KR20070000106A - 씨모스 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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Abstract
본 발명은 마이크로렌즈 사이의 갭(gap)을 제로(zero)화하여 빛의 집광 효율을 높이고 여분의 빛이 인접화소로의 위(僞) 입사를 막아 선명한 칼라를 구현하도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계와, 상기 마이크로렌즈를 포함한 반도체 기판의 전면에 유기 물질층을 형성하는 단계와, 상기 유기 물질층을 제거함과 동시에 상기 마이크로렌즈의 사이의 평탄화층에 홈을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 특히 이미지 센서의 수광 능력을 향상시키도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 장치로써, CCD(Charge Coupled Device) 이미지 센서 소자와 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서 소자로 크게 나눌 수 있다.
상기 CMOS 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토 다이오드부와 감지된 빛을 전기적인 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직 회로부로 구성되는데, 상기 포토 다이오드의 수광량이 많을수록 상기 이미지 센서의 광 감도(Photo Sensitivity) 특성이 양호해진다.
이러한, 광 감도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체 면적 중에서 포토 다이오드가 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하거나, 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집광시켜 주는 기술이 사용된다.
상기 집광 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토 다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토 다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.
이 경우 마이크로렌즈의 광축과 수평한 빛이 마이크로렌즈에 의해서 굴절되어 광축상의 일정 위치에서 그 초점이 형성되어진다.
한편, 이미지 센서용 소자를 제조함에 있어서, 이미지를 받아들이는 포토 다이오드의 개수가 해상력(resolution)을 결정하기 때문에 고(高)화소화로의 진전 및 소형화에 따른 픽셀(pixel)의 미세화가 이루어지고 있다.
따라서 이렇게 소형화 및 고화소화로의 진전에 따라 외부 화상의 입력을 이미지 플랜(image plane)에 집속함에 있어서 마이크로렌즈를 통해 집속을 하게 된다.
칼라 필터(color filter)는 색분리를 위해서 원색형 또는 보색형으로 칼라 필터층을 형성하게 되는데 원색형의 경우 적색(Red), 녹색(Green), 청색(Blue) 칼라를, 보색형의 경우 시안(Cyan), 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 칼라를 형성하여 색분리가 되도록 하여 색 재현을 할 수 있도록 온-칩(on-chip) 방식으로 형성을 하게 된다.
한편, 입사되는 광을 효율적으로 활용하기 위함과 아울러 최대한 활용하기 위하여 마이크로렌즈를 형성하여 집광효율을 높이게 되는데, 상기 마이크로렌즈는 포토 레지스트(photo resist)를 열 리플로우(thermal reflow) 시켜서 형성하고 있다.
그러나 마이크로렌즈의 사이즈를 최대한 크게 하여 보다 많은 광을 집속하기 위하여 리플로우하다 보면 이웃하는 마이크로렌즈간의 브릿지(bridge)가 생기기 때문에 어느 정도의 CD(Critical Dimension)을 유지하여 균일성(uniformity)을 향상하게 된다.
상기와 같은 특징을 갖는 이미지 센서 중 CMOS 이미지 센서는 트랜지스터의 개수에 따라 3T형, 4T형, 5T형 등으로 구분된다. 3T형은 1개의 포토다이오드와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 4T형은 1개의 포토다이오드와 4개의 트랜지스터로 구성된다. 상기 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소에 대한 등가회로 및 레이아웃(lay-out)을 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도이고, 도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도이다.
일반적인 3T형 씨모스 이미지 센서의 단위 화소는, 도 1에 도시된 바와 같이, 1개의 포토다이오드(PD; Photo Diode)와 3개의 nMOS 트랜지스터(T1, T2, T3)로 구성된다. 상기 포토다이오드(PD)의 캐소드는 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 드레인 및 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)의 게이트에 접속되어 있다. 그리고, 상기 제 1, 제 2 nMOS 트랜지스터(T1, T2)의 소오스는 모두 기준 전압(VR)이 공급되는 전원선에 접속되어 있고, 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)의 게이트는 리셋신호(RST)가 공급되는 리셋선에 접속되어 있다. 또한, 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 소오스는 상기 제 2 nMOS 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 드레인은 신호선을 통하여 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속되고, 상기 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)의 게이트는 선택 신호(SLCT)가 공급되는 열 선택선에 접속되어 있다. 따라서, 상기 제 1 nMOS 트랜지스터(T1)는 리셋 트랜지스터(Rx)로 칭하고, 제 2 nMOS 트랜지스터(T2)는 드라이브 트랜지스터(Dx), 제 3 nMOS 트랜지스터(T3)는 선택 트랜지스터(Sx)로 칭한다.
일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위 화소는, 도 2에 도시한 바와 같이, 액티브 영역(10)이 정의되어 액티브 영역(10) 중 폭이 넓은 부분에 1개의 포토다이오드(20)가 형성되고, 상기 나머지 부분의 액티브 영역(10)에 각각 오버랩되는 3개의 트랜지스터의 게이트 전극(30,40,50)이 형성된다.
즉, 상기 게이트 전극(30)에 의해 리셋 트랜지스터(Rx)가 형성되고, 상기 게이트 전극(40)에 의해 드라이브 트랜지스터(Dx)가 형성되며, 상기 게이트 전극(50)에 의해 선택 트랜지스터(Sx)가 형성된다.
여기서, 상기 각 트랜지스터의 액티브 영역(10)에는 각 게이트 전극(30,40,50) 하측부를 제외한 부분에 불순물 이온이 주입되어 각 트랜지스터의 소오스/드레인 영역이 형성된다. 따라서, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)와 상기 드라이브 트랜지스터(Dx) 사이의 소오스/드레인 영역에는 전원전압(Vdd)이 인가되고, 상기 셀렉트 트랜지스터(Sx) 일측의 소오스/드레인 영역은 판독회로(도면에는 도시되지 않음)에 접속된다.
상기에서 설명한 각 게이트 전극(30,40,50)들은, 도면에는 도시되지 않았지만, 각 신호 라인에 연결되고, 상기 각 신호 라인들은 일측 끝단에 패드를 구비하여 외부의 구동회로에 연결된다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 설명하면 다음과 같다.
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(11)에 적어도 하나 이상 형성되어 입사되는 광량에 따른 전하를 생성하는 포토 다이오드(12)와, 상기 포토 다이오드(12)를 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 형성되는 층간 절연층(13)과, 상기 층간 절연층(13)상에 형성되어 각각 특정의 파장대의 빛을 통과시키는 R, G, B의 칼라 필터층(14)과, 상기 칼라 필터층(14)을 포함한 반도체 기판(11)의 전면에 형성되는 평탄화층(15)과, 상기 평탄화층(15)상에 일정 곡률을 갖는 볼록 형태로 구성되어 대응하는 칼라 필터층(14)을 투과하여 포토 다이오드(12)로 빛을 집광하는 마이크로 렌즈(16)로 구성된다.
여기서 도면에 도시하지 않았지만, 상기 층간 절연층(13)내에는 포토 다이오드 영역의 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 방지하기 위한 차광층(Optical Shielding Layer)이 구성된다.
그리고 광을 감지하기 위한 소자로 포토 다이오드 형태가 아니고, 포토 게이트 형태로 구성되는 것도 가능하다.
여기서, 상기 칼라 필터층(14)은 R(red), G(green), B(blue)의 칼라 필터로 구성되며, 상기 각 칼라 필터는 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 형성된다.
그런데 이미지 센서의 소형화, 다(多)화소화로의 변화에 따라 단위 면적 당 더 많은 화소를 만들고 있으며 화소 크기가 작아짐에 따라 상부에 온-칩(on-chip)으로 형성하는 칼라 필터 및 마이크로렌즈의 사이즈 또한 작아진다. 단위화소 크기가 작아짐에 따라 빛을 받아들이는 포토 다이오드 영역의 축소에 따라 감도는 줄어들게 된다.
따라서 줄어드는 감도를 보상하기 위해서는 더 많은 빛을 받아들여야 하는데 그렇게 하기 위해선 개구부를 늘리는 방법과 상부에 집광 마이크로렌즈를 형성하는 방법 등이 있는데 개구부는 대부분 금속층(metal layer)으로 형성하게 된다.
상기 금속층은 배선 및 차광층 역할을 하게 되며, 단위화소로 입사하여 차광층의 상부로 입사하는 입사광을 집광 마이크로렌즈의 개구부로 빛을 굴절시켜 집속을 함에 있어서 집광 마이크로렌즈를 키움에 따라 마이크로렌즈가 서로 붙거나 떨어지는 정도가 조금씩 다르게 되어 화상의 균일도가 나빠진다.
또한, 또 하부의 색 분리층의 영향을 받게 되어, 인접 색분리층의 정보가 혼합되어 들어오기도 하여 색 재현성 및 콘트라스트(contrast)가 나빠지게 된다. 또한 색분리층 형성시 안료의 혼합에 따른 포토 해상(Photo Resolution) 저하로 정렬 노광시 원하는 형상을 갖는 패턴 형성이 어려우며, 색분리층 간의 중첩이나 공간 형성으로 상부 평탄층이 반드시 필요하게 되는 추가공정이 필요하게 된다.
따라서 종래의 기술은 마이크로렌즈의 형성시 마이크로렌즈 사이의 스페이스를 0.2 ~ 0.5㎛로 유지 관리하여 마이크로렌즈의 균일도를 유지하며 이 마이크로렌즈 사이의 스페이스는 들어오는 입사광의 손실이며 인접화소로의 위(僞) 입사로 인하여 칼라 색상을 흐리게 하는 불량을 유발하게 된다.
상기 마이크로렌즈는 평탄화층 상부에 소자의 픽셀 사이즈와 길이에 맞도록 두께 설정 후 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상으로 패턴을 형성한 후 열 에너지(thermal energy)를 가하여 리플로우를 시켜서 마이크로렌즈를 형성한다.
상기 마이크로렌즈용 포토레지스트는 유동성(flow ability)이 좋은 g-Line 또는 I-Line 포토레지스트를 사용하며, 통상 g, h, I-Line 복합파장영역에서 광반응를 하는 물질을 사용한다.
I-Line에 의해 패턴 형성이 I-Line으로 디파인(define) 가능한 0.2 ~ 0.5㎛ 정도로 형성을 한 후, 경화 및 열 리플로우를 실시하게 되는데, 상기 열 리플로우시 패턴 공정에서의 미세한 CD(Critical Dimension)의 차이가 리플로우시 그대로 나타나면서 국부적으로 브릿지가 생기기도 하여 마이크로렌즈 사이즈의 불균일로 균일도가 차이 나게 되며 아울러 감도 및 칼라의 선명도를 저하시키는 불량이 유발된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로 마이크로렌즈 사이의 갭(gap)을 제로(zero)화하여 빛의 집광 효율을 높이고 여분의 빛이 인접화소로의 위(僞) 입사를 막아 선명한 칼라를 구현하도록 한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계와, 상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계와, 상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계와, 상기 마이크로렌즈를 포함한 반도체 기판의 전면에 유기 물질층을 형성하는 단계와, 상기 유기 물질층을 제거함과 동시에 상기 마이크로렌즈의 사이의 평탄화층에 홈을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 복수개의 광감지 소자들 예를 들면, 포토 다이오드(32)들 및 각종 트랜지스터(도 1을 참조)가 형성된 반도체 기판(31)상에 층간 절연층(33)을 형성한다.
여기서, 상기 층간 절연층(33)은 다층으로 형성될 수도 있고, 도시되지 않았지만, 하나의 층간 절연층 형성후에 포토 다이오드(32) 영역 이외의 부분으로 빛이 입사되는 것을 막기 위한 차광층을 형성 한 후에 다시 층간 절연층이 형성된다.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 층간 절연층(33)상에 가염성 레지스트를 사용하여 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 진행하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(R, G, B)(34)들을 형성한다.
여기서, 상기 각 칼라 필터층(34)은 1 ~ 5㎛의 두께를 갖도록 해당 감광성 물질을 도포하고 별도의 마스크를 사용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 각각의 파장대별로 빛을 필터링하는 칼라 필터층(34)을 단일층으로 형성한다.
도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 칼라 필터층(34)을 포함한 반도체 기판(31)의 전면에 신뢰성(reliability) 및 패키지(package)시 EMC, 외부로부터의 수분이나 중금속 침투를 방지하기 위하여 실리콘 나이트라이드(silicon nitride)막을 증착하여 평탄화층(35)을 형성한다.
한편, 이미지 센서는 광학적인 투과가 매우 중요하기 때문에 상기 평탄화층(35)의 두께에 의한 박막들의 간섭 현상을 배제하기 위하여 1000 ~ 6000Å의 두께로 형성한다.
여기서, 상기 평탄화층(35)을 형성한 상태에서 배선을 위한 본딩 패드(bonding PAD)를 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 평탄화층(35)을 패드 및 스크라이브 라인(scribe line) 부분을 오픈(open) 시키고, 건식 또는 습식으로 식각하여 소정의 원하는 본딩 패드(도시되지 않음)를 형성할 수도 있다.
도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 평탄화층(35)을 포함한 반도체 기판(31)의 전면에 상기 포토 다이오드(32)에 광을 효율 좋게 집속하기 위하여 마이크로렌즈용 포토레지스트(36)를 도포한다.
도 4e에 도시한 바와 같이, 노광 및 현상 공정으로 상기 포토레지스트(36)를 선택적으로 패터닝하여 마이크로렌즈 패턴(37)을 형성한다.
여기서, 상기 포토레지스트(36)가 포지티브 레지스트(positive resist)인 경우 포토레지스트(36)의 흡수체인 기폭제(initiator)의 포토 액티브 컴파운드(photo active compound)를 분해하여야만 투과율이 향상되기 때문에 전면 노광(flood exposure)으로 상기 마이크로렌즈 패턴(37)내에 잔존하는 포토 액티브 컴파운드를 분해한다.
한편, 상기와 같이 마이크로렌즈 패턴(37)에 전면 노광을 통해 이후 투과율을 높이고 포토 산(photo acid)을 발생시켜 마이크로렌즈의 유동성(flow ability)을 높인다.
도 4f에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로렌즈 패턴(37)이 형성된 반도체 기판(31)을 핫 플레이트(hot plate)(도시되지 않음) 상부에 올려놓은 상태에서 150℃ 이상의 열처리로 상부에 존재하는 마이크로렌즈 패턴(37)을 리플로우하여 반구형의 마이크로렌즈(38)를 형성한다.
이어, 상기 열처리로 리플로우된 마이크로렌즈(38)를 쿨링(cooling) 처리한다. 여기서, 상기 쿨링 처리는 쿨 플레이트에 반도체 기판(31)을 올려놓은 상태에서 행해진다.
도 4g에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로렌즈(38)를 포함한 반도체 기판(31)의 전면에 유기 물질층(39)을 30 ~ 100nm의 두께로 증착한 후 경화 처리한다.
여기서, 상기 유기 물질층(39)은 상기 마이크로렌즈(38)의 상부에 100nm 이하의 두께로 마이크로렌즈(38)의 스페이스 부분을 산소(O2) 플라즈마를 이용한 건식 식각시 마이크로렌즈(38)의 제로 갭(zero gap)을 유동하기 위한 층이다.
또한, 상기 유기 물질층(39)은 포토 레지스트를 사용한다.
또한, 상기 마이크로렌즈(38)상에 형성된 유기 물질층(39)으로 열경화성 수지를 사용할 경우, 상기 마이크로렌즈(38)와의 반응을 제거하기 위해 상기 마이크로렌즈(38)에 UV 처리를 실시한 후에 열경화성 수지를 형성한다.
도 4h에 도시한 바와 같이, 상기 마이크로렌즈(38)의 스페이스 부분을 제로(zero)화하기 위하여 상기 유기 물질층(39)을 O2 플라즈마 처리로 건식 식각하여 상기 마이크로렌즈(38) 사이의 스페이스 부분을 오목한 형태로 형성한다.
즉, 상기 마이크로렌즈(38)를 포함한 전면에 형성된 유기 물질층(39)을 O2 플라즈마 식각을 통해 제거할 때 상기 마이크로렌즈(38) 사이의 평탄화층(35)이 표면으로부터 소정두께만큼 제거되면서 상기 마이크로렌즈(38) 사이의 평탄화층(35)에 홈(40)이 형성된다.
여기서, 상기 마이크로렌즈(38)의 사이즈 확대에 따른 불균일, 서브(sub) 영향으로 나타나는 불균일 및 칼라 필터층(34), 평탄화층(35), 마이크로렌즈(38)를 형성할 때 현상액에 노출된 본딩 패드의 부식(corrosion)을 방지하기 위해 패드 부분을 산화막과 같은 베리어층으로 블록킹(blocking)할 수도 있다.
또한, 상기 마이크로렌즈(38)와 마이크로렌즈(38) 사이의 불균일한 마이크로렌즈(38)의 꼬리(tail)들을 제거할 수 있으며, 또한 O2 플라즈마 처리시 마이크로렌즈(38)의 갭 사이를 쉐도우 에치(shallow etch)를 하게 됨에 따라 오목한 렌즈 형성이 가능하게 되어 마이크로렌즈(38) 사이에 제로 갭 구현이 가능하게 되어 픽셀 면적을 100% 포토 다이오드(32)로 집광할 수 있기 때문에 감도 향상 및 인접화소로의 위입시를 방지하여 깨끗한 이미지 구현이 가능하게 된다.
또한, 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조에 있어서, 마이크로렌즈(38)를 형성한 후, 상기 마이크로렌즈(38)의 상부에 포토레지스트(또는 열경화성 수지)와 같은 유기 물질층(39)을 30 ~ 100㎚의 두께로 형성하여 마이크로렌즈(38)의 제로 갭을 위해 마이크로렌즈(38) 사이를 오목한 렌즈 형상으로 유도하기 위한 버퍼(buffer)층으로 마이크로렌즈의 균일도를 향상하기 위하여 산소 플라즈마 처리를 하여 마이크로렌즈 갭의 균일도를 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 이미지 센서를 제조함에 있어서 마이크로렌즈의 효율을 극대화하고, 마이크로렌즈의 불균일에 의해 발생되는 노이즈(noise), 위(僞) 신호로 인한 색재현성 열화 등을 방지하여 마이크로렌즈의 균일성을 향상하여 화면 전체의 균일한 색재현을 얻을 수 있다.
둘째, 마이크로렌즈의 사이즈를 극대화하여 감도를 향상하여 어두운 환경에서도 노이즈가 없는 밝은 이미지를 실현할 수 있다.
도 1은 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 등가 회로도
도 2는 일반적인 3T형 CMOS 이미지 센서의 단위화소를 나타낸 레이아웃도
도 3은 종래 기술에 의한 씨모스 이미지 센서를 나타낸 단면도
도 4a 내지 도 4h는 본 발명에 의한 씨모스 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 공정단면도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
31 : 반도체 기판 32 : 포토 다이오드
33 : 층간 절연층 34 : 칼라 필터층
35 : 평탄화층 36 : 포토레지스트
37 : 마이크로렌즈 패턴 38 : 마이크로렌즈
39 : 유기 물질층 40 : 홈
Claims (7)
- 다수개의 포토 다이오드와 각종 트랜지스터들이 형성된 반도체 기판의 전면에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막상에 상기 각 포토 다이오드와 대응되게 칼라 필터층을 형성하는 단계;상기 칼라 필터층을 포함한 전면에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층상에 상기 포토다이오드와 대응되게 마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 마이크로렌즈를 포함한 반도체 기판의 전면에 유기 물질층을 형성하는 단계;상기 유기 물질층을 제거함과 동시에 상기 마이크로렌즈의 사이의 평탄화층에 홈을 형성하는 단계를 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 물질층은 포토레지스트 또는 열결화성 수지를 사용하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 물질층은 30 ~ 100㎚의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 물질층은 산소 플라즈마 처리로 제거하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기 물질층을 형성하기 전에 상기 마이크로렌즈에 UV를 조사하는 단계를 더 포함하여 형성함을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 실리콘 나이트라이드로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화층은 1000 ~ 6000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 씨모스 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050055591A KR100698092B1 (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050055591A KR100698092B1 (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060136076A KR20060136076A (ko) | 2007-01-02 |
| KR20070000106A true KR20070000106A (ko) | 2007-01-02 |
| KR100698092B1 KR100698092B1 (ko) | 2007-03-23 |
Family
ID=37868107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050055591A KR100698092B1 (ko) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100698092B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100881013B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2009-01-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100887886B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-03-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274369A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-06-27 KR KR1020050055591A patent/KR100698092B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100881013B1 (ko) * | 2007-06-25 | 2009-01-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100887886B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2009-03-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100698092B1 (ko) | 2007-03-23 |
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