KR20060114803A - Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same - Google Patents

Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR20060114803A
KR20060114803A KR1020050036934A KR20050036934A KR20060114803A KR 20060114803 A KR20060114803 A KR 20060114803A KR 1020050036934 A KR1020050036934 A KR 1020050036934A KR 20050036934 A KR20050036934 A KR 20050036934A KR 20060114803 A KR20060114803 A KR 20060114803A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
semiconductor substrate
reticles
exposure
inspection
Prior art date
Application number
KR1020050036934A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정원석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050036934A priority Critical patent/KR20060114803A/en
Publication of KR20060114803A publication Critical patent/KR20060114803A/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

A method and an apparatus for exposing a semiconductor substrate are provided to maximize operation efficiency of an exposure process of the semiconductor substrate by performing a reticle inspection process before the exposure process. An apparatus for exposing a semiconductor substrate includes a reticle inspecting unit(110), a reticle cassette(120), an exposure unit(130), a first transfer arm(141), and a second transfer arm(142). The reticle inspecting unit inspects reticles. The reticle cassette receives the reticles, which satisfy a predetermined inspection criterion. The exposure unit selects one reticle from the reticle cassette and exposes the semiconductor substrate using the reticle. The first transfer arm transfers the reticles between the reticle inspection unit and the reticle cassette. The second transfer arm transfers the reticles between the reticle cassette and the exposure unit.

Description

반도체 기판 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 반도체 기판 노광 장치{METHOD FOR EXPOSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND APPARATUS FOR EXPOSING AN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME}TECHNICAL FOR EXPOSING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND APPARATUS FOR EXPOSING AN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME

도 1은 종래에 개시된 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating a conventional semiconductor substrate exposure apparatus.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. 2 is a schematic diagram illustrating a semiconductor substrate exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 기판 노광 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.3 is a schematic flowchart illustrating a semiconductor substrate exposure method according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100：반도체 기판 노광 장치 110：레티클 검사부100: semiconductor substrate exposure apparatus 110: reticle inspection part

120：레티클 수납부 130：노광부120: Reticle storing part 130: Exposure part

135：광원 140：조명부재135: light source 140: lighting member

141：제1 이송암 142：제2 이송암141: first transfer arm 142: second transfer arm

145：레티클 스테이지 150：투영 부재145: Reticle stage 150: Projection member

150：기판 스테이지 R：레티클150: Board stage R: Reticle

W：반도체기판W ： Semiconductor Board

본 발명은 본 발명은 반도체 기판 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 노광 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 레티클 상에 형성된 회로 패턴을 반도체 기판 상에 투영 노광하기 위한 노광 방법 및 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor substrate exposure method and an exposure apparatus for performing the same. More specifically, it relates to an exposure method and apparatus for projecting exposure of a circuit pattern formed on a reticle onto a semiconductor substrate.

현재 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치를 제조하기 위해서는 막 형성 공정, 패턴 형성 공정, 금속 배선 형성 공정 등과 같은 일련의 단위 공정을 수행한다.Currently, research on semiconductor devices is progressing toward high integration and high performance in order to process more data in a short time. In order to manufacture a semiconductor device, a series of unit processes such as a film forming process, a pattern forming process, a metal wiring forming process, and the like are performed.

패턴 형성 공정에는 사진 식각 공정이 포함되며, 사진 식각 공정은 크게 세정 공정, 표면 처리 공정, 포토레지스트 막 형성 공정, 정렬/노광 공정, 현상 공정 및 검사 공정으로 크게 구분된다. 사진 식각 공정 중에서 정렬/노광 공정을 수행하기 위한 설비가 노광 장치이고, 상기 노광 장치에서 반도체 기판 상에 투영될 회로 패턴이 형성된 레티클을 지지하는 장치가 레티클 스테이지이다. 대표적인 노광 장치로서 미합중국 특허 제6,331,885호(issued to Nishi)에는 스캐닝 타입의 노광 장치가 개시되어 있고, 미합중국 특허 제6,538,719호(issued to Takahashi et al.)에는 노광 장치, 노광 방법 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. The pattern forming process includes a photolithography process, and the photolithography process is largely divided into a cleaning process, a surface treatment process, a photoresist film forming process, an alignment / exposure process, a developing process, and an inspection process. An apparatus for performing an alignment / exposure process in a photolithography process is an exposure apparatus, and an apparatus for supporting a reticle on which a circuit pattern to be projected on a semiconductor substrate is formed in the exposure apparatus is a reticle stage. As a representative exposure apparatus, US Patent No. 6,331,885 (issued to Nishi) discloses a scanning type exposure apparatus, and US Patent No. 6,538,719 (issued to Takahashi et al.) Discloses an exposure apparatus, an exposure method, and a manufacturing method thereof. It is.

일반적인 노광 장치는 광원(light source), 광원으로부터 생성된 광을 레티클에 조명하기 위한 조명부(illumination section), 레티클을 지지하기 위한 레티클 스테이지, 레티클을 통과한 광을 반도체 기판 상으로 투영하는 투영부 (projection section), 상기 반도체 기판을 지지하기 위한 반도체 기판 스테이지 등을 포함한다. 이 경우, 레티클 스테이지는 조명부와 투영부 사이에 배치되며, 반도체 기판 스테이지는 투영부 하측에 배치된다.A general exposure apparatus includes a light source, an illumination section for illuminating light generated from the light source to a reticle, a reticle stage for supporting the reticle, and a projection part for projecting light passing through the reticle onto a semiconductor substrate ( projection section), a semiconductor substrate stage for supporting the semiconductor substrate, and the like. In this case, the reticle stage is disposed between the illumination unit and the projection unit, and the semiconductor substrate stage is disposed below the projection unit.

광원으로부터 생성된 광은 조명 부재를 통해 레티클 상으로 조사되며, 레티클을 통과한 광은 레티클의 회로 패턴 이미지가 반영된 상태로 반도체 기판 상에 축소 투영된다. 반도체 기판 스테이지는 단계별로(step by step) 수평 이동하여 레티클을 통과한 광을 반도체 기판 상에 반복적으로 노광시킨다. 이 경우, 레티클 상에 파티클과 같은 오염 물질이 존재할 경우, 레티클의 회로 패턴 이미지가 반도체 기판 상에 불량하게 노광되는 것은 너무나 자명하다. 회로 패턴 이미지가 불량하게 노광된 반도체 기판은 재처리되거나 폐기된다. 따라서 레티클 상에 오염 물질이 존재하지 않도록 유지하는 것이 무엇보다 중요하다. The light generated from the light source is irradiated onto the reticle through the illumination member, and the light passing through the reticle is reduced and projected onto the semiconductor substrate with the circuit pattern image of the reticle being reflected. The semiconductor substrate stage is horizontally moved step by step to repeatedly expose the light passing through the reticle on the semiconductor substrate. In this case, if contaminants such as particles are present on the reticle, it is obvious that the circuit pattern image of the reticle is poorly exposed on the semiconductor substrate. Semiconductor substrates with poorly exposed circuit pattern images are either reprocessed or discarded. Therefore, it is important to keep contaminants free from reticles.

도 1은 종래에 개시된 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다.1 is a conceptual diagram illustrating a conventional semiconductor substrate exposure apparatus.

도 1을 참조하면, 반도체 기판 노광 장치(10)는 프로세스 챔버(20), 레티클 카세트(30) 및 레티클 검사 유닛(40)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the semiconductor substrate exposure apparatus 10 includes a process chamber 20, a reticle cassette 30, and a reticle inspection unit 40.

프로세스 챔버(20) 내에는 광원(21), 조명부(23), 레티클 스테이지(25), 투영부(27) 및 반도체 기판 스테이지(29)가 설치된다. 광원(21)은 노광 공정을 수행하기 위한 광을 생성하여 조명부(23)에 제공하고, 조명부(23)는 광원(21)으로부터 생성된 광을 레티클(R1)에 조명한다. 레티클(R1)을 통과한 광은 투영부(27)를 통하여 반도체 기판(W) 상에 투영된다. 이 경우, 레티클(R1)은 레티클 스테이지(25)에 의하여 지지되고, 반도체 기판(W)은 기판 스테이지(29)에 의하여 지지된다.In the process chamber 20, a light source 21, an illumination unit 23, a reticle stage 25, a projection unit 27, and a semiconductor substrate stage 29 are provided. The light source 21 generates light for performing an exposure process and provides the light to the lighting unit 23, and the lighting unit 23 illuminates the light generated from the light source 21 to the reticle R1. Light passing through the reticle R1 is projected onto the semiconductor substrate W through the projection part 27. In this case, the reticle R1 is supported by the reticle stage 25, and the semiconductor substrate W is supported by the substrate stage 29.

레티클 스테이지(25)에 배치되는 레티클(R1)은 레티클 카세트(30)에 적층 보관된다. 일반적으로 반도체 장치를 제조하기 위하여 반도체 기판(W)은 수십 종류의 회로 패턴들을 노광하는 공정을 거치게 되고, 수십 종류의 회로 패턴들에 대응하는 레티클들(R)이 필요하다. 레티클들(R)은 레티클 카세트(30)에 적층 보관된다.The reticle R1 disposed on the reticle stage 25 is stacked and stored in the reticle cassette 30. In general, in order to manufacture a semiconductor device, the semiconductor substrate W is subjected to a process of exposing dozens of circuit patterns, and reticles R corresponding to dozens of circuit patterns are required. The reticles R are stacked and stored in the reticle cassette 30.

노광 공정을 수행하기 위해서는, 레티클 카세트(30)에 적층 보관된 레티클(R)들 중에서 일 레티클(R1)을 선택하고, 선택된 레티클(R1)을 레티클 카세트(30)에로부터 반출한다. 이후, 반출한 레티클(R1)을 레티클 검사 유닛(40)으로 이송하여 오염 여부, 손상 여부 등의 검사 공정을 수행한다. 검사 공정 결과 이상이 없는 것으로 판단되면, 이를 레티클 스테이지(25)로 이송하여 노광 공정을 진행하게 된다.In order to perform the exposure process, one reticle R1 is selected from among the reticles R stacked and stored in the reticle cassette 30, and the selected reticle R1 is taken out from the reticle cassette 30. Thereafter, the reticle R1 taken out is transferred to the reticle inspection unit 40 to perform an inspection process such as contamination or damage. If it is determined that there is no abnormality as a result of the inspection process, it is transferred to the reticle stage 25 to proceed with the exposure process.

현재 반도체 산업은 다품종 소량 생산, 고집적 및 고성능을 추구하는 추세로 진행되고 있다. 따라서 일 노광 공정을 진행시에도 다양한 레티클들이 필요하며, 당연히 레티클의 교체 횟수가 크가 증가되었다. 하지만, 전술한 바와 같이, 각각의 레티클을 선택하여 노광 공정을 진행시마다 해당 레티클의 검사 공정을 진행한 다음 노광 공정을 수행할 경우, 많은 소요시간을 필요로한다. At present, the semiconductor industry is progressing in pursuit of small quantity production, high integration, and high performance. Therefore, various reticles are required even during one exposure process, and naturally, the number of replacement of the reticle has increased. However, as described above, when each reticle is selected and the exposure process is performed, the reticle inspection process is performed, and then a long time is required.

현재 반도체 기판은 단위 가공 공정을 거칠수록 그 경제적 가치는 급격히 높아진다. 따라서 노광 공정을 수행하기 전에 레티클의 이상 여부를 검사하는 공정을 생략하는 것은 많은 위험부담이 따른다. 그러나 현재와 같은 레티클 검사 방법을 계속하여 이용할 경우, 경제적 및 시간적 손실이 꾸준히 발생하게 된다는 양면적인 문제점이 있다. 따라서 이를 효과적으로 해소할 수 있는 노광 방법을 이용한 노광 장치의 개발이 절실히 요구된다. Currently, the economic value of a semiconductor substrate is rapidly increased as the unit is processed. Therefore, omitting the process of inspecting the reticle for abnormality before performing the exposure process carries a lot of risks. However, there is a two-sided problem in that economic and time loss occurs steadily when the current reticle inspection method is used continuously. Therefore, the development of an exposure apparatus using an exposure method that can effectively solve this is urgently required.

본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체 기판을 효과적으로 노광할 수 있는 반도체 기판 노광 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a semiconductor substrate exposure method capable of effectively exposing a semiconductor substrate.

본 발명의 다른 목적은 상기 반도체 기판 노광 방법을 효과적으로 수행할 수 있는 반도체 기판 노광 장치를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a semiconductor substrate exposure apparatus capable of effectively performing the semiconductor substrate exposure method.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 관점에 따른 반도체 기판 노광 방법은, 크게 레티클들에 대한 검사 공정을 수행하고, 검사 공정의 결과 기 설정된 검사 기준을 만족하는 레티클들을 수납한 뒤, 수납된 레티클들 중에서 일 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하여 이루어진다. 이어서 수납된 레티클들 중에서 상기 선택된 레티클와 다른 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하는 단계를 반복적으로 수행한다. 검사 공정은 크게 레티클 상에 광을 조사하고, 레티클로부터 반사 또는 산란된 광을 수집한 뒤, 수집된 광을 분석하여 레티클 상에 파티클의 존재 여부를 확인하여 이루어진다. 또한, 노광 공정에 이용된 레티클에 대하여 검사 공정을 더 수행한 뒤 수납할 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, a method of exposing a semiconductor substrate according to an aspect of the present invention includes performing a inspection process on reticles, and storing reticles satisfying a predetermined inspection criterion as a result of the inspection process. Thereafter, the semiconductor substrate is exposed by selecting one reticle among the stored reticles. Subsequently, a step of exposing the semiconductor substrate by selecting a reticle different from the selected reticle among the stored reticles is repeatedly performed. The inspection process is largely performed by irradiating light on the reticle, collecting light reflected or scattered from the reticle, and analyzing the collected light to check for the presence of particles on the reticle. In addition, the reticle used in the exposure process may be stored after further performing the inspection process.

전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 관점에 따른 반도체 기판 가공 장치는, 레티클에 대한 검사 공정을 수행하기 위한 레티클 검사 유닛, 검사 공정이 완료된 레티클들을 수납하기 위한 레티클 카세트, 수납된 레티클들 중에서 일 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하기 위한 노광 유닛, 레티클 검사 유닛과 레티클 카세트 사이에서 레티클을 이송하기 위한 제1 이송암, 그리고 레티클 카세트와 노광 유닛 사이에서 레티클을 이송하기 위한 제2 이송암을 포함한다. 이 경우, 노광 유닛은, 선택된 일 레티클 기판을 제공받아 지지하는 레티클 스테이지, 레티클 스테이지에 지지된 레티클에 광원으로부터 생성된 광을 조명하기 위한 조명 부재, 레티클을 통과한 광을 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판으로 투영하기 위한 투영 부재, 및 투영 부재를 통과한 광을 반도체 기판 상에 반복적으로 투영하기 위하여 반도체 기판을 지지하며 반도체 기판을 불연속적으로 수평 이송하는 기판 스테이지를 포함할 수 있다. In order to achieve the above object of the present invention, a semiconductor substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes a reticle inspection unit for performing an inspection process for a reticle, a reticle cassette for storing reticles for which an inspection process is completed, and storage A first transfer arm for transferring a reticle between the reticle inspection unit and the reticle cassette, and a reticle for transferring the reticle between the reticle cassette and the exposure unit. 2 Includes a transfer arm. In this case, the exposure unit includes a reticle stage for receiving and supporting a selected reticle substrate, an illumination member for illuminating light generated from a light source on a reticle supported on the reticle stage, and a semiconductor substrate on which a photoresist film is formed. And a substrate stage for supporting the semiconductor substrate and discontinuously transporting the semiconductor substrate to repeatedly project the light passing through the projection member onto the semiconductor substrate.

본 발명에 따르면, 노광 공정에 이용될 레티클들에 대한 검사 공정을 미리 수행하여 준비해둠으로써, 반도체 기판을 신속 및 정확하게 노광할 수 있다. 따라서 노광 공정의 효율성을 극대화시킬 수 있다.According to the present invention, the semiconductor substrate can be exposed quickly and accurately by performing an inspection process for reticles to be used in the exposure process in advance and preparing. Therefore, the efficiency of the exposure process can be maximized.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 다양한 관점들에 따른 반도체 기판 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 반도체 기판 노광 장치의 실시예들에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예들에 의하여 제한되거나 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, embodiments of a semiconductor substrate exposure method and a semiconductor substrate exposure apparatus for performing the same according to various aspects of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is limited by the following embodiments. It is not limited or restricted.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판 노광 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도를 도시한 것이다. 2 is a schematic block diagram illustrating a semiconductor substrate exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 기판 노광 장치(100)는 크게 레티클 검사부(110), 레티클 수납부(120) 및 노광부(130)로 이루어진다. 레티클 검사부(110)와 레티클 수납부(120) 사이에는 제1 이송암(141)이 설치되고, 레티클 수납부(120)와 노광부(130) 사이에는 제2 이송암(142)이 설치된다.Referring to FIG. 2, the semiconductor substrate exposure apparatus 100 includes a reticle inspecting unit 110, a reticle accommodating unit 120, and an exposure unit 130. The first transfer arm 141 is installed between the reticle inspection unit 110 and the reticle accommodating unit 120, and the second transfer arm 142 is installed between the reticle accommodating unit 120 and the exposure unit 130.

노광부(130)에 대하여 우선 설명하면, 노광부(130)는 반도체 기판(W) 상에 레티클(R)의 회로 패턴을 축소 투영시키기 위한 장치로서, 크게 광원(135), 조명 부재(140), 레티클 스테이지(145), 투영 부재(150) 및 기판 스테이지(155)로 이루어진다. 광원(135)과 반도체 기판(W) 사이에는 조명 부재(140), 레티클 스테이지(145) 및 투영 부재(150)가 순차적으로 배치되고, 반도체 기판(W)은 기판 스테이지(155) 상에 지지된다. First, the exposure unit 130 will be described. The exposure unit 130 is a device for reducing and projecting a circuit pattern of the reticle R on the semiconductor substrate W. The light source 135 and the illumination member 140 are largely provided. , The reticle stage 145, the projection member 150, and the substrate stage 155. The illumination member 140, the reticle stage 145, and the projection member 150 are sequentially disposed between the light source 135 and the semiconductor substrate W, and the semiconductor substrate W is supported on the substrate stage 155. .

광원(135)은 반도체 기판(W) 상면에 도포된 감광제(포토레지스트)에 조사될 광을 생성한다. 광원(135)은 ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저 등의 원자외선(DUV)파장을 갖는 광원, 또는 F2 레이저, Ar2 레이저 등의 진공자외선(VUV)파장을 갖는 광원 등 다양한 광원이 이용될 수 있다.The light source 135 generates light to be irradiated to the photosensitive agent (photoresist) applied to the upper surface of the semiconductor substrate (W). The light source 135 may be a variety of light sources such as a light source having a far ultraviolet (DUV) wavelength, such as ArF excimer laser, KrF excimer laser, or a light source having a vacuum ultraviolet (VUV) wavelength, such as F2 laser, Ar2 laser.

광원(135)으로부터 생성된 광은 조명 부재(140)를 통과하여 평행한 방향성 갖는 조명광으로 변화된다. 조명 부재(140)는 플라이 아이 렌즈(fly's eye lens)나 실린더형 렌즈(cylindrical lens)와 같은 다수의 정렬 렌즈, 필터 등으로 이루어질 수 있다. 광원(135)으로부터 생성된 광은 정렬 렌즈 및 필터를 통과하여 일정한 방향성을 갖으며 균일하게 분포하는 조명광으로 변화된다. 조명 부재(140)를 통과한 조명광은 레티클 스테이지(145)의 레티클(R)에 집중된다. 이 경우, 레티클 스테이지(145)에 배치된 레티클(R)은 이미 레티클 검사부(100)에서 결함 및 손상이 검사 된 레티클(R)이다. 이하, 레티클(R)의 선 검사 후 대기에 대하여 자세하게 설명한다. Light generated from the light source 135 passes through the lighting member 140 and is converted into illumination light having a parallel direction. The illumination member 140 may be composed of a plurality of alignment lenses, filters, and the like, such as a fly's eye lens or a cylindrical lens. The light generated from the light source 135 is changed into illumination light that is uniformly distributed and uniformly passed through the alignment lens and the filter. Illumination light passing through the illumination member 140 is concentrated on the reticle R of the reticle stage 145. In this case, the reticle R disposed in the reticle stage 145 is a reticle R whose defect and damage have already been inspected by the reticle inspection unit 100. Hereinafter, the atmosphere after the line inspection of the reticle R will be described in detail.

노광부(130)에 투입되는 모든 레티클(R)은 결함 및 손상 검사를 완료한 무결함 레티클(R)이다. 이 경우, 레티클(R)은 노광부(130)에 투입되기 직전에 검사되는 것이 아니라, 미리 검사된 후 레티클 수납부(120)에서 대기된다.All of the reticles R injected into the exposure unit 130 are defect-free reticles R that have completed defect and damage inspection. In this case, the reticle R is not inspected immediately before being introduced into the exposure unit 130, but is waited in the reticle accommodating part 120 after being inspected in advance.

일련의 노광 공정을 수행하기 위하여 필요한 다양한 레티클들(R)이 필요하다. 노광 공정을 수행하기 전, 필요한 레티클들(R)은 반도체 기판 노광 장치(100)에 투입되어 레티클 수납부(120)에 수납된다. 레티클 수납부(120)는 일종의 웨이퍼 카세트(cassette)와 유사한 형상을 가지며, 레티클들(R)이 복층으로 배치되게 수용한다. 레티클들(R)의 수납이 완료되면, 제1 이송암(141)은 레티클 수납부(120)로부터 레티클들(R)을 낱장으로 인출하여 레티클 검사부(130)로 이송한다. Various reticles R are needed to perform a series of exposure processes. Before performing the exposure process, necessary reticles R are introduced into the semiconductor substrate exposure apparatus 100 and stored in the reticle accommodating part 120. The reticle accommodating part 120 has a shape similar to a kind of wafer cassette, and accommodates the reticles R arranged in multiple layers. When the storing of the reticles R is completed, the first transfer arm 141 draws the reticles R from the reticle accommodating part 120 into sheets and transfers the reticles R to the reticle inspecting part 130.

레티클 검사부(130)는 레티클 검사부(130)에 존재하는 스크래치(scratch), 핏(pit), 파티클(particle)과 같은 결함 및 손상이 기 설정된 검사 기준 만족하는지를 확인하기 위한 장치로서, 비록 도시하지는 않았지만, 검사 광원, 검사광 경로 전환 부재, 검사광 검출 부재, 검사 스테이지 및 검사 연산 부재 등으로 이루어질 수 있다. 레티클 검사부(130)는 레티클(R) 표면으로 연속 또는 불연속적으로 광을 조사하고, 레티클(R) 표면으로부터 반사 및 산란된 광을 수집하여 레티클(R)에 결함 존재 여부 및 손상 여부 등을 확인할 수 있다. 레티클 검사부(130)는 레티클(R) 표면에 수직한 방향으로 광을 조사하여 검사면 상에 파티클의 존재 여부를 검사하는 노말 모드(normal mode), 레티클(R)의 중심축으로부터 소정의 각도로 기울어진 방향에서 광을 조사하여 검사면 상에 스크래치나 핏(pit)과 같은 결함을 검출하는 오블릭 모드(oblique mode) 등 어떠한 모드로도 작동될 수 있다.The reticle inspecting unit 130 is a device for checking whether defects and damages such as scratches, pits, and particles existing in the reticle inspecting unit 130 satisfy predetermined inspection criteria, although not shown. , An inspection light source, an inspection light path switching member, an inspection light detection member, an inspection stage, an inspection operation member, and the like. The reticle inspection unit 130 irradiates light continuously or discontinuously to the surface of the reticle R, and collects reflected and scattered light from the surface of the reticle R to check whether or not there is a defect in the reticle R, and the like. Can be. The reticle inspection unit 130 irradiates light in a direction perpendicular to the surface of the reticle R to check whether a particle is present on the inspection surface, in a normal mode, at a predetermined angle from the central axis of the reticle R. It can be operated in any mode, such as an oblique mode, which detects defects such as scratches or pit on the inspection surface by irradiating light in an inclined direction.

레티클(R)의 이상 여부를 판단하는 기준은 해당 레티클(R)에 결함의 크기, 길이, 깊이, 개수 등에 대한 정보로서, 공정 레시피(recipe)에서 규정된다. 레티클(R)의 이상 여부를 판단하는 기준은 공정 조건 및 제조사마다 다르게 설정할 수 있으므로 이에 대한 한정은 하지 않겠다. The criterion for determining whether the reticle R is abnormal is information on the size, length, depth, number, and the like of defects in the reticle R, and is defined in a process recipe. Criteria for determining the abnormality of the reticle (R) can be set differently according to the process conditions and manufacturers will not be limited to this.

검사 결과 기 설정된 기준을 만족하지 않는 레티클(R)이 발견되면, 해당 레티클(R)은 정밀 검사 장치(100)로 이송하여 정밀 검사 공정을 진행시킨다. 보다 발전적으로는 해당 레티클(R)과 동일한 대체 레티클(R)을 교체 투입하여 공정을 신속하게 진행시킬 수도 있다. If the reticle R that does not meet the preset criteria is found as a result of the inspection, the reticle R is transferred to the precision inspection apparatus 100 to proceed with the precision inspection process. In a more advanced manner, the same replacement reticle (R) as the corresponding reticle (R) can be replaced by the rapid progress of the process.

전술한 바와 같이 레티클 수납부(120)에 수납된 레티클들(R)에 대한 모든 검사 공정이 완료되면, 실질적인 노광 공정을 진행한다. 제2 이송암(142)은 레티클 수납부(120)에 수납 대기중인 레티클들(R) 중에서 일 레티클(R)을 선택하여 레티클 스테이지(145) 상에 배치한다. As described above, when all the inspection processes for the reticles R accommodated in the reticle accommodating part 120 are completed, a substantial exposure process is performed. The second transfer arm 142 selects one reticle R from the reticles R waiting to be stored in the reticle accommodating part 120 and arranges the reticle R on the reticle stage 145.

광원(135)으로부터 생성되어 조명 부재(140)를 통과한 조명광은 레티클 스테이지(145)의 레티클(R)에 집중된다. 조명광은 레티클(R)의 회로 패턴 이미지가 반영된 상태로 레티클(R)을 통과한다. 레티클(R)을 통과한 조명광은 투영 부재(150)를 경유하여 반도체 기판(W) 상에 축소 투영된다. 이 경우, 반도체 기판(W)은 기판 스테이지(155)에 의하여 단계별로(step by step) 수평 이동한다. 즉, 스텝퍼(stepper) 노광 장치와 유사한 기능을 수행한다. 본 실시예에서는, 기판 스테이지 (155)에 의하여 단계별로(step by step) 수평 이동하며 축소 투영하는 반도체 기판 노광 장치(100)에 대하여 설명하지만, 연속적으로 수평 이동하며 스캐닝 방식으로 노광 공정을 수행할 수 있음을 밝혀둔다. Illumination light generated from the light source 135 and passing through the lighting member 140 is concentrated on the reticle R of the reticle stage 145. The illumination light passes through the reticle R while the circuit pattern image of the reticle R is reflected. Illumination light passing through the reticle R is projected down on the semiconductor substrate W via the projection member 150. In this case, the semiconductor substrate W is horizontally moved by the substrate stage 155 step by step. In other words, it performs a function similar to a stepper exposure apparatus. In the present embodiment, the semiconductor substrate exposure apparatus 100 is horizontally moved and reduced by the substrate stage 155 in step by step. However, the exposure process may be continuously performed in a horizontally moving manner. Let's find out.

전술한 바와 같이 선택한 일 레티클(R)에 대한 노광 공정이 완료되면, 제2 이송암(142)은 레티클 스테이지(145)로부터 레티클(R)을 반출하여 레티클 수납부(120)에 복귀시킨다. 이어서, 레티클 수납부(120)에 수납 대기중인 레티클들(R) 중에서 다른 레티클(R)을 선택하여 전술한 바와 같은 순서로 노광 공정을 진행한다.As described above, when the exposure process for the selected reticle R is completed, the second transfer arm 142 takes the reticle R out of the reticle stage 145 and returns it to the reticle accommodating part 120. Subsequently, another reticle R is selected from the reticles R waiting to be stored in the reticle accommodating part 120, and an exposure process is performed in the above-described order.

보다 발전적으로는 일 노광 공정을 완료하고 레티클 수납부(120)로 복귀된 레티클(R)에 대하여 검사 공정을 진행할 수도 있다. 이는 노광 공정 중에 레티클(R)이 손상 또는 오염될 수 있기 때문이다. 복귀된 레티클(R)에 대한 검사 공정은 일련의 노광 공정과 병행하여 수행되기 때문에 노광 공정의 흐름을 저해하거나 방해하지 않는다. 복귀된 레티클(R)에 대한 검사 공정 결과, 복귀된 레티클(R)에 이상이 발생된 경우, 반도체 기판 노광 장치(100)의 제어부(도시되지 않음)는 이를 우선적으로 워닝(warning)하여, 대체 레티클(R)이 신속하게 준비될 수 있도록 한다. 복귀된 레티클(R)에 이상이 발생된 경우에도 노광부(130)에서의 노광 공정은 계속적으로 진행될 수 있어, 노광 공정의 흐름은 저해되거나 방해 받지 않는다. In further development, the inspection process may be performed on the reticle R which has completed one exposure process and is returned to the reticle accommodating part 120. This is because the reticle R may be damaged or contaminated during the exposure process. Since the inspection process for the returned reticle R is performed in parallel with a series of exposure processes, it does not impede or hinder the flow of the exposure process. As a result of the inspection process for the returned reticle R, when an abnormality occurs in the returned reticle R, the controller (not shown) of the semiconductor substrate exposure apparatus 100 preferentially warns and replaces it. Allow the reticle R to be prepared quickly. Even when an abnormality occurs in the returned reticle R, the exposure process in the exposure unit 130 may proceed continuously, so that the flow of the exposure process is not inhibited or disturbed.

본 실시예에 따르면, 일련의 노광 공정을 수행하기 전에 해당 레티클들에 대한 검사 공정을 미리 완료하고 대기시킴으로써, 종래와 같이 일 레티클을 이용한 노광 공정을 수행하기 직전에 해당 레이클에 대하여 검사하고 검사 결과에 따라서 해당 노광 공정의 진행 여부가 결정되어 발생했던 시간적, 재정적 문제점들을 효과 적으로 해소할 수 있다. According to this embodiment, the inspection process for the reticles is completed and waited in advance before performing a series of exposure processes, thereby inspecting and inspecting the relevant vehicle just before performing the exposure process using one reticle as in the prior art. According to the result, it is possible to effectively solve the temporal and financial problems caused by determining whether the exposure process proceeds.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 기판 노광 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도를 도시한 것이다. 3 is a schematic flowchart illustrating a semiconductor substrate exposure method according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 우선 일련의 노광 공정을 수행하기 위한 레티클들을 반도체 기판 노광 장치로 로딩한다(S110). 로딩된 레티클들에 대한 검사 공정을 진행한다(S120). Referring to FIG. 3, first, reticles for performing a series of exposure processes are loaded into a semiconductor substrate exposure apparatus (S110). The inspection process for the loaded reticles is performed (S120).

레티클 검사 공정은(S120), 레티클의 표면에 검사광을 연속 또는 불연속적으로 조사하고(S121), 레티클의 표면으로부터 반사 또는 산란된 광을 수집한다(S123). 이 경우, 검사광은 노말 모드(normal mode) 또는 오블릭 모드(oblique mode) 중 어떠한 모드로 레티클의 표면에 조사하여도 실질적으로 무관하다(S121). 이어서, 레티클의 표면으로부터 반사 또는 산란되어 수집된 광을 광량에 대응하는 아나로그 신호인 전압값으로 변환하고(S125), 상기 전압값을 디지털 신호로 변환한다(S127). 디지털 신호로 변환된 반사 또는 산란된 광에 대한 정보를 분석하여 레티클에 결함 존재 여부 및 손상 여부 등을 판단한다(S129).  The reticle inspection process (S120), irradiate the inspection light to the surface of the reticle continuously or discontinuously (S121), and collects the light reflected or scattered from the surface of the reticle (S123). In this case, the inspection light is substantially irrelevant even if irradiated to the surface of the reticle in any mode of the normal mode (oblique mode) or (oblique mode) (S121). Subsequently, the light reflected or scattered from the surface of the reticle and collected is converted into a voltage value which is an analog signal corresponding to the amount of light (S125), and the voltage value is converted into a digital signal (S127). Information on the reflected or scattered light converted into the digital signal is analyzed to determine whether there is a defect or damage to the reticle (S129).

검사 결과, 레티클에 이상이 발생된 경우, 해당 레티클은 정밀 검사 장치로 이송하여 정밀 검사 공정을 진행(S132)하고, 대체 레티클을 교체 투입한다(S134).As a result of the inspection, when an abnormality occurs in the reticle, the reticle is transferred to the precision inspection apparatus to perform a detailed inspection process (S132), and replaces and replaces the replacement reticle (S134).

모든 레티클들에 대하여 전술한 바와 같은 검사 공정을 진행하여 레티클들에 대한 이상여부가 확인한 후, 정상 레티클들을 대기시키고, 대기중인 레티클들 중에서 일 레티클을 선택한다(S140). 선택된 레티클을 레티클 스테이지 상에 배치하고(S145) 실질적인 노광 공정을 진행한다(S150). After checking all the reticles as described above by checking the abnormality of the reticles, wait for the normal reticles, and selects one reticle among the waiting reticles (S140). The selected reticle is placed on the reticle stage (S145) and a substantial exposure process is performed (S150).

실질적인 노광 공정은(S150), 반도체 기판을 노광하기 위한 광을 소정의 방향 특성을 갖는 조명광으로 변환하고(S151), 조명광은 레티클 스테이지 상의 레티클에 집중한다(S153). 조명광은 레티클의 회로 패턴 이미지가 반영된 상태로 레티클을 통과하고, 레티클을 통과한 조명광을 투영 부재를 경유시켜(S155), 반도체 기판 상에 축소 투영한다(S157). 이 경우, 반도체 기판은 단계별로(step by step) 수평 이동할 수 있다. The substantial exposure process (S150) converts the light for exposing the semiconductor substrate into illumination light having a predetermined direction characteristic (S151), and the illumination light concentrates on the reticle on the reticle stage (S153). The illumination light passes through the reticle in a state where the circuit pattern image of the reticle is reflected, and the illumination light passing through the reticle passes through the projection member (S155) and is reduced and projected onto the semiconductor substrate (S157). In this case, the semiconductor substrate may move horizontally step by step.

전술한 바와 같이 선택한 일 레티클에 대한 일 노광 공정을 완료하면, 상기 일 레티클을 수납부에 복귀시키고(S162), 노광 공정의 후속 진행여부를 결정한다(S164). 후속적으로 노광 공정을 진행할 경우, 수납 대기중인 레티클들 중에서 다른 레티클을 선택하여(S166) 전술한 바와 같은 순서로 노광 공정을 진행한다(S150)When the one exposure process for the selected one reticle is completed as described above, the one reticle is returned to the storage unit (S162), and it is determined whether or not the exposure process is subsequently performed (S164). Subsequently, when the exposure process is performed, another reticle is selected from the reticles waiting to be stored (S166), and the exposure process is performed in the same order as described above (S150).

수납 대기중인 레티클들 중에서 다른 레티클을 선택하여(S166) 전술한 바와 같은 순서로 노광 공정을 진행한다(S150). 이와 병렬적으로 일 노광 공정에 이용 후 복귀된 레티클에 대하여 추가적으로 검사 공정을 진행한다(S120). Another reticle is selected from the reticles waiting to be stored (S166), and the exposure process is performed in the same order as described above (S150). In parallel with this, an inspection process is further performed on the reticle returned after being used in one exposure process (S120).

본 실시예에 따르면, 일련의 노광 공정을 수행하기 전에 해당 레티클들에 대한 검사 공정을 미리 완료하고 대기시킴으로써, 종래와 같이 일 레티클을 이용한 노광 공정을 수행하기 직전에 해당 레이클에 대하여 검사하고 검사 결과에 따라서 해당 노광 공정의 진행 여부가 결정되어 발생했던 시간적, 재정적 문제점들을 효과적으로 해소할 수 있다. According to this embodiment, the inspection process for the reticles is completed and waited in advance before performing a series of exposure processes, thereby inspecting and inspecting the relevant vehicle just before performing the exposure process using one reticle as in the prior art. According to the result, it is possible to effectively solve the temporal and financial problems caused by determining whether the exposure process proceeds.

본 발명에 따르면, 레티클들에 대한 검사 공정을 미리 완료하고 대기시킴으 로써 노광 공정 중에 레티클을 검사함으로써 노광 공정의 소요시간이 증가하던 문제를 효과적으로 해소할 수 있다. 따라서 공정 효율을 극대화 시킬 수 있으며, 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. According to the present invention, it is possible to effectively solve the problem that the time required for the exposure process is increased by inspecting the reticle during the exposure process by completing and waiting for the inspection process for the reticles in advance. Therefore, process efficiency can be maximized and productivity can be greatly improved.

이상 바람직한 실시예들을 참조하여 본 발명에 대하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art will variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. I can understand that you can.

Claims (5)

레티클(reticle)들에 대한 검사 공정을 수행하는 단계;Performing an inspection process on the reticles; 상기 검사 공정의 결과 기 설정된 검사 기준을 만족하는 레티클들을 수납하는 단계; 및 Storing reticles satisfying a predetermined inspection criterion as a result of the inspection process; And 상기 수납된 레티클들 중에서 일 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노광 방법. And exposing the semiconductor substrate by selecting one reticle from the stored reticles. 제 1 항에 있어서, 상기 수납된 레티클들 중에서 상기 선택된 레티클와 다른 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하는 단계를 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노광 방법. The method of claim 1, wherein exposing the semiconductor substrate by repeatedly selecting a reticle different from the selected reticle among the stored reticles. 제 1 항에 있어서, 상기 노광에 이용된 레티클에 대하여 상기 검사 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노광 방법.The semiconductor substrate exposure method according to claim 1, further comprising performing the inspection process on the reticle used for the exposure. 제 1 항에 있어서, 각각의 레티클에 대한 검사 공정은,The method of claim 1, wherein the inspection process for each reticle is 상기 레티클 상에 광을 조사하는 단계;Irradiating light onto the reticle; 상기 레티클로부터 반사 또는 산란된 광을 수집하는 단계; 및 Collecting light reflected or scattered from the reticle; And 상기 수집된 광을 분석하여 상기 레티클 상에 파티클의 존재 여부를 확인하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노광 방법.Analyzing the collected light to determine the presence of particles on the reticle. 레티클들에 대한 검사 공정을 수행하기 위한 레티클 검사 유닛;A reticle inspection unit for performing an inspection process on the reticles; 상기 검사 공정의 결과 기 설정된 검사 기준을 만족하는 레티클들을 수납하기 위한 레티클 카세트;A reticle cassette for storing reticles satisfying a predetermined inspection criterion as a result of the inspection process; 상기 수납된 레티클들 중에서 일 레티클을 선택하여 반도체 기판을 노광하기 위한 노광 유닛; An exposure unit for exposing a semiconductor substrate by selecting one reticle from the stored reticles; 상기 레티클 검사 유닛과 상기 레티클 카세트 사이에서 레티클들을 이송하기 위한 제1 이송암; 및A first transfer arm for transferring reticles between the reticle inspection unit and the reticle cassette; And 상기 레티클 카세트와 상기 노광 유닛 사이에서 상기 선택된 레티클을 이송하기 위한 제2 이송암을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노광 장치.And a second transfer arm for transferring the selected reticle between the reticle cassette and the exposure unit.
KR1020050036934A 2005-05-03 2005-05-03 Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same KR20060114803A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050036934A KR20060114803A (en) 2005-05-03 2005-05-03 Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050036934A KR20060114803A (en) 2005-05-03 2005-05-03 Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060114803A true KR20060114803A (en) 2006-11-08

Family

ID=37652376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050036934A KR20060114803A (en) 2005-05-03 2005-05-03 Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060114803A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826770B1 (en) * 2006-12-28 2008-04-30 동부일렉트로닉스 주식회사 Stray light measuring method
KR100902877B1 (en) * 2007-11-15 2009-06-16 (주)티이에스 An Apparatus For Sensing Chrome Plane of Mask For Semiconductor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826770B1 (en) * 2006-12-28 2008-04-30 동부일렉트로닉스 주식회사 Stray light measuring method
KR100902877B1 (en) * 2007-11-15 2009-06-16 (주)티이에스 An Apparatus For Sensing Chrome Plane of Mask For Semiconductor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101255923B1 (en) Methods and systems for detecting defects on a reticle
JP4842513B2 (en) Semiconductor manufacturing method and apparatus
US7027143B1 (en) Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
US6313903B1 (en) Resist coating and developing unit
JP2008198820A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2011174757A (en) Defect inspection method, program, computer storage medium, and defect inspection device
JP2004525528A (en) Arrangement and method for detecting defects on a substrate in a processing tool
TW200417824A (en) A method of detecting mask defects, a computer program and a reference substrate
JP2014195122A (en) Substrate processing apparatus, abnormality processing part determination method, program and computer storage medium
KR20060114803A (en) Method for exposing a semiconductor substrate and apparatus for exposing an semiconductor substrate using the same
JP2006228862A (en) Device and method for removing foreign substance and processing system
US20200124994A1 (en) Mask treating method and system thereof
US8148054B2 (en) Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns
JP7192720B2 (en) Photomask blank defect classification method and defect classification system, and photomask blank selection method and manufacturing method
JP7212558B2 (en) Substrate processing apparatus, determination method, and article manufacturing method
KR20070038706A (en) Apparatus for cleaning a reticle and apparatus for exposing a substrate having the same
JP2002267616A (en) Defect detection method and apparatus therefor
KR102297038B1 (en) Construction method of database for pellicle membrane inspection and Method of inspecting pellicle membrane using the database
KR20010083591A (en) Removal particle system in stepper
JP2002169267A (en) Mask inspection apparatus and exposure method using the same
JP2007303971A (en) Detection method of defect caused by chemical solution, and manufacturing method of semiconductor device
JP2002075814A (en) Semiconductor manufacturing device
JPH06112105A (en) Method and device for exposing semiconductor substrate

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination