KR20060132248A - Electrostatic chuck having lifter pins - Google Patents

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박해균
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Abstract

An electrostatic chuck having lifter pins is provided to prevent vibration of a wafer and support stably the wafer by arranging lifter pins at a wide interval on a concentric circle. A chuck body(100) is used for supporting a wafer(300). A plurality of lifter pins(200) penetrate the chuck body and are projected from an upper surface of the chuck body in order to support the wafer. Four lifter pins are disposed at a wide interval on a concentric circle and come in contact with an intermediate part between a center part and an edge part of the wafer. A driving shaft(250) is inserted into the chuck body in order to drive the lifter pins in a vertical direction.

Description

리프터 핀들을 가지는 정전척{Electrostatic chuck having lifter pins}Electrostatic chuck having lifter pins}

도 1 및 도 2는 종래의 리프터 핀(lifter pin)들을 가지는 정전척(ESC)을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 사시도 및 단면도이다. 1 and 2 are schematic perspective and cross-sectional views, respectively, to illustrate an electrostatic chuck (ESC) having conventional lifter pins.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예를 따르는 리프터 핀들을 가지는 정전척을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 사시도 및 단면도이다. 3 and 4 are schematic perspective and cross-sectional views, respectively, to illustrate an electrostatic chuck having lifter pins according to an embodiment of the invention.

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼의 흔들림 및 시프트(shift)를 방지하는 리프터 핀(lifter pin)들을 가지는 정전척(ESC: Electro Static Chuck)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to an electrostatic chuck (ESC) having lifter pins that prevent wafer shake and shift.

반도체 소자를 제조하는 장치들은 공정이 수행되는 챔버(chamber)를 포함하여 구성되고, 챔버 내에는 공정이 수행될 웨이퍼(wafer)를 지지하기 위한 정전척이 설치되고 있다. 정전척에는 정전척으로부터 웨이퍼를 이탈시키기 위해 웨이퍼를 리프트(lift)하는 리프트 핀들이 구비되고 있다. The apparatus for manufacturing a semiconductor device includes a chamber in which a process is performed, and an electrostatic chuck for supporting a wafer on which a process is to be performed is installed in the chamber. The electrostatic chuck is equipped with lift pins that lift the wafer to release the wafer from the electrostatic chuck.

도 1 및 도 2는 종래의 리프터 핀(lifter pin)들을 가지는 정전척(ESC)을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 사시도 및 단면도이다. 1 and 2 are schematic perspective and cross-sectional views, respectively, to illustrate an electrostatic chuck (ESC) having conventional lifter pins.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래의 반도체 제조 장치에 사용되는 정전척은 척 몸체(10)를 포함하여 구성되고, 척 몸체(10) 상에 올려진 웨이퍼(30)는 정전력에 의해 척 몸체(10) 상면에 고정되어 공정이 수행되게 된다. 이러한 척 몸체(10)의 상면에는 웨이퍼(30) 지지를 위한 층(11), 예컨대, 세라믹(ceramic)층이 지지층으로 구비될 수 있다. 이러한 정전척(10)은 특히 건식 식각 장비, 예컨대, LAM 사의 챔버(chamber) 장비의 공정 챔버 내에서 웨이퍼(30)를 장착하는 데 이용되고 있다. 1 and 2, the electrostatic chuck used in the conventional semiconductor manufacturing apparatus includes a chuck body 10, and the wafer 30 mounted on the chuck body 10 is chucked by electrostatic force. The process is performed by being fixed to the upper surface of the body (10). The top surface of the chuck body 10 may include a layer 11 for supporting the wafer 30, for example, a ceramic layer as a support layer. The electrostatic chuck 10 is particularly used for mounting the wafer 30 in a process chamber of a dry etching equipment, such as chamber equipment from LAM.

정전척은 척 몸체(10) 상에 올려진 웨이퍼(30)를 공정 중에 정전력을 이용하여 고정시키되, 웨이퍼(30)에의 공정이 수행된 이후에는 웨이퍼(30)를 밀러 올리는 리프트 핀(20)들이 구비하고 있다. 이러한 리프트 핀(20)은 웨이퍼(30)가 장착될 때, 웨이퍼(30)를 일단 지지하는 역할을 하고, 웨이퍼(30)가 이탈될 때 웨이퍼(11)를 지지하여 이탈 위치까지 밀어 올리는 역할을 한다. The electrostatic chuck fixes the wafer 30 mounted on the chuck body 10 using electrostatic force during the process, and after the process on the wafer 30 is performed, the lift pin 20 for pushing up the wafer 30. We are equipped. The lift pin 20 serves to support the wafer 30 once when the wafer 30 is mounted, and to support the wafer 11 when the wafer 30 is separated to push up to the departure position. do.

그런데, 이와 같이 웨이퍼(30)를 지지하는 리프터 핀(20)들은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 척 몸체(10)의 상면의 중심부에 4개가 동심원 상으로 배치되게 설치되고 있다. 리프터 핀(20)들이 웨이퍼(30)의 장착(loading) 및 이탈(unloading) 시에 업/ 다운(up/ down) 동작하도록, 척 몸체(10)를 관통하여 리프트 핀(20)을 구동하는 구동축(25)이 설치된다. However, as shown in FIGS. 1 and 2, the lifter pins 20 that support the wafer 30 are provided such that four are arranged concentrically on the center of the upper surface of the chuck body 10. Drive shaft for driving the lift pin 20 through the chuck body 10 so that the lifter pins 20 operate up / down during loading and unloading of the wafer 30. 25 is installed.

4개의 리프터 핀(20)들이 동시에 업/다운 동작하게 하기 위해, 리프터 핀(20)들이 일괄 동작하게 하는 연결 플레이트(connecting plate: 21)가 리프터 핀(20)들을 지지하게 도입되고, 연결 플레이트(21)가 업/다운 동작하게 연결 플레이트(21)에 구동축(25)이 연결축(23)에 의해 연결된다. In order to cause the four lifter pins 20 to simultaneously operate up / down, a connecting plate 21 for causing the lifter pins 20 to be collectively operated is introduced to support the lifter pins 20, and The driving shaft 25 is connected to the connecting plate 21 by the connecting shaft 23 so that the 21 is operated up / down.

그런데, 종래의 ESC은, 특히, LAM 사의 챔버 내에 설치되는 ESC는 웨이퍼(30)의 중심부의 좁은 영역에 대응되는 좁은 영역 내에 리프트 핀(20)들 4개가 동심원 상에 배치되고 있다. 웨이퍼(30)가 300㎜ 직경으로 매우 큰 크기인 데 비해, 4개의 리프트 핀(20)들이 배치된 영역의 면적이 상대적으로 작게 되고 있다. 이에 따라, 웨이퍼(30)가 장착 및 탈착될 때 ESC의 미세한 스티킹(sticking)이나 4 개의 리프터 핀(20)들의 동작 속도 등에 따라, 웨이퍼(30)의 이송(transfer)에 문제가 발생될 수 있다. 즉, 웨이퍼(30)가 4개의 리프터 핀(20) 상에 안정되게 지지되지 못하거나 또는 정확한 위치에서 벗어나 시프트된 위치에 웨이퍼(30)가 장착될 수 있다. However, in the conventional ESC, in particular, in the ESC installed in the chamber of the LAM company, four lift pins 20 are arranged in concentric circles in a narrow area corresponding to the narrow area of the center of the wafer 30. While the wafer 30 is 300 mm in diameter and very large in size, the area of the area where the four lift pins 20 are arranged is relatively small. Accordingly, when the wafer 30 is mounted and detached, problems may occur in the transfer of the wafer 30 depending on the minute sticking of the ESC or the operating speed of the four lifter pins 20. have. That is, the wafer 30 may not be stably supported on the four lifter pins 20 or the wafer 30 may be mounted at a shifted position away from the correct position.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼의 장착 및 탈착 시 웨이퍼의 시프트를 방지하고 웨이퍼를 안정되게 지지할 수 있는 리프터 핀들을 구비하는 정전척을 제시하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide an electrostatic chuck having lifter pins capable of stably supporting the wafer and preventing the shift of the wafer upon mounting and detaching the wafer.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 웨이퍼를 지지하기 위한 척 몸체, 상기 척 몸체를 관통하여 상기 척 몸체 상면 상으로 돌출되어 상기 웨이퍼를 지지하게 동심원 상에 4 개 배치되되 상기 웨이퍼의 중심부와 가장 자리부 사이의 중간 부분에 접촉되어 지지하는 리프터 핀들, 및 상기 리프터 핀들을 상하로 구동하기 위해 상기 척 몸체에 삽입되는 구동축을 포함하는 반도체 제조 장비의 정전척을 제시한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem is, the chuck body for supporting the wafer, penetrates through the chuck body is disposed on the concentric circles to protrude on the upper surface of the chuck body to support the wafer and the An electrostatic chuck of semiconductor manufacturing equipment is provided that includes lifter pins that contact and support an intermediate portion between a center portion and an edge of a wafer, and a drive shaft inserted into the chuck body to drive the lifter pins up and down.

상기 리프터 핀들은 상기 웨이퍼의 중심으로부터 가장자리부 쪽으로 대략 상기 웨이퍼의 반경의 30% 내지 60% 정도 길이만큼 떨어진 위치에 배치된 것일 수 있다. The lifter pins may be disposed at positions about 30% to 60% of the radius of the wafer from the center of the wafer toward the edge portion.

본 발명에 따르면, 웨이퍼의 장착 및 탈착 시 웨이퍼의 시프트를 방지하고 웨이퍼를 안정되게 지지할 수 있는 리프터 핀들을 구비하는 정전척을 제시할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide an electrostatic chuck having lifter pins which can prevent the shift of the wafer upon mounting and detaching the wafer and stably support the wafer.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the invention are preferably to be interpreted as being provided to those skilled in the art to more fully describe the invention.

본 발명의 실시예에서는, 정전척에 구비되는 바람직하게 4 개의 리프터 핀들의 배치 간격을 보다 더 넓게 하여, 실질적으로 4 개의 리프터 핀들이 웨이퍼의 중심 부분이 아닌 웨이퍼의 중심 부분과 가장 자리 부분 사이의 중간 영역을 지지하도록 하는 정전척을 제시한다. 이때, 리프터 핀과 핀 사이의 이격 간격은 대략 웨이퍼의 반경과 대등한 거리를 유지할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the spacing of the four lifter pins preferably provided in the electrostatic chuck is further widened so that substantially four lifter pins are positioned between the center portion and the edge portion of the wafer rather than the center portion of the wafer. Present an electrostatic chuck to support the intermediate region At this time, the spacing between the lifter pin and the pin can maintain a distance approximately equal to the radius of the wafer.

이러한 리프터 핀과 핀 사이의 이격 간격은 리프터 핀이 대응되는 웨이퍼 상의 위치에 따라 변화될 수 있는 데, 웨이퍼의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 10% 내지 80%의 길이 정도 떨어진 위치에 대응되게 리프터 핀들이 위치할 수 있다. 바람직하게는, 웨이퍼의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 반 정도의 길이 정도 떨어진 위치에 대응되게 리프터 핀들이 위치할 수 있다. 장착된 웨이퍼의 안정성을 고려할 때, 리프터 핀들의 위치는 웨이퍼의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 30% 내지 60% 정도 떨어진 위치인 것이 바람직하다. The spacing between these lifter pins and the pins may vary depending on the position on the wafer to which the lifter pins correspond, the lifter pins corresponding to a position about 10% to 80% of the radius of the wafer from the center of the wafer. This can be located. Preferably, the lifter pins may be positioned to correspond to a position about half the length of the radius of the wafer from the center of the wafer. Given the stability of the mounted wafer, the position of the lifter pins is preferably about 30% to 60% of the radius of the wafer from the center of the wafer.

리프터 핀들이 이와 같이 배치될 경우, 종래의 경우에 비해 보다 넓은 폭으로 상호 간에 이격될 수 있다. 즉, 4 개의 리프터 핀들이 이루는 영역의 면적이 종래의 경우에 비해 매우 크게 되므로, 리프터 핀들은 웨이퍼를 보다 안정되게 지지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 이송이 다소 불안정해지거나 또는 핀이 상승 또는/ 및 하강하는 동작 속도가 다소 달라지거나 또는 ESC의 미세한 스티킹이 발생하더라도, 리프터 핀들은 보다 넓은 영역에 걸쳐 벌려져 배치되어 있으므로, 웨이퍼를 보다 안정되게 지지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 흔들림 및 시프트될 수 있는 문제를 해소할 수 있으며, 웨이퍼 이송 불량을 방지할 수 있다. When the lifter pins are arranged in this way, they can be spaced apart from each other in a wider width than in the conventional case. That is, since the area of the area formed by the four lifter pins is much larger than in the conventional case, the lifter pins can support the wafer more stably. In addition, even if wafer transfer becomes somewhat unstable, the speed at which the pins rise and / or fall, or the slight sticking of the ESC occurs, the lifter pins are spread out over a wider area, so the wafer It can support more stably. Therefore, the problem of wafer shaking and shifting can be solved, and wafer transfer failure can be prevented.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 리프터 핀(lifter pin)들을 가지는 정전척(ESC)을 설명하기 위해서 개략적으로 각각 도시한 사시도 및 단면도이다. 3 and 4 are a perspective view and a cross-sectional view respectively schematically illustrating an electrostatic chuck (ESC) having lifter pins according to an embodiment of the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치에 사용되는 정전척은, 척 몸체(100)를 포함하여 구성되고, 척 몸체(100) 상에 올려진 웨이퍼(300)는 정전력에 의해 척 몸체(100) 상면에 고정되어 공정이 수행되게 된다. 척 몸체(100)는 웨이퍼(300)를 고정 잡아주기 위한 정전력을 제공하도록 구성될 수 있다. 3 and 4, the electrostatic chuck used in the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention includes a chuck body 100 and a wafer 300 mounted on the chuck body 100. Is fixed to the upper surface of the chuck body 100 by the electrostatic force is to be performed. The chuck body 100 may be configured to provide an electrostatic force for holding and holding the wafer 300.

이러한 척 몸체(100)의 상면에는 웨이퍼(300) 지지를 위한 층(110), 예컨대, 세라믹층이 지지층으로 구비될 수 있다. 지지층(110)에는 공정 중 웨이퍼(300)를 냉각하기 위한 냉각 유로 등이 구비될 수 있고, 이러한 냉각 유로는 척 몸체(100)를 통해 제공되는 헬륨 가스와 같은 냉매를 유통시켜 웨이퍼(300)의 온도를 조절하는 역할을 한다. The upper surface of the chuck body 100 may be provided with a layer 110, for example, a ceramic layer, for supporting the wafer 300 as a support layer. The support layer 110 may be provided with a cooling flow path for cooling the wafer 300 during the process, and the cooling flow path distributes a coolant such as helium gas provided through the chuck body 100 to allow the wafer 300 to flow. It controls the temperature.

정전척은 척 몸체(100) 상에 올려지는 웨이퍼(300)를 지지하거나, 또는, 웨이퍼(300)에의 공정이 수행된 이후에는 웨이퍼(300)의 이탈을 위해 웨이퍼(300)를 밀러 올리는 역할을 하는 리프트 핀(200)들을 구비하고 있다. 이때, 리프트 핀(200)들은 바람직하게 척 몸체(100)의 상면의 중심에 대해 대칭적으로 배치된 4 개의 핀들로 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 리프트 핀(200)들은 도 1 및 2에 제시된 바와 같은 종래의 리프트 핀(20)들에 비해 상호 간에 보다 넓은 폭으로 이격되게 배치된다. The electrostatic chuck supports the wafer 300 mounted on the chuck body 100 or pushes up the wafer 300 for separation of the wafer 300 after the process is performed on the wafer 300. Lift pins 200 are provided. At this time, the lift pins 200 may be preferably arranged with four pins symmetrically disposed with respect to the center of the upper surface of the chuck body 100. The lift pins 200 according to the embodiment of the present invention are arranged to be spaced apart from each other by a wider width than the conventional lift pins 20 as shown in FIGS. 1 and 2.

예컨대, 4 개의 리프터 핀(200)들은 웨이퍼(300)의 중심 부분에 대응되는 위치가 아닌, 웨이퍼(300)의 중심 부분과 가장 자리 부분 사이의 중간 영역을 지지하도록 배치될 수 있다. 이때, 리프터 핀(200)과 핀(200) 사이의 이격 간격은 대략 웨이퍼(300)의 반경과 대등한 거리를 유지하도록 배치될 수 있다. 이러한 리프터 핀(200)과 핀(200) 사이의 이격 간격은 리프터 핀(200)이 대응되는 웨이퍼(300) 상의 위치에 따라 변화될 수 있다. For example, the four lifter pins 200 may be arranged to support an intermediate region between the center portion and the edge portion of the wafer 300, rather than a position corresponding to the center portion of the wafer 300. In this case, the separation distance between the lifter pin 200 and the pin 200 may be disposed to maintain a distance substantially equal to the radius of the wafer 300. The spacing between the lifter pin 200 and the pin 200 may vary depending on the position on the wafer 300 to which the lifter pin 200 corresponds.

예컨대, 웨이퍼(300)의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 10% 내지 80%의 길이 정도 떨어진 위치에 대응되게 리프터 핀(200)들이 위치할 수 있다. 바람직하게는, 웨이퍼(300)의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 반 정도의 길이 정도 떨 어진 위치에 대응되게 리프터 핀(200)들이 위치할 수 있다. 장착된 웨이퍼(300)의 안정성을 고려할 때, 리프터 핀(200)들의 위치는 웨이퍼(300)의 중심으로부터 대략 웨이퍼의 반경의 30% 내지 60% 정도 떨어진 위치인 것이 바람직하다. For example, the lifter pins 200 may be positioned to correspond to a position about 10% to 80% of the radius of the wafer from the center of the wafer 300. Preferably, the lifter pins 200 may be positioned to correspond to positions away from the center of the wafer 300 by about half the length of the radius of the wafer. In view of the stability of the mounted wafer 300, the position of the lifter pins 200 is preferably about 30% to 60% of the radius of the wafer from the center of the wafer 300.

리프터 핀(200)들이 이와 같이 종래의 경우에 비해 보다 넓은 폭으로 상호 간에 이격될 경우, 4 개의 리프터 핀(200)들이 이루는 영역의 면적이 종래의 경우에 비해 매우 크게 된다. 이에 따라, 리프터 핀(200)들은 웨이퍼(300)를 보다 안정되게 지지할 수 있다. 또한, 웨이퍼(300) 이송이 다소 불안정해지거나 또는 핀(200)이 상승 또는/ 및 하강하는 동작 속도가 다소 달라지거나 또는 ESC의 미세한 스티킹이 발생하더라도, 리프터 핀(200)들은 보다 넓은 영역에 걸쳐 벌려져 배치되어 있으므로, 웨이퍼(300)를 보다 안정되게 지지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼의 흔들림 및 시프트될 수 있는 문제를 해소할 수 있으며, 웨이퍼 이송 불량을 방지할 수 있다. When the lifter pins 200 are thus spaced apart from each other in a wider width as compared with the conventional case, the area of the four lifter pins 200 is much larger than in the conventional case. Accordingly, the lifter pins 200 may more stably support the wafer 300. In addition, even if wafer 300 transfer becomes somewhat unstable, or the operation speed at which the pin 200 rises and / or decreases slightly, or fine sticking of the ESC occurs, the lifter pins 200 are located in a wider area. Since it is spread out and arrange | positioned, the wafer 300 can be supported more stably. Therefore, the problem of wafer shaking and shifting can be solved, and wafer transfer failure can be prevented.

리프터 핀(200)들은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 척 몸체(100)의 상면의 중심부에 4개가 동심원 상으로 배치되게 설치될 수 있다. 리프터 핀(200)들이 웨이퍼(300)의 장착(loading) 및 이탈(unloading) 시에 업/ 다운(up/ down) 동작하도록, 척 몸체(100)를 관통하여 리프트 핀(200)을 구동하는 구동축(250)이 설치된다. As shown in FIGS. 3 and 4, the lifter pins 200 may be installed such that four are arranged concentrically in the center of the upper surface of the chuck body 100. Drive shaft for driving the lift pins 200 through the chuck body 100 so that the lifter pins 200 operate up / down during loading and unloading of the wafer 300. 250 is installed.

4개의 리프터 핀(200)들이 동시에 업/다운 동작하게 하기 위해, 리프터 핀(200)들이 일괄 동작하게 하는 연결 플레이트(210)가 리프터 핀(200)들을 지지하게 도입된다. 이때, 연결 플레이트(210)는 리프터 핀(200) 사이의 이격 간격이 보다 넓게 되므로, 이를 확보하기 위해 도 4에 제시된 바와 같이 보다 확장된 길이 또는 면적을 가지게 구성될 수 있다. 이러한 연결 플레이트(210)가 업/다운 동작하게 연결 플레이트(210)에 구동축(250)이 연결축(230)에 의해 연결된다. In order to allow the four lifter pins 200 to operate up / down at the same time, a connecting plate 210 is introduced to support the lifter pins 200, which allows the lifter pins 200 to collectively operate. At this time, the connection plate 210 is spaced apart between the lifter pin 200 is wider, it may be configured to have a more extended length or area as shown in Figure 4 to secure this. The driving shaft 250 is connected to the connecting plate 210 by the connecting shaft 230 such that the connecting plate 210 is up / down.

상술한 본 발명에 따르면, ESC에서의 좁은 영역 내에 리프트 핀들 4개가 동심원 상에 배치되는 종래의 경우에 비해, 보다 넓은 이격 간격으로 리프트 핀들이 4개 배치된다. 웨이퍼가 300㎜ 직경으로 매우 큰 크기인 데 보다 적합하게, 4개의 리프트 핀들이 서로 간에 보다 넓은 간격으로 이격 배치된다. 이에 따라, 리프터 핀들 각각은 웨이퍼의 중심부가 아닌 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이의 중간 영역에 접촉하게 된다. According to the present invention described above, four lift pins are arranged at wider separation intervals than in the conventional case where four lift pins are arranged concentrically in a narrow area in the ESC. More suitably, the four lift pins are spaced apart from each other at a wider distance from each other, making the wafer very large size with a 300 mm diameter. Accordingly, each of the lifter pins comes into contact with the intermediate region between the center and the edge of the wafer, not the center of the wafer.

이에 따라, 리프트 핀들이 보다 안정적으로 웨이퍼를 장착 지지할 수 있다. 따라서, 웨이퍼가 장착 및 탈착될 때 ESC의 미세한 스티킹이나 4 개의 리프터 핀들의 동작 속도 등에 따라, 웨이퍼의 이송(transfer)에 발생될 수 있는 이송 불량을 방지할 수 있다. 또한, 장착된 웨이퍼의 흔들림 등과 같은 문제를 방지하여 보다 안정되게 웨이퍼를 지지할 수 있다. Accordingly, the lift pins can more stably mount and support the wafer. Therefore, it is possible to prevent a transfer failure that may occur in the transfer of the wafer, depending on the minute sticking of the ESC or the operating speed of the four lifter pins when the wafer is mounted and detached. In addition, it is possible to prevent problems such as shaking of the mounted wafer and to support the wafer more stably.

이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. As mentioned above, although this invention was demonstrated in detail through the specific Example, this invention is not limited to this, It is clear that the deformation | transformation and improvement are possible by the person of ordinary skill in the art within the technical idea of this invention.

Claims (2)

웨이퍼를 지지하기 위한 척 몸체;A chuck body for supporting a wafer; 상기 척 몸체를 관통하여 상기 척 몸체 상면 상으로 돌출되어 상기 웨이퍼를 지지하게 동심원 상에 4 개 배치되되 상기 웨이퍼의 중심부와 가장자리부 사이의 중간 부분에 접촉되어 지지하는 리프터 핀들; 및 Lifter pins which penetrate through the chuck body and protrude on the upper surface of the chuck body and are arranged on concentric circles to support the wafer and are in contact with and support an intermediate portion between the center and the edge of the wafer; And 상기 리프터 핀들을 상하로 구동하기 위해 상기 척 몸체에 삽입되는 구동축을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 정전척.And a drive shaft inserted into the chuck body for driving the lifter pins up and down. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 리프터 핀들은 상기 웨이퍼의 중심으로부터 가장자리부 쪽으로 대략 상기 웨이퍼의 반경의 30% 내지 60% 정도 길이만큼 떨어진 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비의 정전척. And the lifter pins are positioned at a distance about 30% to 60% of the radius of the wafer from the center of the wafer toward the edge portion.
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