KR20060135307A - Equipment for fabricating mask using forming detail pattern - Google Patents

Equipment for fabricating mask using forming detail pattern Download PDF

Info

Publication number
KR20060135307A
KR20060135307A KR1020050055195A KR20050055195A KR20060135307A KR 20060135307 A KR20060135307 A KR 20060135307A KR 1020050055195 A KR1020050055195 A KR 1020050055195A KR 20050055195 A KR20050055195 A KR 20050055195A KR 20060135307 A KR20060135307 A KR 20060135307A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
plane
forming
support
mask
Prior art date
Application number
KR1020050055195A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101096701B1 (en
Inventor
조규철
채기성
김진욱
이창희
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020050055195A priority Critical patent/KR101096701B1/en
Publication of KR20060135307A publication Critical patent/KR20060135307A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101096701B1 publication Critical patent/KR101096701B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Abstract

An apparatus forming a mask for a micro pattern is provided to form the mask for the micro pattern in one chamber through a series of forming process, thereby improving its productivity. A back-plane fixing part fixes a back-plane(41) attached with a soft mold(40) into a chamber(30). A drive unit(43) drives the back-plane fixing part up and down. A stage(51) is loaded with a substrate(50) formed with liquid polymer material. A x-axis drive unit(52) drives the stage in a z-axial direction. A first air hole(31) is formed on one region of a bottom surface of the chamber to supply air therein. A second air hole(32) is formed on the other region of the bottom surface to make the chamber vacuous. An aligner(33) is disposed on an upper surface of the chamber, and a UV lamp(34) is installed to a portion of an upper portion of the chamber.

Description

미세 패턴 형성용 마스크 형성장치 {equipment for fabricating mask using forming detail pattern}{Equipment for fabricating mask using forming detail pattern}

도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to the related art.

도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치를 나타낸 구조 단면도 Figure 2 is a structural cross-sectional view showing a mask forming apparatus for forming a fine pattern according to the present invention

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

30 : 챔버 31 : 제 1 공기 구멍30 chamber 31 first air hole

32 : 제 2 공기 구멍 33 : 얼라이너 32: second air hole 33: aligner

34 : UV 램프 40 : 소프트 몰드34: UV lamp 40: soft mold

41 : 백-프레인 42 : 백-프레인 지지대 41: back-plane 42: back-plane support

43 : 상하 구동부 50 : 기판 43: vertical drive unit 50: substrate

51 : 스테이지 52 : z축 구동부 51 stage 52 z-axis drive unit

53 : 미세 패턴 형성 물질 54 : 액상 고분자 물질53: fine pattern forming material 54: liquid polymer material

본 발명은 미세 패턴 형성 장치에 대한 것으로, 특히 미세 패턴 형성용 마스 크 형성 공정을 1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 진행할 수 있는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fine pattern forming apparatus, and more particularly, to a fine pattern forming mask forming apparatus capable of performing a fine pattern forming mask forming process in a series of processes in one chamber.

전자회로등의 미세 패턴 형성 공정은 소자의 특성을 좌우하는 요소일 뿐만 아니라 소자의 성능과 용량을 결정하는 중요한 요소이다. The process of forming a micropattern such as an electronic circuit is not only a factor in determining the characteristics of the device, but also an important factor in determining the performance and capacity of the device.

근래, 소자의 성능을 향상시키기 위한 여러 가지 노력이 이루어지고 있지만, 특히 미세 패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키는 연구가 활발하게 이루어지고 있다.Recently, various efforts have been made to improve the performance of devices, but researches to improve the performance of devices by forming fine patterns have been actively conducted.

이러한 미세 패턴 형성공정은 반도체소자, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board), 액정표시소자(Liquid Crytal Display device)나 PDP(Plasma Display Panel)와 같은 평판표시소자(Flat Panel Display device) 등에도 필수적으로 사용된다.This fine pattern forming process is essential for semiconductor devices, printed circuit boards, flat panel display devices such as liquid crystal display devices (PDPs) and plasma display panels (PDPs). do.

패턴을 형성하기 위한 많은 연구가 진행되고 있지만, 종래에 가장 많이 사용되고 있는 패턴 형성 공정은 포토레지스트(photoresist)를 이용한 공정으로, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다. Although many studies have been conducted to form a pattern, a pattern forming process which is most commonly used in the art is a process using a photoresist, which will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1e는 종래에 따른 미세 패턴 형성방법을 도시한 공정 단면도이다. 1A to 1E are cross-sectional views illustrating a method of forming a fine pattern according to the related art.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 절연물질 또는 반도체물질로 이루어진 기판(10) 위에 형성된 금속층(11)위에 감광성물질인 포토레지스트를 코팅하여 포토레지스트층(12)을 형성한다. First, as shown in FIG. 1A, the photoresist layer 12 is formed by coating a photoresist, which is a photosensitive material, on a metal layer 11 formed on an insulating material such as glass or a semiconductor material 10.

도 1b에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트층(12)에 소프트 베이킹(soft baking)공정을 진행한다. As shown in FIG. 1B, a soft baking process is performed on the photoresist layer 12.

이후에 투과영역과 차광영역이 정의된 노광 마스크(13)를 상기 포토레지스트층(12) 위에 위치시킨 후 자외선(UV)과 같은 광을 조사한다. 통상적으로 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트와 음성(negative) 포토레지스트가 존재하지만, 여기에서는 설명의 편의상 음성 포토레지스트를 사용한 경우에 대하여 설명한다.Subsequently, an exposure mask 13 having a transmission area and a light blocking area defined thereon is positioned on the photoresist layer 12 and then irradiated with light such as ultraviolet (UV) light. Typically, the photoresist includes a positive photoresist and a negative photoresist. However, a description will be given of the case where a negative photoresist is used for convenience of description.

자외선이 조사됨에 따라 자외선이 조사된 영역의 포토레지스트는 그 화학적 구조가 변하게 되어, 현상액을 적용하면 자외선이 조사되지 않은 영역의 포토레지스트가 제거되어 도 1c에 도시된 바와 같은 포토레지스트패턴(12a)이 형성된다.As the ultraviolet rays are irradiated, the chemical structure of the photoresist in the region irradiated with the ultraviolet rays is changed. When the developer is applied, the photoresist in the region not irradiated with the ultraviolet rays is removed. As shown in FIG. Is formed.

이어서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트패턴(12a)으로 금속층(11)의 일부를 블로킹(blocking)한 상태에서 상기 결과물을 현상액에 담그고, 하드 베이킹(hard baking) 공정을 진행한 후에, 포토레스트패턴(12a) 하부를 제외한 나머지 부분의 금속을 식각하여 금속 패턴(11a)을 형성한다. Subsequently, as shown in FIG. 1D, the resultant is immersed in a developer in a state in which a part of the metal layer 11 is blocked with the photoresist pattern 12a, and then a hard baking process is performed. The metal pattern 11a is formed by etching metals other than the lower portion of the photorest pattern 12a.

이후에, 도 1e에 도시된 바와 같이 스트리퍼(stripper)를 사용하여 상기 포토레지스트패턴(12a)을 제거하면, 기판(10) 위에는 금속 패턴(11a)만이 남게 된다.Subsequently, when the photoresist pattern 12a is removed using a stripper as shown in FIG. 1E, only the metal pattern 11a remains on the substrate 10.

상기에서 금속 대신에 반도체층이나 절연층 기타 다른 도전층을 식각할 수도 있다. Instead of the metal, the semiconductor layer, the insulating layer or other conductive layer may be etched.

상기와 같은 종래 기술에 따른 포토레지스트를 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에는 다음과 같은 문제가 있다.The method of forming a fine pattern using the photoresist according to the prior art as described above has the following problems.

첫째, 포토레지스트 도포→소프트 베이킹→노광→현상→하드 베이킹을 위한 각각의 장비가 필요하므로 제조비용이 상승하게 된다. First, manufacturing costs are increased because each equipment for photoresist coating → soft baking → exposure → developing → hard baking is required.

둘째, 미세 패턴 형성시에 마스크로 사용되는 포토레지스트패턴을 형성하기 위해서, 포토레지스트를 도포하는 공정, 소프트 베이킹 및 하드 베이킹을 하는 공정, 노광 및 현상하는 공정을 개별적인 제조장비에서 진행해야 하므로 제조 공정 및 시간이 많이 소요된다. Second, in order to form a photoresist pattern used as a mask when forming a fine pattern, a process of applying photoresist, a process of soft baking and hard baking, and a process of exposing and developing should be performed in separate manufacturing equipment. And time consuming.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로 특히, 공정을 단순화시켜서 생산성을 향상시키고 재료비를 절감시키기에 알맞은 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치를 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and in particular, an object of the present invention is to provide a mask forming apparatus for forming a fine pattern, which is suitable for simplifying the process to improve productivity and reduce material costs.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치는 챔버내에 소프트 몰드가 접착된 백-프레인을 고정시키기 위한 백-프레인 고정부와; 상기 백-프레인 고정부를 상하 구동시키기 위한 상하 구동부와; 액상 고분자 물질이 형성된 기판이 로딩될 스테이지와; 상기 스테이지를 z축 방향으로 구동시킬 z축 구동부와; 상기 챔버 하면의 일영역에 공기를 유입시키기 위한 제 1 공기 구멍; 상기 챔버 하면의 타영역에 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위한 제 2 공기 구멍과; 상기 챔버의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)와; 상기 챔버 상부의 일영역에 구비되어 상기 기판상에 UV를 조사하기 위한 UV 램프를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다. Mask forming apparatus for forming a fine pattern according to the present invention for achieving the above object and a back-plane fixing for fixing the back-plane to which the soft mold is bonded in the chamber; A vertical drive unit for driving the back-plane fixing unit up and down; A stage on which the substrate on which the liquid polymer material is formed is loaded; A z-axis driver for driving the stage in the z-axis direction; A first air hole for introducing air into one region of the lower surface of the chamber; A second air hole for making the chamber into a vacuum in the other area of the lower surface of the chamber; An aligner disposed on an upper surface of the chamber; It is provided in one region of the upper chamber, characterized in that it comprises a UV lamp for irradiating UV on the substrate.

상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인의 가장자리 일영역 또는 전체영역 을 지지해주도록 구성되어 있음을 특징으로 한다. The back-plane support is characterized in that it is configured to support one edge or the entire area of the edge of the back-plane.

상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인의 양측 가장자리를 지지하도록 일방향으로 구성되거나, 가장자리의 네 모서리 부분을 지지하도록 구성되거나, 전체 가장자리를 따라 구성되어 있음을 특징으로 한다. The back-plane support is characterized in that it is configured in one direction to support both edges of the back-plane, to support the four corner portions of the edge, or is configured along the entire edge.

상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인이 수평 방향으로 많이 벗어나는 것을 방지해주기 위해서 상기 백-프레인에 인접하게 세로 방향의 지지구성부가 더 구비되어 있음을 특징으로 한다. The back-plane support is characterized in that the support structure in the vertical direction is further provided adjacent to the back-plane to prevent the back-plane from deviating much in the horizontal direction.

상기 얼라이너는 상기 챔버 상부에 적어도 2개이상 배치되어 있음을 특징으로 한다. At least two aligners are disposed on the chamber.

상기 UV 램프는 상기 기판에 전체적으로 균일하게 UV를 조사할 수 있도록 상기 챔버 상부면의 중앙 부분에 배치되어 있음을 특징으로 한다. The UV lamp is characterized in that disposed in the central portion of the upper surface of the chamber to irradiate the UV uniformly to the substrate as a whole.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치에 대하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a mask forming apparatus for forming a fine pattern according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치를 나타낸 구조 단면도이다. 2 is a structural cross-sectional view showing a mask forming apparatus for forming a fine pattern according to the present invention.

본 발명에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 챔버(30)내에 소프트 몰드(40)가 접착된 백-프레인(41)을 지지해 주기 위한 백-프레인 지지대(42)와, 상기 백-프레인 지지대(42)를 상하 구동시키기 위한 상하 구동부(43)와, 기판(50)이 로딩되는 스테이지(51)와, 상기 스테이지(51)를 z축 방향(상하 방향)으로 구동시킬 z축 구동부(52)와, 상기 챔버(30) 하면의 일영역에 공 기를 유입시키기 위한 제 1 공기 구멍(31)과, 상기 챔버(30) 하면의 타영역에 챔버(30)를 진공 상태로 만들기 위한 제 2 공기 구멍(32)과, 상기 챔버(30)의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)(33)와, 상기 챔버(30) 상부의 일영역에 구비되어 있는 UV 램프(34)로 구성되어 있다. In the mask forming apparatus for forming a fine pattern according to the present invention, as shown in FIG. 2, the back-plane support 42 for supporting the back-plane 41 to which the soft mold 40 is adhered in the chamber 30 is provided. ), A vertical drive unit 43 for vertically driving the back-plane support 42, a stage 51 on which the substrate 50 is loaded, and the stage 51 in the z-axis direction (up and down direction). Vacuuming the chamber 30 in the z-axis driving unit 52 to be driven, the first air hole 31 for introducing air into one region of the lower surface of the chamber 30, and the other region of the lower surface of the chamber 30. A second air hole 32 for making a state, an aligner 33 disposed on an upper surface of the chamber 30, and a UV lamp provided in one region of the upper chamber 30; 34).

상기 백-프레인 지지대(42)는 상기 백-프레인(41)의 가장자리 일영역 또는 전체영역을 지지해주도록 구성되어 있고, 예를 들어서 백-프레인(41)의 양측 가장자리를 지지하도록 일방향으로 형성되거나, 가장자리의 네 모서리 부분을 지지하도록 구성되거나, 가장자리를 따라 구성되어 있다. The back-plane support 42 is configured to support one edge or the entire area of the edge of the back-plane 41, for example, is formed in one direction to support both edges of the back-plane 41 or It is constructed to support the four corners of the edge or along the edge.

그리고, 상기 백-프레인 지지대(42)는 백-프레인(41)이 수평 방향으로 많이 벗어나는 것을 방지해주기 위해서 백-프레인(41)에 인접하게 세로 방향의 지지구성부가 더 구비되어 있다. In addition, the back-plane support 42 further includes a vertical support structure adjacent to the back-plane 41 to prevent the back-plane 41 from deviating much in the horizontal direction.

상기에서 제 1, 제 2 공기 구멍(31, 32)은 상기 z축 구동부(52)의 양측의 일영역에 형성되어 있다. In the above, the first and second air holes 31 and 32 are formed in one region on both sides of the z-axis driving part 52.

상기 얼라이너(33)는 상기 소프트 몰드(40)와 기판(50)을 정렬시키기 위한 것으로 적어도 2개이상 배치되어 있다. At least two aligners 33 are arranged to align the soft mold 40 and the substrate 50.

상기 백-프레인(41)에 접착된 소프트 몰드(40)는 표면에 소정의 형상이 양각(陽刻) 또는 음각(陰刻)되어 있다. The soft mold 40 adhered to the back plane 41 is embossed or engraved with a predetermined shape on its surface.

그리고 상기 UV 램프(34)는 상기 소프트 몰드(40)를 이용해서 상기 기판(50)에 미세 패턴 형성용 마스크를 형성할 때 경화를 위해서 구비된 것으로, 전체적으로 균일하게 UV를 조사할 수 있게 하기 위해서 상기 챔버(30) 상부면의 중앙 부분 에 배치되어 있다. In addition, the UV lamp 34 is provided for curing when forming a mask for forming a fine pattern on the substrate 50 by using the soft mold 40, so that the UV lamp 34 can be uniformly irradiated with UV. The chamber 30 is disposed in the central portion of the upper surface.

상기와 같이 구성된 미세 패턴 형성용 마스크 형성 장치는 백-프레인이 부착된 소프트 몰드(40)를 지지하는 백-프레인 지지대(42)와 기판(50)이 로딩되는 스테이지(51)와 UV 램프(34)가 하나의 챔버내에 모두 구성되어 있으므로, 기판(50)상에 마스크 패턴을 형성하는 공정을 일련의 공정으로 진행할 수 있다. The mask forming apparatus for forming a fine pattern as described above includes a stage 51 and a UV lamp 34 on which the back-plane support 42 and the substrate 50 are loaded to support the soft mold 40 to which the back-plane is attached. ) Are all configured in one chamber, the process of forming the mask pattern on the substrate 50 can be carried out in a series of steps.

이하, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 구성을 갖는 장치를 이용하여 1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 미세 패턴 형성용 마스크를 형성하는 방법을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, although not shown in the drawings, a method of forming a mask for forming a fine pattern in a series of processes in one chamber using the apparatus having the above configuration will be described.

먼저, 챔버(30)내에 소프트 몰드(40)가 부착된 백-프레인(41)을 대기압 상태에서 백-프레인 지지대(42)에 셋팅(setting)시킨다. First, the back-plane 41 having the soft mold 40 attached to the chamber 30 is set to the back-plane support 42 at atmospheric pressure.

이후에 액상 고분자 물질(54)이 코팅된 기판(50)을 스테이지(51)에 로딩시킨후 제 2 공기 구멍(32)으로 적정 진공도까지 펌핑을 한다. 이때 기판(50)과 액상 고분자 물질(54) 사이에는 미세 패턴 형성 물질(53)이 형성되어 있다. Subsequently, the substrate 50 coated with the liquid polymer material 54 is loaded on the stage 51 and then pumped to the appropriate vacuum degree through the second air holes 32. In this case, a fine pattern forming material 53 is formed between the substrate 50 and the liquid polymer material 54.

다음에 적정 진공하에서 z축 구동부(52)를 상부 방향으로 상승시켜서 소프트 몰드(40)와 액상 고분자 물질(54)을 콘택시킨다. 이때 소프트 몰드(40)의 양각 부분에 콘택된 액상 고분자 물질(54)은 소프트 몰드(40)의 음각 부분으로 충진된다. Next, under moderate vacuum, the z-axis driving part 52 is raised upward to contact the soft mold 40 and the liquid polymer material 54. In this case, the liquid polymer material 54 contacted with the embossed portion of the soft mold 40 is filled with the engraved portion of the soft mold 40.

이어서, 동일한 챔버(30)내에서 챔버(30) 상부면에 구성된 UV 램프(34)를 이용해서 상기 액상 고분자 물질(54)에 UV를 조사하여 경화시킨다. 이에 의해서 기판(50)상의 미세 패턴 형성 물질(53)상부에 패턴된 마스크층(미도시)이 형성된다. Subsequently, the liquid polymer material 54 is irradiated with UV and cured using the UV lamp 34 formed on the upper surface of the chamber 30 in the same chamber 30. As a result, a patterned mask layer (not shown) is formed on the fine pattern forming material 53 on the substrate 50.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니 하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the above embodiments, but should be defined by the claims.

상기와 같은 본 발명에 따른 미세 패턴 형성용 마스크 형성 장치는 다음과 같은 효과가 있다. The mask forming apparatus for forming a fine pattern according to the present invention as described above has the following effects.

1개의 챔버내에서 일련의 공정으로 미세 패턴 형성용 마스크를 형성할 수 있으므로 공정을 단순화시킬 수 있다. Since a mask for forming a fine pattern can be formed by a series of processes in one chamber, the process can be simplified.

이에 의해서 생산성을 향상시킬 수 있고 생산 투자비를 절감시킬 수 있다. As a result, productivity can be improved and production investment costs can be reduced.

Claims (6)

챔버내에 소프트 몰드가 접착된 백-프레인을 고정시키기 위한 백-프레인 고정부와; A back-plane fixing portion for fixing the back-plane to which the soft mold is adhered in the chamber; 상기 백-프레인 고정부를 상하 구동시키기 위한 상하 구동부와; A vertical drive unit for driving the back-plane fixing unit up and down; 액상 고분자 물질이 형성된 기판이 로딩될 스테이지와;A stage on which the substrate on which the liquid polymer material is formed is loaded; 상기 스테이지를 z축 방향으로 구동시킬 z축 구동부와; A z-axis driver for driving the stage in the z-axis direction; 상기 챔버 하면의 일영역에 공기를 유입시키기 위한 제 1 공기 구멍; A first air hole for introducing air into one region of the lower surface of the chamber; 상기 챔버 하면의 타영역에 상기 챔버를 진공 상태로 만들기 위한 제 2 공기 구멍과; A second air hole for making the chamber into a vacuum in the other area of the lower surface of the chamber; 상기 챔버의 상부면에 배치된 얼라이너(aligner)와; An aligner disposed on an upper surface of the chamber; 상기 챔버 상부의 일영역에 구비되어 상기 기판상에 UV를 조사하기 위한 UV 램프를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. And a UV lamp for irradiating UV on the substrate provided in one region of the chamber. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인의 가장자리 일영역 또는 전체영역을 지지해주도록 구성되어 있음을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. The back-plane support is a mask forming apparatus for forming a fine pattern, characterized in that configured to support one area or the entire area of the edge of the back-plane. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인의 양측 가장자리를 지지하도록 일방향으로 구성되거나, 가장자리의 네 모서리 부분을 지지하도록 구성되거나, 전체 가장자리를 따라 구성되어 있음을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. The back-plane support is formed in one direction to support both edges of the back-plane, or configured to support the four corners of the edge, or a mask forming apparatus for forming a fine pattern, characterized in that configured along the entire edge . 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 백-프레인 지지대는 상기 백-프레인이 수평 방향으로 많이 벗어나는 것을 방지해주기 위해서 상기 백-프레인에 인접하게 세로 방향의 지지구성부가 더 구비되어 있음을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. The back-plane support is a mask forming apparatus for forming a fine pattern, characterized in that the support structure in the vertical direction is further provided adjacent to the back-plane to prevent the back-plane from deviating much in the horizontal direction. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 얼라이너는 상기 챔버 상부에 적어도 2개이상 배치되어 있음을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. And at least two aligners are disposed above the chamber. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 UV 램프는 상기 기판에 전체적으로 균일하게 UV를 조사할 수 있도록 상기 챔버 상부면의 중앙 부분에 배치되어 있음을 특징으로 하는 미세 패턴 형성용 마스크 형성장치. The UV lamp is a mask patterning apparatus for forming a fine pattern, characterized in that disposed in the central portion of the upper surface of the chamber to irradiate UV uniformly to the substrate as a whole.
KR1020050055195A 2005-06-24 2005-06-24 equipment for fabricating mask using forming detail pattern KR101096701B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050055195A KR101096701B1 (en) 2005-06-24 2005-06-24 equipment for fabricating mask using forming detail pattern

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050055195A KR101096701B1 (en) 2005-06-24 2005-06-24 equipment for fabricating mask using forming detail pattern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060135307A true KR20060135307A (en) 2006-12-29
KR101096701B1 KR101096701B1 (en) 2011-12-22

Family

ID=37813339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050055195A KR101096701B1 (en) 2005-06-24 2005-06-24 equipment for fabricating mask using forming detail pattern

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101096701B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255285B1 (en) * 2009-12-18 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and method of fabricating flat display device
US9526146B2 (en) 2013-04-19 2016-12-20 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101201A (en) * 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc Nano-imprint system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101255285B1 (en) * 2009-12-18 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 Apparatus and method of fabricating flat display device
US9526146B2 (en) 2013-04-19 2016-12-20 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same
US10080269B2 (en) 2013-04-19 2018-09-18 Samsung Display Co., Ltd. Mask assembly fabrication apparatus and mask assembly fabrication method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101096701B1 (en) 2011-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101371093B1 (en) Apparatus for forming a nano-pattern and method using the same
KR101147098B1 (en) Equipment for fabricating detail pattern method for fabricating detail pattern by using the same
US9000064B2 (en) Composition for forming pattern and in-plane printing method using the same
JP2004069414A (en) Method for measuring gap between mask and substrate of plasma display panel
JP2001066614A (en) Method for laminating substrate, laminating device and production of liquid crystal display device
KR20080088238A (en) Mold and apparatus for forming a pattern, and method for forming the pattern
JP4799172B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of display panel substrate
KR101096701B1 (en) equipment for fabricating mask using forming detail pattern
JP4401142B2 (en) Pattern forming method and pattern forming apparatus
KR101079394B1 (en) Manufacturing method of circuit board
JP6115300B2 (en) Imprint mold, imprint method, pattern forming body
KR20080062426A (en) System for molding, method for foming pattern and method for manufacturing liquid crystal display device
JP4128171B2 (en) Mask fixing device and exposure apparatus using the same
KR20110010250A (en) Forming method for display device and manufacturing apparatus for the same
JP4944514B2 (en) Printing plate manufacturing method
KR101388503B1 (en) Apparatus and method for aligning position between graphene sheet and mask, and method for patterning on the graphene sheet
KR101048712B1 (en) Micro pattern formation method using soft mold
JP2010039227A (en) Exposure apparatus, exposure method and substrate-mounting method
KR100616292B1 (en) apparatus for making etching area on substrate
KR100982674B1 (en) Apparatus for forming a nano-pattern and method using the same
KR20100009610A (en) Apparatus for forming a nano-pattern and method using the same
CN101191997B (en) Photomask and its manufacture method and pattern definition method
TWI480973B (en) Adhesive module, apparatus for attaching substrates and method for manufacturing adhesive pads
KR101451094B1 (en) Close-type exposure apparatus
KR100505246B1 (en) A dam forming method of a plasma display panel and Apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191113

Year of fee payment: 9