JP2008205407A - Method for discharging remaining static electricity of electrostatic chuck, and electrostic chuck - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電チャックの残存静電気除去方法、およびこれらの方法が実施可能な静電チャックに関する。 The present invention relates to a method for removing residual static electricity from an electrostatic chuck, and an electrostatic chuck capable of performing these methods.
従来より、半導体装置の製造工程で使用する反応性イオンエッチング装置等でウエハを保持する装置として、静電チャックが使用されている。静電チャックは、静電気で基板(ウエハ)を吸着保持する台と、吸着保持解除後に基板を下側から持ち上げて台から外すリフトピンと、を備えている。通常は、アースされたリフトピンが基板に接触することで、基板の裏面に存在する静電気が除去される。あるいは、逆電位をかけることで静電気を除去する方法も採用されている。 Conventionally, an electrostatic chuck has been used as an apparatus for holding a wafer in a reactive ion etching apparatus or the like used in a semiconductor device manufacturing process. The electrostatic chuck includes a table that holds the substrate (wafer) by static electricity, and lift pins that lift the substrate from the lower side and release it from the table after the suction holding is released. Usually, static electricity present on the back surface of the substrate is removed by the grounded lift pins coming into contact with the substrate. Alternatively, a method of removing static electricity by applying a reverse potential is also employed.
しかし、ウエハの裏面の汚れ具合や表面の状態などによって、静電気量が面内で不均一となっていることと、リフトピンは通常、ウエハ面内の周縁部ではなく中央部分に配置されていることから、前述のような静電気除去処理を行っても、面内の一部(特に周縁部)に静電気が残存することが多い。そして、静電気が残存した状態のウエハをリフトピンで下側から持ち上げると、広範囲に静電気が残存している場合にはウエハが跳ねる恐れがある。また、周縁部の一部に残存している場合には、その部分が台から離れないため、ウエハを搬送するアームがウエハに接触したり、アームが正常にウエハを保持できずにウエハに位置ずれを生じさせたりする恐れがある。 However, the amount of static electricity is not uniform in the surface due to the degree of contamination on the back surface of the wafer, the surface condition, etc., and the lift pins are usually placed at the center of the wafer instead of the peripheral edge. Therefore, even if the static electricity removing process as described above is performed, static electricity often remains in a part of the surface (especially the peripheral edge). When a wafer with static electricity remaining is lifted from below with lift pins, the wafer may jump if static electricity remains in a wide range. Also, if it remains on a part of the peripheral part, the part does not move away from the table, so the arm that transports the wafer contacts the wafer, or the arm cannot properly hold the wafer and is positioned on the wafer. There is a risk of causing a shift.
下記の特許文献1には、このような問題点を解決するために、リフトピンより外側のウエハ周縁部となる位置に複数の離脱用ピンを設けることが記載されている。
この文献に記載されたウエハの離脱方法は、同一円周上に等間隔で例えば4本の離脱用ピンを設けて、ウエハの径方向で対向する2本の離脱用ピンを0.1mm程度上昇させた後に、他の2本の離脱用ピンを0.1mm程度上昇させ、さらに最初の2本の離脱用ピンを0.1mm上昇させることを繰り返して、最終的に0.5mm(ウエハの弾性変形許容範囲内の寸法)上昇させることである。これにより、電荷が残留している場合でも確実にウエハを台から外すことができると記載されている。
In Patent Document 1 below, in order to solve such a problem, it is described that a plurality of detachment pins are provided at positions on the wafer peripheral portion outside the lift pins.
In the wafer detachment method described in this document, for example, four detachment pins are provided at equal intervals on the same circumference, and the two detachment pins facing in the radial direction of the wafer are raised by about 0.1 mm. After that, the other two release pins are raised by about 0.1 mm, and the first two release pins are further raised by 0.1 mm. The dimension within the allowable deformation range). Thus, it is described that the wafer can be reliably removed from the table even when the electric charge remains.
また、離脱用ピンに、ウエハと接触してその接触圧力を検出する圧力センサを設けることで、このセンサが検出した圧力値から、ウエハが台から離脱したかどうかを確認することができると記載されている。
本発明の課題は、特許文献1の方法とは異なる方法で、静電チャックの台からウエハをリフトピンで持ち上げる前に、ウエハに残存している静電気を確実に除去できるようにすることである。 An object of the present invention is to make it possible to reliably remove static electricity remaining on a wafer before the wafer is lifted from a stage of an electrostatic chuck by lift pins by a method different from the method of Patent Document 1.
上記課題を解決するための発明1は、静電気で基板を吸着保持する台と、吸着保持解除後の基板を下側から持ち上げて台から外すリフトピンを備えた静電チャックで、吸着保持解除後に前記台上の基板に残存する静電気を除去する方法であって、前記基板の一カ所を前記台から浮き上がらせることを、基板面の中心点を中心とした円に沿って一周以上連続的に行うことを特徴とする静電チャックの残存静電気除去方法である。 Invention 1 for solving the above-mentioned problem is an electrostatic chuck comprising a table for attracting and holding a substrate by static electricity and a lift pin for lifting the substrate after the suction and holding release from the lower side and removing it from the table. A method of removing static electricity remaining on a substrate on a table, wherein one part of the substrate is lifted from the table by continuously performing one or more rounds along a circle centering on the center point of the substrate surface This is a method for removing residual static electricity from an electrostatic chuck.
発明1の方法によれば、基板の一カ所を台から浮き上がらせることから、基板には台に接触している部分が常に存在するため、静電気が基板に広範囲に残存している場合でも、基板が跳ねたり、位置ずれが生じたりしない。また、基板の一カ所を台から浮き上がらせることを、前記円に沿って一周以上連続的に行うため、基板に残存している静電気を円周方向全体に亙って確実に除去できる。 According to the method of the first aspect of the present invention, since one portion of the substrate is lifted from the base, there is always a portion in contact with the base, so that even if static electricity remains in a wide range on the substrate, the substrate Will not bounce or misalign. In addition, since one part of the substrate is lifted from the table continuously for one or more rounds along the circle, static electricity remaining on the substrate can be reliably removed over the entire circumferential direction.
発明2は、静電気で基板を吸着保持する台と、吸着保持解除後の基板を下側から持ち上げて台から外すリフトピンと、前記基板の一カ所を、基板面の中心点を中心とした円に沿って連続的に前記台から浮き上がらせる残存静電気除去機構と、を備えたことを特徴とする静電チャックである。
発明3は、発明2の前記残存静電気除去機構が、前記台の上面の基板の周縁部が配置される位置に設けた円周溝と、この円周溝の円に沿って配置した基板昇降部材と、この基板昇降部材を前記円に沿って連続的に上昇させる駆動装置と、からなる静電チャックである。
A second aspect of the present invention provides a base for attracting and holding the substrate by static electricity, a lift pin for lifting the substrate after the suction and holding release from the lower side and removing it from the base, and a portion of the substrate in a circle centered on the center point of the substrate surface An electrostatic chuck comprising: a residual static electricity removing mechanism that continuously floats along the base.
In the
発明4は、発明3の基板昇降部材が前記円周溝に入るリングである静電チャックである。
発明2〜4の静電チャックによれば、基板の一カ所を前記台から浮き上がらせることを、基板面の中心点を中心とした円に沿って一周以上連続的に行うことができるため、発明1および2の方法が容易に実施できる。
A fourth aspect of the present invention is an electrostatic chuck in which the substrate elevating member of the third aspect is a ring that enters the circumferential groove.
According to the electrostatic chucks of the inventions 2 to 4, since one place of the substrate can be lifted from the table, it can be continuously performed one or more times along a circle centering on the center point of the substrate surface. The methods 1 and 2 can be easily performed.
以下、本発明の実施形態について説明する。
図1は、この実施形態の静電チャックを示す平面図(a)と断面図(b)である。
図1(b)は、図1(a)のA−A、B−B、C−C、D−Dの各断面に対応する図である。
この静電チャックは、静電気で円形の基板1を吸着保持する台2と、吸着保持解除後の基板1を下側から持ち上げて台から外すリフトピン3を備えている。この台2には、リフトピン3を通す貫通穴21が設けてある。また、台2の上面には、基板1の周縁部が配置される位置に円周溝22が設けてある。この円周溝22は、例えば、基板1の外周から1cm内側となる位置に配置することが好ましい。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
FIG. 1 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) showing the electrostatic chuck of this embodiment.
FIG.1 (b) is a figure corresponding to each cross section of AA of FIG.1 (a), BB, CC, DD.
This electrostatic chuck includes a base 2 for attracting and holding the circular substrate 1 by static electricity, and lift
そして、この円周溝22の円に沿って等間隔に8個の貫通穴23が設けてある。各貫通穴23は円周溝22の底面を貫通している。円周溝22には、丸棒を環状に曲げて結合したリング(基板昇降部材)4が配置されている。各貫通穴23には、リング4を円周溝22の円に沿った8カ所で昇降させるピン5が配置されている。
各ピン5は、図示されない昇降機構にそれぞれ接続され、各昇降機構に接続された制御装置により、円周溝22の円に沿って8本のピン5が順次、所定量上昇した後に下降するように構成されている。これらのピン5、昇降機構、制御装置が、本発明の駆動装置を構成する。また、この駆動装置と、円周溝22と、リング4が、本発明の残存静電気除去機構を構成する。
Eight through
Each
この静電チャックは、例えば、反応性イオンエッチング装置のチャンバ内に設置されて使用される。この場合、台2の上にウエハ(基板)1を静電気で吸着保持し、チャンバ内を密閉した状態で反応性イオンエッチングを行った後に、チャンバの蓋を開ける。そして、ウエハ1を台2の上から外す際に、制御装置で昇降機構を制御することにより、円周溝22の円に沿って8本のピン5が順次、所定量上昇した後に下降する。
For example, the electrostatic chuck is used by being installed in a chamber of a reactive ion etching apparatus. In this case, the wafer (substrate) 1 is adsorbed and held on the table 2 by static electricity, and reactive ion etching is performed in a state where the chamber is sealed, and then the lid of the chamber is opened. Then, when removing the wafer 1 from the table 2, the control device controls the lifting mechanism so that the eight
これに伴って、図2に示すように、リング4は、上昇しているピン5の上側にある部分が台2より上に出て、その上に存在する基板1の一部分に接触する。この接触により、基板1は、リング4からの押し上げ力が作用する範囲で、弾性変形して台2から浮き上がった状態となり、この範囲外の部分は台2に接触したままの状態となる。
例えば、先ず、図1(a)のA−A断面をこの状態とした場合、次に、A−A断面に存在するピン5を下降させると同時に、B−B断面に存在するピン5を上昇させて図2の状態とする。次に、B−B断面に存在するピン5を下降させると同時に、C−C断面に存在するピン5を上昇させて図2の状態とする。次に、C−C断面に存在するピン5を下降させると同時に、D−D断面に存在するピン5を上昇させて図2の状態とする。
Accordingly, as shown in FIG. 2, the
For example, first, when the AA cross section of FIG. 1A is in this state, the
これにより、基板1の一カ所を台2から浮き上がらせることが、円周溝22の円(基板面の中心点を中心とした円)に沿って一周、連続的に行われる。この操作を、図1のように、アースされたリフトピン3が基板1に接触している状態とした後に行うことにより、基板1に残存している静電気が円周方向全体に亙って確実に除去される。そして、この操作を終えた後に、リフトピン3で基板1を下側から持ち上げて台から外せば、基板1が跳ねたり、基板1に位置ずれが生じたりしない。
As a result, the part of the substrate 1 that is lifted from the base 2 is continuously performed around the circle of the circumferential groove 22 (a circle centered on the center point of the substrate surface). This operation is performed after the
なお、この実施形態では、リング4を円周溝22の円に沿って等間隔で配置した8本のピン5で昇降させているが、円周溝22の円に沿って配置したボールによりリング4を昇降させてもよい。
また、基板昇降部材としてリング4を用い、リング4を入れる円周溝22を台2に設けた静電チャックを用いて本発明の方法を実施しているが、本発明の実施できる静電チャックはこれに限定されない。例えば、複数個のリフトピンを、基板面の中心点を中心とした円に沿って、且つ、通常より基板の周縁部側に配置した静電チャックを用いて、本発明の方法を実施することもできる。
In this embodiment, the
In addition, the method of the present invention is carried out using an electrostatic chuck in which the
1…ウエハ(基板)、2…台、21…貫通穴、22…円周溝、23…貫通穴、3…リフトピン、4…リング(基板昇降部材)、5…ピン(駆動装置)。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (substrate), 2 ... Stand, 21 ... Through-hole, 22 ... Circumferential groove, 23 ... Through-hole, 3 ... Lift pin, 4 ... Ring (substrate raising / lowering member), 5 ... Pin (drive device).
Claims (4)
前記基板の一カ所を前記台から浮き上がらせることを、基板面の中心点を中心とした円に沿って一周以上連続的に行うことを特徴とする静電チャックの残存静電気除去方法。 The electrostatic chuck with a base that holds the substrate by electrostatic suction and a lift pin that lifts the substrate after the suction holding release from the lower side and removes it from the base, removes the static electricity remaining on the substrate on the base after releasing the suction holding. A method,
A method for removing residual static electricity from an electrostatic chuck, comprising: continuously raising one portion of the substrate from the table along a circle centering on a central point of the substrate surface.
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CN104157547A (en) * | 2014-08-26 | 2014-11-19 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | Electrostatic discharge method for deep trench etching equipment |
WO2023231378A1 (en) * | 2022-05-30 | 2023-12-07 | 江苏鲁汶仪器股份有限公司 | Wafer lifting mechanism and method of using same, and wafer stage device |
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JPH0456749A (en) * | 1990-06-22 | 1992-02-24 | Hitachi Metals Ltd | Die for casting or apparatus to be brought into contact with molten metal excellent in erosion resistance |
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