전기적 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 탄탈륨, 티타늄 등으로 만들어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막 및 알루미늄 (합금) 하부막과 몰리브덴 (합금) 상부막을 들 수 있다. 그러나 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다.Aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum-based metals such as molybdenum (Mo) and molybdenum alloys, and chromium ( Cr), tantalum (Ta) and titanium (Ti). However, they may have a multilayer structure including two conductive films (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a metal having low resistivity, such as aluminum-based metal, silver-based metal, or copper-based metal, so as to reduce signal delay or voltage drop. In contrast, other conductive films are made of other materials, particularly materials having excellent physical, chemical, and electrical contact properties with indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, tantalum, and titanium. Good examples of such a combination include a chromium bottom film, an aluminum (alloy) top film, and an aluminum (alloy) bottom film and a molybdenum (alloy) top film. However, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various other metals or conductors.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80° 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle thereof is preferably about 30 ° to about 80 °.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소 등으로 만들어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(154)를 포함한다. 선형 반도체(151)는 게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 부근에서 너비가 넓어져 이들을 폭넓게 덮고 있다. On the gate insulating layer 140, a plurality of linear semiconductors 151 made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated a-Si), polycrystalline silicon, or the like are formed. The linear semiconductor 151 mainly extends in the vertical direction and includes a plurality of protrusions 154 extending toward the gate electrode 124. The linear semiconductor 151 has a wider width in the vicinity of the gate line 121 and the storage electrode line 131 and covers them widely.

반도체(151) 위에는 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161, 165)는 인 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 배치되어 있다.A plurality of linear and island ohmic contacts 161 and 165 are formed on the semiconductor 151. The ohmic contacts 161 and 165 may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus are heavily doped, or may be made of silicide. The linear ohmic contact 161 has a plurality of protrusions 163, and the protrusion 163 and the island-type ohmic contact 165 are paired and disposed on the protrusion 154 of the semiconductor 151.

반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)의 측면 역시 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30°내지 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the semiconductor 151 and the ohmic contacts 161, 163, and 165 are also inclined with respect to the surface of the substrate 110, and the inclination angle is preferably about 30 ° to 80 °.

저항성 접촉 부재(161, 163, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(data line)(171)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175) 및 복수의 고립된 금속편(isolated metal piece)(178)이 형성되어 있다. A plurality of data lines 171, a plurality of drain electrodes 175, and a plurality of isolated metal pieces are formed on the ohmic contacts 161, 163, and 165 and the gate insulating layer 140. 178 is formed.

데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121), 유지 전극선(131)의 줄기선 및 연결부(133e)와 교차한다. 각 데이터선(171)은 게이트 전극(124)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(173)과 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위한 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음) 위에 장착되거나, 기판(110) 위에 직접 장착되거나, 기판(110)에 집적될 수 있다. 데이터 구동 회로가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 이와 직접 연결될 수 있다. The data line 171 transmits a data signal and mainly extends in a vertical direction to intersect the gate line 121, the stem line of the storage electrode line 131, and the connecting portion 133e. Each data line 171 includes a plurality of source electrodes 173 extending toward the gate electrode 124 and a wide end portion 179 for connection with another layer or an external device. It may be mounted on a data driving circuit (not shown) that generates a data signal, mounted directly on the substrate 110, or integrated on the substrate 110. When the data driving circuit is integrated on the substrate 110, the data line 171 may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

드레인 전극(175)은 데이터선(171)과 분리되어 있고 게이트 전극(124)을 중심으로 소스 전극(173)과 마주 본다. 각 드레인 전극(175)은 면적이 넓은 한 쪽 끝 부분과 막대형인 다른 쪽 끝 부분을 가지고 있다. 넓은 끝 부분은 구부러진 소스 전극(173)으로 일부 둘러싸여 있다. The drain electrode 175 is separated from the data line 171 and faces the source electrode 173 with respect to the gate electrode 124. Each drain electrode 175 has one end portion having a large area and the other end portion having a rod shape. The wide end is partially surrounded by the bent source electrode 173.

하나의 게이트 전극(124), 하나의 소스 전극(173) 및 하나의 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.One gate electrode 124, one source electrode 173, and one drain electrode 175 together with the protrusion 154 of the semiconductor 151 form one thin film transistor (TFT). A channel of the transistor is formed in the protrusion 154 between the source electrode 173 and the drain electrode 175.

고립 금속편(178)은 제1 유지 전극(133a) 부근의 게이트선(121) 위에 위치한다.The isolated metal piece 178 is positioned on the gate line 121 near the first storage electrode 133a.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 금속편(178)은 몰리브덴 , 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 크롬 또는 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 상부막의 이중막 및 몰리브덴 (합금) 하부막과 알루미늄 (합금) 중간막과 몰리브덴 (합금) 상부막의 삼중막을 들 수 있다. 그러나 데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 금속편(178)은 이외에도 여러 가지 다양한 금속 또는 도전체로 만들어질 수 있다. The data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 are preferably made of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum, and titanium, or an alloy thereof, and a refractory metal film (not shown). And a low resistance conductive film (not shown). Examples of the multilayer structure include a double layer of chromium or molybdenum (alloy) lower layer and an aluminum (alloy) upper layer, and a triple layer of molybdenum (alloy) lower layer, aluminum (alloy) interlayer and molybdenum (alloy) upper layer. However, the data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 may be made of various other metals or conductors.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 금속편(178) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 약 30°내지 80°정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다. The side of the data line 171, the drain electrode 175, and the metal piece 178 may also be inclined at an inclination angle of about 30 ° to about 80 ° with respect to the surface of the substrate 110.

저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 그 아래의 반도체(151, 154)와 그 위의 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에만 존재하며 접촉 저항을 낮추어 준다. 대부분의 곳에서는 선형 반도체(151)의 너비가 데이터선(171)의 너비보다 작지만, 앞서 설명하였듯이 게이트선(121)과 만나는 부분에서 너비가 넓어져 표면의 프로파일을 부드럽게 함으로써 데이터선(171)이 단선되는 것을 방지한다. 반도체(151, 154)에는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이를 비롯하여 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)으로 가리지 않고 노출된 부분이 있다. The ohmic contacts 161, 163, and 165 exist only between the semiconductors 151 and 154 below and the data line 171 and the drain electrode 175 thereon, thereby lowering the contact resistance. In most places, the width of the linear semiconductor 151 is smaller than the width of the data line 171. However, as described above, the width of the linear semiconductor 151 is widened at the portion where it meets the gate line 121 to smooth the profile of the surface. Prevents disconnection. The semiconductors 151 and 154 have portions exposed between the source electrode 173 and the drain electrode 175 and not covered by the data line 171 and the drain electrode 175.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 금속편(178) 및 노출된 반도체(151) 부분의 위에는 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 무기 절연물 또는 유기 절연물 따위로 만들어지며 표면이 평탄할 수 있다. 무기 절연물의 예로는 질화규소와 산화규소를 들 수 있다. 유기 절연물은 감광성(photosensitivity)을 가질 수 있으며 그 유전 상수(dielectric constant)는 약 4.0 이하인 것이 바람직하다. 그러나 보호막(180)은 유기막의 우수한 절연 특성을 살리면서도 노출된 반도체(151) 부분에 해가 가지 않도록 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.A passivation layer 180 is formed on the data line 171, the drain electrode 175, the metal piece 178, and the exposed portion of the semiconductor 151. The passivation layer 180 may be made of an inorganic insulator or an organic insulator, and may have a flat surface. Examples of the inorganic insulator include silicon nitride and silicon oxide. The organic insulator may have photosensitivity and the dielectric constant is preferably about 4.0 or less. However, the passivation layer 180 may have a double layer structure of the lower inorganic layer and the upper organic layer so as not to damage the exposed portion of the semiconductor 151 while maintaining excellent insulating properties of the organic layer.

보호막(180)에는 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180)과 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181), 제1 유지 전극(133a) 고정단 부근의 유지 전극선(131) 일부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183a), 그리고 제1 유지 전극(133a) 자유단의 돌출부를 드러내는 복수의 접촉 구멍(183b)이 형성되어 있다. In the passivation layer 180, a plurality of contact holes 182 and 185 exposing the end portion 179 and the drain electrode 175 of the data line 171 are formed, respectively, and the passivation layer 180 and the gate insulating layer are formed. In the 140, a plurality of contact holes 181 exposing the end portion 129 of the gate line 121 and a plurality of contact holes 183a exposing a part of the storage electrode line 131 near the fixed end of the first storage electrode 133a. And a plurality of contact holes 183b exposing the protruding portion of the free end of the first storage electrode 133a.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82) 및 복수의 연결 다리(overpass)(83)가 형성되어 있다. 이들은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄 또는 은 합금의 반사성이 우수한 금속 중 적어도 하나로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes 191, a plurality of contact assistants 81 and 82, and a plurality of overpasses 83 are formed on the passivation layer 180. These may be made of at least one of a transparent conductive material such as ITO or IZO or a metal having excellent reflectivity of aluminum or silver alloy.

화소 전극(191)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전극(270)과 함께 전기장을 생성함으로써 액정층(3)의 액정 분자(31)의 방향을 결정한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode 191 is physically and electrically connected to the drain electrode 175 through the contact hole 185 to receive a data voltage from the drain electrode 175. The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied determines the direction of the liquid crystal molecules 31 of the liquid crystal layer 3 by generating an electric field together with the common electrode 270. The pixel electrode 191 and the common electrode 270 form a capacitor (hereinafter, referred to as a "liquid crystal capacitor") to maintain an applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

화소 전극(191)은 유지 전극(133a-133d)을 비롯한 유지 전극선(131)과 중첩하며, 화소 전극(191) 및 이와 전기적으로 연결된 드레인 전극(175)이 유지 전극선(131)과 중첩하여 이루는 축전기를 유지 축전기(storage capacitor)라 하며, 유지 축전기는 액정 축전기의 전압 유지 능력을 강화한다.The pixel electrode 191 overlaps the storage electrode line 131 including the storage electrodes 133a-133d, and the capacitor is formed by the pixel electrode 191 and the drain electrode 175 electrically connected thereto overlap the storage electrode line 131. Is called a storage capacitor, which strengthens the voltage holding capability of the liquid crystal capacitor.

각 화소 전극(191)은 게이트선(121) 또는 데이터선(171)과 거의 평행한 네 개의 주 변을 가지며 왼쪽 모퉁이가 모따기되어 있는(chamfered) 대략 사각형 모양이다. Each pixel electrode 191 has four peripheral sides substantially parallel to the gate line 121 or the data line 171 and has a substantially rectangular shape in which the left corner is chamfered.

화소 전극(191)의 모딴 빗변은 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이룬다.The hypotenuse of the pixel electrode 191 forms an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

화소 전극(191)에는 중앙 절개부(91), 하부 절개부(92a) 및 상부 절개부(92b)가 형성되어 있으며, 화소 전극(191)은 이들 절개부(91-92b)에 의하여 복수의 영역(partition)으로 분할된다. 절개부(91-92b)는 화소 전극(191)을 이등분하는 가상의 가로 중심선에 대하여 거의 반전 대칭을 이룬다.A central cutout 91, a lower cutout 92a, and an upper cutout 92b are formed in the pixel electrode 191, and the pixel electrode 191 includes a plurality of regions by the cutouts 91-92b. It is divided into partitions. The cutouts 91-92b are almost inverted symmetric with respect to an imaginary transverse centerline that bisects the pixel electrode 191.

하부 및 상부 절개부(92a, 92b)는 대략 화소 전극(191)의 오른쪽 변에서부터 왼쪽 변으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 화소 전극(191)의 가로 중심선에 대하여 하반부와 상반부에 각각 위치하고 있다. 하부 및 상부 절개부(92a, 92b)는 게이트선(121)에 대하여 약 45°의 각도를 이루며 서로 수직하게 뻗어 있다.The lower and upper cutouts 92a and 92b extend obliquely from the right side to the left side of the pixel electrode 191, and are positioned at the lower half and the upper half with respect to the horizontal centerline of the pixel electrode 191. The lower and upper cutouts 92a and 92b extend perpendicular to each other at an angle of about 45 ° with respect to the gate line 121.

중앙 절개부(91)는 화소 전극(191)의 가로 중심선을 따라 뻗으며 오른쪽 변 쪽에 입구를 가지고 있다. 중앙 절개부(91)의 입구는 하부 절개부(92a)와 상부 절개부(92b)에 각각 거의 평행한 한 쌍의 빗변을 가지고 있다.The central cutout 91 extends along the horizontal centerline of the pixel electrode 191 and has an inlet at the right side thereof. The inlet of the central incision 91 has a pair of hypotenuses substantially parallel to the lower incision 92a and the upper incision 92b, respectively.

따라서, 화소 전극(191)의 하반부는 하부 절개부(92a)에 의하여 두 개의 영역(partition)으로 나누어지고, 상반부 또한 상부 절개부(92b)에 의하여 두 개의 영역으로 분할된다. 이때, 영역의 수효 또는 절개부의 수효는 화소 전극(191)의 크기, 화소 전극(191)의 가로변과 세로 변의 길이 비, 액정층(3)의 종류나 특성 등 설계 요소에 따라서 달라질 수 있다.Accordingly, the lower half of the pixel electrode 191 is divided into two regions by the lower cutout 92a, and the upper half is also divided into two regions by the upper cutout 92b. In this case, the number of regions or the number of cutouts may vary according to design elements such as the size of the pixel electrode 191, the length ratio of the horizontal side and the vertical side of the pixel electrode 191, and the type or characteristics of the liquid crystal layer 3.

접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 각각 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 데이터선(171) 및 게이트선(121)의 끝 부분(179, 129)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.The contact auxiliary members 81 and 82 are connected to the end portion 129 of the gate line 121 and the end portion 179 of the data line 171 through the contact holes 181 and 182, respectively. The contact auxiliary members 81 and 82 compensate for and protect the adhesion between the end portions 179 and 129 of the data line 171 and the gate line 121 and the external device.

연결 다리(83)는 게이트선(121)을 가로지르며, 게이트선(121)을 사이에 두고 반대 쪽에 위치하는 접촉 구멍(183a, 183b)을 통하여 유지 전극선(131)의 노출된 부분과 제1 유지 전극(133a) 자유단의 노출된 끝 부분에 연결되어 있다. 연결 다리(83)는 금속편(178)과 중첩하며 금속편(178)과 전기적으로 연결될 수도 있다. 유지 전극(133a-133d)을 비롯한 유지 전극선(131)은 연결 다리(83) 및 금속편(178)과 함께 게이트선(121)이나 데이터선(171) 또는 박막 트랜지스터의 결함을 수리하는 데 사용할 수 있다. The connecting leg 83 crosses the gate line 121, and exposes the first portion and the first holding portion of the storage electrode line 131 through contact holes 183a and 183b positioned on opposite sides with the gate line 121 interposed therebetween. The electrode 133a is connected to the exposed end of the free end. The connecting leg 83 may overlap the metal piece 178 and be electrically connected to the metal piece 178. The storage electrode lines 131, including the storage electrodes 133a-133d, may be used together with the connecting legs 83 and the metal pieces 178 to repair defects in the gate line 121, the data line 171, or the thin film transistor. .

다음, 도 1, 도 3 및 도 4를 참고로 하여, 공통 전극 표시판(200)에 대하여 설명한다.Next, the common electrode display panel 200 will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4.

투명한 유리 또는 플라스틱 등으로 만들어진 절연 기판(210) 위에 차광 부재(light blocking member)(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 하며 빛을 차단한다. 차광 부재(220)는 화소 전극(191)과 마주보며 화소 전극(191)과 거의 동일한 모양을 가지는 복수의 개구부(225)를 가지고 있다. 그러나 차광 부재(220)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)에 대응하는 부분과 박막 트랜지스터에 대응하는 부분으로 이루어질 수 있다.A light blocking member 220 is formed on an insulating substrate 210 made of transparent glass, plastic, or the like. The light blocking member 220 is called a black matrix and blocks light. The light blocking member 220 has a plurality of openings 225 facing the pixel electrode 191 and having substantially the same shape as the pixel electrode 191. However, the light blocking member 220 may include a portion corresponding to the gate line 121 and the data line 171 and a portion corresponding to the thin film transistor.

기판(210) 위에는 또한 복수의 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)는 차광 부재(230)로 둘러싸인 영역 내에 대부분 존재하며, 화소 전극(191) 열을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗을 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다.A plurality of color filters 230 is also formed on the substrate 210. The color filter 230 is mostly present in an area surrounded by the light blocking member 230, and may extend in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191. The color filter 230 may display one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue.

색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 덮개막(overcoat)(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 정점과 기울어진 면을 포함하는 복수의 돌기(protrusion)(251, 252a, 252b) 집합을 가지며, 색필터(230)가 노출되는 것을 방지 한다. 여기서, 덮개막(250)은 감광성 유기 절연물로 만들어지는 것이 바람직하다.An overcoat 250 is formed on the color filter 230 and the light blocking member 220. The overcoat 250 has a plurality of protrusions 251, 252a, and 252b including a vertex and an inclined surface, and prevents the color filter 230 from being exposed. Here, the overcoat 250 is preferably made of a photosensitive organic insulator.

하나의 돌기(251-252b) 집합은 하나의 화소 전극(191)과 마주하며 중앙 돌기(251), 하부 돌기(252a) 및 상부 돌기(252b)를 포함한다. 돌기(251-252b) 각각은 화소 전극(191)의 인접 절개부(91, 92a, 92b) 사이 또는 돌기(251-252b)와 화소 전극(191)의 모딴 빗변 사이에 배치되어 있다. 또한, 각 돌기(251-252b)는 화소 전극(191)의 하부 절개부(92a) 또는 상부 절개부(92b)와 평행하게 뻗은 적어도 하나의 사선부를 포함한다. 돌기(251-252b)는 화소 전극(191)의 가로 중심선에 대하여 거의 반전 대칭을 이룬다.One set of protrusions 251-252b faces one pixel electrode 191 and includes a central protrusion 251, a lower protrusion 252a, and an upper protrusion 252b. Each of the protrusions 251-252b is disposed between adjacent cutouts 91, 92a, and 92b of the pixel electrode 191, or between the protrusions 251-252b and the hypotenuse of the pixel electrode 191. In addition, each of the protrusions 251-252b includes at least one diagonal line extending in parallel with the lower cutout 92a or the upper cutout 92b of the pixel electrode 191. The protrusions 251-252b are substantially inverted symmetric with respect to the horizontal center line of the pixel electrode 191.

하부 및 상부 돌기(252a, 252b)는 각각 사선부와 가로부 및 세로부를 포함한다. 사선부는 대략 화소 전극(191)의 위쪽 또는 아래쪽 변에서 왼쪽 변으로 뻗는다. 가로부 및 세로부는 사선부의 각 끝에서부터 화소 전극(191)의 변을 따라 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.The lower and upper protrusions 252a and 252b respectively include an oblique portion, a horizontal portion and a vertical portion. The diagonal portion extends from the upper side or the lower side of the pixel electrode 191 to the left side. The horizontal part and the vertical part extend from each end of the oblique part along the sides of the pixel electrode 191 while overlapping the sides and form an obtuse angle with the oblique part.

중앙 돌기(251)는 중앙 가로부, 한 쌍의 사선부 및 한 쌍의 종단 세로부를 포함한다. 중앙 가로부는 대략 화소 전극(191)의 왼쪽 변에서부터 화소 전극(191)의 가로 중심선을 따라 오른쪽으로 뻗으며, 한 쌍의 사선부는 중앙 가로부의 끝에서부터 화소 전극(191)의 오른쪽 변을 향하여 각각 하부 및 상부 돌기(252a, 252b)와 거의 나란하게 뻗는다. 종단 세로부는 해당 사선부의 끝에서부터 화소 전극(191)의 오른쪽 변을 따라 오른쪽 변과 중첩하면서 뻗으며 사선부와 둔각을 이룬다.The central protrusion 251 includes a central horizontal portion, a pair of diagonal lines and a pair of longitudinal longitudinal portions. The central horizontal portion extends from the left side of the pixel electrode 191 to the right along the horizontal center line of the pixel electrode 191, and the pair of diagonal portions respectively lower toward the right side of the pixel electrode 191 from the end of the central horizontal portion. And almost parallel to the upper protrusions 252a and 252b. The vertical longitudinal portion extends along the right side of the pixel electrode 191 from the end of the diagonal line and overlaps the right side, and forms an obtuse angle with the diagonal line.

이러한 돌기(251-252b)는 덮개막(250)과 분리되어 있을 수도 있다.The protrusions 251-252b may be separated from the overcoat 250.

덮개막(250) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO, IZO 등의 투명한 도전체 따위로 만들어진다. 공통 전극(270)은 덮개막(250) 위에 만들어진 돌기(251-252b)를 따라 돌출된 부분이 있다.The common electrode 270 is formed on the overcoat 250. The common electrode 270 is made of a transparent conductor such as ITO or IZO. The common electrode 270 protrudes along the protrusions 251-252b formed on the overcoat 250.

이와 같이, 공통 전극(270)이 돌기(251-252b)를 덮어 돌기(251-252b)가 이온성 물질이나 저분자 물질을 배출하는 것을 방지함으로써 액정층(3)의 오염을 방지하고 액정 표시 장치의 잔상을 없앨 수 있다.As such, the common electrode 270 covers the protrusions 251-252b to prevent the protrusions 251-252b from discharging the ionic material or the low molecular material, thereby preventing contamination of the liquid crystal layer 3 and Afterimage can be removed.

공통 전극(270) 위에는 기둥형 간격재(320)가 형성되어 있다. 기둥형 간격재(320)는 표시판(100, 200) 간의 간격을 유지하며 액정층(3)이 주입될 공간을 확보한다.The columnar spacer 320 is formed on the common electrode 270. The columnar spacer 320 maintains a gap between the display panels 100 and 200 and secures a space in which the liquid crystal layer 3 is to be injected.

표시판(100, 200)의 안쪽 면에는 배향막(alignment layer)(11, 21)이 도포되어 있으며 이들은 수직 배향막일 수 있다. 그리고 표시판(100, 200)의 바깥쪽 면에는 편광자(polarizer)(12, 22)가 구비되어 있는데, 두 편광자(12, 22)의 편광축은 직교하며 이중 한 편광축은 게이트선(121)에 대하여 나란한 것이 바람직하다. 반사형 액정 표시 장치의 경우에는 두 개의 편광자(12, 22) 중 하나가 생략될 수 있다.Alignment layers 11 and 21 are coated on inner surfaces of the display panels 100 and 200, and they may be vertical alignment layers. In addition, polarizers 12 and 22 are provided on the outer surfaces of the display panels 100 and 200, and polarization axes of the two polarizers 12 and 22 are orthogonal and one polarization axis is parallel to the gate line 121. It is preferable. In the case of a reflective liquid crystal display, one of the two polarizers 12 and 22 may be omitted.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정층(3)의 지연을 보상하기 위한 위상 지연막(retardation film)(도시하지 않음)을 더 포함할 수 있다.The liquid crystal display according to the present exemplary embodiment may further include a phase retardation film (not shown) for compensating for the delay of the liquid crystal layer 3.

액정 표시 장치는 편광자(12, 22), 위상 지연막, 표시판(100, 200) 및 액정층(3)에 빛을 공급하는 조명부(backlight unit)(도시하지 않음)를 포함할 수 있다.The liquid crystal display may include a polarizer 12 and 22, a phase retardation film, display panels 100 and 200, and a backlight unit (not shown) for supplying light to the liquid crystal layer 3.

액정층(3)은 음의 유전율 이방성을 가지며, 액정층(3)의 액정 분자는 전기장 이 없는 상태에서 그 장축이 두 표시판(100, 200)의 표면에 대하여 수직을 이루도록 배향되어 있다. 따라서 입사광은 직교 편광자(12, 22)를 통과하지 못하고 차단된다.The liquid crystal layer 3 has negative dielectric anisotropy, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 3 are aligned such that their major axes are perpendicular to the surfaces of the two display panels 100 and 200 in the absence of an electric field. Therefore, incident light does not pass through the quadrature polarizers 12 and 22 and is blocked.

공통 전극(270)에 공통 전압을 인가하고 화소 전극(191)에 데이터 전압을 인가하면 표시판(100, 200)의 표면에 거의 수직인 전기장(전계)이 생성된다. 액정 분자들은 전기장에 응답하여 그 장축이 전기장의 방향에 수직을 이루도록 방향을 바꾸고자 한다. 앞으로는 화소 전극(191)과 공통 전극(270)을 통틀어 전기장 생성 전극이라 한다.When a common voltage is applied to the common electrode 270 and a data voltage is applied to the pixel electrode 191, an electric field (electric field) substantially perpendicular to the surfaces of the display panels 100 and 200 is generated. In response to the electric field, the liquid crystal molecules attempt to change their long axis to be perpendicular to the direction of the electric field. In the future, the pixel electrode 191 and the common electrode 270 are collectively referred to as an electric field generating electrode.

전기장 생성 전극(191, 270)의 절개부(91-92b)는 전기장을 왜곡하여 액정 분자들의 경사 방향을 결정하는 수평 성분을 만들어낸다.The cutouts 91-92b of the field generating electrodes 191 and 270 distort the electric field to create horizontal components that determine the inclination direction of the liquid crystal molecules.

이와 더불어 돌기(251-252b)와 그 위의 공통 전극(270)의 돌출된 부분은 액정 분자들을 미리 기울어지게 만든다. 또한 공통 전극(270)의 돌출한 부분은 전기장을 왜곡하여 수평 성분을 만들어낸다.In addition, the protruding portions of the protrusions 251-252b and the common electrode 270 thereon tilt the liquid crystal molecules in advance. In addition, the protruding portion of the common electrode 270 distorts the electric field to produce a horizontal component.

전기장의 수평 성분은 절개부(91-92b)와 돌기(251-252b)의 변과 화소 전극(191)의 변에 거의 수직이다.The horizontal component of the electric field is substantially perpendicular to the sides of the cutouts 91-92b and the projections 251-252b and the sides of the pixel electrode 191.

도 3을 참고하면, 하나의 절개부 집합(91-92b)과 돌기(251-252b)는 화소 전극(191)을 복수의 부영역(sub-area)으로 나누며, 각 부영역은 화소 전극(191)의 주 변과 빗각을 이루는 두 개의 주 변(major edge)을 가진다. 각 부영역 위의 액정 분자들은 대부분 주 변에 수직인 방향으로 기울어지므로, 기울어지는 방향을 추려보면 대략 네 방향이다. 이와 같이 액정 분자가 기울어지는 방향을 다양하게 하면 액정 표시 장치의 기준 시야각이 커진다.Referring to FIG. 3, one set of cutouts 91-92b and protrusions 251-252b divide the pixel electrode 191 into a plurality of sub-areas, and each sub-region is the pixel electrode 191. It has two major edges forming an oblique angle with the periphery. Most of the liquid crystal molecules on each subregion are inclined in a direction perpendicular to the periphery thereof, and thus, the inclination directions are approximately four directions. As described above, when the liquid crystal molecules are inclined in various directions, the reference viewing angle of the liquid crystal display is increased.

절개부(91-92b) 및 돌기(251-252b)의 모양 및 배치는 변형될 수 있다.The shape and arrangement of the cutouts 91-92b and the protrusions 251-252b may be modified.

그러면, 이러한 도 1 내지 도 4에 도시한 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 5 내지 도 8을 참고로 하여 상세히 설명한다.Next, a method of manufacturing the common electrode display panel for the liquid crystal display device illustrated in FIGS. 1 to 4 according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 8.

도 5 내지 도 8은 도 4의 공통 전극 표시판의 제조 방법을 차례로 도시한 단면도이다. 5 through 8 are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing the common electrode display panel of FIG. 4.

우선, 도 5에 도시한 바와 같이, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 상부 기판(210) 위에 차광 부재(220)를 형성하고, 그 위에 색필터(230)를 형성한다. 색필터(230)는 서로 이웃하는 차광 부재(220) 사이에 존재하며 화소 전극(191) 열을 따라서 세로 방향으로 길게 뻗어있다.First, as shown in FIG. 5, the light blocking member 220 is formed on the upper substrate 210 made of transparent glass or plastic, and the color filter 230 is formed thereon. The color filter 230 is present between the light blocking members 220 adjacent to each other, and extends in the vertical direction along the column of the pixel electrodes 191.

다음, 색필터(230) 위에 감광성 유기 절연물로 만들어진 덮개막(250)을 도포한다.Next, an overcoat 250 made of a photosensitive organic insulator is coated on the color filter 230.

그 다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 덮개막(250) 위에 광마스크(60)를 정렬한다.Next, as shown in FIG. 6, the photomask 60 is aligned on the overcoat 250.

광마스크(60)는 투명한 기판(61)과 그 위의 불투명한 광차단층(62)을 포함하며, 차광 영역(BA), 제1 반투과 영역(SA1) 및 제2 반투과 영역(SA2)으로 나누어진다. The photomask 60 includes a transparent substrate 61 and an opaque light blocking layer 62 thereon, the light masking area BA, the first semi-transmissive area SA1 and the second semi-transmissive area SA2. Divided.

광차단층(62)은 차광 영역(BA) 전체에 존재하며, 제1 반투과 영역(SA1)에서는 간격이 소정 값으로 일정하고, 제2 반투과 영역(SA2)에서는 간격이 변하는 슬릿 (slit)을 이루는 복수의 부분을 포함한다.The light blocking layer 62 is present in the entire light blocking area BA. In the first transflective area SA1, the interval is constant to a predetermined value, and in the second transflective area SA2, the light blocking layer 62 includes a slit. It includes a plurality of parts that make up.

제2 반투과 영역(SA2)은 제1 반투과 영역(SA1)과 차광 영역(BA) 사이에 존재한다. 이때, 제2 반투과 영역(SA2)의 슬릿의 간격은 제1 반투과 영역(SA1)에 근접할수록 점점 좁아지고, 차광 영역(BA)에 근접할수록 점점 넓어질 수 있다.The second transflective area SA2 is present between the first transflective area SA1 and the light blocking area BA. In this case, the interval between the slits of the second transflective area SA2 may become narrower as it approaches the first transflective area SA1, and may become wider as it approaches the light blocking area BA.

반면에, 제2 반투과 영역(SA2)의 슬릿의 너비를 제1 반투과 영역(SA1)에 근접할수록 점점 넓어지고, 차광 영역(BA)에 근접할수록 점점 좁게 할 수도 있다.On the other hand, the width of the slit of the second transflective area SA2 may become wider as it approaches the first transflective area SA1, and may become narrower as it approaches the light shielding area BA.

따라서, 광마스크(60)를 통하여 덮개막(250) 위에 빛을 조사한 후 현상하면, 일정 강도 이상 빛에 노출된 덮개막(250) 부분이 없어지는데, 도 7에 도시한 바와 같이, 차광 영역(BA)과 마주보는 부분(253)은 그대로 남고, 제1 반투과 영역(SA)과 마주보는 부분(252)은 윗 부분이 없어져 두께가 줄어든다. 그리고 제2 반투과 영역(SA2)과 마주보는 영역(254)은 차광 영역(BA)과 마주보는 부분(253)을 정점으로 제1 반투과 영역(SA1)과 마주 보는 부분(252)의 표면에 도달하기 전까지 두께가 점점 줄어든다. 즉, 정점 및 기울어진 면을 포함하는 돌기(251)를 갖는 덮개막(251)이 만들어진다. 도면에서 빗금친 부분은 현상 후 없어지는 덮개막(250) 부분을 나타낸다.Therefore, when the light is irradiated onto the overcoat 250 through the photomask 60 and then developed, the overcoat 250 exposed to light with a predetermined intensity or more disappears. As shown in FIG. The portion 253 facing BA) remains as it is, and the portion 252 facing the first transflective area SA is reduced in thickness by disappearing an upper portion. The area 254 facing the second transflective area SA2 is formed on the surface of the part 252 facing the first transflective area SA1 with the vertex 253 facing the light blocking area BA. The thickness decreases until it is reached. That is, the overcoat 251 having the protrusion 251 including the vertex and the inclined surface is made. In the drawing, the hatched portions represent portions of the overcoat 250 that disappear after development.

그 다음, 도 8에 도시한 바와 같이, 덮개막(250) 위에 공통 전극(270)을 형성하고 그 위에 기둥형 간격재(320)를 형성한다. 이어, 공통 전극(270) 및 기둥형 간격재(320) 위에 배향막(21)을 도포한다.Next, as shown in FIG. 8, the common electrode 270 is formed on the overcoat 250, and the columnar spacer 320 is formed thereon. Next, the alignment layer 21 is coated on the common electrode 270 and the columnar spacer 320.

이와 같이, 돌기(251-252b) 위에 공통 전극(270)을 두어 돌기(251-252b)로부터 나오는 이온성 물질 또는 저분자 물질이 액정층(3)을 오염시키는 것을 방지함으 로써 액정 표시 장치의 잔상을 방지할 수 있다.As such, the common electrode 270 is disposed on the protrusions 251-252b to prevent the ionic material or the low-molecular material from the protrusions 251-252b from contaminating the liquid crystal layer 3. You can prevent it.

그런 다음, 배향막(21) 위에 표시판(100, 200)간의 간격을 유지하여 액정층(3)이 주입될 공간을 확보하는 기둥형 간격재(320)를 형성한다.Next, the columnar spacer 320 is formed on the alignment layer 21 to maintain a space between the display panels 100 and 200 to secure a space into which the liquid crystal layer 3 is to be injected.

본 발명에 따르면, 액정 표시 장치용 공통 전극 표시판을 제조할 때 덮개막으로 돌기를 형성함으로써 원가를 절감할 수 있고, 공통 전극을 돌기 위에 형성하여 돌기에서 나오는 이온성 물질 또는 저분자 물질이 액정층을 오염시키는 것을 방지함으로써 잔상을 방지할 수 있다.According to the present invention, when manufacturing a common electrode display panel for a liquid crystal display device, by forming a projection with an overcoat, cost can be reduced, and the ionic material or the low molecular material coming out of the projection forms a common electrode on the projection to form a liquid crystal layer. By preventing contamination, afterimages can be prevented.

또한, 돌기가 전기장을 왜곡하여 액정 분자들의 방향 전환 속도를 높여 액정 표시 장치의 성능 및 신뢰성을 향상할 수 있다.In addition, the protrusion may distort the electric field to increase the direction change rate of the liquid crystal molecules, thereby improving performance and reliability of the liquid crystal display.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (8)

기판 위에 형성되어 있는 차광 부재,A light blocking member formed on the substrate, 상기 차광 부재 위에 형성되어 있는 색필터,A color filter formed on the light blocking member; 상기 색필터 위에 형성되어 있는 덮개막,An overcoat formed on the color filter, 상기 덮개막 위에 형성되어 있는 돌기, 그리고A protrusion formed on the overcoat, and 상기 덮개막 및 상기 돌기 위에 형성되어 있는 공통 전극A common electrode formed on the overcoat and the protrusion 을 포함하며,Including; 상기 돌기는 정점과 기울어진 면을 포함하는The protrusion includes a vertex and an inclined plane 액정 표시 장치.Liquid crystal display. 제1항에서,In claim 1, 상기 돌기와 상기 덮개막은 일체인 액정 표시 장치.And the projection and the overcoat are integrated. 제1항에서,In claim 1, 상기 덮개막은 감광성 유기 절연물을 포함하는 액정 표시 장치.The overcoat includes a photosensitive organic insulator. 제1항에서,In claim 1, 상기 공통 전극 위에 형성되어 있는 기둥형 간격재, 그리고A columnar spacer formed on the common electrode, and 상기 기둥형 간격재 위에 형성되어 있는 배향막An alignment layer formed on the columnar spacer; 을 더 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display further comprising. 기판,Board, 상기 기판 위에 차광 부재를 형성하는 단계,Forming a light blocking member on the substrate; 상기 차광 부재 위에 색필터를 형성하는 단계,Forming a color filter on the light blocking member; 상기 색필터 위에 덮개막을 형성하는 단계,Forming an overcoat on the color filter; 상기 덮개막을 사진 식각하여 표면에 돌기를 형성하는 단계, 그리고Photo etching the overcoat to form protrusions on the surface; and 상기 덮개막 위에 공통 전극을 형성하는 단계Forming a common electrode on the overcoat 를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display comprising a. 제5항에서,In claim 5, 상기 돌기는 정점과 기울어진 면을 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법The projection is a manufacturing method of a liquid crystal display device having a vertex and an inclined surface 제5항에서,In claim 5, 상기 덮개막 사진 식각은 슬릿 마스크를 사용하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The overcoat photolithography is a manufacturing method of a liquid crystal display using a slit mask. 제5항에서,In claim 5, 상기 공통 전극 위에 기둥형 간격재를 형성하는 단계, 그리고 Forming a columnar spacer on the common electrode, and 상기 공통 전극 및 상기 기둥형 간격재 위에 배향막을 도포하는 단계Applying an alignment layer on the common electrode and the columnar spacer; 를 더 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a liquid crystal display device further comprising.
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