KR20060109728A - Light-emitting diode union capacitor for preventing electrostatic discharge - Google Patents
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Abstract
Description
도 1 및 도 2는 일반적인 발광 다이오드의 양쪽 전극에 정전기가 인가되는 실시예를 도시한 것이고,1 and 2 illustrate an embodiment in which static electricity is applied to both electrodes of a general light emitting diode,
도 3 및 도 4는 일반적인 발광 다이오드와 전원 분로 소자가 함께 설치된 실시예를 도시한 것이고, 3 and 4 illustrate an embodiment in which a general light emitting diode and a power shunt device are installed together.
도 5 내지 도 9는 본 발명에 따라 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 대한 실시예를 도시한 것이고, 5 to 9 illustrate an embodiment of a light emitting diode to which an antistatic capacitor is bonded according to the present invention.
도 10 내지 도 12는 본 발명에 따라 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 대한 다른 실시예를 도시한 것이다. 10 to 12 illustrate another embodiment of a light emitting diode in which an antistatic capacitor is bonded according to the present invention.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing
10 : 전원부 11 : 저항10: power supply unit 11: resistance
12,30 : 발광 다이오드 13 : 아이씨12,30: light emitting diode 13: IC
31 : 전원 분로 소자 32,33 : 패드31: power supply shunt element 32, 33: pad
50,51 : 커패시터 60,61 : 가변 커패시터 50, 51:
본 발명은, 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 관한 것으로, 예를 들어, 인쇄회로기판(PCB)의 표면에 실장되는 에스엠디(SMD: Surface Mount Device) 타입의 발광 다이오드(LED)가, 정전기로 인해 파손되는 것을 예방하기 위한 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode in which an antistatic capacitor is bonded. For example, a surface mount device (LED) type LED mounted on a surface of a printed circuit board (PCB) is a static electricity. The present invention relates to a light emitting diode in which an antistatic capacitor is bonded to prevent damage thereof.
도 1 및 도 2는, 일반적인 발광 다이오드의 양쪽 전극에 정전기가 인가되는 실시예를 도시한 것으로, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드(12)의 애노드(Anode) 전극에는, 저항(11)을 통해 전원부(10)(VCC)가 접속되고, 상기 발광 다이오드의 캐소드(Cathode) 전극에는, 발광 시간 간격을 조절하기 위한 아이씨(IC)(13)가 연결 접속된다. 1 and 2 illustrate an embodiment in which static electricity is applied to both electrodes of a general light emitting diode. For example, as shown in FIG. 1, an anode of the
한편, 상기 애노드 전극에 접속된 저항(11)은, 발광 다이오드의 전류(Current) 흐름을 조절함과 아울러 발광 세기(Intensity)를 조절하게 되는 데, 도 2에 도시한 바와 같이, 인쇄회로기판(PCB)의 표면에 실장되는 발광 다이오드의 양쪽 전극에, 정전기가 순간적으로 인가되는 경우, 그 정전기로 인해 발광 다이오드가 파손되는 문제점이 있다. On the other hand, the
예를 들어, 상기 발광 다이오드는, 각 발광 다이오드의 색깔 별로 다이오드의 전기적 최대 허용 범위를 지켜야 하는 데, 상기 정전기는, 순간적으로 매우 과 도한 전압과 전류가 발광 다이오드의 양 극(Anode or Cathode)에 전달된다.For example, the light emitting diodes must maintain the maximum electrical allowable range of the diodes for each color of the light emitting diodes, and the static electricity is instantaneously caused by excessive voltage and current at the anode or the cathode of the light emitting diodes. Delivered.
그리고, 상기 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극에 정전기가 인가되면, 발광 다이오드의 최대 허용 전기적 범위를 오버하는 순간, 발광 다이오드의 내부에 과도한 전류가 흐르면서 애노드와 캐소드 사이의 공핍층(Depletion Layer)에 저항이 커지면서 끊어지게 되어 전류의 흐름이 끊어져 발광 다이오드(LED)가 파손된다When static electricity is applied to the anode electrode of the light emitting diode (LED), the moment when the maximum allowable electrical range of the light emitting diode is exceeded, excessive current flows inside the light emitting diode to depletion layer between the anode and the cathode. As the resistance increases, it breaks down and the current flows off, causing the light emitting diode (LED) to break.
또한, 상기 발광 다이오드(LED)의 캐소드 전극에 정전기가 인가되면, 발광 다이오드의 최대 허용 역방향 전기적 전류 범위를 오버하는 순간 발광 다이오드의 내부에 과도한 전류가 흐르면서 애노드와 캐소드 사이의 공핍층에 저항 값이 커지면서 끊어지게 되어 전류의 흐름이 끊어져 발광 다이오드(LED)가 파손된다. In addition, when static electricity is applied to the cathode of the light emitting diode (LED), an excessive current flows inside the light emitting diode as soon as the maximum allowable reverse electric current range of the light emitting diode is exceeded, and a resistance value is formed in the depletion layer between the anode and the cathode. As it grows larger, the current flows off and the LED breaks.
한편, 상기 발광 다이오드에 인가되는 과도한 정전기 또는 전기적 현상으로부터 발광 다이오드(LED)를 보호하기 위해서 전류의 크기를 제한하는 LED Current 저항(11)을 사용하는 데, 상기 저항의 역할은 과도한 신호가 대부분의 전기 회로에서 유입되기 쉬운 전원(VCC)으로부터 유입되었을 때는 정전기의 전기적 성분 중 저주파의 전압 및 전류를 제한하는 효과가 있다On the other hand, in order to protect the light emitting diode (LED) from excessive electrostatic or electrical phenomena applied to the light emitting diode, the LED
또한, 실제 단말기 제품의 경우, 발광 다이오드(LED)가 배치되는 위치는 인체의 손가락이 많이 닿는 전면 키패드(Key Pad) 아래에 위치하고, 키패드(Key Pad)에서 정전기(ESD) 유입을 피할 수 없는 부분이 금속 성분의 재질을 가지는 단말기 방향 버튼(Navigation Key) 부위이다In addition, in the case of an actual terminal product, the position where the light emitting diode (LED) is disposed is located under the front keypad where the human finger touches, and the portion where the inflow of static electricity (ESD) from the keypad is inevitable. This is a terminal navigation key area with a metal material
그리고, 인체에 축적된 정전기(ESD)는, 손가락을 통하여 방향버튼(Navigation Key)에 유입되며, 유입된 정전기(ESD)는 금속성분의 방향 버튼이 다른 전도성과의 연결이 끊어져 있어 방향버튼에 전달된 정전기(ESD)는 키 패드(Key Pad)의 바로 밑에 위치하고 인쇄회로기판에 본딩(Bonding)된 발광 다이오드(LED)의 양(Anode, Cathode) 전극으로 2차 전달되므로, 이러한 문제를 해결하기 위해서는 발광 다이오드의 양 전극(Anode, Cathode)을 보호하기 위한 방안이 필요하다. And, the static electricity (ESD) accumulated in the human body is introduced into the navigation key (Navigation Key) through the finger, the electrostatic discharge (ESD) is transmitted to the direction button because the metal direction button is disconnected from other conductivity Electrostatic discharge (ESD) is located directly under the key pad (Key Pad) and is second-delivered to the anode (Anode, Cathode) electrode of the light emitting diode (LED) bonded to the printed circuit board, to solve this problem There is a need for a method for protecting both electrodes (Anode, Cathode) of the light emitting diode.
도 3 및 도 4는, 일반적인 발광 다이오드와 전원 분로 소자가 함께 설치된 실시예를 도시한 것으로, 예를 들어 정전기 방지를 위해 제안된 종래의 방안으로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 발광 다이오드(LED)(30)와 전원 분로 소자(31)(PSD: Power Shunting Device)를 포함하는 발광 다이오드 패키지가 제안된 바 있다. 3 and 4 illustrate an embodiment in which a general light emitting diode and a power supply shunt element are installed together. For example, as a conventional method proposed for preventing static electricity, as shown in FIG. 3, a light emitting diode (LED) is shown. (30) and a light emitting diode package including a power shunting device (PSD) has been proposed.
한편, 상기 발광 다이오드(30)와 전원 분로 소자(31)는, 표면에 단자를 가지는 플립 칩(flip-chips)이며, 이들 단자는 각각의 양의 전극 패드(32)와 음의 전극 패드(33)에 직접적으로 접합되고, 상기 발광 다이오드(30)와 전원 분로 소자(31) 모두의 플립 칩 접합의 이용은, 어셈블리로부터 와이어 접합을 완전한 제거할 수 있도록 한다. On the other hand, the
또한, 상기 접합은 초음파 접합(ultrasonic bonding), 접착성 접합(adhesive bonding) 또는 납땜(soldering)에 의한 접합일 수 있는 데, 이러한 플립 칩 발광 다이오드는, 다양한 활성 층들이 성장되거나 증착되는 투명 기판을 포함하며, 전기적 접촉은, 성장된 층 또는 증착된 층상에 형성되어 발광 다이오드의 n 및 p 타입 층들에 전기적으로 접촉하게 된다.In addition, the bonding may be bonding by ultrasonic bonding, adhesive bonding, or soldering, such a flip chip light emitting diode comprising a transparent substrate on which various active layers are grown or deposited. And electrical contact is formed on the grown or deposited layer to make electrical contact with the n and p type layers of the light emitting diode.
그리고, 상기 발광 다이오드의 기판이 광 방출에 대하여 주 윈도우(Primary Window)가 되도록 실장되는 데, 도 4는, 상기 발광 다이오드(30)와 전원 분로 소자(31)의 전기적 구조도로서, 상기 발광 다이오드에 인가되는 전압이 사전 결정된 임계 전압을 초과하는 경우에, 백투백 제너 다이오드(Back-to-Back Zener Diodes) (46,47)는, LED(30) 양단의 전압을 사전 결정된 전압으로 클램핑(Clamping)하게 된다.In addition, the substrate of the light emitting diode is mounted so as to be a primary window for light emission. FIG. 4 is an electrical structural diagram of the
또한, 상기 LED(30)로부터 전류를 다른 곳으로 흐르게 하므로, 상기 전원 분로 소자(31)는, LED를 정전기 방전에 의해서 생성된 것과 같은 전기적 과 스트레스(Electrical Overstress)로부터 보호하게 되는 데, 상기 전원 분로 소자(31)는, 과도 전압 억제기 다이오드(Transient Voltage Suppressor Diode)가 사용될 수도 있으며, 광학 효율(Optical Efficiency)을 증가시키기 위하여 렌즈 외부에 위치하는 것이 바람직하다. In addition, since the current flows from the
그러나, 상기 발광 다이오드(LED) 어셈블리 구조는, 전원 분로 소자와 일체화를 위한 어셈블리 구조로 인해 부품 사이즈의 크기가 커지게 되므로, 단말기 같은 높이와 면적이 제한된 제품에 사용이 불가능하다. However, the light emitting diode (LED) assembly structure has a large component size due to an assembly structure for integrating with a power supply shunt element, and thus cannot be used for a product having a limited height and area, such as a terminal.
또한, 상기 전원 분로 소자를 위하여, 백투백 제너 다이오드를 사용함에 따른 어셈블리 사이즈의 증가로 인해 부품 사이즈 축소에 어려움이 발생하며, 상기 전원 분로 소자에 사용되는 백투백 제너 다이오드의 비용이 정전기(ESD) 보호를 위한 부품에 비하여 가격이 높은 단점이 있다.In addition, for the power shunt element, an increase in assembly size due to the use of a back-to-back zener diode causes difficulty in reducing the size of the component, and the cost of the back-to-back zener diode used in the power shunt element provides ESD protection. There is a disadvantage that the price is higher than the components for.
그리고, 상기 전원 분로 소자에 사용되는 백투백 제너 다이오드의 부품 높이가 타 정전기(ESD) 보호 용 부품에 비하여 높이가 크고, 또한 정전기(ESD)가 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극에 인가되었을 때, 과도한 전기적 충격은, 발광 다이오드의 임계치 범위를 오버하였을 때 발광 다이오드(LED)를 관통하지 않고 백투백 제너 다이오드를 거쳐 발광 다이오드의 캐소드(Cathode) 전극으로 전달되므로, 발광 다이오드(LED)의 캐소드 전극이 접지(Ground)에 연결되어 있지 않고 발광 다이오드(LED)의 발광 시간 간격을 조절하는 IC 입력과 연결되어 있을 경우, IC 입력에 과도한 전기적 충격이 인가되어 IC 가 파손될 수 있다In addition, when the component height of the back-to-back zener diode used in the power supply shunt element is larger than other ESD protection components, and the electrostatic discharge is applied to the anode electrode of the LED, Since the electric shock is transmitted to the cathode electrode of the light emitting diode through the back-to-back zener diode without passing through the light emitting diode (LED) when the threshold range of the light emitting diode is exceeded, the cathode electrode of the light emitting diode (LED) is grounded ( If not connected to the ground and connected to the IC input that controls the light emitting time interval of the LED, excessive electric shock may be applied to the IC input, resulting in damage to the IC.
반대로, 정전기(ESD)가 발광 다이오드(LED)의 캐소드 전극에 인가되었을 경우, 과도한 전기적 충격은 백투백 제어 다이오드를 거쳐서 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극에 연결된 전원부에 연결된 전자 부품들에 피해를 줄 수 있기 때문에, 실제 적용하는 데에는 여러 가지 문제점들이 있다. Conversely, when electrostatic discharge (ESD) is applied to the cathode of the light emitting diode (LED), excessive electrical shock may damage electronic components connected to the power supply connected to the anode electrode of the light emitting diode (LED) via the back-to-back control diode. Because of this, there are various problems in the practical application.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창작된 것으로서, 예를 들어 인쇄회로기판(PCB)의 표면에 실장되는 에스엠디(SMD) 타입의 발광 다이오드에 구비된 애노드(Anode) 전극과 캐소드(Cathode) 전극 중, 적어도 어느 하나 이상의 전극 패드(Pad)에, 정전기가 순간적으로 인가되더라도, 발광 다이오드의 파손을 예방함과 아울러, 발광 다이오드를 인쇄회로기판의 표면에 효율적으로 실장시킬 수 있도록 하기 위한 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드를 제공하는 데, 그 목적이 있는 것이다. Accordingly, the present invention has been created to solve the above problems, for example, an anode (anode) electrode and a cathode (SMD) provided in the SMD type light emitting diode mounted on the surface of the printed circuit board (PCB) ( Cathode) In order to prevent breakage of the light emitting diode and to efficiently mount the light emitting diode on the surface of the printed circuit board even when static electricity is applied to at least one of the electrode pads at the moment. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting diode bonded with an antistatic capacitor.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드는, 표면 실장 부품인 발광 다이오드의 양쪽 전극 중 어느 하나 이상의 전극 패드에, 정전기 방지용 커패시터가 접합되어 있는 것을 특징으로 하며,The light emitting diode to which the antistatic capacitor is bonded according to the present invention for achieving the above object is characterized in that the antistatic capacitor is bonded to one or more electrode pads of both electrodes of the light emitting diode which is a surface mount component. ,
또한, 상기 정전기 방지용 커패시터는, 상기 하나 이상의 전극 패드와 접지 사이에 설치되어, 상기 전극에 인가되는 정전기를 접지를 통해 방전시키는 것으로, 고정 커패시터 또는 가변 커패시터가 사용되는 것을 특징으로 한다.In addition, the antistatic capacitor is installed between the one or more electrode pads and the ground to discharge the static electricity applied to the electrode through the ground, it characterized in that a fixed capacitor or a variable capacitor is used.
이하, 본 발명에 따른 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 대한 바람직한 실시예에 대해, 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of a light emitting diode bonded to the antistatic capacitor according to the present invention will be described in detail.
도 5 내지 도 9는, 본 발명에 따라 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 대한 실시예를 도시한 것으로, 예를 들어 에폭시 렌즈(Epoxy Lens)를 사용하는 발광 다이오드(LED)의 애노드(Anode) 전극과 캐소드(Cathode) 전극에, 커패시터(Capacitor)(50,51)를 연결 접합하여, 정전기(ESD)에 의해 발광 다이오드(LED)가 파손되는 것을 보호하게 된다. 5 to 9 illustrate an embodiment of a light emitting diode in which an antistatic capacitor is bonded according to the present invention. For example, an anode of a light emitting diode (LED) using an epoxy lens is illustrated.
또한, 상기 발광 다이오드의 양 전극과 연결된 전자 부품을, 정전기는 물론, 그 이외의 전기적 충격 등으로부터 보호하게 되는 데, 특히, 정전기(ESD) 성분이 포함하는 고주파(High Frequency) 노이즈에 대한 보호 회로의 역할을, 상기 커패시터(50,51)가 하게 된다. In addition, the electronic component connected to both electrodes of the light emitting diode is protected from static electricity as well as other electric shocks. In particular, a protection circuit against high frequency noise included in the electrostatic (ESD) component The
예를 들어, 단말기에서 발생하는 대부분 정전기(ESD)의 주요 문제점인 소프트웨어 실패(Software Fail)에 대하여, 본 발명이 적용된 정전기 보호 발광 다이오드(LED)를 이용하여 해결할 수 있는 데, 이에 대해 상세히 설명하면, 도 6에 도시한 바와 같이, 에폭시 렌즈(Epoxy Lens)는, 발광 다이오드(LED)에 사용되는 빛을 발하게 된다.For example, a software failure, which is a major problem of most ESD generated in a terminal, can be solved using an electrostatic protection light emitting diode (LED) to which the present invention is applied. As illustrated in FIG. 6, an epoxy lens emits light used in a light emitting diode (LED).
또한, 상기 발광 다이오드는, Small Chip Mount LED에 사용되는 경우, 발광 다이오드의 애노드(Anode) 전극과 캐소드(Cathode) 전극은, 상기 커패시터의 애노드 전극 패드 및 캐소드 전극 패드와 연결되며, 그 연결 방법은, Flip Chip Bonding으로 처리된다.In addition, when the light emitting diode is used in a small chip mount LED, an anode electrode and a cathode electrode of the light emitting diode are connected to an anode electrode pad and a cathode electrode pad of the capacitor, and the connection method thereof is It is treated with Flip Chip Bonding.
그리고, 상기 발광 다이오드(LED)의 양 전극과 연결되는 커패시터(50,51)는, 발광 다이오드의 배면에 위치하여, 발광 다이오드와 연결된 구조가 차지하는 면적이 최소화 되도록 하고, 두 개의 커패시터(50,51) 사이에 접지(GND) 전극을 별도로 배치하여 인쇄회로기판(PCB)과 본딩되도록 한다. In addition, the
한편, 상기 정전기(ESD)가, 발광 다이오드(LED)의 양 전극에 인가되면 과도한 전류와 전압을 가진 전기적 충격은, 정전기(ESD)의 성분 즉, 전류, 전압, 주파수의 크기 성분에 해당되는 값에 따라 발광 다이오드의 양쪽 전극에 연결된 커패시터를 통하여 접지(GND)로 유도 방전된다. On the other hand, when the electrostatic discharge (ESD) is applied to both electrodes of the light emitting diode (LED), the electric shock with excessive current and voltage, the value corresponding to the component of the electrostatic discharge (ESD), that is, the magnitude component of the current, voltage, frequency As a result, induction discharge is performed to the ground GND through capacitors connected to both electrodes of the light emitting diode.
즉, 도 3 및 도 4를 참조로 전술한 바 있는 종래의 발광 다이오드(LED)의 적용 범위는, 캐소드 전극이 접지(Ground)에 연결 되어야만 효과를 볼 수 있었지만, 본 발명에서는 단말기에 적용되는 발광 다이오드(LED)와 같이 발광 시간 간격을 조 절할 수 있는 IC 에 연결되는 모든 발광 다이오드(LED)에 그대로 적용할 수 있게 된다. That is, the range of application of the conventional light emitting diodes (LEDs) described above with reference to FIGS. 3 and 4 could be seen only when the cathode electrode is connected to the ground, but in the present invention, the light emission applied to the terminal It can be applied to all light emitting diodes (LEDs) connected to ICs that can control the light emitting time intervals, such as diodes (LEDs).
따라서, 상기 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극 및 캐소드 전극, 그리고 접지(GND) 전극은, 인쇄회로기판과 본딩(Bonding)이 될 수 있는 표면 처리가 필요하게 되며, 상기 발광 다이오드(LED)의 배면에 증착 되는 커패시터는, 디스크리트 컴포넌트(Discrete Component) 타입의 부품을 사용하거나, 또는 멀티 레이어(Multi Layer) 처리로 커패시터의 두께를 줄여서 증착할 수 있다 Therefore, the anode electrode, the cathode electrode, and the ground (GND) electrode of the light emitting diode (LED) require surface treatment that can be bonded to the printed circuit board, and the back surface of the light emitting diode (LED) The capacitor to be deposited may be deposited by using a discrete component type component or by reducing the thickness of the capacitor by a multi-layer process.
그리고, 본 발명에 따른 발광 다이오드(LED)의 애노드 전극과 캐소드 전극, 그리고 커패시터의 양쪽 전극간의 연결 부분인 전극 패드의 크기는, 인쇄회로기판(PCB)과의 본딩(Bonding)에 필요한 역할을 하게 되며, 상기 애노드 전극과 캐소드 전극의 형상은, 렌즈와 애노드 전극, 캐소드 전극의 접합으로 인해 수직으로 이루어져 바깥 면으로 노출되지 않도록 제작하여야, 외부 정전기가 인가되는 것을 효율적으로 예방할 수 있게 된다. In addition, the size of the electrode pad, which is a connection portion between the anode electrode, the cathode electrode, and the both electrodes of the capacitor, of the light emitting diode (LED) according to the present invention, plays a necessary role for bonding with the PCB. The shape of the anode electrode and the cathode electrode is made vertically due to the bonding of the lens, the anode electrode, and the cathode electrode, so that the anode electrode and the cathode electrode are manufactured so as not to be exposed to the outside surface, thereby effectively preventing external static electricity from being applied.
한편, 도 10 내지 도 12는 본 발명에 따라 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드에 대한 다른 실시예를 도시한 것으로, 상기 정전기를 방전시키기 위한 커패시터는, 고정형 커패시터 이외에도, 도 10 내지 도 12에 도시한 바와 같이, 가변형 커패시터가 사용될 수 있다. Meanwhile, FIGS. 10 to 12 show another embodiment of a light emitting diode to which an antistatic capacitor is bonded according to the present invention. The capacitor for discharging the static electricity is illustrated in FIGS. 10 to 12 in addition to the fixed capacitor. As one can use a variable capacitor.
이상, 전술한 본 발명의 바람직한 실시예는, 예시의 목적을 위해 개시된 것으로, 당업자라면, 이하 첨부된 특허청구범위에 개시된 본 발명의 기술적 사상과 그 기술적 범위 내에서, 또다른 다양한 실시예들을 개량, 변경, 대체 또는 부가 등 이 가능할 것이다. Or more, preferred embodiments of the present invention described above, for the purpose of illustration, those skilled in the art, within the technical spirit and the technical scope of the present invention disclosed in the appended claims below, to further improve various other embodiments Changes, substitutions or additions will be possible.
상기와 같이 구성 및 동작되는 본 발명에 따른 정전기 방지용 커패시터가 접합된 발광 다이오드는, 예를 들어, 인쇄회로기판(PCB)의 표면에 실장되는 에스엠디(SMD) 타입의 발광 다이오드에 구비된 애노드(Anode) 전극과 캐소드(Cathode) 전극 중, 적어도 어느 하나 이상의 전극 패드(Pad)에, 정전기 방지용 커패시터(Capacitor)를 접합시킴으로써, 정전기가 순간적으로 발광 다이오드에 인가되더라도, 상기 정전기 방지용 커패시터를 통해 접지(GND)로 방전시키게 되어, 정전기로 인한 발광 다이오드의 파손을 예방할 수 있게 됨은 물론, 상기 발광 다이오드를 인쇄회로기판의 표면에 보다 효율적으로 실장시킬 수 있게 되는 매우 유용한 발명인 것이다. The light emitting diode to which the antistatic capacitor according to the present invention constructed and operated as described above is bonded, for example, an anode provided in an SMD type light emitting diode mounted on a surface of a printed circuit board (PCB). ) By bonding an antistatic capacitor to at least one of the electrode pads and at least one of the electrode pads, even if static electricity is momentarily applied to the light emitting diode, the ground (GND) is prevented through the antistatic capacitor. Discharge) to prevent the breakage of the light emitting diode due to static electricity, as well as a very useful invention that can be more efficiently mounted on the surface of the printed circuit board.
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