KR20060116894A - Surface acoustic wave device package and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR20060116894A
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박주훈
박상욱
김남형
이영진
박두철
이승희
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Abstract

A surface acoustic wave device package and a method for manufacturing the same are provided to prevent moisture from being infiltrated into an airtight space by protecting the SAW device package through a ring-shape metal plated layer and a metal shield layer. In a surface acoustic wave device package(100), a via substructure is formed inside a multi-layer wiring substrate(101). A SAW(Surface Acoustic Wave) chip(107) is bonded at a surface of the multi-layer wiring substrate(101) as a flip chip type. A ring-shape metal plated layer(104) is formed at the surface of the multi-layer wiring substrate(101), along an outline of the SAW chip(107). A protective film(106) forms an airtight space by surrounding the SAW chip(107). A metal shield layer(116) formed at a surface of the protective film(106) is connected with the ring-shape metal plated layer(104).

Description

표면 탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조 방법{Surface Acoustic Wave Device Package and Method of Manufacturing the Same}Surface Acoustic Wave Device Package and Method of Manufacturing the Same

도 1은 종래의 표면 탄성파(SAW) 디바이스 패키지의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a conventional surface acoustic wave (SAW) device package.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 디바이스 패키지의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a SAW device package according to one embodiment of the invention.

도 3 내지 도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 디바이스 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 3 to 8 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a SAW device package according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: SAW 디바이스 패키지 101: 다층 배선 기판100: SAW device package 101: multilayer wiring board

104: 환상형 금속 도금층 106: 보호 필름104: toroidal metal plating layer 106: protective film

107: SAW 칩 108: 범프107: SAW chip 108: bump

109: 접속 단자 110: 비아109: connection terminal 110: via

116: 금속 차폐층 120: 외부 접속 단자116: metal shielding layer 120: external connection terminal

본 발명은 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 디바이스 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 외부의 습기 침투를 효과적으로 차단할 수 있고 열충격에 강한 표면 탄성파 디바이스 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave (SAW) device package and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a surface acoustic wave device package and a method of manufacturing the same which can effectively block external moisture penetration and are resistant to thermal shock.

일반적으로 표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW) 디바이스는 압전 특 성에 의해 발생되는 표면 탄성파를 이용하는 전자 디바이스이다. SAW 디바이스는 공진기, 필터 또는 듀플렉서 등의 RF 부품의 응용에 많이 사용되어 왔다. 이러한 표면 탄성파 디바이스는 패키지 형태로 제조되어 사용된다. 특히, SAW 디바이스 응용 제품의 소형화 요구에 따라, 칩 사이즈 패키지(Chip Size Package; CSP) 형태의 SAW 디바이스 패키지가 널리 사용되고 있다. 미국특허출원 공개번호 US 2003/0006863는 SAW 칩의 압전 기판과 패키지 기판 사이에 제공된 스페이서를 구비하는 CSP 형태의 SAW 디바이스 패키지를 개시하고 있다. In general, surface acoustic wave (SAW) devices are electronic devices using surface acoustic waves generated by piezoelectric properties. SAW devices have been widely used in the application of RF components such as resonators, filters or duplexers. Such surface acoustic wave devices are manufactured and used in package form. In particular, SAW device packages in the form of Chip Size Packages (CSPs) are widely used according to the miniaturization requirements of SAW device applications. US 2003/0006863 discloses a CSP type SAW device package having a spacer provided between a piezoelectric substrate and a package substrate of a SAW chip.

도 1은 종래의 CSP형 SAW 디바이스 패키지(10)를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 연결 배선이 내장된 세라믹 패키지 기판(11)에 금속 범프(18)를 설치한 SAW 칩(17)이 플립 칩 본딩되어 있다. 이러한 플립 칩 본딩에 의해 SAW 칩(17)의 전극은 세라믹 패키지 기판(11) 표면에 형성된 접속 단자(19)에 연결된다. 세라믹 패키지 기판(11)에 실장된 SAW 칩(17)의 외부에는 보호용 몰딩 수지(15)가 덮여있다. 외부 환경으로부터 격리된 기밀 공간을 형성하기 위해, SAW 칩(17)의 가장자리와 세라믹 기판(11)의 표면 사이에는 수지 또는 금속으로 이루어진 환상형의 밀봉 댐(13)이 설치되어 있다. 패키지 기판(11)의 하면에는 외부 배선(예컨대, PCB 기판의 접속 패드)과의 전기적 접속을 위한 외부 접속 단자(20)가 형성되어 있다.1 is a cross-sectional view showing a conventional CSP type SAW device package 10. Referring to FIG. 1, a SAW chip 17 in which metal bumps 18 are provided on a ceramic package substrate 11 in which connection wires are embedded is flip chip bonded. By this flip chip bonding, the electrode of the SAW chip 17 is connected to the connection terminal 19 formed on the surface of the ceramic package substrate 11. The protective molding resin 15 is covered outside the SAW chip 17 mounted on the ceramic package substrate 11. In order to form an airtight space isolated from the external environment, an annular sealing dam 13 made of resin or metal is provided between the edge of the SAW chip 17 and the surface of the ceramic substrate 11. The lower surface of the package substrate 11 is provided with an external connection terminal 20 for electrical connection with an external wiring (for example, a connection pad of a PCB substrate).

이러한 종래의 CSP형 SAW 패키지(10)를 제조하기 위해서는, 수지 또는 금속으로 된 환상형의 밀봉 댐(13)을 설치하여야 하는데, 기밀 공간을 확보하기 위한 밀봉 댐(13) 설치 공정이 상당이 어렵고, 설치 비용이 많이 든다. 또한, 연결 배선이 내장된 패키지 기판(11)은 세라믹 기판으로 되어 있기 때문에, 패키지 기판(11)의 가공이 어렵고, 패키지 제품의 재료비가 높게 된다. In order to manufacture such a conventional CSP type SAW package 10, an annular sealing dam 13 made of resin or metal should be installed, and the installation process of the sealing dam 13 for securing a gas tight space is difficult. , Costly to install. In addition, since the package substrate 11 in which the connection wirings are embedded is made of a ceramic substrate, the processing of the package substrate 11 is difficult and the material cost of the package product is high.

또한, 세라믹 기판은 열팽창 계수는 약 7 ppm/K로, 약 15 ppm/K의 열팽창 계수를 갖는 SAW 칩(17)과의 열팽창 계수 차이가 크다. 이에 따라, 열충격 등의 급격한 온도변화시 금속범프(18)가 쉽게 떨어져 나가게 된다. 뿐만 아니라, 밀봉 댐(13)과 몰딩 수지(15)만으로는 기밀 공간을 확보하기 어려워, 외부로부터 SAW 칩(17)의 전극으로 습기가 침투하여 소자 불량을 일으킬 수가 있다.In addition, the ceramic substrate has a coefficient of thermal expansion of about 7 ppm / K and a large difference in coefficient of thermal expansion from the SAW chip 17 having a thermal expansion coefficient of about 15 ppm / K. Accordingly, the metal bumps 18 easily fall off during a sudden temperature change such as thermal shock. In addition, it is difficult to secure the airtight space only with the sealing dam 13 and the molding resin 15, and moisture can penetrate into the electrodes of the SAW chip 17 from the outside and cause element defects.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 외부로부터의 습기 침투를 효과적으로 차단시킬 수 있고, 제조 공정이 용이하며, 열충격에 강한 SAW 디바이스 패키지를 제공하는 데에 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a SAW device package that can effectively block moisture penetration from the outside, is easy to manufacture, and resistant to thermal shock.

또한, 본 발명의 다른 목적은 내습성이 우수하고 열충격에 강한 SAW 디바이스 패키지를 높은 수율로 용이하게 제조할 수 있는 SAW 디바이스 패키지의 제조 방 법을 제공하는 데에 있다. In addition, another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a SAW device package that can easily produce a SAW device package excellent in moisture resistance and strong thermal shock in high yield.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 SAW 디바이스 패키지는, 내부에 비아 구조가 형성되어 있는 다층 배선 기판과; 상기 다층 배선 기판 상에 플립 칩 본딩된 SAW 칩과; 상기 SAW 칩의 외곽부를 따라 상기 다층 배선 기판 상에 형성된 환상형 금속 도금층과; 상기 SAW 칩을 덮어 기밀 공간을 형성하는 보호 필름과; 상기 보호 필름 상에 형성되어 상기 환상형 금속 도금층과 연결되어 있는 금속 차폐층을 포함한다. In order to achieve the above technical problem, a SAW device package according to the present invention, the via structure is a multi-layer wiring board is formed therein; A SAW chip flip-chip bonded onto the multilayer wiring substrate; An annular metal plating layer formed on the multilayer wiring substrate along an outer portion of the SAW chip; A protective film covering the SAW chip to form an airtight space; And a metal shielding layer formed on the protective film and connected to the annular metal plating layer.

본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 상기 다층 배선 기판은 BT 레진과 같은 폴리머계 기판이다. 또한, 바람직하게는, 상기 다층 배선 기판 내부에 형성되어 있는 상기 비아 구조는, 서로 어긋나게 수직으로 연결되어 있다. 이와 같이 비아 구조가 수직의 일직선상으로 연장되는 대신 서로 어긋나게 수직으로 연결됨으로써, 외부 습기 침투를 더욱 효과적으로 차단시킬 수 있게 된다.According to a preferred embodiment of the present invention, the multilayer wiring board is a polymer substrate such as BT resin. Further, preferably, the via structures formed in the multilayer wiring board are vertically connected to be offset from each other. As described above, the via structures are vertically connected to be offset from each other instead of extending in a vertical straight line, thereby more effectively blocking external moisture penetration.

본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 상기 보호 필름은 열경화성 수지 필름이다. 예를 들어, 상기 보호 필름으로, 폴리이미드계 필름 또는 에폭시계 필름을 사용할 수 있다. According to a preferred embodiment of the present invention, the protective film is a thermosetting resin film. For example, a polyimide film or an epoxy film can be used as the protective film.

또한, 바람직하게는 상기 환상형 금속 도금층은 상기 다층 배선 기판의 접지 단자와 연결된다. 이와 같이, 상기 환상형 금속 도금층이 접지 단자와 연결됨으로써, 상기 금속 차폐층은 상기 접지 단자와 연결된다. 이에 따라, 상기 금속 차폐층은 외부의 전자기파에 대한 차폐 효과를 제공하게 된다. 바람직하게는, 상기 금속 차폐층은 스퍼터링 및 전해도금에 의해 형성된다.In addition, the annular metal plating layer is preferably connected to the ground terminal of the multilayer wiring board. As such, the annular metal plating layer is connected to the ground terminal, so that the metal shielding layer is connected to the ground terminal. Accordingly, the metal shielding layer provides a shielding effect against external electromagnetic waves. Preferably, the metal shielding layer is formed by sputtering and electroplating.

본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 SAW 디바이스 패키지의 제조 방법은, 내부에 다수개의 비아 구조가 형성되어 있는 다층 배선 기판을 준비하는 단계와; 상기 다층 배선 기판 상의 SAW 칩 장착 위치의 외곽부를 따라 환상형 금속 도금층들을 형성하는 단계와; 플립 칩 본딩에 의하여, 상기 다층 배선 기판 상에 다수개의 SAW 칩을 장착하는 단계와; 기밀 공간을 형성하도록, 상기 장착된 다수개의 SAW 칩을 포함한 전면 상에 보호 필름을 적층하는 단계와; SAW 디바이스들간의 경계선을 따라 상기 보호 필름을 제거함으로써, 상기 환상형 금속 도금층을 노출시키는 분할홈을 형성하는 단계와; 상기 보호 필름 및 상기 노출된 환상형 금속 도금층 상에 금속 차폐층을 형성하는 단계와; 상기 금속 차폐층이 형성된 결과물을 개별 SAW 디바이스로 절단하는 단계를 포함한다.In order to achieve another object of the present invention, a method for manufacturing a SAW device package according to the present invention, comprising the steps of preparing a multi-layer wiring board having a plurality of via structures formed therein; Forming annular metal plating layers along the periphery of the SAW chip mounting position on the multilayer wiring board; Mounting a plurality of SAW chips on the multilayer wiring substrate by flip chip bonding; Stacking a protective film on a front surface including the mounted plurality of SAW chips to form an airtight space; Removing the protective film along a boundary between SAW devices to form a dividing groove exposing the annular metal plating layer; Forming a metal shielding layer on the protective film and the exposed annular metal plating layer; Cutting the resultant formed metal shielding layer into individual SAW devices.

바람직하게는 상기 다층 배선 기판 내부의 비아 구조는 서로 어긋나게 수직으로 연결되도록 형성된다. 서로 어긋나게 수직으로 연결된 비아 구조는 외부 습기 침투를 억제하는 데에 유리하다. 또한, 상기 다층 배선 기판은 BT 레진 등의 폴리 머계로 형성되는 것이 바람직하다. 다층 배선 기판을 폴리머계로 형성함으로써, 종래 문제가 되었던 열충격에 의한 범프 손상을 최소화시킬 수 있게 된다.Preferably, the via structure inside the multilayer wiring board is formed to be vertically connected to be offset from each other. Via structures that are vertically connected to each other are advantageous in suppressing external moisture penetration. In addition, the multilayer wiring board is preferably formed of a polymer system such as BT resin. By forming the multilayer wiring board in a polymer system, it is possible to minimize bump damage due to thermal shock, which has been a conventional problem.

바람직하게는, 상기 환상형 도금층은 상기 다층 배선 기판의 접지 단자와 연결되도록 형성된다. 이렇게 함으로써, 상기 금속 차폐층은 상기 환상형 도금층을 통해 상기 접지 단자와 전기적으로 연결되고, 이에 따라 외부 전자기 차폐 효과를 얻을 수 있게 된다.Preferably, the annular plating layer is formed to be connected to the ground terminal of the multilayer wiring board. In this way, the metal shielding layer is electrically connected to the ground terminal through the annular plating layer, thereby obtaining an external electromagnetic shielding effect.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 다층 배선 기판 상에 다수의 SAW 칩을 장착하는 단계는, 상기 SAW 칩 표면 상에 금(Au) 등 재질의 스터드 범프를 형성하는 단계와; 초음파를 사용하여 상기 스터드 범프를 상기 다층 배선 기판 상에 접착하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present disclosure, the mounting of the plurality of SAW chips on the multilayer wiring board may include forming a stud bump of a material such as gold (Au) on the surface of the SAW chip; Bonding the stud bumps to the multilayer wiring substrate using ultrasonic waves.

본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 다층 배선 기판 상에 상기 다수의 SAW 칩을 장착하는 단계는, 상기 다층 배선 기판 상에 AuSn 등 재질의 솔더 범프를 형성하는 단계와; 열융착에 의하여, 상기 SAW 칩을 상기 솔더 범프에 접착하는 단계를 포함한다. According to another embodiment of the present disclosure, the mounting of the plurality of SAW chips on the multilayer wiring board may include forming solder bumps of AuSn or the like on the multilayer wiring board; Bonding the SAW chip to the solder bumps by thermal fusion.

바람직하게는, 상기 보호 필름을 적층하는 단계는, 열경화성 수지로 이루어진 보호 필름을 열압착법으로 적층함으로써 실시된다. 이 때, 상기 열경화성 수지 로는 폴리이미드계 수지 또는 에폭시계 수지를 사용할 수 있다.Preferably, the step of laminating the protective film is carried out by laminating a protective film made of a thermosetting resin by thermocompression bonding. In this case, as the thermosetting resin, polyimide resin or epoxy resin may be used.

바람직하게는, 상기 분할홈을 형성하는 단계는, SAW 디바이스들간의 경계선을 따라 상기 보호 필름에 레이저를 조사함으로써 실시될 수 있다. 이러한 레이저 조사를 이용하면, 상기 환상형 금속 도금층에 손상을 가하지 않고 안전하게 분할홈을 형성할 수 있다.Preferably, the forming of the dividing groove may be performed by irradiating a laser to the protective film along a boundary between SAW devices. By using such laser irradiation, the division grooves can be safely formed without damaging the annular metal plating layer.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 차폐층을 형성하는 단계는, 스퍼터링에 의해 상기 보호 필름상에 시드 금속막을 형성하는 단계와; 상기 시드 금속막 상에 전해도금을 실시하는 단계를 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the forming of the metal shielding layer may include forming a seed metal film on the protective film by sputtering; Performing electroplating on the seed metal film.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 디바이스 패키지의 측단면도이다. 도 2를 참조하면, SAW 디바이스 패키지(100)는, 다층 배선 기판(101)과 SAW 칩 (107)을 포함한다. 다층 배선 기판(101)의 내부에는 비아 구조(110)가 형성되어 있다. SAW 칩(107)는 범프(108)를 통해 다층 배선 기판(101)의 접속 단자(109)에 플립 칩 본딩되어 있다. SAW 칩(107)과 다층 배선 기판(101) 사이의 기밀 공간을 제공하도록, SAW 칩 상에는 폴리이미드계 또는 에폭시계 등의 열경화성 수지로 된 보호 필름(106)이 덮여있다. 2 is a side cross-sectional view of a SAW device package according to one embodiment of the invention. Referring to FIG. 2, the SAW device package 100 includes a multilayer wiring board 101 and a SAW chip 107. The via structure 110 is formed in the multilayer wiring board 101. The SAW chip 107 is flip chip bonded to the connection terminal 109 of the multilayer wiring board 101 through the bump 108. In order to provide an airtight space between the SAW chip 107 and the multilayer wiring board 101, a protective film 106 made of a thermosetting resin such as polyimide or epoxy is covered on the SAW chip.

다층 배선 기판(101) 상에는 SAW 칩(107)의 외곽부를 따라 환상형 금속 도금층(104)이 형성되어 있다. 또한, 금속 차폐층(116)이 보호 필름(116) 상에 형성되어 환상형 금속 도금층(104)과 연결되어 있다. 이러한 환상형 금속 도금층(104)과 금속 차폐층(116)은, 기밀 공간으로의 외부 습기 침투를 효과적으로 차단한다. 바람직하게는, 상기 금속 차폐층(116)은 스퍼터링 및 전해도금에 의해 형성된다. 즉, 스터링을 통해 보호 필름(106)을 덮는 시드 금속막을 형성하고 그 위에 전해도금을 실시함으로써, 금속 차폐층(116)을 형성할 수 있다.On the multilayer wiring board 101, an annular metal plating layer 104 is formed along the outer portion of the SAW chip 107. In addition, a metal shielding layer 116 is formed on the protective film 116 and connected to the annular metal plating layer 104. The annular metal plating layer 104 and the metal shielding layer 116 effectively block external moisture penetration into the airtight space. Preferably, the metal shielding layer 116 is formed by sputtering and electroplating. That is, the metal shielding layer 116 can be formed by forming a seed metal film covering the protective film 106 through sterling and electroplating thereon.

바람직하게는, 상기 환상형 금속 도금층(104)은 다층 배선 기판(101)의 접지 단자와 연결된다. 이렇게 함으로써, 금속 차폐층(116)은 환상형 금속 도금층(104)을 통해 상기 접지 단자와 전기적으로 연결되어, 외부 전자기파에 대한 차폐 효과를 얻을 수 있게 된다. Preferably, the annular metal plating layer 104 is connected to the ground terminal of the multilayer wiring board 101. In this way, the metal shielding layer 116 is electrically connected to the ground terminal through the annular metal plating layer 104, thereby obtaining a shielding effect against external electromagnetic waves.

바람직하게는, 다층 배선 기판(101)은 BT 레진과 같은 폴리머계 기판이다. 이와 같이 폴리머계 기판을 다층 배선 기판(101)으로 사용함으로써, 종래 열충격으로 인한 범프의 이탈을 방지할 수 있게 된다. 즉, 폴리머계 다층 배선 기판(101)의 열팽창 계수는 12-15 ppm/K로 SAW 칩(107)의 열팽창 계수와의 차이가 크지 않기 때문에, 열충격과 같은 온도변화에도 기판(101)의 변형이 크게 발생하지 않게 된다. 따라서, 폴리머계 재질의 다층 배선 기판은 열충격에 강한 특성을 나타내므로, 금속 범프(108)의 접착이 안정적이다. Preferably, the multilayer wiring board 101 is a polymer substrate such as BT resin. By using the polymer substrate as the multilayer wiring board 101 as described above, it is possible to prevent the bump from being separated due to the conventional thermal shock. That is, since the thermal expansion coefficient of the polymer-based multilayer wiring board 101 is 12-15 ppm / K and the difference is not large from the thermal expansion coefficient of the SAW chip 107, the deformation of the substrate 101 does not occur even when the temperature changes such as thermal shock. It does not occur much. Therefore, since the multilayer wiring board made of a polymer material exhibits strong thermal shock characteristics, adhesion of the metal bumps 108 is stable.

또한, 다층 배선 기판(101)은 다층 구조로 되어 있기 때문에, 외부의 습기 침투를 억제할 수 있다. 특히, 도 2에 도시된 바와 같이 기판(101) 내부에 형성된 비아 구조(110)는 서로 어긋나게 수직으로 연결되어 있기 때문에, 외부로부터의 습기 침투는 더욱 차단된다. In addition, since the multilayer wiring board 101 has a multilayer structure, it is possible to suppress external moisture penetration. In particular, as shown in FIG. 2, since the via structures 110 formed inside the substrate 101 are vertically connected to be offset from each other, moisture penetration from the outside is further blocked.

이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 SAW 디바이스 패키지의 제조 방법을 설명한다. 본 실시형태의 제조 방법을 사용함으로써, 단일 배선 기판으로부터 다수의 SAW 디바이스 패키지를 동시에 얻을 수 있게 된다.Hereinafter, a method of manufacturing a SAW device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 8. By using the manufacturing method of this embodiment, multiple SAW device packages can be obtained simultaneously from a single wiring board.

먼저, 도 3을 참조하면, 내부에 비아 구조(110)가 형성되어 있는 폴리머계 다층 배선 기판(101)을 준비한다. 이 다층 배선 기판(101)의 표면 상에는 비아와 연결된 접속 단자(109)가 형성되어 있으며, 다층 배선 기판(101)의 하면에는 외부 접속 단자(120)가 형성되어 있다. 상기 비아 구조(110)는 전술한 바와 같이, 서로 어긋나게 수직으로 연결되도록 형성된다. 그 후, 다층 배선 기판(101) 상의 SAW 칩 장착 위치의 외곽부를 따라 환상형 금속 도금층(104)을 형성한다. 환상형 금속 도금층(104)은 기판(101)의 접지 단자(미도시)와 연결되도록 형성한다.First, referring to FIG. 3, a polymer-based multilayer wiring board 101 having a via structure 110 formed therein is prepared. Connection terminals 109 connected to vias are formed on the surface of the multilayer wiring board 101, and external connection terminals 120 are formed on the bottom surface of the multilayer wiring board 101. As described above, the via structure 110 is formed to be vertically connected to be offset from each other. Thereafter, the annular metal plating layer 104 is formed along the periphery of the SAW chip mounting position on the multilayer wiring board 101. The annular metal plating layer 104 is formed to be connected to the ground terminal (not shown) of the substrate 101.

다음으로, 도 4를 참조하면, 플립 칩 본딩에 의해, 다층 배선 기판(101) 상의 SAW 칩 장착 위치에 금속 범프(108)를 통해 다수개의 SAW 칩(107)을 장착한다. SAW 칩(107) 장착을 위한 플립 칩 본딩은, SAW 칩 표면 상에 금(Au) 재질의 스터드 범프를 형성하고 초음파 본딩함으로써, 수행될 수 있다. Next, referring to FIG. 4, a plurality of SAW chips 107 are mounted through metal bumps 108 at SAW chip mounting positions on the multilayer wiring board 101 by flip chip bonding. Flip chip bonding for mounting the SAW chip 107 may be performed by forming a gold stud bump on the SAW chip surface and ultrasonic bonding.

다른 방안으로서, 상기 플립 칩 본딩은, 다층 배선 기판(101) 상에 AuSn 재질의 솔더 범프를 형성하고 열융착 본딩함으로써, 수행될 수도 있다. 이 경우, 다층 배선 기판(101) 재료로는 강성도가 큰 것을 사용하고, 플립 칩 본딩될 접지 단자에 금(Au) 재질의 필름을 0.5 ㎛이상의 두께로 코팅한다. 또한, 플립 칩 본딩 시 접착 부위를 120-180℃로 가열함으로써, 금속 범프의 접착력을 향상시킬 수 있다.Alternatively, the flip chip bonding may be performed by forming solder bumps of AuSn material on the multilayer wiring substrate 101 and thermally bonding them. In this case, a material having a high rigidity is used as the material of the multilayer wiring board 101, and a film of gold material (Au) is coated on the ground terminal to be flip chip bonded to a thickness of 0.5 μm or more. In addition, the adhesive force of the metal bumps may be improved by heating the bonding portion at 120-180 ° C. during flip chip bonding.

다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 다수개의 SAW 칩(107)을 포함한 전면 상에 보호 필름(106)을 열압착법으로 적층한다. 이에 따라, 상기 보호 필름(106)은 온도조절을 통한 흐름성 제어로 SAW 칩(107)의 동작면에 기밀공간을 형성한다. 보호 필름(106)으로는 열경화성 수지 필름을 사용하는데, 예를 들어 폴리이미드계 수지 필름 또는 에폭시계 수지 필름을 사용할 수 있다. 도 5에서 도면부호 A는 1개의 SAW 디바이스 영역을 나타낸다. Next, as shown in FIG. 5, the protective film 106 is laminated on the front surface including the plurality of SAW chips 107 by thermocompression bonding. Accordingly, the protective film 106 forms a gas tight space on the operating surface of the SAW chip 107 by flow control through temperature control. As the protective film 106, a thermosetting resin film is used. For example, a polyimide resin film or an epoxy resin film may be used. In FIG. 5, reference numeral A denotes one SAW device area.

상기 보호 필름(106)의 적층시 중요한 요소는 압착재질과 온도, 시간 및 진공도등이며, 상기 보호 필름(106)을 폴리이미드 계열의 열경화성 필름으로 사용하는 경우, 적층 조건으로서 압착재질의 탄성은 0.2 내지 1MPa정도, 온도는 170℃ 내지 200℃ 사이, 시간은 30초 내지 2분, 진공도 0.5 내지 1.5 hpa에서 최적의 적층 결과를 얻을 수 있다.Important factors in lamination of the protective film 106 include a crimping material, temperature, time, and vacuum degree, and when the protective film 106 is used as a polyimide-based thermosetting film, the elasticity of the crimping material as a lamination condition is 0.2. About 1 MPa, the temperature is between 170 ° C and 200 ° C, the time is 30 seconds to 2 minutes, the optimum lamination results can be obtained at a vacuum degree of 0.5 to 1.5 hpa.

다음으로, 도 6에 도시된 바와 같이, SAW 디바이스 영역들간의 경계선을 따라 보호 필름(106)을 제거함으로써, 환상형 금속 도금층(104)을 노출시키는 분할 홈을 형성한다. 바람직하게는, 분할홈 형성은, 레이저 조사에 의해 실시된다. 즉, SAW 디바이스 영역들간의 경계선을 따라 레이저를 조사함으로써, 상기 경계선 부근의 보호 필름(106)을 제거한다. 이러한 레이저 조사를 이용하면, 환상형 금속 도금층(104)에 손상을 가하지 않고 안전하게 분할홈을 형성할 수 있다. 다른 방안으로서, 다이싱(dicing) 공정을 통해 분할홈을 형성할 수도 있다.Next, as shown in FIG. 6, by removing the protective film 106 along the boundary line between the SAW device regions, the division grooves exposing the annular metal plating layer 104 are formed. Preferably, division groove formation is performed by laser irradiation. That is, by irradiating a laser along the boundary line between SAW device regions, the protective film 106 near the boundary line is removed. By using such laser irradiation, the division grooves can be safely formed without damaging the annular metal plating layer 104. Alternatively, the dividing groove may be formed through a dicing process.

다음으로, 도 7에 도시된 바와 같이, 보호 필름(106) 및 노출된 환상형 금속 도금층(104) 상에 금속 차폐층(116)을 형성한다. 이에 따라, 모든 SAW 디바이스 영역들은 금속 차폐층(116)에 의해 완전히 덮혀지고, 환상형 금속 도금층(104)은 금속 차폐층(116)과 연결된다. 이 때, 환상형 금속 도금층(104)은 접지 단자에 연결 되어 있기 때문에, 금속 차폐층(116)은 접지 단자와 전기적으로 연결된다. 상기 금속 차폐층(116)을 형성하는 방법으로서, 보호 필름(106) 상에 스퍼터링으로 시드 금속층을 형성하고 그 위에 전해도금을 실시할 수 있다.Next, as shown in FIG. 7, the metal shielding layer 116 is formed on the protective film 106 and the exposed annular metal plating layer 104. Accordingly, all SAW device regions are completely covered by the metal shielding layer 116, and the annular metal plating layer 104 is connected with the metal shielding layer 116. At this time, since the annular metal plating layer 104 is connected to the ground terminal, the metal shielding layer 116 is electrically connected to the ground terminal. As a method of forming the metal shielding layer 116, a seed metal layer may be formed on the protective film 106 by sputtering and then electroplated thereon.

다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 금속 차폐층(116)이 형성된 상기 결과물을 개별 SAW 디바이스로 절단한다. 이에 따라, 다수의 SAW 디바이스 패키지를 동시에 얻게 된다. 따라서, 본 실시형태의 제조 방법은 SAW 디바이스 패키지를 대량생산하는 데에 적합하다. Next, the resultant formed metal shield layer 116 is cut into individual SAW devices as shown in FIG. 8. As a result, multiple SAW device packages are obtained simultaneously. Therefore, the manufacturing method of this embodiment is suitable for mass-producing SAW device packages.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 또한, 본 발명은 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be substituted, modified, and changed in various forms without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 종래의 밀봉 댐을 형성할 필요가 없어 SAW 디바이스 패키지 제조 공정이 비교적 간단하고 용이하다. 또한, 다층 배선 기판을 사용함으로써 SAW 디바이스 패키지의 내습성이 높다. 특히, 서로 어긋나게 수직으로 연결된 내부 비아 구조를 채택함으로써, 내습성은 더욱 높아지게 된다. 나아가, 서로 연결된 환상형 금속 도금층과 금속 차폐층이 SAW 디바이스 패키 지 전체의 보호막 역할을 하기 때문에, 기밀 공간으로의 습기 침투를 원천적으로 차단할 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, there is no need to form a conventional sealing dam, so the SAW device package manufacturing process is relatively simple and easy. Moreover, the moisture resistance of SAW device package is high by using a multilayer wiring board. In particular, by adopting the internal via structure connected vertically to be offset from each other, the moisture resistance becomes higher. Furthermore, since the annular metal plating layer and the metal shielding layer connected to each other serve as a protective film for the entire SAW device package, it is possible to fundamentally prevent moisture penetration into the airtight space.

또한, 기존의 세라믹 기판이 아닌 폴리머계의 다층 배선 기판을 사용함으로써, 패키지 기판과 SAW 칩 간의 열팽창 계수 차이를 줄여주어 열충격에 강한 구조를 제공하게 된다. 이에 따라, 급격한 온도 변화에도 금속 범프의 접착성은 안전하게 유지되고, 제품 수율은 향상된다. 또한, 고가의 세라믹 기판 대신 값싼 폴리머계 기판을 사용함으로써, SAW 디바이스 패키지의 제조 비용을 절감시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 금속 차폐층이 접지 단자와 연결됨으로써, 외부 전자기파에 대한 차폐 효과를 얻을 수도 있다. In addition, by using a polymer-based multilayer wiring board rather than a conventional ceramic substrate, the thermal expansion coefficient difference between the package substrate and the SAW chip is reduced to provide a structure that is resistant to thermal shock. As a result, the adhesion of the metal bumps is safely maintained even with a sudden temperature change, and the product yield is improved. In addition, by using an inexpensive polymer substrate instead of an expensive ceramic substrate, it is possible to reduce the manufacturing cost of the SAW device package. In addition, the metal shielding layer is connected to the ground terminal, thereby obtaining a shielding effect against external electromagnetic waves.

Claims (16)

내부에 비아 구조가 형성되어 있는 다층 배선 기판; A multilayer wiring board having a via structure formed therein; 상기 다층 배선 기판 상에 플립 칩 본딩된 SAW 칩; A SAW chip flip-chip bonded onto the multilayer wiring substrate; 상기 SAW 칩의 외곽부를 따라 상기 다층 배선 기판 상에 형성된 환상형 금속 도금층; An annular metal plating layer formed on the multilayer wiring board along an outer portion of the SAW chip; 상기 SAW 칩을 덮어 기밀 공간을 형성하는 보호 필름; 및A protective film covering the SAW chip to form an airtight space; And 상기 보호 필름 상에 형성되어 상기 환상형 금속 도금층과 연결되어 있는 금속 차폐층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지.And a metal shielding layer formed on the protective film and connected to the annular metal plating layer. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 다층 배선 기판은 폴리머계 기판인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지. And said multilayer wiring substrate is a polymer substrate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 비아 구조는, 서로 어긋나게 수직으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지.The via structure is a surface acoustic wave device package, characterized in that connected to each other perpendicularly to each other. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 보호 필름은 열경화성 수지 필름인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디 바이스 패키지. The protective film is a surface acoustic wave device package, characterized in that the thermosetting resin film. 제4항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 보호 필름은 폴리이미드계 필름 또는 에폭시계 필름인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지.The protective film is a surface acoustic wave device package, characterized in that the polyimide film or an epoxy film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 환상형 금속 도금층은 상기 다층 배선 기판의 접지 단자와 연결된 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지.And the annular metal plating layer is connected to a ground terminal of the multilayer wiring board. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 금속 차폐층은 스퍼터링 및 전해도금에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지.And said metal shielding layer is formed by sputtering and electroplating. 내부에 다수개의 비아 구조가 형성되어 있는 다층 배선 기판을 준비하는 단계; Preparing a multi-layered wiring board having a plurality of via structures formed therein; 상기 다층 배선 기판 상의 SAW 칩 장착 위치의 외곽부를 따라 환상형 금속 도금층들을 형성하는 단계; Forming annular metal plating layers along the periphery of the SAW chip mounting position on the multilayer wiring substrate; 플립 칩 본딩에 의하여, 상기 다층 배선 기판 상에 다수개의 SAW 칩을 장착하는 단계; Mounting a plurality of SAW chips on the multilayer wiring substrate by flip chip bonding; 기밀 공간을 형성하도록, 상기 장착된 다수개의 SAW 칩을 포함한 전면 상에 보호 필름을 적층하는 단계; Stacking a protective film on a front surface including the mounted plurality of SAW chips to form an airtight space; SAW 디바이스들간의 경계선을 따라 상기 보호 필름을 제거함으로써, 상기 환상형 금속 도금층을 노출시키는 분할홈을 형성하는 단계; Removing the protective film along boundary lines between SAW devices, thereby forming a division groove exposing the annular metal plating layer; 상기 보호 필름 및 상기 노출된 환상형 금속 도금층 상에 금속 차폐층을 형성하는 단계; 및Forming a metal shielding layer on the protective film and the exposed annular metal plating layer; And 상기 금속 차폐층이 형성된 결과물을 개별 SAW 디바이스로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.And cutting the resultant in which the metal shielding layer is formed into individual SAW devices. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 다층 배선 기판 내부의 비아 구조는 서로 어긋나게 수직으로 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.The via structure inside the multilayer wiring board is formed so as to be vertically connected to be offset from each other. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 다층 배선 기판은 폴리머계 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법. And said multilayer wiring board is formed of a polymeric material. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 환상형 도금층은 상기 다층 배선 기판의 접지 단자와 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법. And the annular plating layer is formed to be connected to a ground terminal of the multilayer wiring board. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 다층 배선 기판 상에 다수의 SAW 칩을 장착하는 단계는, Mounting a plurality of SAW chips on the multilayer wiring board, 상기 SAW 칩 표면 상에 스터드 범프를 형성하는 단계; 및Forming stud bumps on the SAW chip surface; And 초음파를 사용하여 상기 스터드 범프를 상기 다층 배선 기판 상에 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.Adhering the stud bumps on the multilayer wiring substrate using ultrasonic waves. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 다층 배선 기판 상에 상기 다수의 SAW 칩을 장착하는 단계는, Mounting the plurality of SAW chips on the multilayer wiring board, 상기 다층 배선 기판 상에 솔더 범프를 형성하는 단계; 및Forming solder bumps on the multilayer wiring substrate; And 열융착에 의하여, 상기 SAW 칩을 상기 솔더 범프에 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.And bonding the SAW chip to the solder bumps by thermal fusion. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 보호 필름을 적층하는 단계는, 열경화성 수지로 이루어진 보호 필름을 열압착법으로 적층함으로써 실시되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법. Laminating the protective film, the method of manufacturing a surface acoustic wave device package, characterized in that carried out by laminating a protective film made of a thermosetting resin by thermocompression bonding. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 분할홈을 형성하는 단계는, SAW 디바이스들간의 경계선을 따라 상기 보 호 필름에 레이저를 조사함으로써 실시되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.The forming of the dividing groove may be performed by irradiating a laser to the protective film along a boundary line between SAW devices. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 금속 차폐층을 형성하는 단계는, Forming the metal shielding layer, 스퍼터링에 의해 상기 보호 필름상에 시드 금속막을 형성하는 단계; 및Forming a seed metal film on the protective film by sputtering; And 상기 시드 금속막 상에 전해도금을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 디바이스 패키지의 제조 방법.And electroplating on the seed metal film.
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