KR20060132466A - Substrate table, apparatus for processing substrate and method for manufacturing substrate table - Google Patents

Substrate table, apparatus for processing substrate and method for manufacturing substrate table Download PDF

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KR20060132466A
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Abstract

A substrate table, a substrate processing apparatus and a method for manufacturing the substrate table are provided to restrain the nonuniformity of etching due to a convex portion of the substrate table itself by using a protruded peripheral portion. A substrate table(4) comprises a table body(4a), a plurality of convexities, and a peripheral portion. The plurality of convexities(7) are protruded from a reference surface(5a) of the table body. The peripheral portion(6a) encloses the reference surface. The peripheral portion has a larger height than those of the plurality of convexities, so that a substrate is capable of being loaded on the peripheral portion instead of the convexities. The peripheral portion has an upper flat surface.

Description

기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 기판 탑재대의 제조 방법{SUBSTRATE TABLE, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE TABLE}SUBSTRATE TABLE, APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE TABLE

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 탑재대로서의 서셉터가 설치된 처리 장치의 일례인 플라즈마 에칭 장치를 도시하는 단면도,1 is a cross-sectional view showing a plasma etching apparatus which is an example of a processing apparatus provided with a susceptor as a substrate mounting table according to an embodiment of the present invention;

도 2는 서셉터의 평면도,2 is a plan view of the susceptor,

도 3은 도 2에서의 Ⅲ-Ⅲ'선 화살표 단면도,3 is a cross-sectional view taken along the line III-III 'of FIG. 2;

도 4는 서셉터 단면의 주요부 확대도,4 is an enlarged view of an essential part of a susceptor cross section;

도 5는 서셉터 표면 형상의 제조 공정의 일례를 나타내는 흐름도,5 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of the susceptor surface shape;

도 6은 서셉터 표면 형상의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도,6 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of a susceptor surface shape;

도 7은 서셉터 표면의 단면 곡선을 제조 방법별로 나타내는 도면,7 is a view showing the cross-sectional curve of the susceptor surface by manufacturing method,

도 8은 볼록부의 정상면의 표면 거칠기와 에칭 불균일과의 관계를 시험한 결과를 나타내고, (a)는 Ra, (b)는 Rz, (c)는 Ry로 평가를 행한 그래프,Fig. 8 shows the results of testing the relationship between the surface roughness of the top face of the convex portion and the etching nonuniformity, (a) is Ra, (b) is Rz, and (c) is Ry evaluated;

도 9는 정전 척을 마련한 다른 실시 형태에 관한 서셉터를 나타내고 있으며, (a)는 단면도, (b)는 주요부 평면도,Fig. 9 shows a susceptor according to another embodiment in which an electrostatic chuck is provided, (a) is a sectional view, (b) is a main part plan view,

도 10은 도 9의 실시 형태에 관한 서셉터의 주요부의 확대 단면도.10 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the susceptor according to the embodiment of FIG. 9.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 처리 장치(플라즈마 에칭 장치) 2 : 챔버(처리실)1 processing apparatus (plasma etching apparatus) 2 chamber (processing chamber)

3 : 절연판 4 : 서셉터3: insulation plate 4: susceptor

5 : 유전성 재료막 5a : 기준면5: dielectric material film 5a: reference plane

6 : 다이부 6a : 정상면 6: die part 6a: normal surface

7 : 볼록부 7a : 정상면7 convex portion 7a: normal surface

11 : 샤워 헤드(가스 공급 수단) 20 : 배기 장치11 shower head (gas supply means) 20 exhaust device

25 : 고주파 전원(플라즈마 생성 수단) 40 : 서셉터25: high frequency power supply (plasma generating means) 40: susceptor

41 : 전열 매체 유로 51 : 제 1 유전성 재료막 41: heat transfer medium flow path 51: first dielectric material film

52 : 도전층 53 : 제 2 유전성 재료막52 conductive layer 53 second dielectric material film

본 발명은 플랫 패널 디스플레이(FPD) 제조용의 유기 기판 등의 기판을 탑재하는 기판 탑재대 및 그 제조 방법, 또한 이 기판 탑재대를 사용하여 기판에 대하여 드라이 에칭 등의 처리를 하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a substrate mounting table for mounting a substrate such as an organic substrate for manufacturing a flat panel display (FPD), a method for manufacturing the same, and a substrate processing apparatus for performing dry etching or the like on a substrate using the substrate mounting table. will be.

예컨대, FPD 제조 프로세스에 있어서는 피 처리 기판인 유리 기판에 대해, 드라이 에칭이나 스패터링, CVD(화학 기상 성장) 등의 플라즈마 처리가 많이 이용되고 있다.For example, in a FPD manufacturing process, plasma processing, such as dry etching, sputtering, CVD (chemical vapor deposition), is used with respect to the glass substrate which is a to-be-processed substrate.

이와 같은 플라즈마 처리에 있어서는, 예컨대 챔버(chamber) 내에 한 쌍의 평행평판 전극(상부 및 하부 전극)을 배치하고, 하부 전극으로서 기능을 하는 서셉터(탑재대)에 피 처리 기판을 얹어 놓고, 처리 가스를 챔버 내로 도입하는 동시에, 전극 중 적어도 한쪽에 고주파 전력을 인가하여 전극 사이에 고주파 전계를 형성하고, 이 고주파 전계에 의해 처리 가스의 플라즈마를 형성하여 피 처리 기판에 대하여 플라즈마 처리를 한다. In such a plasma process, for example, a pair of parallel plate electrodes (upper and lower electrodes) are arranged in a chamber, and a substrate to be processed is placed on a susceptor (mounting table) that functions as a lower electrode. A gas is introduced into the chamber, a high frequency electric field is applied to at least one of the electrodes to form a high frequency electric field between the electrodes, and a plasma of the processing gas is formed by the high frequency electric field to perform plasma treatment on the substrate to be processed.

서셉터의 표면은 실제로는 완곡면으로 되어 있으므로, 기판과 서셉터 사이에는 부분적으로 미묘한 간극이 생겨, 플라즈마 처리를 반복하여 행함으로써, 서셉터 위에 부착물이 축적된다. 이로 인해, 피 처리 기판의 이면에 서셉터가 접촉되는 부분과 부착물이 접촉되는 부분이 생겨, 이들의 부분 사이에서 열 전도성이나 도전성이 달라, 피 처리 기판에 에칭 불균일(피 처리 기판에 있어서 에칭률이 높은 부분과 낮은 부분이 혼재하는 것을 말함)이 생기는 경우가 있다.Since the surface of the susceptor is actually a curved surface, a subtle gap is partially formed between the substrate and the susceptor, and deposits are accumulated on the susceptor by repeating the plasma treatment. For this reason, the part which a susceptor contacts and an adhesion material contact comes to the back surface of a to-be-processed substrate, and thermal conductivity or electroconductivity differs between these parts, and an etching nonuniformity in a to-be-processed substrate (etch rate in a to-be-processed substrate) This high part and the low part are said to be mixed) may arise.

또한, 피 처리 기판을 서셉터에 면 접촉시켜 얹어 놓으면, 플라즈마 처리의 대전에 위해 피 처리 기판이 서셉터에 흡착되어 버리는 경우도 있다.In addition, when the substrate to be processed is placed in surface contact with the susceptor, the substrate to be processed may be adsorbed to the susceptor for charging the plasma process.

이와 같은 에칭 불균일이나 피 처리 기판의 흡착을 방지하기 위해, 정전 전극을 덮는 소성 세라믹 절연층의 표면에 볼록형 패턴을 형성하는 제안이 이루어져 있다(예컨대, 특허 문헌 1). 또한, 서셉터 표면에 포토 에칭에 의해 요철 패턴을 형성하여, 정전력(고정 부착력)을 줄이고, 플라즈마 처리 후에 서셉터로부터 웨이퍼를 쉽게 분리할 수 있도록 하는 제안도 이루어져 있다(특허 문헌 2).In order to prevent such etching nonuniformity and adsorption of a to-be-processed substrate, the proposal which forms a convex pattern in the surface of the plastic ceramic insulating layer which covers an electrostatic electrode is made (for example, patent document 1). Further, proposals have been made to form an uneven pattern on the susceptor surface by photo etching to reduce electrostatic force (fixed adhesion force) and to easily separate the wafer from the susceptor after the plasma treatment (Patent Document 2).

또한, 알루미늄이나 알루미늄 합금으로 된 서셉터의 표면을 쇼트 블라스트 처리하여 요철부를 형성하고, 또한 불순물 오염을 방지하기 위해, 화학 연마, 전해 연마, 또는 버프 연마에 의해 볼록부의 급준한 볼록부를 제거하는 제안도 이루어져 있다(특허 문헌 3).In addition, in order to form an uneven portion by short blasting the surface of the susceptor made of aluminum or an aluminum alloy, and to prevent impurity contamination, it is proposed to remove the steep convex portions of the convex portions by chemical polishing, electrolytic polishing or buff polishing. It also consists of (patent document 3).

이들 종래 기술에서는, 볼록부의 정상은 모두 평탄하므로, 플라즈마 처리에 의해 발생된 먼지가 퇴적되기 쉽다고 하는 결점이 있다. 또한, 볼록부의 정상면이 평탄하고 피 처리 기판의 이면에 면 접촉하고 있으면, 에칭 조건에 따라서는 접촉면의 윤곽이 피 처리 기판에 에칭 불균일로서 전사되어 버린다. 즉, 볼록부 자체에 의해서도 에칭 불균일이 발생해, 제품 수율을 저하시켜 버린다고 하는 문제가 발생한다. 또, 볼록부의 형상을 고려한 종래 기술로서, 개구판을 거쳐서 세라믹스 용사(溶射)함으로써 볼록부의 상부를 곡면 형상으로 형성하는 제안도 이루어져 있다(특허 문헌 4).In these prior arts, since the tops of the convex portions are all flat, there is a drawback that dust generated by the plasma treatment tends to be deposited. In addition, if the top surface of the convex portion is flat and is in surface contact with the back surface of the substrate to be processed, the contour of the contact surface is transferred to the substrate to be processed as etching nonuniformity depending on the etching conditions. That is, the etching nonuniformity arises also by the convex part itself, and the problem that a product yield falls will arise. Moreover, as a prior art which considered the shape of a convex part, the proposal which forms the upper part of a convex part into a curved shape by making a thermal spraying of ceramics through an opening plate is also proposed (patent document 4).

또한, 표면에 볼록부를 형성한 서셉터의 경우, 볼록부와 볼록부 이외의 면과의 고저의 차가 존재하므로, 플라즈마 처리를 반복함으로써, 이 부분에 부착물이 퇴적되어, 역시 에칭 불균일이나 기판의 파티클 오염의 원인이 되는 것이 염려된다.Moreover, in the case of the susceptor in which the convex part was formed in the surface, since the difference of height between the convex part and the surface other than the convex part exists, depositing deposits in this part by repeating plasma processing, and also an etching nonuniformity and the particle | grains of a board | substrate It is concerned that it may cause contamination.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 소 제60-261377호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 60-261377

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 평 제8-70034호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-70034

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 평 제10-340896호 공보[Patent Document 3] Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-340896

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2002-313898호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-313898

상기와 같이, 종래 기술에서는 기판 탑재대의 탑재면에 볼록부를 형성하는 것이 제안되어 있으나, 볼록부 자체가 원인이 되는 에칭 불균일의 발생이나, 볼록부와 볼록부 이외의 면의 고저의 차에 기인하는 퇴적물의 생성 문제에 대해서는, 개량의 여지가 남겨져 있다. 즉, 종래 기술에서는 볼록부의 형상에 대해 에칭 불균일을 고려한 검토나, 볼록부와 볼록부 이외의 표면의 형상에 대한 검토는 대부분 이루어져 있지 않다.As described above, in the prior art, it is proposed to form a convex portion on the mounting surface of the substrate mounting table, but due to the occurrence of etching unevenness caused by the convex portion itself, or due to the difference between the height of the convex portion and the surface other than the convex portion, There is room for improvement on the problem of formation of deposits. That is, in the prior art, most of the studies have not taken into consideration the etching unevenness with respect to the shape of the convex portion, and have examined the shapes of the surfaces other than the convex portion and the convex portion.

또한, 서셉터에 정전 흡착 전극으로서의 기능을 갖게 하는 경우, 피 처리 기판과 서셉터 사이에 전열 매체 가스를 도입하는 것이 행해진다. 이때에, 전열 효율을 높이기 위해서는 서셉터와 피 처리 기판 사이에 기밀 공간을 형성하는 것이 바람직하다. 그로 인해, 상기 특허 문헌 4에서는, 서셉터의 주연부에 다이부를 설치하는 것도 제안되어 있지만, 다이부의 형상이나 다이부를 포함하는 서셉터 표면의 가공 방법의 상세에 대해서는 게시되어 있지 않다.When the susceptor has a function as an electrostatic adsorption electrode, introducing a heat transfer medium gas is performed between the substrate to be processed and the susceptor. At this time, in order to improve heat transfer efficiency, it is preferable to form an airtight space between the susceptor and the substrate to be processed. Therefore, in the said patent document 4, although providing a die part in the peripheral part of a susceptor is proposed, the detail of the shape of a die part and the processing method of the susceptor surface containing a die part is not published.

본 발명은 상기 실정에 비추어 이루어진 것으로, 첫째로, 기판 탑재대에 형성된 볼록부 자체에 기인하는 에칭 불균일 등의 처리 불균일을 방지할 수 있는 기판 탑재대 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다. 둘째로, 기판 탑재대의 표면에 부착물이 축적됨으로써 발생하는 처리 불균일이나 기판 오염을 방지하는 것을 과제로 하고 있다. 셋째로, 전열 매체 가스에 의한 전열 효율을 개선하는 것이 가능한 기판 탑재대 및 그 제조 방법을 제공하는 것도 과제로 하고 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate mounting table capable of preventing processing irregularities such as etching unevenness caused by the convex portion itself formed on the substrate mounting table, and a manufacturing method thereof. . Secondly, a problem is to prevent processing irregularities and substrate contamination caused by accumulation of deposits on the surface of the substrate mounting table. Third, it is another object of the present invention to provide a substrate mounting table capable of improving the heat transfer efficiency by the heat transfer medium gas and a manufacturing method thereof.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점은 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,In order to solve the said subject, the 1st viewpoint of this invention is a board mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus,

탑재대 본체와,With the mount body,

상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body;

상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 상기 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대(周緣臺)부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference plane and provided with a peripheral zone formed to protrude from the reference plane so as to contact the periphery of the substrate when the substrate is mounted;

상기 볼록부의 정상면이 조면(粗面)이며, 상기 주연대부의 정상면이 평활면인 것을 특징으로 하는 기판 탑재대를 제공한다.A top surface of the convex portion is a rough surface, and a top surface of the peripheral edge portion is a smooth surface.

상기 제 1 관점에서는, 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와, 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 갖는 기판 탑재대에 있어서, 볼록부의 정상면을 조면으로 하고, 주연대부의 정상면을 평활면으로 하였으므로, 볼록부에 기인하는 에칭 불균일 등의 처리의 불균일을 개선할 수 있는 동시에, 주연대부와 기판을 밀착시켜 기판의 이면 측에 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능하며, 예컨대 이 공간으로 전열 매체를 도입하여 온도 조절을 행하는 경우에는 전열 효율을 높일 수 있다.In the first aspect, the substrate has a plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mounting table body, and a peripheral portion formed to protrude from the reference surface so as to contact the periphery of the substrate when the substrate is mounted. In the mounting table, since the top surface of the convex portion is a rough surface and the top surface of the peripheral edge portion is a smooth surface, nonuniformity in processing such as etching unevenness due to the convex portion can be improved, and the substrate is closely contacted with the substrate. It is possible to form a sealed space on the back side of the surface, and for example, when the temperature is controlled by introducing a heat transfer medium into the space, the heat transfer efficiency can be increased.

본 발명의 제 2 관점은 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,2nd viewpoint of this invention is a board | substrate mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus,

탑재대 본체와,With the mount body,

상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body;

상기 기준면이 평활면이며, 상기 볼록부의 정상면이 조면인 것을 특징으로 하는 기판 탑재대를 제공한다.The reference surface is a smooth surface, and the top surface of the convex portion is provided with a rough surface.

상기 제 2 관점에서는, 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부를 갖는 기판 탑재대에 있어서, 기준면을 평활면으로 하고, 볼록부의 정상면을 조면으로 하였으므로, 볼록부에 기인하는 에칭 불균일 등의 처리 불균일을 개선할 수 있는 동시에, 기준면에 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되어 퇴적물을 형성한 경우라도, 간편한 세정 등에 의해 쉽게 제거할 수 있다. 따라서, 퇴적물에 의한 에칭 불균일 등의 처리의 불균일이나 기판 오염도 줄일 수 있다.In the second aspect, since the reference surface is a smooth surface and the top surface of the convex portion is a rough surface in the substrate mounting table having a plurality of convex portions protruding from the reference surface on the substrate mounting side of the mounting table main body, Processing unevenness such as etching unevenness can be improved, and even when a reaction product, particles or the like adheres to the reference plane to form a deposit, it can be easily removed by simple washing or the like. Therefore, unevenness in processing such as etching unevenness due to deposits and substrate contamination can be reduced.

본 발명의 제 3 관점은 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,A third aspect of the present invention is a substrate mounting table for mounting a substrate in a substrate processing apparatus,

탑재대 본체와,With the mount body,

상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body;

상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference surface and provided with a peripheral portion formed to protrude from the substrate reference surface so as to contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted,

상기 기준면 및 상기 주연대부의 정상면이 평활면인 것을 특징으로 하는 기 판 탑재대를 제공한다.It provides a substrate mounting plate, characterized in that the reference surface and the top surface of the peripheral zone is a smooth surface.

상기 제 3 관점에서는, 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와, 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 갖는 기판 탑재면에 있어서, 기준면 및 주연대부의 정상면을 평활면으로 하였으므로, 기준면에 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되어 퇴적하는 것을 방지하여, 퇴적물에 의한 에칭 불균일 등의 처리의 불균일이나 기판 오염을 줄일 수 있는 동시에, 주연대부와 기판을 밀착시켜 기판의 이면 측에 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능하며, 예를 들어 이 공간에 전열 매체를 도입하여 온도 조절을 행하는 경우에는 전열 효율을 높일 수 있다.In the third aspect, the plurality of convex portions protruding from the reference surface on the substrate mounting side of the mounting table main body and the peripheral edge portion protruding from the substrate reference surface so as to surround the reference surface and contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted are provided. In the substrate mounting surface, since the reference surface and the top surface of the peripheral portion are the smooth surface, it is possible to prevent deposition of reaction products, particles, and the like on the reference surface, and to reduce the unevenness of the processing such as uneven etching by the deposit and substrate contamination. At the same time, it is possible to form a sealed space on the rear surface side of the substrate by bringing the peripheral portion and the substrate into close contact with each other. For example, in the case where temperature control is performed by introducing a heat transfer medium into the space, the heat transfer efficiency can be increased.

본 발명의 제 4 관점은 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,A fourth aspect of the present invention is a substrate mounting table for mounting a substrate in a substrate processing apparatus,

탑재대 본체와,With the mount body,

상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body;

상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference surface and provided with a peripheral portion formed to protrude from the substrate reference surface so as to contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted,

상기 기준면 및 상기 주연대부의 정상면이 평활면이며, 상기 볼록부의 정상면이 조면인 것을 특징으로 하는 기판 탑재대를 제공한다.The reference surface and the top surface of the peripheral zone is a smooth surface, the top surface of the convex portion is provided with a rough surface is provided.

상기 제 4 관점에서는, 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출 되어 형성된 복수의 볼록부와, 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 갖는 기판 탑재대에 있어서, 볼록부의 정상면을 조면으로 하였으므로, 볼록부에 기인하는 에칭 불균일 등의 처리의 불균일을 개선할 수 있다. 또한, 기준면 및 주연대부의 정상면을 평활면으로 하였으므로, 기준면에 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되어 퇴적, 고정 부착되는 것을 방지하여, 퇴적물에 의한 에칭 불균일 등의 처리의 불균일이나 기판 오염을 간편한 세정에 의해 줄일 수 있는 동시에, 주연대부와 기판을 밀착시켜 기판의 이면 측에 밀폐 공간을 형성하는 것이 가능해져, 예를 들어 이 공간으로 전열 매체를 도입하여 온도 조절을 행하는 경우에는 전열 효율을 높일 수 있다.In the fourth aspect, the substrate has a plurality of convex portions protruding from the reference surface on the substrate mounting side of the mounting table main body, and a peripheral edge portion formed to protrude from the reference surface so as to contact the periphery of the substrate when the substrate is mounted. In the mounting table, since the top surface of the convex portion is a rough surface, it is possible to improve the unevenness of processing such as etching unevenness due to the convex portion. In addition, since the reference surface and the top surface of the peripheral portion are smooth surfaces, the reaction product, particles, and the like are adhered to the reference surface to prevent deposition and fixation, thereby preventing unevenness of substrate treatment such as etching unevenness and substrate contamination for easy cleaning. In addition, it is possible to reduce the temperature, and to form a sealed space on the rear surface side of the substrate by bringing the peripheral portion and the substrate into close contact with each other. For example, when the temperature is controlled by introducing a heat transfer medium into the space, the heat transfer efficiency can be increased. .

상기 제 1, 제 2 또는 제 4 관점의 기판 탑재대에 있어서, 상기 볼록부 정상면의 표면 거칠기 Ry(최대 높이)가 8 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.In the board | substrate mounting board of a said 1st, 2nd or 4th viewpoint, it is preferable that surface roughness Ry (maximum height) of the top surface of the said convex part is 8 micrometers or more.

또한, 상기 제 2 내지 제 4 중 어느 하나의 관점의 기판 탑재대에 있어서, 상기 기준면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.Moreover, in the board mounting stand in any one of said 2nd-4th viewpoint, it is preferable that surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the said reference surface is 1.5 micrometers or less.

상기 제 1, 제 3 또는 제 4 관점의 기판 탑재대에 있어서, 상기 주연대부의 정상면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우, 기판 탑재대는 정전 흡착 전극으로서 기능을 하는 것이 바람직하며, 상기 탑재대 본체는 기재와, 상기 기재 위에 형성된 제 1 유전성 재료막과, 상기 제 1 유전성 재료막 위에 적층된 도전층과, 상기 도전층 위에 적층된 제 2 유전성 재료막을 갖는 것으로 해도 좋다. 또한, 상기 기판 탑재대를 관통하여 설치되어, 기판 의 이면을 향해 전열 매체를 공급하는 전열 매체 유로를 가져도 좋다.In the board | substrate mounting board of a said 1st, 3rd or 4th viewpoint, it is preferable that surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the top surface of the said peripheral edge part is 1.5 micrometers or less. In this case, it is preferable that the substrate mounting table functions as an electrostatic adsorption electrode, wherein the mounting table main body includes a substrate, a first dielectric material film formed on the substrate, a conductive layer laminated on the first dielectric material film, and It is good also as what has a 2nd dielectric material film laminated | stacked on the conductive layer. The heat transfer medium flow path may be provided to penetrate the substrate mounting table and supply the heat transfer medium toward the rear surface of the substrate.

본 발명의 제 5 관점은 상기 제 1 내지 제 4 중 어느 한 관점의 기판 탑재대를 구비한 기판 처리 장치를 제공한다. 이 기판 처리 장치는 플랫 패널 디스플레이의 제조에 이용되는 것이라도 좋고, 특히 기판에 대하여 플라즈마 에칭 처리를 행하는 플라즈마 에칭 장치라도 좋다.A fifth aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus including the substrate mounting table of any of the first to fourth aspects. This substrate processing apparatus may be used for manufacture of a flat panel display, and in particular, may be a plasma etching apparatus which performs a plasma etching process with respect to a board | substrate.

본 발명의 제 6 관점은 기판에 처리를 할 때에 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법이며,A sixth aspect of the present invention is a manufacturing method of a substrate mounting table for mounting a substrate when the substrate is processed.

기재 표면에 유전성 재료막을 형성하는 유전성 재료막 형성 공정과,A dielectric material film forming step of forming a dielectric material film on the substrate surface;

상기 유전성 재료막의 표면을 연마하는 연마 공정과,A polishing step of polishing the surface of the dielectric material film;

연마 후의 상기 유전성 재료막의 표면을, 주연부를 남기고 절삭 가공하여, 오목부를 형성하는 절삭 공정과, A cutting process of cutting the surface of the dielectric material film after polishing leaving the peripheral portion to form a recess;

상기 오목부에, 복수의 개구를 갖는 개구판을 거쳐서 세라믹스를 용사하여 세라믹스로 이루어지는 복수의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 탑재대의 제조 방법을 제공한다.A convex portion forming step of forming a plurality of convex portions made of ceramics by thermally spraying ceramics through an opening plate having a plurality of openings in the concave portion is provided.

제 6 관점에 따르면, 개구판을 마스크로서 이용하는 용사법에 의해, 볼록부의 정상면이 조면이고, 볼록부 이외의 면이 평활면인 기판 탑재대를 짧은 가공 시간 및 적은 가공 비용으로 제조할 수 있다.According to the sixth aspect, by the thermal spraying method using the aperture plate as a mask, a substrate mounting table in which the top surface of the convex portion is a rough surface and the surfaces other than the convex portion is a smooth surface can be manufactured with a short processing time and a low processing cost.

상기 제 6 관점에 있어서, 상기 볼록부 형성 공정은In the sixth aspect, the convex portion forming step is

상기 유전성 재료막 위에, 복수의 개구를 갖는 개구판을 탑재하는 공정과,Mounting an opening plate having a plurality of openings on the dielectric material film;

상기 개구판의 개구 내로 노출된 상기 유전성 재료막을 블라스트 처리하는 공정과,Blasting the dielectric material film exposed into the opening of the opening plate;

상기 개구판을 거쳐서 상기 유전성 재료막 위에 세라믹스를 용사하는 공정과,Thermally spraying ceramics on the dielectric material film via the aperture plate;

상기 개구판을 제거하는 공정을 포함할 수 있다.It may include a step of removing the opening plate.

이와 같이, 개구판을 거쳐서 유전성 재료막을 블라스트 처리한 후, 다시 개구판을 거쳐서 유전성 재료막 위에 세라믹스를 용사함으로써, 볼록부를 형성하는 부분의 유전성 재료막을 조면화하여 앵커 효과에 의해 볼록부와 유전성 재료막과의 접착을 도모할 수 있는 동시에, 볼록부를 형성하는 부분 이외의 기판 표면은 기계 연마 가공 또는 기계 절삭 가공에 의한 평활면인 상태로 남길 수 있다.As described above, after the dielectric material film is blasted through the opening plate, the ceramic material is sprayed on the dielectric material film again through the opening plate to roughen the dielectric material film of the portion forming the convex portion, and the convex portion and the dielectric material are formed by the anchor effect. Adhesion with the film can be achieved, and the surface of the substrate other than the portion forming the convex portion can be left as a smooth surface by mechanical polishing or mechanical cutting.

또한, 상기 제 6 관점에 있어서, 상기 유전성 재료막 형성 공정은In the sixth aspect, the dielectric material film forming step

기재 위에 제 1 유전성 재료막을 형성하는 공정과,Forming a first dielectric material film on the substrate;

상기 제 1 유전성 재료막 위에 도전층을 형성하는 공정과,Forming a conductive layer on the first dielectric material film;

상기 도전층 위에 제 2 유전성 재료막을 형성하는 공정을 포함할 수 있다.And forming a second dielectric material film on the conductive layer.

또한, 상기 제 6 관점에 있어서, 상기 연마 공정에서는 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하가 될 때까지 연마를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 절삭 공정에서는 상기 오목부 바닥면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하가 되도록 절삭 혹은 연마를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 볼록부 형성 공정에서는 상기 용사에 의한 볼록부의 방사 표면의 표면 거칠기 Ry(최대 높이)가 8 ㎛ 이상이 되도록 용사를 행하는 것이 바람직하다.Further, in the sixth aspect, in the polishing step, polishing is preferably performed until the surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) is 1.5 µm or less. Moreover, in the said cutting process, it is preferable to cut or grind | polish so that surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the bottom surface of the said recessed part may be 1.5 micrometers or less. In the convex forming step, the thermal spraying is preferably performed such that the surface roughness Ry (maximum height) of the radiated surface of the convex portion by the thermal spraying is 8 µm or more.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 기판 탑재대로서의 서셉터가 설치된 처리 장치의 일례인 플라즈마 에칭 장치를 도시하는 단면도이다. 이 플라즈마 에칭 장치(1)는 FPD용 유리 기판(G)의 소정의 처리를 행하는 장치의 단면도이며, 용량 결합형 평행평판 플라즈마 에칭 장치로서 구성되어 있다. 여기에서, FPD로서는 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이, 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence ; EL) 디스플레이, 형광 표시관(Vacuum Fluorescent Display ; VFD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다. 또, 본 발명의 처리 장치는 플라즈마 에칭 장치에만 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows the plasma etching apparatus which is an example of the processing apparatus provided with the susceptor as a board | substrate mounting base which concerns on one Embodiment of this invention. This plasma etching apparatus 1 is sectional drawing of the apparatus which performs the predetermined process of the glass substrate G for FPDs, and is comprised as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus. Here, examples of the FPD include a liquid crystal display (LCD), a light emitting diode (LED) display, an electro luminescence (EL) display, a fluorescent fluorescence display (VFD), a plasma display panel (PDP), and the like. do. In addition, the processing apparatus of this invention is not limited only to a plasma etching apparatus.

이 플라즈마 에칭 장치(1)는, 예를 들어 표면이 알루마이트 처리(양극 산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각이진 통 형상으로 성형된 챔버(2)를 갖고 있다. 이 챔버(2) 내의 바닥부에는 절연재로 이루어지는 각이진 기둥 형상의 절연판(3)이 마련되어 있고, 또한 이 절연판(3) 위에는 피 처리 기판인 LCD 유리 기판(G)을 얹어 놓기 위한 서셉터(4)가 설치되어 있다. 또한, 서셉터(4)의 기재(4a)의 외주 및 상면의 유전성 재료막(5)이 마련되어 있지 않은 주연에는 절연 부재(8)가 설치되어 있다.This plasma etching apparatus 1 has the chamber 2 shape | molded in the shape of the angled cylinder which consists of aluminum whose surface was anodized (anodic oxidation treatment), for example. An angled columnar insulating plate 3 made of an insulating material is provided at the bottom of the chamber 2, and a susceptor 4 for placing the LCD glass substrate G, which is a substrate to be processed, on the insulating plate 3. ) Is installed. Moreover, the insulating member 8 is provided in the outer periphery of the base material 4a of the susceptor 4, and the peripheral edge which is not provided with the dielectric material film 5 on the upper surface.

서셉터(4)에는 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(23)이 접속되어 있으며, 이 급전선(23)에는 정합기(24) 및 고주파 전원(25)이 접속되어 있다. 고주파 전원(25)으로부터는, 예를 들어 13.56 MHz의 고주파 전력이 서셉터(4)에 공급된다.A feeder line 23 for supplying high frequency power is connected to the susceptor 4, and a matcher 24 and a high frequency power supply 25 are connected to the feeder line 23. From the high frequency power supply 25, the high frequency power of 13.56 MHz is supplied to the susceptor 4, for example.

상기 서셉터(4)의 상방에는, 이 서셉터(4)와 평행하게 대향하여 상부 전극으로서 기능을 하는 샤워 헤드(11)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(11)는 챔버(2)의 상 부에 지지되어 있으며, 내부에 내부 공간(12)을 갖는 동시에, 서셉터(4)와의 대향면에 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(13)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(11)는 접지되고 있으며, 서셉터(4)와 함께 한 쌍의 평행평판 전극을 구성하고 있다.Above the susceptor 4, a shower head 11 is provided which faces in parallel with the susceptor 4 and functions as an upper electrode. The shower head 11 is supported on the upper portion of the chamber 2 and has a plurality of discharge holes 13 having an internal space 12 therein and discharging the processing gas to the surface facing the susceptor 4. Is formed. The shower head 11 is grounded and together with the susceptor 4 constitutes a pair of parallel plate electrodes.

샤워 헤드(11)의 상면에는 가스 도입구(14)가 마련되고, 이 가스 도입구(14)에는 처리 가스 공급관(15)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(15)에는 밸브(16) 및 매스플로우 컨트롤러(17)를 거쳐서 처리 가스 공급원(18)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(18)으로부터는 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로서는, 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 사용되는 가스를 쓸 수 있다.A gas inlet 14 is provided on an upper surface of the shower head 11, and a process gas supply pipe 15 is connected to the gas inlet 14, and a valve 16 and a process gas supply pipe 15 are connected to the process gas supply pipe 15. The process gas supply source 18 is connected via the massflow controller 17. Process gas for etching is supplied from the process gas source 18. As the processing gas, gases generally used in this field, such as halogen-based gas, O 2 gas, and Ar gas, can be used.

상기 챔버(2)의 측벽 바닥부에는 배기관(19)이 접속되어 있으며, 이 배기관(19)에는 배기 장치(20)가 접속되어 있다. 배기 장치(20)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있어, 이에 의해 챔버(2) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공화 가능하도록 구성되어 있다. 또한, 챔버(2)의 측벽에는 기판 반입출구(21)와, 이 기판 반입출구(21)를 개폐하는 게이트 밸브(22)가 설치되어 있으며, 이 게이트 밸브(22)를 개방한 상태에서 기판(G)이 인접하는 로드 로크실(도시하지 않음)과의 사이에서 반송되도록 되어 있다.An exhaust pipe 19 is connected to the bottom sidewall of the chamber 2, and an exhaust device 20 is connected to the exhaust pipe 19. The exhaust device 20 includes a vacuum pump such as a turbomolecular pump, and is thus configured to be able to vacuum the inside of the chamber 2 to a predetermined pressure-reduced atmosphere. Moreover, the board | substrate carrying in and out 21 and the gate valve 22 which open and close this board | substrate carrying in / out 21 are provided in the side wall of the chamber 2, and the board | substrate ( G) is to be conveyed between adjacent load lock chambers (not shown).

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태의 기판 탑재대인 서셉터(4)는 기재(4a)와, 기재(4a) 위에 설치된 유전성 재료막(5)을 갖는다. 유전성 재료막(5)의 상면 주연에는 단차가 마련되어, 다이부(6)를 형성하고 있다. 또한, 유전성 재료막(5)의 상면에는 복수의 볼록부(7)가 돌기형으로 형성되어 있으며, 이들의 볼록부(7)는 다이부(6)에 의해 주위가 둘러싸여 있다. 또, 기재(4a)와 유전성 재료막(5)과의 열 팽창률의 차에 의한 열 응력을 완화할 목적으로, 기재(4a)와 유전성 재료막(5)과의 사이에, 이들 중간의 열 팽창률을 갖는 재료로 이루어지는 1층 이상의 중간층을 마련할 수도 있다.As shown in FIG. 1, the susceptor 4 which is the board | substrate mounting board of one Embodiment of this invention has the base material 4a and the dielectric material film 5 provided on the base material 4a. A step is provided on the upper periphery of the dielectric material film 5 to form the die portion 6. In addition, a plurality of convex portions 7 are formed on the upper surface of the dielectric material film 5 in the form of protrusions, and these convex portions 7 are surrounded by the die portion 6. Moreover, in order to alleviate the thermal stress caused by the difference in thermal expansion rate between the base material 4a and the dielectric material film 5, the intermediate thermal expansion rate between these base materials 4a and the dielectric material film 5 is different. You may provide the intermediate | middle layer of one or more layers which consist of a material which has these.

도 2는 서셉터(4)의 평면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ'선 화살표에서의 단면도이다. 또한, 도 4는 서셉터(4)의 표면 부근의 구조를 확대하여 나타내는 주요부 단면도이다. 볼록부(7)는 유전성 재료막(5) 위의 기판(G) 탑재 영역에 똑같이 분포하여 형성되어 있으며, 기판(G)은 이 볼록부(7) 위에 탑재되도록 되어 있다. 이에 의해 볼록부(7)는 서셉터(4)와 기판(G)과의 사이를 격리하는 스페이서로서 기능을 하여, 서셉터(4) 위에 부착된 부착물이 기판(G)에 악영향을 끼치는 것이 방지된다.FIG. 2 is a plan view of the susceptor 4, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III 'of FIG. 4 is an essential part sectional view which expands and shows the structure of the surface vicinity of the susceptor 4. As shown in FIG. The convex portions 7 are equally distributed in the substrate G mounting region on the dielectric material film 5, and the substrate G is mounted on the convex portions 7. Thereby, the convex part 7 functions as a spacer which isolates between the susceptor 4 and the board | substrate G, and prevents the attachment attached on the susceptor 4 from adversely affecting the board | substrate G. do.

도 4에 개략적으로 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 서셉터(4)에 있어서 볼록부(7)는, 예컨대 단면을 보았을 때 사다리꼴 형상으로 형성되어 있으며, 그 정상면(7a)은 조면화되어 있으므로, 기판(G)과 점 접촉시킬 수 있다.As schematically shown in FIG. 4, in the susceptor 4 of the present embodiment, the convex portion 7 is formed in a trapezoidal shape when the cross section is viewed, for example, and the top surface 7a is roughened. It can make point contact with the board | substrate G.

더욱 구체적으로는, 볼록부(7)의 정상면(7a)의 표면 거칠기 Ry는 8 ㎛ 이상이며, 9 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 여기에서, Ry는 JIS B0601-1994에 규정되어 있는 최대 높이이며, 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향으로 기준 길이를 결정해, 이 기준 길이 중 가장 높은 정상 높이와 가장 낮은 바닥 깊이와의 합계치를 마이크로미터(㎛)로 나타낸 것을 말한다. 볼록부(7)의 정상면(7a)의 표면 거칠기 Ry를 8 ㎛ 이상으로 함으로써, 볼록부(7)의 정상면(7a)이 기판(G)의 이면과 점 접촉함으로써, 에칭 시에 에칭 불균일의 발생을 방지할 수 있다.More specifically, the surface roughness Ry of the top surface 7a of the convex portion 7 is 8 µm or more, and preferably 9 µm or more and 15 µm or less. Here, Ry is the maximum height prescribed in JIS B0601-1994, and the reference length is determined from the roughness curve in the direction of the average line, and the sum of the highest normal height and the lowest floor depth among these reference lengths is micrometer. It means what is represented by (micrometer). By making surface roughness Ry of the top surface 7a of the convex part 7 into 8 micrometers or more, the top surface 7a of the convex part 7 comes into contact with the back surface of the board | substrate G, and an etching nonuniformity arises at the time of an etching. Can be prevented.

볼록부(7)의 높이(h1)는 30 내지 80 ㎛인 것이 바람직하다. 서셉터(4) 위에 부착되는 부착물의 양을 고려하면, 볼록부(7)의 높이를 30 ㎛ 이상으로 함으로써 부착물이 기판(G)에 악영향을 끼치는 것을 충분히 방지할 수 있기 때문이다. 한 편, 볼록부(7)의 높이(h1)가 80 ㎛를 넘으면, 정전 흡착력이 저하되는 것 외에, 볼록부(7)의 강도가 저하되거나, 기판(G)의 에칭률이 저하되는 등의 문제나 후술하는 바와 같이 볼록부(7)를 용사에 의해 형성하는 경우에 용사 시간이 길어지는 등의 문제점도 있다.The height (h 1) of the convex part 7 is preferably 30 to 80 ㎛. This is because considering the amount of the deposit attached on the susceptor 4, the height of the convex portion 7 is 30 μm or more, which can sufficiently prevent the deposit from adversely affecting the substrate G. On the other hand, when the height h 1 of the convex part 7 exceeds 80 micrometers, an electrostatic attraction force will fall, the intensity | strength of the convex part 7 will fall, the etching rate of the board | substrate G will fall, etc. In addition, when the convex part 7 is formed by thermal spraying so that it may mention later, there exist also a problem of long spraying time.

또한, 볼록부(7)의 정상면(7a)의 지름 D는 0.5 내지 1 ㎜인 것이 바람직하며, 그 간격[인접하는 2개의 볼록부(7)의 중심점을 잇는 거리]은 5 내지 20 ㎜로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 볼록부(7)는 유전성 재료막(5)의 표면에 예컨대 6000개 이상 형성하는 것이 바람직하다. 단, 볼록부(7)는 기판(G)이 기준면(5a)에 접촉하지 않는 간격으로 형성하면 되므로, 상기 숫자는 어디까지나 기준일 뿐이다. 또한, 볼록부(7)의 배열 패턴에는 특별히 제한은 없으며, 예컨대 지그재그 배열이라도 좋다. In addition, the diameter D of the top surface 7a of the convex portion 7 is preferably 0.5 to 1 mm, and the interval (distance connecting the center points of two adjacent convex portions 7) is set to 5 to 20 mm. It is preferable. It is preferable to form such convex portions 7 on the surface of the dielectric material film 5, for example, 6000 or more. However, since the convex part 7 should just be formed in the space which the board | substrate G does not contact the reference surface 5a, the said number is only a reference | standard only. In addition, there is no restriction | limiting in particular in the arrangement pattern of the convex part 7, For example, a zigzag arrangement may be sufficient.

볼록부(7)는 일반적으로 내구성 및 내식성이 높은 재료로서 알려져 있는 세라믹스로 구성되어 있다. 볼록부(7)를 구성하는 세라믹스는 특별히 한정되는 것은 아니며, 전형적으로는 Al2O3, Zr2O3, Si3N4 등의 절연 재료를 예로 들 수 있지만, SiC와 같이 어느 정도 도전성을 갖는 것이라도 좋다. 볼록부(7)는 후술하는 바와 같이 용사에 의해 형성하는 것이 바람직하다. The convex part 7 is comprised with ceramics generally known as a material with high durability and corrosion resistance. The ceramics constituting the convex portion 7 are not particularly limited and typically include insulating materials such as Al 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Si 3 N 4 , and the like. You may have it. It is preferable to form the convex part 7 by thermal spraying as mentioned later.

또한, 서셉터(4)의 상면에서의 볼록부 이외의 부분인 다이부(6)의 정상면(6a)과 유전성 재료막(5)의 기준면(5a)은 모두 평활면이다. 구체적으로는, 다이부(6)의 정상면(6a)과 유전성 재료막(5)의 기준면(5a)의 표면 거칠기 Ra는 각각 1.5 ㎛ 이하이며, 0 이상 1.5 ㎛ 이하가 바람직하다. 여기에서, Ra는 JIS B0601-1994에 규정되어 있는 산술 평균 거칠기이며, 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향으로 기준 길이를 결정해, 이 기준 길이 내에서 평균선으로부터 측정된 거칠기 곡선까지의 편차의 절대치를 합계하고, 평균을 낸 값을 마이크로미터(㎛)로 나타낸 것을 말한다.In addition, the top surface 6a of the die part 6 which is a part other than the convex part in the upper surface of the susceptor 4, and the reference surface 5a of the dielectric material film 5 are both smooth surfaces. Specifically, surface roughness Ra of the top surface 6a of the die part 6 and the reference surface 5a of the dielectric material film 5 is 1.5 micrometers or less, respectively, and 0 or more and 1.5 micrometers or less are preferable. Here, Ra is the arithmetic mean roughness prescribed | regulated to JIS B0601-1994, determines a reference length from a roughness curve in the direction of the average line, and sums the absolute value of the deviation from the average line to the roughness curve measured within this reference length. The mean value is expressed in micrometers (µm).

다이부(6)의 정상면(6a)의 평균 거칠기 Ra를 1.5 ㎛ 이하로 함으로써, 기판(G)을 서셉터(4)에 탑재한 경우에 기판(G)의 주연부를 다이부(6)의 정상면(6a)에 밀착시킬 수 있다. 따라서, 기판(G)과 서셉터(4)의 기준면(4a)과의 사이에 밀폐 공간을 형성할 수 있다. 이로써, 특별히 전열 매체 가스를 기판(G)의 이면에 공급하여 온도 제어를 행하는 경우에, 전열 매체 가스를 기판(G)의 이면 측의 공간에 가둘 수 있으므로, 전열 효율을 향상시킬 수 있다.By setting the average roughness Ra of the top surface 6a of the die portion 6 to 1.5 μm or less, when the substrate G is mounted on the susceptor 4, the peripheral surface of the substrate G is the top surface of the die portion 6. It can stick to (6a). Therefore, a sealed space can be formed between the substrate G and the reference surface 4a of the susceptor 4. Thereby, especially when a heat transfer medium gas is supplied to the back surface of the board | substrate G, and temperature control is performed, since a heat transfer medium gas can be trapped in the space of the back surface side of the board | substrate G, heat transfer efficiency can be improved.

또한, 유전성 재료막(5)의 기준면(5a)의 표면 거칠기 Ra를 1.5 ㎛ 이하로 함으로써, 부착물이 볼록부(7)보다 낮은 기준면(5a)으로 퇴적되는 것을 방지할 수 있 다. Further, by setting the surface roughness Ra of the reference surface 5a of the dielectric material film 5 to 1.5 µm or less, deposition of deposits on the reference surface 5a lower than the convex portion 7 can be prevented.

즉, 서셉터(4)에 있어서 기준면(5a)이 조면이면, 에칭 프로세스를 반복함으로써, 유전성 재료막(5a)의 기준면(5a)에 기판(G)으로부터 에칭된 물질 등이 부착, 축적되어 퇴적하는 경우가 있지만, 본 실시 형태에 있어서는 기준면(5a)이 평활면이므로, 에칭에 의한 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되기 어려워, 부착물을 형성하기 어렵다. 또한, 만일 퇴적물이 형성되어도, 볼록부(7)가 스페이서의 역할을 감당하므로, 퇴적물이 기판(G)에 접촉하기 어려워 기판(G)에 에칭 불균일이 생기거나, 기판(G)이 서셉터(4)에 흡착되거나 하는 등의 문제점이 방지된다.That is, if the reference surface 5a of the susceptor 4 is a rough surface, by repeating the etching process, a substance or the like etched from the substrate G adheres to, and accumulates on, the reference surface 5a of the dielectric material film 5a. In this embodiment, since the reference surface 5a is a smooth surface, reaction products, particles, and the like due to etching are difficult to adhere to, and it is difficult to form deposits. In addition, even if a deposit is formed, since the convex part 7 plays the role of a spacer, it is difficult for a deposit to contact the board | substrate G, and an etching nonuniformity arises in the board | substrate G, or the board | substrate G is a susceptor ( Problems such as adsorption to 4) are prevented.

다이부(5)의 높이(h2)는 볼록부(7)를 둘러싸면서, 기판(G)과 기준면(5a)과의 사이에 밀폐 공간을 형성하는 관점에서, 볼록부(7)의 높이와 대략 동일한 높이 혹은 약간 높게 하는 것이 바람직하며, 예컨대 기계 가공이나 연마 가공으로 형성할 수 있다.The height h 2 of the die portion 5 surrounds the convex portion 7 and forms a sealed space between the substrate G and the reference surface 5 a. It is preferable to make it approximately the same height or just a little high, for example, it can form by machining or polishing.

유전성 재료막(5)은 유전성 재료로 이루어져 있으면 그 재료는 관계없이, 또한 고 절연성 재료뿐만 아니라 전하의 이동을 허용할 정도의 도전성을 갖는 것을 포함한다. 이와 같은 유전성 재료막(5)은 내구성 및 내식성의 관점에서 세라믹스로 구성하는 것이 바람직하다. 이때의 세라믹스는 특별히 한정되는 것은 아니며, 볼록부(7)의 경우와 마찬가지로, 전형적으로는 Al2O3, Zr2O3, Si3N4 등의 절연 재료를 예로 들 수 있지만, SiC와 같이 어느 정도 도전성을 갖는 것이라도 좋다. 이와 같은 유전성 재료막(5)은 예컨대 용사에 의해 형성할 수 있다. If the dielectric material film 5 is made of a dielectric material, the material includes a material having a conductivity sufficient to allow the transfer of charge as well as a highly insulating material, regardless of the material. Such dielectric material film 5 is preferably composed of ceramics from the viewpoint of durability and corrosion resistance. At this time, the ceramics are not particularly limited, and as in the case of the convex portion 7, typically, insulating materials such as Al 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Si 3 N 4 , and the like are exemplified. It may be to some extent conductive. Such dielectric material film 5 can be formed, for example, by thermal spraying.

기재(4a)는 유전성 재료막(5)을 지지하는 것이며, 예컨대 알루미늄 등의 금속이나 카본과 같은 도전체로 구성되어 있다.The base material 4a supports the dielectric material film 5, for example, and is made of a metal such as aluminum or a conductor such as carbon.

다음에, 다시 도 1을 참조하여 플라즈마 에칭 장치(1)에서의 처리 동작에 대해 설명한다.Next, the operation of the plasma etching apparatus 1 will be described with reference to FIG. 1 again.

우선, 피 처리체인 기판(G)은 게이트 밸브(22)가 개방된 후, 도시하지 않은 로드 로크실로부터 기판 반입출구(21)를 거쳐서 챔버(2) 내로 반입되어, 서셉터(4) 위, 즉 서셉터(4) 표면에 형성된 유전성 재료막(5)의 볼록부(7) 및 다이부(6) 위에 탑재된다. 이 경우에, 기판(G)의 주고 받음은 서셉터(4)의 내부를 삽입 통과하여 서셉터(4)로부터 돌출 가능하게 설치된 리프터 핀(도시하지 않음)을 거쳐서 행해진다. 그 후, 게이트 밸브(22)가 폐쇄되어, 배기 장치(20)에 의해 챔버(2) 내가 소정의 진공도까지 진공화된다.First, after the gate valve 22 is opened, the substrate G to be processed is loaded into the chamber 2 from the load lock chamber (not shown) through the substrate loading / unloading port 21 and on the susceptor 4, That is, it is mounted on the convex part 7 and the die part 6 of the dielectric material film 5 formed on the susceptor 4 surface. In this case, the transfer of the substrate G is carried out via a lifter pin (not shown) which is inserted into the susceptor 4 and protrudes from the susceptor 4. Thereafter, the gate valve 22 is closed, and the inside of the chamber 2 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust device 20.

그 후, 밸브(16)가 개방되어 처리 가스 공급원(18)으로부터 처리 가스가 매스플로우 컨트롤러(17)에 의해 그 유량이 조정되면서, 처리 가스 공급관(15), 가스 도입구(14)를 지나 샤워 헤드(11)의 내부 공간(12)으로 도입되고, 또한 토출 구멍(13)을 지나 기판(G)에 대하여 균일하게 토출되어, 챔버(2) 내의 압력이 소정의 값으로 유지된다.Thereafter, the valve 16 is opened so that the flow rate of the processing gas from the processing gas supply source 18 is adjusted by the massflow controller 17, and then the shower passes through the processing gas supply pipe 15 and the gas inlet 14. It is introduced into the inner space 12 of the head 11 and is uniformly discharged with respect to the substrate G through the discharge hole 13, and the pressure in the chamber 2 is maintained at a predetermined value.

이 상태에서 고주파 전원(25)으로부터 고주파 전력이 정합기(24)를 거쳐서 서셉터(4)에 인가되고, 하부 전극으로서의 서셉터(4)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(11)와의 사이에 고주파 전계가 발생해, 처리 가스가 해리(解離)되어 플라즈마화되고, 이로써 기판(G)에 에칭 처리가 실시된다. In this state, a high frequency electric power is applied from the high frequency power supply 25 to the susceptor 4 via the matching unit 24, and the high frequency electric field is between the susceptor 4 as the lower electrode and the shower head 11 as the upper electrode. Is generated, the processing gas is dissociated to form a plasma, and the etching treatment is performed on the substrate G.

이와 같이 하여 에칭 처리를 한 후, 고주파 전원(25)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 가스 도입을 정지한 후, 챔버(2) 내의 압력을 소정의 압력까지 감압한다. 그리고 게이트 밸브(22)가 개방되어, 기판(G)이 기판 반입출구(21)를 거쳐서 챔버(2) 내로부터 도시하지 않은 로드 로크실로 반출됨으로써 기판(G)의 에칭 처리는 종료된다. After the etching process is performed in this manner, the application of the high frequency power from the high frequency power supply 25 is stopped, and gas introduction is stopped, and then the pressure in the chamber 2 is reduced to a predetermined pressure. Then, the gate valve 22 is opened, and the substrate G is carried out from the inside of the chamber 2 to the load lock chamber (not shown) via the substrate loading / unloading opening 21 to finish the etching process of the substrate G.

다음에, 유전성 재료막(5) 위에 다이부(6)나 볼록부(7)를 형성하는 방법에 대해, 도 5 및 도 6을 참조하면서 설명한다. 본 실시 형태에서는, 볼록부(7)의 정상면(7a)은 조면으로 하고, 볼록부(7) 이외의 부분인 유전성 재료막(5)의 기준면(5a)이나 다이부(6)의 정상면(6a)을 평활면으로 하기 위해, 이하와 같은 제조 방법을 채용하였다.Next, a method of forming the die portion 6 and the convex portion 7 on the dielectric material film 5 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. In the present embodiment, the top surface 7a of the convex portion 7 is a rough surface, and the reference surface 5a of the dielectric material film 5 which is a portion other than the convex portion 7 or the top surface 6a of the die portion 6. ), The following manufacturing method was adopted.

우선, 기재(4a)의 상면에 유전성 재료막(5)을 적층 형성한 것을 준비한다. 이 유전성 재료막(5)은 상기 세라믹스 재료를 용사함으로써 형성되어 있으며, 용사의 방사 표면(5b)이 노출되어 있다. 또, 유전성 재료막(5)을 용사에 의해 형성할 때에, 기공이 형성되는 경우가 있으나, 그 경우에는 내전압 성능을 확보하기 위해, 구멍 밀봉 처리를 해 두는 것이 바람직하다.First, a laminate of the dielectric material film 5 is prepared on the upper surface of the base material 4a. The dielectric material film 5 is formed by thermally spraying the ceramic material, and the radiation surface 5b of the thermal sprayed material is exposed. In the case where the dielectric material film 5 is formed by thermal spraying, pores may be formed, but in this case, it is preferable to perform a hole sealing treatment in order to ensure the withstand voltage performance.

상기 방사 표면(5b)을 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 예컨대 도어형 연마기 등의 연마 수단(100)을 이용하여 기계 연마하여 균일하게 평활화한다(스텝 S11). 이 연마 공정에서는 방사 표면(5b)의 표면 거칠기 Ra가 1.5 ㎛ 이하가 될 때까지 연마를 한다.As shown in Fig. 6 (a), the spinning surface 5b is mechanically polished by using polishing means 100 such as a door type polishing machine and smoothed evenly (step S11). In this polishing step, polishing is performed until the surface roughness Ra of the spinning surface 5b is 1.5 µm or less.

다음에, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 평활화된 유전성 재료막(5)의 주연 부를 남기고, 내측을 예컨대 도어형 절삭기 등의 절삭 수단(101)을 이용하여 절삭 가공한다(스텝 S12). 이 절삭 가공에 의해, 유전성 재료막(5)의 중앙부가 절삭되어 오목 형상이 되어, 오목부의 바닥에 기준면(5a)이 노출되는 동시에 주연에 다이부(6)가 형성된다. 기준면(5a)은 절삭 가공에 의한 평활면이며, 표면 거칠기 Ra가 1.5 ㎛ 이하이다. 한편, 다이부(6)의 정상면은 도 6의 (a)의 연마 후의 표면이 그대로 남아 있으므로, 표면 거칠기 Ra가 1.5 ㎛ 이하이다.Next, as shown in Fig. 6B, the inner periphery of the smoothed dielectric material film 5 is left, and the inside is cut using, for example, cutting means 101 such as a door type cutting machine (step S12). ). By this cutting process, the center part of the dielectric material film 5 is cut | disconnected, and it becomes concave shape, the reference surface 5a is exposed at the bottom of the recessed part, and the die part 6 is formed in the periphery. The reference surface 5a is a smooth surface by cutting, and surface roughness Ra is 1.5 micrometers or less. On the other hand, since the surface after the grinding | polishing of FIG.6 (a) remains as it is on the top surface of the die part 6, surface roughness Ra is 1.5 micrometers or less.

다음에, 도 6의 (c)에 도시한 바와 같이, 복수의 원형 개구를 갖는 개구판(102)을 유전성 재료막(5) 위에 설치한다(스텝 S13). 마스크 부재인 개구판(102)에는 복수의 볼록부(7)의 크기와 배치에 대응하도록 관통 구멍이 형성되어 있다. 이와 같은 개구판(102)으로서는, 예컨대 판 두께 0.3 내지 0.5 ㎜ 정도의 금속판, 구체적으로는 스테인리스 판을 사용할 수 있다. 이 개구판(102)을 설치한 상태에서, 블라스트 처리를 행하여 개구판(102)의 개구 내로 노출된 유전성 재료막(5)의 평활 표면을 조면화한다(스텝 S14). 이 조면화는 다음 공정의 용사 시에 앵커 효과를 가지게 해, 용사 형성되는 볼록부(7)를 유전성 재료막(5)과 견고하게 접합시키기 위해 행한다. Next, as shown in Fig. 6C, an opening plate 102 having a plurality of circular openings is provided on the dielectric material film 5 (step S13). In the opening plate 102 serving as the mask member, a through hole is formed so as to correspond to the size and arrangement of the plurality of convex portions 7. As such opening plate 102, for example, a metal plate having a plate thickness of about 0.3 to 0.5 mm, specifically, a stainless steel plate can be used. In the state where the opening plate 102 is provided, blasting is performed to roughen the smooth surface of the dielectric material film 5 exposed into the opening of the opening plate 102 (step S14). This roughening is performed in order to have an anchor effect at the time of thermal spraying of the next process, and to firmly join the convex part 7 formed by thermal spraying with the dielectric material film 5.

도 6의 (d)에서는, 개구판(102) 위에서 용사 건(103)에 의해 상기 세라믹스 재료를 용사한다. 이에 의해, 개구판(102)의 개구 내에 볼록부(7)를 형성한다(스텝 S15). 볼록부(7)의 용사 형성 시에, 예컨대 용사 입경, 용사 패스 수 등의 용사 조건을 선정함으로써, 정상면(7a)의 표면 거칠기 Ry가 8 ㎛ 이상이 되도록 조면화할 수 있다. 또한, 유전성 재료막(5)의 재질과 볼록부(7)의 재질이 동일하면, 양자는 견고하게 결합하기 때문에 적합하다. 그러나 처리 중의 온도 범위에서 양자의 결합이 충분하면, 양자의 재질은 달라도 좋다.In FIG. 6D, the ceramic material is thermally sprayed by the spray gun 103 on the opening plate 102. Thereby, the convex part 7 is formed in the opening of the opening plate 102 (step S15). When the thermal spraying of the convex part 7 is formed, spraying conditions, such as a thermal spraying particle size and the number of thermal spray paths, are selected, for example, it can roughen so that the surface roughness Ry of the top surface 7a may be 8 micrometers or more. In addition, if the material of the dielectric material film 5 and the material of the convex part 7 are the same, since both combine firmly, it is suitable. However, as long as the combination is sufficient in the temperature range during processing, the materials may be different.

그리고 도 6의 (e)에 도시한 바와 같이 개구판(102)을 제거함으로써, 유전성 재료막(5)의 표면에 다이부(6) 및 볼록부(7)가 형성된다(스텝 S16). 이와 같이 하여 형성된 볼록부(8)의 정상면(7a)은 용사의 방사 표면이며, 표면 거칠기 Ry가 8 ㎛ 이상으로 조면화되어 있다. 한편, 다이부(6)의 정상면(6a)은 기계 연마에 의해 형성된 평활면이며, 또한 기준면(5a)은 절삭 가공에 의해 형성된 평활면이며, 모두 표면 거칠기 Ra가 1.5 ㎛ 이하이다. 이상의 제조 방법에 따르면, 볼록부(7)의 정상면(7a)이 조면화되고, 다이부(6)의 정상면(6a)과 기준면(5a)이 평활면인 서셉터(4)를, 짧은 가공 시간 및 적은 가공 비용으로 제조할 수 있다.As shown in FIG. 6E, the die plate 6 and the convex portion 7 are formed on the surface of the dielectric material film 5 by removing the aperture plate 102 (step S16). The top surface 7a of the convex part 8 formed in this way is a radiating surface of a sprayed surface, and surface roughness Ry is roughened to 8 micrometers or more. On the other hand, the top surface 6a of the die part 6 is a smooth surface formed by mechanical polishing, and the reference surface 5a is a smooth surface formed by cutting, and surface roughness Ra is 1.5 micrometers or less in all. According to the above manufacturing method, the top surface 7a of the convex part 7 is roughened, and the susceptor 4 whose top surface 6a and the reference surface 5a of the die part 6 are smooth surfaces is short processing time. And low processing costs.

도 7은 서셉터(4)의 표면에 형성된 볼록부의 표면 거칠기를 나타내는 단면 곡선을 나타내고 있다. 7 shows a cross-sectional curve showing the surface roughness of the convex portion formed on the surface of the susceptor 4.

도 7의 샘플 A 내지 C는 종래의 제조 방법에 의해 볼록부(7)[및 다이부(6)]를 형성한 경우의 단면 곡선이다. 우선, 샘플 A는 기재(4a)의 표면에 적층 용사된 유전성 재료막(5)의 표면에 개구판(12)을 얹고, 용사에 의해 볼록부(7)를 형성한 샘플이다. 이 샘플 A는 볼록부(7)의 정상면(7a)과 기준면(5a)이 양쪽 모두 용사 형성된 방사면이므로, 단면 곡선으로 나타낸 바와 같이 어느 쪽이나 조면화되어 있다. 따라서, 볼록부(7)에 의한 에칭 불균일은 발생하기 어렵지만, 플라즈마 에칭을 반복하여 행함으로써 거친 기준면(5a)에 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되기 쉬워, 퇴적물이 형성되기 쉽다고 하는 문제가 있다.Samples A to C in FIG. 7 are cross-sectional curves when the convex portion 7 (and the die portion 6) is formed by a conventional manufacturing method. First, Sample A is a sample in which the opening plate 12 is placed on the surface of the dielectric material film 5 which is thermally sprayed on the surface of the base material 4a, and the convex portion 7 is formed by thermal spraying. Since this sample A is a radiated surface in which both the top surface 7a and the reference surface 5a of the convex portion 7 are thermally sprayed, both are roughened as shown by the cross-sectional curve. Therefore, although the etching nonuniformity by the convex part 7 is hard to generate | occur | produce, there exists a problem that reaction product, particle | grains, etc. are easy to adhere to the rough reference surface 5a by repeating plasma etching, and deposits are easy to form.

샘플 B는 기재(4a)의 표면에 적층 용사된 유전성 재료막(5)의 표면에, 직접 절삭 가공에 의해 볼록부(7)를 형성한 샘플이다. 이 경우, 기준면(5a)은 기계 가공에 의한 평활면이므로 퇴적물이 형성되기 어렵지만, 단면 곡선으로부터 알 수 있는 바와 같이, 볼록부(7)의 표면(7a)은 거의 완전한 다이 형상으로, 그 정상면(7a)이 평활하므로, 에칭 불균일이 발생하기 쉽다.Sample B is a sample in which the convex portion 7 is formed on the surface of the dielectric material film 5 that is thermally sprayed on the surface of the substrate 4a by direct cutting. In this case, since the reference surface 5a is a smooth surface by machining, it is difficult to form deposits. However, as can be seen from the cross-sectional curve, the surface 7a of the convex portion 7 is almost completely die-shaped, and its top surface ( Since 7a) is smooth, etching nonuniformity tends to occur.

또한, 샘플 C는 샘플 B의 개량 예이며, 유전성 재료막(5)에 절삭 가공에 의해 볼록부(7)를 형성한 후, 그들의 표면에 용사 장치로 예컨대 1 패스분 만큼 용사하여, 표면에 얇은 용사막을 형성한 샘플이다. 이 샘플 C도, 볼록부(7)의 정상면(7a)과 기준면(5a)이 양쪽 모두 용사 형성된 방사면이므로, 단면 곡선으로 나타내는 바와 같이 조면화되어 있다. 따라서, 볼록부(7)에 의한 에칭 불균일은 발생하지 않지만, 플라즈마 에칭을 반복하여 행함으로써 거친 기준면(5a)에 반응 생성물이나 파티클 등이 부착되기 쉬워 퇴적물이 형성되기 쉽다고 하는 문제가 있다.In addition, Sample C is an improvement example of Sample B. After forming the convex portions 7 in the dielectric material film 5 by cutting, they are sprayed on the surface by a spraying device, for example, by one pass, and the surface is thin. It is the sample which formed the thermal sprayed coating. This sample C is also roughened, as shown by the cross-sectional curve, because both the top surface 7a and the reference surface 5a of the convex portion 7 are formed by thermal spraying. Therefore, although the etching nonuniformity by the convex part 7 does not generate | occur | produce, there exists a problem that reaction product, particle | grains, etc. are easy to adhere to the rough reference surface 5a, and deposits are easy to form by repeating plasma etching.

도 7의 샘플 D는 도 5 및 도 6에 도시한 제조 방법으로 다이부(6)와 볼록부(7)를 형성한 경우의 단면 곡선이며, 볼록부(7)의 정상면(7a)은 조면화되어 있는 데 반해, 다이부(6)의 정상면(6a)와 유전성 재료막(5)의 기준면(5a)은 평활면인 것을 간파할 수 있다. 따라서 볼록부(7)에 의한 에칭 불균일의 발생은 억제되어 기준면(5a)에서의 퇴적물의 생성도 회피할 수 있다. 또한, 다이부(6)의 평활한 정상면(6a)은 기판(G)의 이면과 밀착할 수 있으므로, 기판(G)의 이면 공간으로 전열 매체 가스를 도입한 경우의 온도 제어 효율을 높일 수 있다.Sample D in FIG. 7 is a cross-sectional curve when the die portion 6 and the convex portion 7 are formed by the manufacturing methods shown in FIGS. 5 and 6, and the top surface 7a of the convex portion 7 is roughened. On the other hand, it can be seen that the top surface 6a of the die portion 6 and the reference surface 5a of the dielectric material film 5 are smooth surfaces. Therefore, generation | occurrence | production of the etching nonuniformity by the convex part 7 is suppressed, and generation | occurrence | production of the deposit in the reference surface 5a can also be avoided. Moreover, since the smooth top surface 6a of the die part 6 can be in close contact with the back surface of the board | substrate G, the temperature control efficiency at the time of introducing a heat transfer medium gas into the back space of the board | substrate G can be improved. .

이상과 같이, 본 실시 형태의 제조 방법에 따른 샘플 D에서는 볼록부(7)의 정상면(7a), 다이부(6)의 정상면(6a) 및 기준면(5a)의 형상이 고려되어 있으므로, 에칭 불균일이나 퇴적물의 문제가 발생하기 어려워 플라즈마 에칭 장치(1)에서의 에칭 처리의 신뢰성을 확보할 수 있다. 이에 대해, 종래의 제조 방법에 의한 비교 예의 샘플 A 내지 C에서는 어떠한 것에 있어서도, 볼록부(7)의 정상면(7a), 다이부(6)의 정상면(6a) 및 기준면(5a)의 형상(조면이거나 혹은 평활면)의 조합이 부적절하므로, 에칭 불균일이나 퇴적물의 발생 등의 문제가 발생하기 쉬운 경우가 이해된다.As described above, in the sample D according to the manufacturing method of the present embodiment, since the shapes of the top surface 7a of the convex portion 7, the top surface 6a of the die portion 6, and the reference surface 5a are taken into consideration, etching irregularities are obtained. However, problems with deposits are unlikely to occur, and thus the reliability of the etching treatment in the plasma etching apparatus 1 can be ensured. On the other hand, in the samples A to C of the comparative example by the conventional manufacturing method, the shape (rough surface) of the top surface 7a of the convex portion 7, the top surface 6a of the die portion 6 and the reference surface 5a in any case. Or a smooth surface) is inadequate, so it is understood that problems such as etching irregularities and deposits are likely to occur.

다음에, 볼록부(7)의 정상면(7a)의 표면 거칠기와 에칭 불균일 발생과의 관계에 대해 나타낸다. 표면 거칠기는 Ra(산술 평균 거칠기), Rz(십점 평균 거칠기), Ry(최대 높이)의 3가지 방법으로 평가하였다. 여기에서, Rz는 JIS B0601-1994에 규정되어 있는 십점 평균 거칠기이며, 거칠기 곡선으로부터 그 평균선의 방향으로 기준 길이를 결정해, 이 기준 길이 중에서, 가장 높은 정상으로부터 5번째까지의 정상 고도의 절대치의 평균치와, 가장 낮은 바닥으로부터 5번째까지의 바닥 고도의 절대치의 평균치와의 합을 마이크로미터(㎛)로 나타낸 것을 말한다.Next, the relationship between the surface roughness of the top surface 7a of the convex part 7 and the etching nonuniformity generation is shown. Surface roughness was evaluated by three methods, Ra (arithmetic mean roughness), Rz (ten point average roughness), and Ry (maximum height). Here, Rz is a ten-point average roughness prescribed | regulated to JIS B0601-1994, and determines a reference length in the direction of the average line from a roughness curve, and of these reference lengths, the absolute value of the normal height from the highest normal to the fifth The sum of the average value and the average value of the absolute values of the floor elevations from the lowest floor to the fifth floor is expressed in micrometer (µm).

도 8은 볼록부(7)의 정상면(7a)의 표면 거칠기가 다른 5종류의 서셉터(샘플 1 내지 5)에 대해, 표면 거칠기와 플라즈마 에칭 처리에서의 에칭 불균일 발생의 유무를 조사한 결과이다. 각 샘플 번호 밑의 ○×는 에칭 불균일의 발생 유무를 나타내고 있으며, ○는 「에칭 불균일 발생 없음」을, ×는 「에칭 불균일 발생」을 의미하고 있다.FIG. 8 shows the results of investigating the presence or absence of etching irregularities in the surface roughness and the plasma etching treatment with respect to five kinds of susceptors (samples 1 to 5) having different surface roughnesses of the top surface 7a of the convex portion 7. (Circle) under each sample number has shown whether or not etching nonuniformity generate | occur | produced, (circle) means "there is no etching nonuniformity generation | occurrence | production," and x means "the etching nonuniformity generation | occurrence | production".

도 8로부터, 에칭 불균일이 발생한 샘플(샘플 2와 샘플 3)과, 에칭 불균일이 발생하지 않은 샘플(샘플 1, 샘플 4, 샘플 5)의 그룹에 있어서, 명확하게 차이를 볼 수 있는 표면 거칠기 양은 Ry인 것을 알 수 있다. 또한, Ry가 8 ㎛ 이상인 샘플에서는 에칭 불균일은 발생하지 않았다. 따라서 볼록부(7)의 정상면(7a)의 표면 거칠기의 평가 지표에는 Ry가 적합한 동시에, 에칭 불균일을 방지하기 위해서는 Ry가 8 ㎛ 이상이면 되는 것이 개시되었다.From FIG. 8, in the group of the samples (samples 2 and 3) in which the etching nonuniformity occurred and the samples (samples 1, 4 and 5) in which the etching nonuniformity did not occur, the amount of surface roughness that can clearly see the difference is It can be seen that it is Ry. Moreover, the etching nonuniformity did not generate | occur | produce in the sample whose Ry is 8 micrometers or more. Therefore, Ry is suitable for the evaluation index of the surface roughness of the top surface 7a of the convex part 7, and Ry was required to be 8 micrometers or more in order to prevent an etching nonuniformity.

다음에, 도 9, 도 10을 참조하면서, 다른 실시 형태에 대해 설명한다. 본 실시 형태의 서셉터(40)는 정전 척 기능이 있으며, 도 10에 확대하여 도시한 바와 같이, 기재(4a) 위에, 제 1 유전성 재료막(51)과, 금속 등의 도전성 재료로 이루어져, 정전 전극층으로서 기능을 하는 도전층(52)과, 제 2 유전성 재료막(53)을 이 순서로 적층하여 서셉터(40)를 구성한 것이다. 제 2 유전성 재료막(53)의 표면에는 복수의 볼록부(7)와 다이부(6)가 기준면(53a)에 대하여 돌출 형성되어 있다. 그리고 도시하지 않은 직류 전원으로부터 도전층(52)으로 직류 전압을 인가함으로써, 예컨대 쿨롱력에 의해 기판(G)을 정전 흡착할 수 있도록 구성되어 있다. 또, 제 1 유전성 재료막(51), 도전층(52), 제 2 유전성 재료막(53)을 형성하는 방법은 상관없지만, 모두 용사에 의해 형성해도 좋다.Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10. The susceptor 40 of this embodiment has an electrostatic chuck function, and is enlarged in FIG. 10 and consists of the 1st dielectric material film 51 and electroconductive materials, such as a metal, on the base material 4a, The susceptor 40 is formed by stacking the conductive layer 52 functioning as the electrostatic electrode layer and the second dielectric material film 53 in this order. On the surface of the second dielectric material film 53, a plurality of convex portions 7 and a die portion 6 protrude from the reference plane 53a. Then, by applying a direct current voltage to the conductive layer 52 from a direct current power source (not shown), the substrate G can be electrostatically adsorbed by a coulomb force, for example. In addition, although the method of forming the 1st dielectric material film 51, the conductive layer 52, and the 2nd dielectric material film 53 does not matter, all may be formed by thermal spraying.

또한, 기재(4a), 제 1 유전성 재료막(51), 도전층(52), 제 2 유전성 재료막(53)을 관통하여, 제 2 유전성 재료막(53)의 기준면(53a)에 취출구를 갖는 복수의 전열 매체 유로(41)가 형성되어 있다. 이에 의해, 기판(G)의 이면 측의 볼록부(7) 끼리 사이의 공간에 전열 매체 예컨대 헬륨 가스를 가득 채워 기판(G)을 똑같이 냉각할 수 있어, 기판(G)의 온도를 똑같이 할 수 있으므로, 에칭 등의 플라즈 마 처리도 기판 전면에 걸쳐 똑같이 행해진다. 또한, 주연부에 형성된 다이부(6)에 의해, 전열 가스가 서셉터 이외의 영역으로 확산하는 것을 억제하여, 전열 효율을 높일 수 있다.Further, the outlet opening is formed in the reference surface 53a of the second dielectric material film 53 through the substrate 4a, the first dielectric material film 51, the conductive layer 52, and the second dielectric material film 53. A plurality of heat transfer medium flow passages 41 are formed. Thereby, the space between the convex parts 7 of the back surface side of the board | substrate G is filled with a heat transfer medium, for example, helium gas, and the board | substrate G can be cooled equally, and the temperature of the board | substrate G can be made the same. Therefore, plasma processing such as etching is also performed on the entire surface of the substrate. In addition, the die portion 6 formed in the peripheral portion prevents the diffusion of the heat transfer gas into a region other than the susceptor, and can increase the heat transfer efficiency.

제 1 실시 형태에서의 서셉터(4)와 마찬가지로, 본 실시 형태의 서셉터(40)에 있어서도, 볼록부(7)의 정상면(7a)은 조면이며, 표면 거칠기 Ry는 8 ㎛ 이상이며, 9 ㎛ 이상 15 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. Similar to the susceptor 4 of the first embodiment, also in the susceptor 40 of the present embodiment, the top surface 7a of the convex portion 7 is a rough surface, the surface roughness Ry is 8 μm or more, and 9 It is preferable that they are 15 micrometers or more in the micrometer.

또한, 서셉터(40)의 상면에서의 볼록부 이외의 부분인 다이부(6)의 정상면(6a)과 제 2 유전성 재료막(53)의 기준면(53a)은 모두 평활면이다. 구체적으로는, 다이부(6)의 정상면(6a)과 제 2 유전성 재료막(53)의 기준면(53a)의 표면 거칠기 Ra는 각각 1.5 ㎛ 이하이며, 0 이상 1.5 ㎛ 이하가 바람직하다.The top surface 6a of the die portion 6, which is a portion other than the convex portion on the upper surface of the susceptor 40, and the reference surface 53a of the second dielectric material film 53 are both smooth surfaces. Specifically, surface roughness Ra of the top surface 6a of the die part 6 and the reference surface 53a of the 2nd dielectric material film 53 is 1.5 micrometers or less, respectively, and 0 or more and 1.5 micrometers or less are preferable.

제 1 유전성 재료막(51)과 제 2 유전성 재료막(53)은 상기 유전성 재료막(5)과 마찬가지로, 유전성 재료로 이루어져 있으면 그 재료는 상관없으며, 또한 고 절연 재료뿐만 아니라 전하의 이동을 허용할 정도의 도전성을 갖는 것을 포함하여, 내구성 및 내식성의 관점에서 세라믹스 재료로 구성하는 것이 바람직하다. 세라믹스 재료는 특별히 한정되는 것은 아니며, 전형적으로는 Al2O3, Zr2O3, Si3N4 등의 절연 재료를 예로 들 수 있지만, SiC와 같이 어느 정도 도전성을 갖는 것이라도 좋다. 또, 제 1 유전성 재료막(51)과 제 2 유전성 재료막(53)은 동일한 재료이거나 달라도 좋다. 또한, 기재(4a)와 제 1 유선성 재료막(51)과의 열 팽창률의 차에 의한 영 응력을 완화할 목적으로, 기재(4a)와 제 1 유전성 재료막(51) 사이에 이들의 중간 열 팽창률을 갖는 재료로 이루어지는 1층 이상의 중간층을 마련할 수도 있다.Like the dielectric material film 5, the first dielectric material film 51 and the second dielectric material film 53, as long as the dielectric material film is made of a dielectric material, do not matter, and also allow the transfer of charge as well as a high insulating material. It is preferable to comprise with a ceramic material from a viewpoint of durability and corrosion resistance, including what has electroconductivity of the grade. The ceramic material is not particularly limited. Typically, an insulating material such as Al 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Si 3 N 4 , and the like may be used. However, the ceramic material may have some conductivity such as SiC. The first dielectric material film 51 and the second dielectric material film 53 may be the same material or different. In addition, in order to alleviate the zero stress caused by the difference in thermal expansion coefficient between the base material 4a and the first streamlined material film 51, the intermediate portion thereof is between the base material 4a and the first dielectric material film 51. One or more intermediate | middle layers which consist of a material which has a thermal expansion rate can also be provided.

볼록부(7) 및 다이부(6)의 기능과 제조 방법은 제 1 실시 형태와 마찬가지이다. 본 실시 형태에서는 정전 척에 의해 기판(G)을 정전 흡착하는 동시에, 전열 매체에 의해 온도 조절하면서 기판(G)의 처리, 예컨대 에칭 처리를 고정밀도로 실시할 수 있다. 또, 이와 같은 구조를 취하지 않아도 도 1에 도시하는 서셉터(4)의 기재(4a)를 정전 척의 정전 전극으로 함으로써 정전 척으로서 기능시킬 수 있다.The function and the manufacturing method of the convex part 7 and the die part 6 are the same as that of 1st Embodiment. In the present embodiment, the substrate G can be electrostatically adsorbed by the electrostatic chuck, and the substrate G can be treated with high temperature, for example, an etching process with high temperature. Moreover, even if it does not take such a structure, it can function as an electrostatic chuck by making the base material 4a of the susceptor 4 shown in FIG. 1 into the electrostatic electrode of an electrostatic chuck.

이상의 도 9에 도시하는 서셉터(40)는 도 1에 도시하는 플라즈마 에칭 장치(1)와 마찬가지 구성의 플라즈마 에칭 장치에 배치할 수 있다.The susceptor 40 shown in FIG. 9 can be arrange | positioned in the plasma etching apparatus of the structure similar to the plasma etching apparatus 1 shown in FIG.

또, 본 발명은 상기 실시 형태에 제약받는 것은 아니며, 여러 가지의 변형이 가능하다. In addition, this invention is not restrict | limited by the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

예컨대, 도 1에서는 하부 전극에 고주파 전력을 인가하는 RIE 타입의 용량 결합형 평행평판 플라즈마 에칭 장치를 예시하여 설명하였지만, 에칭 장치에 한정되지 않으며, 에싱, CVD 성막 등의 다른 플라즈마 처리 장치에 적용할 수 있고, 상부 전극에 고주파 전력을 공급하는 타입이라도, 또한 용량 결합형에 한정되지 않는 유도(誘導) 결합형이라도 좋다.For example, although FIG. 1 exemplarily described an RIE type capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus for applying high frequency power to the lower electrode, the present invention is not limited to the etching apparatus, and may be applied to other plasma processing apparatuses such as ashing and CVD deposition. It may be a type for supplying high frequency power to the upper electrode or an inductive coupling type not limited to the capacitive coupling type.

또한, 피 처리 기판은 FPD용 유리 기판(G)에 한정되지 않으며 반도체 웨이퍼라도 좋다.In addition, the to-be-processed substrate is not limited to the glass substrate G for FPD, A semiconductor wafer may be sufficient as it.

또한, 볼록부(7)의 크기, 수, 배치 등도 한정되지 않으며, 처리 내용에 따라서 적절하게 선택할 수 있다.In addition, the size, number, arrangement, and the like of the convex portions 7 are not limited, and can be appropriately selected depending on the processing contents.

본 발명에 따르면, 기판 탑재대에 기인하는 에칭 불균일 등의 처리의 불균일이나 퇴적물에 의한 기판 오염 등의 문제점을 방지할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent problems such as nonuniformity in processing such as etching unevenness due to the substrate mounting table and substrate contamination by deposits.

Claims (19)

기판 탑재대에 있어서, In the board mount, 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,It is a board | substrate mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus, 탑재대 본체와,With the mount body, 상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body; 상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference surface and provided with a peripheral portion formed to protrude from the substrate reference surface so as to contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted, 상기 볼록부의 정상면이 조면이며, 상기 주연대부의 정상면이 평활면인 것을 특징으로 하는 The top surface of the convex portion is a rough surface, and the top surface of the peripheral portion is characterized in that the smooth surface. 기판 탑재대.Board Mount. 기판 탑재대에 있어서, In the board mount, 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,It is a board | substrate mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus, 탑재대 본체와,With the mount body, 상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부를 구비하고 있으며,And a plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mounting table body, 상기 기준면이 평활면이며, 상기 볼록부의 정상면이 조면인 것을 특징으로 하는 The reference surface is a smooth surface, characterized in that the top surface of the convex portion is a rough surface. 기판 탑재대.Board Mount. 기판 탑재대에 있어서,In the board mount, 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,It is a board | substrate mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus, 탑재대 본체와,With the mount body, 상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body; 상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference surface and provided with a peripheral portion formed to protrude from the substrate reference surface so as to contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted, 상기 기준면 및 상기 주연대부의 정상면이 평활면인 것을 특징으로 하는 The reference surface and the top surface of the peripheral portion is characterized in that the smooth surface 기판 탑재대.Board Mount. 기판 탑재대에 있어서,In the board mount, 기판 처리 장치에 있어서 기판을 탑재하는 기판 탑재대이며,It is a board | substrate mounting table which mounts a board | substrate in a substrate processing apparatus, 탑재대 본체와,With the mount body, 상기 탑재대 본체의 기판 탑재 측의 기준면으로부터 돌출되어 형성된 복수의 볼록부와,A plurality of convex portions formed to protrude from the reference surface on the substrate mounting side of the mount body; 상기 기준면을 둘러싸고, 기판이 탑재되었을 때에 기판의 주연부에 접촉하도록 기판 기준면보다도 돌출되어 형성된 주연대부를 구비하고 있으며,Surrounding the reference surface and provided with a peripheral portion formed to protrude from the substrate reference surface so as to contact the peripheral portion of the substrate when the substrate is mounted, 상기 기준면 및 상기 주연대부의 정상면이 평활면이며, 상기 볼록부의 정상 면이 조면인 것을 특징으로 하는 The top surface of the reference surface and the peripheral portion is a smooth surface, the top surface of the convex portion is characterized in that the rough surface 기판 탑재대.Board Mount. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1, 2 or 4, 상기 볼록부 정상면의 표면 거칠기 Ry(최대 높이)가 8 ㎛ 이상인 것을 특징으로 하는The surface roughness Ry (maximum height) of the top surface of the convex portion is 8 µm or more. 기판 탑재대.Board Mount. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 기준면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 The surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the reference plane is 1.5 µm or less. 기판 탑재대.Board Mount. 제 1 항, 제 3 항 또는 제 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1, 3 or 4, 상기 주연대부의 정상면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 Surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the top surface of the peripheral zone is 1.5 μm or less 기판 탑재대.Board Mount. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 정전 흡착 전극으로서 기능을 하는 것을 특징으로 하는Characterized by functioning as an electrostatic adsorption electrode 기판 탑재대.Board Mount. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 탑재대 본체는 기재와, 상기 기재 위에 형성된 제 1 유전성 재료막과, 상기 제 1 유전성 재료막 위에 적층된 도전층과, 상기 도전층 위에 적층된 제 2 유전성 재료막을 갖는 것을 특징으로 하는The mount body has a substrate, a first dielectric material film formed on the substrate, a conductive layer laminated on the first dielectric material film, and a second dielectric material film laminated on the conductive layer. 기판 탑재대.Board Mount. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 기판 탑재대를 관통하여 설치되고, 기판의 이면을 향해 전열 매체를 공급하는 전열 매체 유로를 갖는 것을 특징으로 하는It is provided through the said board mounting table, and has a heat-transfer medium flow path which supplies a heat-transfer medium toward the back surface of a board | substrate, It is characterized by the above-mentioned. 기판 탑재대.Board Mount. 기판 처리 장치에 있어서,In the substrate processing apparatus, 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 탑재대를 구비한The board | substrate mounting base of any one of Claims 1-4 is provided. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 플랫 패널 디스플레이의 제조에 이용되는 것인 What is used for manufacture of flat panel display 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 기판에 대하여, 플라즈마 에칭 처리를 행하는 플라즈마 에칭 장치인 것을 특징으로 하는It is a plasma etching apparatus which performs a plasma etching process with respect to a board | substrate, It is characterized by the above-mentioned. 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus. 기판 탑재대의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the substrate mounting base, 기판에 처리를 할 때에 기판을 탑재하는 기판 탑재대의 제조 방법이며,It is a manufacturing method of the board mounting base which mounts a board | substrate when processing to a board | substrate, 기재 표면에 유전성 재료막을 형성하는 유전성 재료막 형성 공정과,A dielectric material film forming step of forming a dielectric material film on the substrate surface; 상기 유전성 재료막의 표면을 연마하는 연마 공정과,A polishing step of polishing the surface of the dielectric material film; 연마 후의 상기 유전성 재료막의 표면을, 주연부를 남기고 절삭 가공하여, 오목부를 형성하는 절삭 공정과, A cutting process of cutting the surface of the dielectric material film after polishing leaving the peripheral portion to form a recess; 상기 오목부에, 복수의 개구를 갖는 개구판을 거쳐서 세라믹스를 용사하여 세라믹스로 이루어지는 복수의 볼록부를 형성하는 볼록부 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 And a convex forming step of forming a plurality of convex portions made of ceramics by thermally spraying ceramics through the opening plate having a plurality of openings in the concave portion. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 볼록부 형성 공정은The convex portion forming process 상기 유전성 재료막 위에, 복수의 개구를 갖는 개구판을 탑재하는 공정과,Mounting an opening plate having a plurality of openings on the dielectric material film; 상기 개구판의 개구 내로 노출된 상기 유전성 재료막을 블라스트 처리하는 공정과,Blasting the dielectric material film exposed into the opening of the opening plate; 상기 개구판을 거쳐서 상기 유전성 재료막 위에 세라믹스를 용사하는 공정과,Thermally spraying ceramics on the dielectric material film via the aperture plate; 상기 개구판을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 And removing the opening plate. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,The method according to claim 14 or 15, 상기 유전성 재료막 형성 공정은The dielectric material film forming process 기재 위에 제 1 유전성 재료막을 형성하는 공정과,Forming a first dielectric material film on the substrate; 상기 제 1 유전성 재료막 위에 도전층을 형성하는 공정과,Forming a conductive layer on the first dielectric material film; 상기 도전층 위에 제 2 유전성 재료막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는Forming a second dielectric material film on the conductive layer. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서, The method according to claim 14 or 15, 상기 연마 공정에서는 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하가 될 때까지 연마를 행하는 것을 특징으로 하는In the polishing step, polishing is performed until the surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) is 1.5 µm or less. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,The method according to claim 14 or 15, 상기 절삭 공정에서는 상기 오목부의 바닥면의 표면 거칠기 Ra(산술 평균 거칠기)가 1.5 ㎛ 이하가 되도록 절삭 혹은 연마를 행하는 것을 특징으로 하는In the said cutting process, cutting or grinding | polishing is performed so that surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the bottom surface of the said recessed part may be 1.5 micrometers or less. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,The method according to claim 14 or 15, 상기 볼록부 형성 공정에서는 상기 용사에 의한 볼록부의 방사 표면의 표면 거칠기 Ry(최대 높이)가 8 ㎛ 이상이 되도록 용사를 행하는 것을 특징으로 하는In the said convex part forming process, thermal spraying is performed so that the surface roughness Ry (maximum height) of the radial surface of the convex part by the said thermal spraying may become 8 micrometers or more. 기판 탑재대의 제조 방법.Method of manufacturing a substrate mount.
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