KR20060116611A - System for eliminating impurities and method eliminating impurities in tape cutting - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 라미네이터에 의한 테이핑 작업을 간략하게 보여주는 사시도이다.1 is a perspective view briefly showing a taping operation by a laminator.
도 2는 테이프 커팅 작업을 간략하게 보여주는 개략도이다.2 is a schematic view showing a tape cutting operation briefly.
도 3은 테이프 커팅 작업 중 이물질들이 발생하는 모습을 보여주는 사시도이다.3 is a perspective view showing the appearance of foreign matters during the tape cutting operation.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 이물질 제거 시스템의 전체적인 모습을 보여주는 사시도이다.Figure 4a is a perspective view showing the overall appearance of the foreign matter removal system according to an embodiment of the present invention.
도 4b는 상기 도 4a의 전체 시스템 중 테이프가 테이핑된 부착 테이블(attachment table)에 대한 평면도이다.FIG. 4B is a plan view of an attachment table taped out of the overall system of FIG. 4A.
도 4c는 상기 도 4a의 I-I 부분에 대한 단면도이다.4C is a cross-sectional view of the portion I-I of FIG. 4A.
도 4d는 상기 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ 부분에 대한 단면도이다.FIG. 4D is a cross-sectional view of the II-II part of FIG. 4A.
도 5a ~ 5b는 본 발명의 일실시예에 따른 이물질 제거 방법의 과정을 개략적으로 보여주는 흐름도들이다.5a to 5b are flow charts schematically showing the process of the foreign material removal method according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체 패키지 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 라미네이터에 의한 테이프 커팅과정에 발생하는 이물질들을 진공 장치를 이용하여 제거하는 이물질 제거 시스템 및 그 시스템을 채용한 이물질 제거 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package manufacturing apparatus and a manufacturing method, and more particularly, to a foreign substance removing system for removing foreign substances generated during a tape cutting process by a laminator using a vacuum apparatus and a foreign substance removing method employing the system.
최근 들어 전자장치들이 소형화됨에 따라, 전자장치에 사용되는 반도체 소자 역시 경박 단소화되어 가고 있다. 이에 따라 반도체 패키지의 두께를 감소시키기 위해 새로운 형태의 반도체 패키지의 개발이 계속 진행중이다.In recent years, as electronic devices have been miniaturized, semiconductor devices used in electronic devices have also been reduced in size and weight. Accordingly, development of a new type of semiconductor package is ongoing to reduce the thickness of the semiconductor package.
또한, 일반적인 반도체 패키지, 예를 들면, TSOP(Thin Small Out-line Package), TQFP(Thin Quad Flat Package) 등에서는, 와이어의 루프 높이(loop height:와이어 본딩이 되는 높이)를 낮추는 와이어 본딩 공정과 반도체 칩의 이면(back side)을 연마(grinding)하는 공정 등이 반도체 패키지의 두께를 감소시키기 위해 채택되고 있다.In addition, in a general semiconductor package, for example, a thin small out-line package (TSOP), a thin quad flat package (TQFP), and the like, a wire bonding process of lowering a loop height of a wire and BACKGROUND OF THE INVENTION A process of grinding the back side of a semiconductor chip or the like has been adopted to reduce the thickness of a semiconductor package.
일반적으로 반도체 칩의 이면 연마는 웨이퍼 단위로 수행되고, 반도체 소자의 조립 공정(assembly process) 이전에 수행된다. 한편, 웨이퍼 이면 연마 공정 전에 EDS(Electrical Die Sorting) 공정에 의해서 칩의 패드부(Pad part)에 전기신호를 인가함으로써, 칩의 정상 및 비정상 유무가 테스트 된다. EDS 공정의 목적은 웨이퍼 상의 각 칩에 대한 불량 여부를 조기에 판단하여 구분하고, 불량 칩에 대한 조립과 그에 따른 패키징 비용 및 패키징 이후의 테스트 비용을 절감토록 하는데 있다. 또한, 불량의 원인을 파악하여 그와 동일한 공정의 문제를 조기에 조치하고, 불량 칩 중 수리할 수 있는 것에 대하여 재생할 수 있도록 하는데 있다.In general, the backside polishing of the semiconductor chip is performed on a wafer basis, and is performed before the assembly process of the semiconductor device. On the other hand, by applying an electrical signal to the pad part of the chip by the EDS (Electrical Die Sorting) process before the wafer back surface polishing process, the normal and abnormality of the chip is tested. The purpose of the EDS process is to determine and discriminate early for defects on each chip on the wafer, and to reduce the assembly cost, packaging costs, and post-packaging test costs for the defective chips. In addition, it is possible to determine the cause of the failure, to take early steps to solve the same problem, and to reproduce the defective chips.
전술한 EDS 공정을 마친 웨이퍼는 웨이퍼 이면 연마공정으로 들어가게 된다. 웨이퍼 이면 연마공정은 크게 i)웨이퍼 전면에 테이프를 접착(taping)하는 공정, ii)상기 테이프가 테이핑된 웨이퍼의 이면을 연마하는 공정 및 iii) 상기 연마가 완료된 웨이퍼로부터 테이프를 제거하는 공정으로 이루어진다. After the above-mentioned EDS process, the wafer enters the wafer backside polishing process. The wafer backside polishing process is largely comprised of i) a step of attaching the tape to the front surface of the wafer, ii) a step of polishing the back side of the wafer on which the tape is taped, and iii) a step of removing the tape from the finished wafer. .
웨이퍼 전면에 테이프를 테이핑하는 공정은 웨이퍼 이면 연마가 진행되는 동안에 웨이퍼 전면에 오염물질 및 기타 이물질이 부착되는 것을 방지함으로써, 반도체 소자의 특성이 열화 되는 것을 방지하기 위해 수행된다.The tape-tapping process is performed to prevent contaminants and other foreign matter from adhering to the front surface of the wafer during polishing of the back surface of the wafer, thereby preventing deterioration of characteristics of the semiconductor device.
도 1은 이러한 웨이퍼 전면에 테이프를 테이핑하는 공정을 간략하게 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 웨이퍼(50)가 놓여진 부착 테이블(attachment table,40)이 테이프(20)를 잡아주는 테이프 척(30)의 방향(화살표 방향)으로 이동하고, 압착 로울러(10)에 의해 자외선 테이프(UV tape,20)가 부착 테이블(40)에 테이핑된다.1 is a perspective view briefly illustrating a process of taping a tape on a front surface of such a wafer. Referring to FIG. 1, the attachment table 40 on which the
자외선 테이프(20)는 웨이퍼(50)만이 아니라 부착 테이블(40) 전체에 테이핑되고 또한 연속적으로 테이핑된다. 따라서, 자외선 테이프(20)를 부착 테이블(40)로부터 분리 커팅(cutting)하는 작업과 부착 테이블 상의 웨이퍼(50)의 외주를 따라 커팅하는 작업이 필요하다.The
도 2는 테이프 커팅 작업을 보여주고 있는 개략도이다. 커터(60)는 도 2의 양 화살표 방향으로 직선 왕복하면서 자외선 테이프(20)를 부착 테이블(40)로부터 분리 커팅한다. 한편, 상기 분리 커팅 이후에 커터(60)는 테이프(20)가 접착된 웨이퍼(50)의 외주를 따라 곡선의 화살표 방향으로 테이프를 커팅한다. 도 2에 도시되지는 않았지만, 일반적으로 커팅이 원활하게 수행되도록 커팅이 수행되는 경로를 따라서 부착 테이블(40) 상에 홈이 형성되어 있다.2 is a schematic view showing a tape cutting operation. The
그러나 도 3에서 볼 수 있듯이, 커팅 과정에 테이프의 찌꺼기, 실오라기 및 이물질(이하 '이물질들'이라 한다)이 발생하게 된다. 이물질들이 발생하는 이유는 테이프 커팅시 테이프 척(30)이 테이프(20)를 움직이지 않게 잡아주지 못하기 때문이다. 테이프(20)를 움직이지 않게 잡아주지 못하면, 테이프(20)가 느슨하게 고정되어 커팅이 잘 되지 않고, 커팅시에 순간적인 튕기는 현상이 발생한다. 이때 테이프의 이물질들이 발생한다.However, as can be seen in Figure 3, during the cutting process, the residue of the tape, scum and foreign matter (hereinafter referred to as 'foreign materials') is generated. The foreign matters are generated because the
도 3은 테이프의 이물질들(도면상 별표 모양이나 실오라기 모양들)을 제외하고는 도 2와 동일하므로 구성부분들에 대한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 도 2에서 설명한 커팅이 수행되는 경로를 따라 홈이 형성되어 있음을 알 수 있다. 즉 직선의 홈(42a) 및 원형의 홈(42b)이 부착 테이블(40)에 형성되어 있다. 홈들을 형성하기 위해 부착 테이블(40)도 하부 판(41)과 상부 판(42)으로 이루어져 있다.FIG. 3 is the same as FIG. 2 except for foreign matters (stars or rasters in the drawing) of the tape, and thus description of the components will be omitted. However, it can be seen that the groove is formed along the path in which the cutting described in FIG. 2 is performed. That is, the
테이프 이물질들이 발생했을 때 이물질들을 제거하는 시스템이 없는 경우, 이물질들이 웨이퍼(50)에 달라붙거나 부착 테이블(40)에 쌓이게 된다. 부착 테이블(40)에 쌓이게 된 이물질들은 후속 공정인 웨이퍼 테이핑시에 웨이퍼(50)의 안쪽과 바깥쪽의 면 또는 가장자리에 달라붙게 된다.In the absence of a system for removing debris when tape debris occurs, debris may cling to the
이물질들이 달라붙은 웨이퍼(50)들은 웨이퍼 이면 연마 공정에서 웨이퍼(50)가 부분적으로 조각나는 현상(chipping), 웨이퍼가 깨어지는 현상(broken) 또는 금이 가는 현상(crack)을 유발한다. 결국, EDS 공정을 마친 웨이퍼임에도 불구하고, 품질 불량의 웨이퍼 내지 반도체 칩을 발생시키는 문제점을 안고 있었다. The
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 부착 테이블의 커팅 라인을 따라 형성된 홈에 홀들을 형성하고, 홀들을 진공 배관을 통해 진공 장치에 연결함으로써, 테이프 커팅시에 진공장치를 이용하여 테이프의 이물질들을 제거할 수 있는 이물질 제거 시스템 및 그 시스템을 채용한 이물질 제거방법을 제공하는데 있다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention is to form holes in the groove formed along the cutting line of the attachment table, and to connect the holes to the vacuum device through the vacuum pipe, by using a vacuum device during tape cutting to remove the foreign materials of the tape The present invention provides a foreign matter removal system that can be removed and a foreign material removal method employing the system.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼를 올려놓는 웨이퍼 탑재부, 상기 웨이퍼 탑재부 외주를 따라 패인 원형의 제1 홈 및 상기 웨이퍼 탑재부 바깥쪽에 패인 직선의 제2 홈이 형성되어 있는 부착 테이블(attachment table), 상기 부착 테이블을 올려놓는 작업 테이블, 상기 부착테이블 상부에 위치하며 상기 부착테이블에 테이핑(taping)된 테이프를 커팅하기 위한 커터(cutter)를 포함하는 커팅 장치부(cutting unit) 및 상기 부착 테이블의 제1 및 제2 홈에 연결되어 진공을 형성하는 진공(vacuum) 배관 및 진공 발생 장치를 포함하는 진공 장치부(vacuum unit)를 포함하는 테이프 커팅시 이물질 제거 시스템을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer mounting portion on which a wafer is placed, a first groove in a circular groove formed along the outer circumference of the wafer mounting portion, and an attachment table in which a second groove in a straight line is formed on the outside of the wafer mounting portion. an attachment table, a working table on which the attachment table is placed, a cutting unit located on the attachment table and a cutter for cutting a tape taped to the attachment table; and Provided is a foreign material removal system for cutting a tape including a vacuum pipe unit including a vacuum pipe and a vacuum pipe connected to the first and second grooves of the attachment table to form a vacuum.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 커터에 이온 발생기(ionizer)를 포함하여, 테이프 커팅시에 발생하는 정전기를 방지하는 것이 바람직하다. 또한, 진공 장치부는 필터 및 진공 조절 장치를 포함하여, 테이프 커팅시에만 필터를 통한 이물질 제거작업을 수행하는 것이 바람직하다.According to a preferred embodiment of the present invention, it is preferable to include an ionizer in the cutter to prevent static electricity generated when cutting the tape. In addition, the vacuum device unit includes a filter and a vacuum control device, it is preferable to perform the foreign matter removal operation through the filter only when cutting the tape.
본 발명은 또한 전술한 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼를 웨이퍼 탑재부에 올려놓는 단계, 상기 웨이퍼 탑재부의 외주를 따라 패인 원형의 제1 홈 및 상기 웨이퍼 탑재부의 바깥쪽에 패인 직선의 제2 홈이 형성되어 있는 부착 테이블(attachment table)의 전면을 테이프로 테이핑하는 단계, 상기 부착 테이블의 제1 및 제2 홈을 덮은 테이프를 커터를 이용하여 커팅하는 단계 및 상기 부착 테이블의 제1 및 제2 홈에 연결되어 진공을 형성하는 진공(vacuum) 배관 및 진공 발생 장치를 포함하는 진공 장치부(vacuum unit)를 이용하여 테이프 커팅시 발생하는 이물질을 제거하는 단계를 포함하는 테이프 커팅시 이물질 제거 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention also provides a step of placing a wafer on a wafer mounting portion, a circular first groove recessed along the outer periphery of the wafer mounting portion and a straight second groove recessed outside the wafer mounting portion are formed. Taping the front surface of the attachment table with tape, cutting the tape covering the first and second grooves of the attachment table with a cutter and connecting to the first and second grooves of the attachment table. By using a vacuum unit (vacuum unit) including a vacuum pipe (vacuum) to form a vacuum and a vacuum generating device to provide a method for removing foreign matters during tape cutting comprising the step of removing foreign matters generated during tape cutting.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 상기 커팅 단계 및 상기 이물질 제거 단계를 동시에 수행함으로써, 효과적인 이물질 제거작업을 수행하는 것이 바람직하다. According to a preferred embodiment of the present invention, by performing the cutting step and the foreign material removal step at the same time, it is preferable to perform an effective foreign material removal operation.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention;
도 4a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 테이프 커팅시 이물질 제거 시스템에 대한 전체적인 모습을 보여주는 사시도이다. 이물질 제거 시스템은 웨이퍼(150)를 운반하는 부착 테이블(100), 작업 테이블(200), 진공 장치부(300) 및 커팅 장치부(400)를 포함한다.Figure 4a is a perspective view showing the overall appearance of the foreign matter removal system when cutting the tape according to a preferred embodiment of the present invention. The debris removal system includes an attachment table 100 carrying a
부착 테이블(100)은 하부 판(101) 및 상부 판(102)을 포함한다. 부착테이블(100)은 직사각형 구조를 가지며, 웨이퍼 탑재부(미도시) 외주로 패인 원형 홈(102b)과 웨이퍼 탑재부 외측에 테이프의 분리절단을 위해 패인 직선 홈(102a)이 형성되어 있다.The attachment table 100 includes a
원형 홈(102b)과 직선 홈(102a)은 상부 판(102)을 홈의 형태로 조각내어 하부 판(101)에 부착하고 있으나, 이에 한정되지 않고 하나의 판에 홈을 파서 형성할 수도 있다. 하부 판(101)에는 상부 판(102)의 원형 홈(102b) 및 직선 홈(102a) 각각에 연결되는 적어도 하나 이상의 진공홀들(101a,101b) 있다. 또한, 직선 홈(012a)의 진공홀들(101a) 하부에 기저진공홀(101c)과 원형 홈(102b)의 진공홀들(101b) 하부에 기저진공홀(101d)가 형성되어 있다.The
한편, 부착 테이블(100) 내의 웨이퍼 탑재부(미도시)에 웨이퍼(150)가 올려지고 그 위로 UV 테이프(미도시)가 테이핑된 후에 커팅 작업이 수행된다. 도 4a는 부착테이블(100) 및 웨이퍼(150)가 테이핑된 후의 모습을 보여주고 있다.Meanwhile, the cutting operation is performed after the
작업 테이블(200)은 부착 테이블(100)을 올려놓고 테이프 커팅 작업 및 이물질 제거작업을 하기 위한 받침대 역할을 한다. 작업 테이블(200)에는 부착 테이블(100)의 하부 판(101)에 형성된 기저진공홀(101c,101d)에 연결되는 연결홀들(200a,200b)이 형성되어 있다.The work table 200 serves as a pedestal for placing the attachment table 100 and cutting the tape and removing the foreign matter. The work table 200 has
진공 장치부(300)는 진공 배관부(310), 필터부(320), 진공조정 장치(330) 및 진공 발생 장치(340)를 포함한다.The
진공 배관부(310)는 진공 대배관(313) 및 진공 소배관들(311,312)을 포함한다. 진공 소배관들(311,312)은 합쳐져서 진공 대배관(313)을 이룬다. 진공 배관부(310)의 진공 소배관들(311,312)은 작업 테이블(200)의 연결홀들(200a,200b)에 연결되고, 부착 테이블(100)의 진공홀들(101a,101b)을 통해 홈들(102a,102b)로 연결된다. The
진공 발생 장치(340)는 진공을 발생시킨다. 진공 발생 장치(340)가 작동되면, 부착 테이블(100)의 홈들(102a,102b)은 진공 상태(정확히는 압력이 낮아지는 상태)가 되어, 압력 차에 의해 홈 주위에 쌓여 있던 이물질들이 진공 배관부(310)를 통해 제거된다. The
도 4a에서 진공 배관부(310)가 두 개의 진공 소배관(311,312)을 통해 부착 테이블(100)의 하부 판(101)의 기저진공홀들(101c,101d)에 연결되고 기저진공홀들(101c,101d) 상에 형성된 다수의 진공홀들(101a,101b)에 의해 홈들(102a,102b)로 각각 연결된다. 일반적으로 커팅의 시작부분과 끝 부분에 이물질이 많이 발생하므로, 직선 홈(102a)의 양끝 부분(정확히는 끝부분에서 조금 안쪽에 형성하는 것이 진공 압력의 측면에서 적절하다.)과 원형 홈(102b)의 커팅 시작 부분(끝 부분과 동일)에 진공홀들을 많이 형성하는 것이 바람직하다. 도 4a에서 원형 홈(102b)의 경우 촘촘하게 진공홀들(101b)이 형성된 부분이 커팅의 시작부분이다. In FIG. 4A, the
구조적인 측면에서 홈의 좌우 측면보다는 홈의 하부 바닥면에 진공홀을 형성하는 것이 바람직하며, 진공 압력의 측면에서 진공 홀의 사이즈는 직경 1 ~ 2 mm 정도가 바람직하다. 도 4a에서 다수의 진공홀들(101a,101b)이 형성되어 있으나, 3 ~ 4 개 정도로 형성하는 것도 가능하며, 때에 따라 홈들(102a,102b) 각각에 1개의 진공홀을 형성할 수도 있다.It is preferable to form a vacuum hole in the lower bottom surface of the groove rather than the left and right sides of the groove from the structural aspect, and the size of the vacuum hole in terms of vacuum pressure is preferably about 1 to 2 mm in diameter. Although a plurality of
필터부(320)는 필터(322) 및 진공의 압력을 측정하는 제1 및 제2 센서(323,324)를 포함한다. 필터부(320)는 진공 배관부(310)의 진공 대배관(313)에 장착되며, 필터(322)는 분리 및 교체가 가능하다. 제1 및 제2 센서(323,324)는 필터 의 양측에 각각 설치되며, 제1 및 제2 센서(323,324)의 진공 압력의 차에 의해서 필터 교체를 알려 주게 된다.The
진공 조정 장치(330)는 진공 발생 장치(340)의 진공의 압력과 시간을 조정한다. 진공 조정 장치(330)는 커팅 장치부(400)와 전기적으로 연결되어, 테이프 커팅시에만 진공 발생 장치(340)가 작동하도록 한다.The
진공 조정 장치(330)가 진공 배관부(310) 상에 설치되어 있지만, 진공 발생 장치(340) 내에 설치되거나 진공 발생 장치(340)와 전기적으로 연결될 수 있는 어느 위치에 설치되어도 무방하다. 바람직하게는 필터부(320)와 진공 발생 장치(340) 사이의 진공 대배관(313) 상에 위치하여, 필터부(320)의 제2 센서(324)의 역할을 겸하는 것이 적절하다. 한편, 진공 장치부(300)가 작업 테이블(200)에서 분리되어 있지만, 작업 테이블(200) 내에 진공 장치부(300)를 설치하는 것도 가능하다. Although the
커팅 장치부(400)는 테이프(미도시)를 커팅하기 위한 커터(460)를 포함한다. 일반적으로 직선 홈(102a)을 따라 부착 테이블(100)로부터 테이프(미도시)를 절단하는 분리 커팅하고, 이 후에 웨이퍼(150) 외주의 원형 홈(102b)을 따라 테이프(미도시)를 커팅한다. 그러나 두 개의 커터를 구비하여 직선 홈(102a)를 따라 테이프(미도시)의 분리 커팅 및 원형 홈(102b)를 따라 웨이퍼(150) 외주의 테이프(미도시) 커팅을 동시에 수행할 수도 있다. The
커팅 작업시 테이프(미도시)와 커터(460) 사이에 정전기가 발생하게 되어, 테이프 이물질들이 웨이퍼(150)에 테이핑된 테이프(미도시)나 커터(460)에 달라붙게 된다. 커터(460)에 소형 이온 발생기(461)를 장착함으로써 정전기의 발생을 방 지할 수 있다. 이온 발생기(461)에 의해 정전기 발생을 방지함으로써, 진공에 의한 이물질 제거 작업을 효과적으로 수행할 수 있으며, 필요한 진공 압력이 낮아짐에 따라 소비 전력 측면에서도 유리하다. 이온 발생기가 전선들(462)을 통해 외부 전원에 연결됨을 보여 주고 있으나, 커터(460) 내부에 전원 장치를 내장할 수 있음은 물론이다.Static electricity is generated between the tape (not shown) and the
도 4b는 도 4a의 전체 시스템 중 부착 테이블(100)에 대한 평면도로서, 원형 홈(102b) 및 직선 홈(102a)의 모습을 좀 더 자세하게 보여주고 있다. 원형 홈(102b)은 웨이퍼(150)의 외곽 부분(웨이퍼 모서리 외부로 원형의 실선)에서부터 웨이퍼(150)에 의해 가려진 부분(점선의 웨이퍼 탑재부,103)까지 형성되어 있음을 알 수 있다. 직선 홈(102a)과 원형 홈(102b)에 다수의 진공홀들(101a,101b)이 형성되어 있다. 원형 홈(102b)의 경우 촘촘하게 진공홀들(101b)이 형성된 부분이 커팅의 시작부분이다. 나머지 부분은 도 4a에서 설명했으므로 생략하기로 한다.FIG. 4B is a plan view of the attachment table 100 of the overall system of FIG. 4A, showing the details of the
도 4c는 도 4a의 I-I의 부분에 대한 단면도이다. 즉, 직선 홈(102a)의 중간 부분에 진공홀(101a) 및 원형 홈(102b)의 진공홀(101b)이 있는 부분을 절단한 단면도이다. 테이프(120)가 테이핑된 부착테이블(100)은 웨이퍼(150)가 놓여 있는 웨이퍼 탑재부(103)의 양 끝단에 홈(102b) 및 탑재부(103) 외측에 홈(102a)이 형성되어 있다. 직선 홈(102a)은 부착 테이블(100)의 하부 판(101)에 형성된 진공홀(101a) 및 기저진공홀(101c)과 작업 테이블(200)의 연결홀(200a)을 통해 진공 소배관(312)에 연결된다. 원형 홈(102b)의 경우, 우측에 진공홀(101b) 및 그 하부에 기저진공홀(101d)이 보여지고, 좌측에는 기저진공홀(101d)만이 보여진다. 단면도이므 로 연결홀(200b)은 나타나지 않는다. 나머지 부분은 도 4a에서 설명했으므로 생략한다.4C is a cross-sectional view of a portion of I-I of FIG. 4A. That is, it is sectional drawing which cut | disconnected the part with the
도 4d는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ의 부분에 대한 단면도이다. 상부 판(102)의 직선 홈(102a)을 따라 하부 판(101)에 다수의 진공 홀(101a) 및 기저진공홀(101c)이 형성되어 있다. 기저진공홀들(101c)은 작업 테이블(200)의 연결홀(200a)를 통해 진공 소배관(312)에 연결된다. 부착 테이블(100)의 상부로 웨이퍼(150)와 테이프(120)가 도시되어 있다. 나머지 부분은 도 4a에서 설명했으므로 생략한다.4D is a cross-sectional view of a portion of II-II in FIG. 4A. A plurality of
도 4a ~ 4d 에서 부착 테이블(100)의 홈들(102a,102b)과 진공 배관부(310)의 연결을 진공홀들(101a,101b) 및 연결홀들(200a,200b)을 통해 연결하는 방법으로 설명하였으나, 이에 한하지 않고 당업자에게 자명한 다른 방법에 의해 연결할 수 있음은 물론이다.4A to 4D, the connection between the
도 5a 및 5b는 테이프 커팅 작업 중 이물질 제거 방법에 대한 개략적인 흐름도이다. 도 5a를 참조하면, 본 발명에 따른 이물질 제거 방법은 먼저, 웨이퍼를 웨이퍼 탑재부에 탑재하고(S510), 그 후 도 1에서와 같은 방법으로 라미네이터에 의해 부착테이블 및 웨이퍼를 테이핑하며(S520), 다음으로 커터에 의해 테이프를 커팅하는 작업을 수행한다(S530). 마지막으로 진공 장치에 의해 이물질 제거 작업을 수행한다(S540). 일반적으로 웨이퍼 탑재 단계(S510) 전에는 전술한 대로 EDS공정이 수행되며, 이물질 제거 작업 단계(S540) 이후에는 웨이퍼 이면 연마공정이 수행된다.5A and 5B are schematic flowcharts of a method for removing foreign matter during a tape cutting operation. Referring to FIG. 5A, in the foreign material removal method according to the present invention, first, a wafer is mounted on a wafer mounting unit (S510), and then the attachment table and the wafer are taped by the laminator in the same manner as in FIG. 1 (S520). Next, the tape cutting operation is performed by the cutter (S530). Finally, the foreign matter removal operation is performed by the vacuum apparatus (S540). In general, the EDS process is performed as described above before the wafer mounting step (S510), and the wafer back surface polishing process is performed after the foreign matter removing operation step (S540).
도 5b는 도 5a에서의 커팅 작업 단계(S530)와 이물질 제거 작업 단계(S540) 를 동시에 수행하는 모습을 보여주는 흐름도이다. 즉, 부착테이블 및 웨이퍼 테이핑 단계(S520) 이후에 테이프 커팅 작업과 이물질 제거 작업을 동시에 수행한다(S550). 테이프 커팅 작업과 테이프 이물질 제거 작업을 동시에 함으로써, 효과적으로 이물질을 제거할 수 있다. 또한, 진공 압력의 측면에서도 더 적은 진공 압력이 필요하게 되어, 전력 소비 측면에서도 바람직하다.FIG. 5B is a flowchart showing a state in which the cutting operation step S530 and the foreign matter removing operation step S540 in FIG. 5A are simultaneously performed. That is, the tape cutting operation and the foreign matter removal operation are simultaneously performed after the attachment table and the wafer taping step (S520) (S550). By performing the tape cutting operation and the tape foreign matter removal operation at the same time, it is possible to effectively remove the foreign substances. In addition, less vacuum pressure is required in terms of vacuum pressure, which is preferable in terms of power consumption.
전술한 이물질 제거 시스템 및 이물질 제거 방법을 통해 테이프 커팅 과정 중 테이프의 이물질들을 효과적으로 제거함으로써, 후속 공정인 웨이퍼 이면 연마 공정에서 웨이퍼의 치핑이나 웨이퍼의 크랙이나 깨어짐을 미연에 방지할 수 있다.By effectively removing foreign substances on the tape during the tape cutting process through the above-described foreign substance removing system and foreign substance removing method, it is possible to prevent chipping of the wafer or cracking or cracking of the wafer in the subsequent wafer backside polishing process.
지금까지, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.So far, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. will be. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은, 테이프 커팅 과정에 발생하는 테이프 이물질들을 진공 장치를 이용하여 효과적으로 제거함으로써, 웨이퍼 이면 연마 공정에서 웨이퍼의 치핑, 크랙 및 깨어짐을 미연에 방지하여, 품질 불량의 웨이퍼 발생을 저지하고, EDS 공정의 가치를 상승시킬 수 있다.As described in detail above, the present invention effectively removes the tape foreign substances generated during the tape cutting process using a vacuum device, thereby preventing chipping, cracking and cracking of the wafer in the wafer backside polishing process, thereby preventing wafers of poor quality. Occurrence and can increase the value of the EDS process.
또한, 진공 조정 장치를 이용하여, 테이프 커팅시에만 진공에 의한 제거작업을 수행하게 함으로써, 설비의 효율적인 가동 및 유지를 가능케 할 수 있다.In addition, by using the vacuum adjusting device to perform the removal operation by the vacuum only during the tape cutting, it is possible to enable efficient operation and maintenance of the equipment.
나아가, 커터에 이온 발생기를 부착하여 효율적으로 이물질을 제거할 수도 있다.Furthermore, the ion generator can be attached to the cutter to efficiently remove foreign substances.
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050039094A KR20060116611A (en) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | System for eliminating impurities and method eliminating impurities in tape cutting |
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KR1020050039094A KR20060116611A (en) | 2005-05-11 | 2005-05-11 | System for eliminating impurities and method eliminating impurities in tape cutting |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102245462B1 (en) * | 2019-12-27 | 2021-04-28 | 주식회사 에스에프에이 | A laser cutting device |
WO2022039349A1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | (주) 엔지온 | Semiconductor chip delamination apparatus |
-
2005
- 2005-05-11 KR KR1020050039094A patent/KR20060116611A/en not_active Application Discontinuation
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KR20220022191A (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-25 | (주) 엔지온 | An apparatus for manufacturing semiconductor with a chip-level delamination of protection film |
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