KR20060107151A - Light emission display - Google Patents

Light emission display Download PDF

Info

Publication number
KR20060107151A
KR20060107151A KR1020050029185A KR20050029185A KR20060107151A KR 20060107151 A KR20060107151 A KR 20060107151A KR 1020050029185 A KR1020050029185 A KR 1020050029185A KR 20050029185 A KR20050029185 A KR 20050029185A KR 20060107151 A KR20060107151 A KR 20060107151A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
lower electrode
electrode
layer
thin film
Prior art date
Application number
KR1020050029185A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100714010B1 (en
Inventor
강태욱
정창용
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050029185A priority Critical patent/KR100714010B1/en
Publication of KR20060107151A publication Critical patent/KR20060107151A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100714010B1 publication Critical patent/KR100714010B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
    • E02D—FOUNDATIONS; EXCAVATIONS; EMBANKMENTS; UNDERGROUND OR UNDERWATER STRUCTURES
    • E02D29/00—Independent underground or underwater structures; Retaining walls
    • E02D29/12—Manhole shafts; Other inspection or access chambers; Accessories therefor
    • E02D29/14—Covers for manholes or the like; Frames for covers
    • E02D29/1427—Locking devices
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
    • E02D—FOUNDATIONS; EXCAVATIONS; EMBANKMENTS; UNDERGROUND OR UNDERWATER STRUCTURES
    • E02D29/00—Independent underground or underwater structures; Retaining walls
    • E02D29/12—Manhole shafts; Other inspection or access chambers; Accessories therefor
    • E02D29/14—Covers for manholes or the like; Frames for covers
    • E02D29/149—Annular gaskets

Abstract

본 발명은 양면발광가능한 발광표시장치에 관한 것으로, 본 발광표시장치는 기판 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자와, 복수의 데이터선, 복수의 주사선, 복수의 전원선, 적어도 하나의 박막트랜지스터 및 적어도 하나의 캐패시터를 구비하여 상기 발광소자를 발광시키는 구동회로를 포함한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting display device capable of emitting light on both sides, and the light emitting display device includes at least one light emitting element formed on a substrate, a plurality of data lines, a plurality of scan lines, a plurality of power lines, at least one thin film transistor, And a driving circuit having at least one capacitor to emit light of the light emitting device.

본 발광표시장치의 상기 발광소자는, 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 반사성 도전층을 포함하는 제1 하부전극과, 상기 제1 하부전극상에 형성되는 제1 발광층과, 상기 발광층상에 형성되는 제1 상부전극을 구비하는 전면발광부; 및 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 투명도전층을 포함하고 제1 하부전극과 전기적으로 연결된 제2 하부전극과, 상기 제2 하부전극상에 형성되는 제2 발광층과, 상기 제2 발광층 상에 형성되는 제2 상부전극을 구비하는 배면발광부를 포함하는 것을 특징으로 한다. The light emitting device of the light emitting display device includes a first lower electrode formed on the thin film transistor and including a reflective conductive layer, a first light emitting layer formed on the first lower electrode, and formed on the light emitting layer. A front light emitting unit having a first upper electrode; And a second lower electrode formed on the thin film transistor and electrically connected to a first lower electrode, a second light emitting layer formed on the second lower electrode, and formed on the second light emitting layer. And a rear light emitting unit having a second upper electrode.

이에 따라, 사용자가 원하는 화상을 타측화상에 영향받지 않고 정확하게 표시할 수 있을 뿐만 아니라 박막트랜지스터, 전원선 등 각종 소자들을 전면발광부 하부영역에 형성함으로써, 개구율을 극대화시킬 수 있다.  Accordingly, the image desired by the user can be accurately displayed without being influenced by the other image, and the various apertures such as a thin film transistor and a power line can be formed in the lower area of the front light emitting unit, thereby maximizing the aperture ratio.

양면발광, 전면발광부, 배면발광부, 반사성 도전층 Double sided light emission, front light emitting part, back light emitting part, reflective conductive layer

Description

발광표시장치{Light Emission Display}Light emitting display device

도 1은 종래의 양면발광 가능한 발광소자의 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a conventional double-side light emitting device.

도 2는 본 발명에 따른 발광소자를 구현하는 화소회로를 나타내는 회로도이다. 2 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit implementing the light emitting device according to the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 양면발광 가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다.3 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 양면발광 가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다.4 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-side light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 일실시예에 따른 양면발광 가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다.5 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 양면발광 가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다.6 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to another embodiment of the present invention.

♣ 도면의 주요부분에 대한 상세한 설명 ♣ ♣ Detailed description of the main parts of the drawing ♣

310 : 박막트랜지스터 320, 420, 520, 620 : 발광소자310: thin film transistor 320, 420, 520, 620: light emitting device

A : 전면발광부 322a,422a,522a,622a : 반사성도전층A: front light emitting unit 322a, 422a, 522a, 622a: reflective conductive layer

322b,422b,522b,622b:제1 하부전극 324,424,524,624 : 제1 상부전극322b, 422b, 522b, 622b: first lower electrode 324, 424, 524, 624: first upper electrode

B : 배면발광부 322,422,522,622 : 제2 하부전극B: rear light emitting unit 322,422,522,622: second lower electrode

324,424,524,624 : 제2 상부전극 425,625 : 상부보조전극층324,424,524,624: second upper electrode 425,625: upper auxiliary electrode layer

본 발명은 양면발광가능한 발광소자를 포함하는 발광표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 전면 발광영역 하부에 박막트랜지스터 등을 포함하는 구동회로를 형성함으로써 개구율을 극대화시킨 발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting display device including a light emitting device capable of emitting both sides, and more particularly, to a light emitting display device in which an aperture ratio is maximized by forming a driving circuit including a thin film transistor under the front light emitting area.

일반적으로, 발광표시장치는 외부광원을 필요로 하지 않고, 발광소자가 스스로 발광하여 표시하는 장치로서, 특히, 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠르다.In general, the light emitting display device does not require an external light source, and the light emitting device emits light by itself and displays the light emitting device. In particular, the light emitting display device has excellent light emission efficiency, brightness, viewing angle, and fast response speed.

이하에서는 도면을 참조하여 종래 양면발광 가능한 발광소자를 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a conventional double-sided light emitting device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 양면 발광가능한 발광소자의 구조를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a conventional double-sided light emitting device.

도 1을 참조하면, 양면 발광가능한 발광소자(100)는, 기판(110) 상에 형성되는 제1 전극(애노드전극;120)과, 제1 전극(110) 상에 형성되는 발광층(130)과, 발광층(130) 상에 형성되는 제2 전극(캐소드전극;140)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a double-sided light emitting device 100 may include a first electrode (anode electrode) 120 formed on the substrate 110, a light emitting layer 130 formed on the first electrode 110, and a light emitting layer 130 formed on the first electrode 110. And a second electrode (cathode electrode) 140 formed on the light emitting layer 130.

일반적으로, 기판(110)은 투명성이 있는 유리 및 플라스틱과 같은 절연기판 등을 이용한다. 제1 전극(120)은 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명전극으로 형성된다. 또한, 제2 전극(140)은 일함수가 낮은 금속층, 예컨대, MgAg, Ca 등을 매우 얇게, 바람직하게는, 100Å이내로 증착함으로써 형성되며, 이 제2 전극(124) 상에는 ITO 등과 같은 투명전극이 보조전극(미도시)으로 형성되기도 한다.In general, the substrate 110 uses an insulating substrate such as glass and plastic having transparency. The first electrode 120 is formed of a conductive metal oxide, for example, a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), or the like. In addition, the second electrode 140 is formed by depositing a metal layer having a low work function, for example, MgAg, Ca, or the like very thinly, preferably within 100 GPa, and a transparent electrode such as ITO is formed on the second electrode 124. It may be formed as an auxiliary electrode (not shown).

이러한 구조의 발광소자(100) 제1 전극(120)과 제2 전극(140)으로부터의 전자와 정공이 발광층(130)에서 재결합하여 여기자를 형성함으로써 빛을 발생시킨다. 이때, 발광층(130)에는 전자와 정공의 주입특성을 향상시키기 위해 도시하지 않은 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나의 층들이 더 포함될 수 있다.In the light emitting device 100 having the above structure, electrons and holes from the first electrode 120 and the second electrode 140 are recombined in the emission layer 130 to form excitons, thereby generating light. In this case, the light emitting layer 130 may further include at least one of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, which are not shown in order to improve injection characteristics of electrons and holes.

그러나, 전술한 구조의 종래의 발광소자는 하나의 발광층과 제1 및 제2 전극(애노드전극 및 캐소드전극)을 이용하여 양면발광을 구현하기 때문에, 어느 일측 화면에 표시되는 화상이 타측 화면에 표시될 수 있으며, 서로 다른 화면측으로 타측광이 유입되어 화질을 저하시킬 수 있으며, 주위환경의 조도에 따라 화상표시에 대한 시인성이 떨어질 수도 있다. However, the conventional light emitting device having the above-described structure implements double-sided light emission by using one light emitting layer and first and second electrodes (anode electrode and cathode electrode), so that an image displayed on one screen is displayed on the other screen. The other side light may be introduced to different screens, thereby degrading the image quality, and the visibility of the image display may be deteriorated according to the illuminance of the surrounding environment.

따라서, 본 발명은 전술한 문제점들을 해소하기 위해 제안된 발명으로, 본 발명의 목적은 일측 화상이 타측 화면에 표시되는 것을 방지할 수 있으며, 화상을 명확하게 표시할 수 있을 뿐만 아니라 개구율을 향상시킬 수 있는 발광표시장치를 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to prevent one image from being displayed on the other screen, to clearly display the image, and to improve the aperture ratio. It is to provide a light emitting display device.

전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명은 기판 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자와, 복수의 데이터선, 복수의 주사선, 복수의 전원선, 적어도 하나의 박막트랜지스터 및 적어도 하나의 캐패시터를 구비하여 상기 발광소자를 발광시키는 구동회로를 포함하는 발광표시장치에 관한 것으로, 상기 발광소자는, 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 반사성 도전층을 포함하는 제1 하부전극과, 상기 제1 하부전극 상에 형성되는 제1 발광층과, 상기 발광층 상에 형성되는 제1 상부전극을 구비하는 전면발광부; 및 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 투명도전층을 포함하고, 상기 제1 하부전극과 전기적으로 연결된 제2 하부전극과, 상기 제2 하부전극 상에 형성되는 제2 발광층과, 상기 제2 발광층 상에 형성되는 제2 상부전극을 구비하는 배면발광부를 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention comprises at least one light emitting element formed on a substrate, a plurality of data lines, a plurality of scanning lines, a plurality of power lines, at least one thin film transistor and at least one capacitor A light emitting display device comprising a driving circuit for emitting light of the light emitting device, wherein the light emitting device includes: a first lower electrode formed on an upper portion of the thin film transistor and including a reflective conductive layer; A front light emitting unit having a first light emitting layer formed thereon and a first upper electrode formed on the light emitting layer; And a second lower electrode formed on the thin film transistor and including a transparent conductive layer, electrically connected to the first lower electrode, a second light emitting layer formed on the second lower electrode, and on the second light emitting layer. And a rear light emitting unit having a second upper electrode formed thereon.

바람직하게, 상기 제1 하부전극은 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 접촉되는 상기 반사성 도전층 상에 투명성이 있는 하부도전층을 더 포함한다. 상기 배면발광부는 상기 제2 상부전극 상에 상기 제2 발광층을 대응하게 형성되는 상부보조전극층을 더 포함한다. 상기 상부보조전극층은 알루미늄, 은, 알루미늄합금, 은합금 중 적어도 하나에서 선택된다. 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층이 일체로 형성된다. 상기 제2 하부전극은 상기 제1 하부전극의 상면으로 연장되게 형성된다. 상기 제1 하부전극과 상기 제2 하부전극 간 단차를 줄이기 위해 적어도 상기 제2 하부전극 하부에 형성되는 보조절연층을 더 포함한다. Preferably, the first lower electrode further includes a lower conductive layer having transparency on the reflective conductive layer in electrical contact with the thin film transistor. The rear light emitting unit further includes an upper auxiliary electrode layer formed to correspond to the second light emitting layer on the second upper electrode. The upper auxiliary electrode layer is selected from at least one of aluminum, silver, aluminum alloy, silver alloy. The first light emitting layer and the second light emitting layer are integrally formed. The second lower electrode is formed to extend to an upper surface of the first lower electrode. An auxiliary insulating layer is formed on at least a lower portion of the second lower electrode in order to reduce the step difference between the first lower electrode and the second lower electrode.

이하에서는 실시예 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 발광소자를 구현하는 화소회로를 나타내는 회로도이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 양면 발광가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다.2 is a circuit diagram illustrating a pixel circuit implementing a light emitting device according to the present invention, and FIG. 3 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 화소회로(300)는 발광소자(320)와, 발광소자(320)로 전류 등의 전원을 전달하는 구동회로(Ⅲ)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the pixel circuit 300 includes a light emitting device 320 and a driving circuit III for transmitting power such as a current to the light emitting device 320.

구동회로(Ⅲ)는 제1 트랜지스터(M1), 캐패시터(Cst) 및 제2 트랜지스터(M2)를 포함한다. 또한, 화소회로(300)에는 제1 트랜지스터(M1), 캐패시터(Cst) 및 제2 트랜지스터(M2;310, 도 2 참조) 중 적어도 하나에 연결되는 주사선(Sn), 데이터선(Dm) 및 전원선(Vdd)이 마련되어 있다. 여기서, 주사선(Sn)은 행방향으로 형성되고, 데이터선(Dm) 및 전원선(Vdd)은 열방향으로 형성된다. The driving circuit III includes a first transistor M1, a capacitor Cst and a second transistor M2. In addition, the pixel circuit 300 includes a scan line Sn, a data line Dm, and a power source connected to at least one of the first transistor M1, the capacitor Cst, and the second transistor M2; 310 (see FIG. 2). Line Vdd is provided. Here, the scanning line Sn is formed in the row direction, and the data line Dm and the power supply line Vdd are formed in the column direction.

도 3을 참조하면, 기판(301) 상에는 버퍼층(302), 반도체층(303), 게이트절연막(304), 게이트전극(311), 층간절연막(305), 소스/드레인전극(312) 및 보호막(306)이 형성됨으로써, 구동회로(Ⅲ)를 구성하는 소자들이 제조된다. 그 다음, 게이트전극(311), 소스/드레인전극(312)으로 구성되는 박막트랜지스터(310) 상부에는 박막트랜지스터(310)의 소스/드레인전극(312) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 발광소자(OLED ; 320)가 형성된다. Referring to FIG. 3, a buffer layer 302, a semiconductor layer 303, a gate insulating film 304, a gate electrode 311, an interlayer insulating film 305, a source / drain electrode 312 and a protective film are formed on the substrate 301. By forming 306, the elements constituting the drive circuit III are manufactured. Next, a light emitting device electrically connected to at least one of the source / drain electrodes 312 of the thin film transistor 310 on the thin film transistor 310 including the gate electrode 311 and the source / drain electrode 312. OLED 320) is formed.

상기 발광소자(320)는 전면발광부(A)와 배면발광부(B)를 포함한다. The light emitting device 320 includes a front light emitting unit A and a bottom light emitting unit B.

전면발광부(A)는 반사성 도전층(322a)과 하부도전층(322b)를 포함하는 제1 하부전극(제1 애노드전극 ; 322)과, 제1 하부전극(322) 상에 형성되는 제1 발광층(323)과, 제1 발광층(323) 상에 형성되는 제1 상부전극(제1 캐소드전극 : 324)을 구비한다. 배면발광부(B)는 제2 하부전극(제2 애노드전극 : 322)과, 제2 하부전극(322) 상에 형성되는 제2 발광층(323)과, 제2 발광층(323) 상에 형성되는 제2 상부전극(제2 캐소드전극 : 324)을 구비한다. The front emission part A includes a first lower electrode (first anode electrode) 322 including a reflective conductive layer 322a and a lower conductive layer 322b, and a first lower electrode 322 formed on the first lower electrode 322. The light emitting layer 323 and a first upper electrode (first cathode electrode 324) formed on the first light emitting layer 323 are provided. The bottom light emitting unit B is formed on the second lower electrode (second anode electrode) 322, the second emission layer 323 formed on the second lower electrode 322, and the second emission layer 323. A second upper electrode (second cathode electrode) 324 is provided.

또한, 본 발광표시장치에는 반사성 도전층(322a)의 증착두께와 동일한 두께로 적어도 배면발광부(B)의 제2 하부전극(322) 하부에 형성되는 절연막(307)과, 화소정의막(308)이 형성된다. 절연막(307)은 전면발광부(A)와 배면발광부(B)의 단차를 줄여 화소 불량을 막는 역할을 하지만, 절연막(307)을 형성하는 대신 제1 하부전극(322)의 에지슬롭을 완만하게 하여 단차에 따른 화소 불량을 막을 수 있다. 본 절연막(307)은 본 실시예에 한정되지 않으며, 배면발광부(B)의 하부에만 형성할 수도 있다. In addition, the light emitting display device includes an insulating film 307 and a pixel defining film 308 formed under the second lower electrode 322 of the rear light emitting unit B at a thickness equal to the deposition thickness of the reflective conductive layer 322a. ) Is formed. The insulating film 307 serves to prevent pixel defects by reducing the step difference between the front light emitting part A and the bottom light emitting part B, but instead of forming the insulating film 307, the edge of the first lower electrode 322 is smooth. By doing so, it is possible to prevent the pixel defect due to the step. The insulating film 307 is not limited to this embodiment, and may be formed only under the bottom light emitting portion B. FIG.

보다 구체적으로, 반사성 도전층(322a)은 박막트랜지스터(310)의 소스 및 드레인전극(312) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되며, 하부 도전층(322b)은 반사성 도전층(322a) 상에 형성된다. 반사성 도전층(322a)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 주체로 하는 합금 및 알루미늄을 주체로 하는 합금 등으로 형성된다. 제2 하부전극(322)은 제1 하부전극(322)의 상면과 연장되게, 즉, 제1 하부전극(322)의 하부도전층(322b)과 제2 하부전극(322)을 일체로 형성한다. 이들은 투명성이 있는 도전 성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등으로 형성된다. More specifically, the reflective conductive layer 322a is electrically connected to any one of the source and drain electrodes 312 of the thin film transistor 310, and the lower conductive layer 322b is formed on the reflective conductive layer 322a. . The reflective conductive layer 322a is formed of silver (Ag), aluminum (Al), an alloy mainly composed of silver, an alloy mainly composed of aluminum, or the like. The second lower electrode 322 extends with an upper surface of the first lower electrode 322, that is, the lower conductive layer 322b and the second lower electrode 322 of the first lower electrode 322 are integrally formed. . They are formed of transparent conductive metal oxides such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).

본 실시예에서는 제2 하부전극(322)이 단일층으로 형성되어 있으나, 투명도전층을 더 포함하는 다중층으로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 상부전극(324) 역시 일체로 형성되며, 투명성이 있는 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등으로 형성된다. 또한, 제1 상부전극(337)은 MgAg, Ca 등을 매우 얇게, 바람직하게는, 100Å이내로 증착하여 형성하기도 한다. In the present exemplary embodiment, the second lower electrode 322 is formed as a single layer, but may be formed as a multilayer including a transparent conductive layer. The first and second upper electrodes 324 are also integrally formed and formed of a transparent conductive metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. In addition, the first upper electrode 337 may be formed by depositing MgAg, Ca, or the like very thinly, preferably within 100 GPa.

또한, 제1 발광층 및 제2 발광층(323), 역시, 일체로 형성되며, 제1 및 제2 하부전극(322)과 제1 및 제2 상부전극(324)으로부터의 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하면서 발광하며, 제1 및 제2 발광층(323)에는 전자와 정공의 주입특성을 향상시키기 위해, 미도시된 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 일부층들을 더 포함할 수 있다. In addition, the first light emitting layer and the second light emitting layer 323 are also integrally formed, and electrons and holes from the first and second lower electrodes 322 and the first and second upper electrodes 324 are recombined to excite. Emit light while forming a light, and the first and second light emitting layers 323 further include at least some layers of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, which are not shown in order to improve injection characteristics of electrons and holes. can do.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 양면 발광가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다. 설명의 편의상, 도 3에 개시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 4 is a schematic partial side cross-sectional view of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to an embodiment of the present invention. For convenience of description, detailed description of the same components as those shown in FIG. 3 will be omitted.

도 4를 참조하면, 기판(301) 상에는 게이트전극(311), 소스/드레인전극(312)으로 구성된 박막트랜지스터(310)가 형성된다. 박막트랜지스터(310) 상부에는 박막트랜지스터(310)의 소스/드레인전극(312) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 발광소자(420)가 형성된다.Referring to FIG. 4, a thin film transistor 310 including a gate electrode 311 and a source / drain electrode 312 is formed on the substrate 301. A light emitting device 420 is formed on the thin film transistor 310 to be electrically connected to at least one of the source / drain electrodes 312 of the thin film transistor 310.

발광소자(420)는 전면발광부(A)와 배면발광부(B)를 포함한다. The light emitting device 420 includes a front light emitting unit A and a bottom light emitting unit B.

전면발광부(A)는 반사성 도전층(422a)과 하부도전층(422a)를 포함하는 제1 하부전극(제1 애노드전극;422)과, 제1 하부전극(422) 상에 형성되는 제1 발광층(423)과, 제1 발광층(423) 상에 형성되는 제1 상부전극(제1 캐소드전극 : 424)를 구비한다. 배면발광부(B)는 제2 하부전극(제2 애노드전극 : 422)과, 제2 하부전극(422) 상에 형성되는 제2 발광층(423)과, 제2 발광층(423) 상에 형성되는 제2 상부전극(제2 캐소드전극 : 424)을 구비한다. The front emission part A includes a first lower electrode (first anode electrode) 422 including a reflective conductive layer 422a and a lower conductive layer 422a, and a first lower electrode 422 formed on the first lower electrode 422. A light emitting layer 423 and a first upper electrode (first cathode electrode 424) formed on the first light emitting layer 423 are provided. The bottom light emitting unit B is formed on the second lower electrode (second anode electrode) 422, the second light emitting layer 423 formed on the second lower electrode 422, and the second light emitting layer 423. A second upper electrode (second cathode electrode) 424 is provided.

여기서, 제1 하부전극(422)의 반사성 도전층(422a)은 은(Ag), 알루미늄(Al), 은을 주체로 하는 합금 및 알루미늄을 주체로 하는 합금 등으로 형성된다. 하부도전층(422b)과 제2 하부전극(422)은 일체로 형성되며, 이들은 투명성이 있는 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등으로 형성된다. 제1 및 제2 상부전극(424) 역시 일체로 형성되며, 투명성이 있는 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등으로 형성된다. 또한, 제1 상부전극(424)은 MgAg, Ca 등을 매우 얇게, 바람직하게는, 100Å이내로 증착하여 형성하기도 한다. 제1 및 제2 발광층(423)은 일체로 형성된다. The reflective conductive layer 422a of the first lower electrode 422 is formed of silver (Ag), aluminum (Al), an alloy mainly composed of silver, an alloy mainly composed of aluminum, or the like. The lower conductive layer 422b and the second lower electrode 422 are integrally formed, and they are formed of a transparent conductive metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). The first and second upper electrodes 424 are also integrally formed and formed of a transparent conductive metal oxide, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. In addition, the first upper electrode 424 may be formed by depositing MgAg, Ca, or the like very thinly, preferably within 100 GPa. The first and second light emitting layers 423 are integrally formed.

한편, 제2 상부전극(424) 상에는 적어도 제2 발광층(423)을 덮는 상부보조전극층(425)이 더 형성된다. 상부보조전극층(425)은 반사율이 높은 은, 알루미늄, 은합금, 알루미늄합금 등의 금속을 사용한다. 상부보조전극층(425)은 배면측의 반사율을 높여 빛이 전면으로 새는 것을 막아주는 역할을 하고 또한 제2 상부전극 (424)의 저항을 줄여주는 역할을 수행한다. Meanwhile, an upper auxiliary electrode layer 425 covering at least the second light emitting layer 423 is further formed on the second upper electrode 424. The upper auxiliary electrode layer 425 uses a metal having high reflectance such as silver, aluminum, silver alloy, or aluminum alloy. The upper auxiliary electrode layer 425 serves to prevent the light from leaking to the front by increasing the reflectance on the back side and also serves to reduce the resistance of the second upper electrode 424.

전술한 구조들에 의해, 발광소자(320,420)에 전원이 인가되면, 제1 및 제2 발광층(323,423)이 발광한다. 이때, 전면발광부(A)측 하부에 형성된 반사성 도전층(322a)은 발광층(323,423)에서 발광된 빛이 기판 하부측으로 투과되지 않도록 모아주는 역할을 수행하며, 배면발광부(B)측에 형성된 상부보조전극층(425)은 제1 및 제2 발광층(323,423)에서 발광된 빛이 제2 상부전극(324,424)측으로 투과되지 않도록 모아주는 역할을 수행한다. 게다가, 전면발광부(A) 하부 측에 박막트랜지스터(310,410) 등이 형성되기 때문에, 전면발광부(A) 측에서 발광된 빛이 배면으로 투과되는 것을 효율적으로 차단할 수 있으며, 배면발광부(B) 측에서 발광된 빛을 배면으로 효율적으로 투과시킬 수 있다. By the above-described structures, when power is applied to the light emitting devices 320 and 420, the first and second light emitting layers 323 and 423 emit light. At this time, the reflective conductive layer 322a formed on the lower side of the front light emitting part A serves to collect the light emitted from the light emitting layers 323 and 423 so as not to be transmitted to the lower side of the substrate, and is formed on the rear light emitting part B side. The upper auxiliary electrode layer 425 collects light emitted from the first and second light emitting layers 323 and 423 so as not to be transmitted to the second upper electrodes 324 and 424. In addition, since the thin film transistors 310 and 410 are formed at the lower side of the front light emitting part A, the light emitted from the front light emitting part A side can be effectively blocked from being transmitted to the rear surface, and the back light emitting part B is provided. The light emitted from the side can be efficiently transmitted to the rear surface.

이하에서는 발광소자를 구성하는 구성요소들의 에지 슬롭을 완만하게 하여 단차에 따른 화소불량을 줄일 수 있는 실시예를 도시한 도 5 및 도 6을 참조하여 설명한다.Hereinafter, an exemplary embodiment in which edge defects of components constituting the light emitting device may be smoothed to reduce pixel defects due to steps may be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 양면발광 가능한 발광소자가 채용된 화소회로의 개략적인 부분 측단면도이다. 설명의 중복을 피하기 위해, 도 3 및 도 4에 개시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명 및 작동원리는 생략한다. 5 and 6 are schematic partial side cross-sectional views of a pixel circuit employing a double-sided light emitting device according to another embodiment of the present invention. In order to avoid duplication of description, detailed descriptions and operating principles of the same components as those shown in FIGS. 3 and 4 will be omitted.

도 5 및 도 6을 참조하면, 기판(501,602) 상에는 버퍼층(502,602), 반도체층 (503,603), 게이트절연막(504,604), 게이트전극(511,611), 층간절연막(505,605), 소스/드레인전극(512,612) 및 보호막(506,606)을 형성함으로써, 구동회로(Ⅲ, 도 2참조)를 구성하는 소자들을 제조한다. 그 다음, 게이트전극(511,611), 소스/드레인전극(512,612)으로 구성되는 박막트랜지스터(510,610) 상부에는 박막트랜지스터(510,610)의 소스/드레인전극(512,612) 중 적어도 하나와 전기적으로 연결되는 발광소자(OLED ; 520,620)가 형성된다. 5 and 6, buffer layers 502 and 602, semiconductor layers 503 and 603, gate insulating films 504 and 604, gate electrodes 511 and 611, interlayer insulating films 505 and 605, and source / drain electrodes 512 and 612 on substrates 501 and 602. And the protective films 506 and 606, thereby manufacturing elements constituting the driving circuit III (see Fig. 2). Next, a light emitting device electrically connected to at least one of the source / drain electrodes 512 and 612 of the thin film transistors 510 and 610 on the thin film transistors 510 and 610 formed of the gate electrodes 511 and 611 and the source / drain electrodes 512 and 612. OLED 520,620 are formed.

발광소자(520,620)는 전면발광부(A)와 배면발광부(B)를 포함한다.The light emitting devices 520 and 620 include a front light emitting unit A and a bottom light emitting unit B.

전면발광부(A)는 반사성 도전층(522a,622a)과 하부도전층(522b,622b)를 포함하는 제1 하부전극(제1 애노드전극 ; 522,622)과, 제1 하부전극(522,622) 상에 형성되는 제1 발광층(523,623)과, 제1 발광층(523,623) 상에 형성되는 제1 상부전극(제1 캐소드전극 : 524,624)을 구비한다. The front light emitting portion A is disposed on the first lower electrodes (first anode electrodes 522 and 622) including the reflective conductive layers 522a and 622a and the lower conductive layers 522b and 622b and the first lower electrodes 522 and 622. First emission layers 523 and 623 are formed, and first upper electrodes (first cathode electrodes 524 and 624) are formed on the first emission layers 523 and 623.

배면발광부(B)는 제2 하부전극(제2 애노드전극 : 522,622)과, 제2 하부전극(522,622) 상에 형성되는 제2 발광층(523,623)과, 제2 발광층(523,623) 상에 형성되는 제2 상부전극(제2 캐소드전극 : 524,624)을 구비한다. 한편, 도 6의 배면발광부(B)는 제2 상부전극(624)상에 제2 발광층(423)과 대응하도록 형성된 상부보조전극층(625)을 더 포함한다. 상부보조전극층(625)은 반사율이 높은 은, 알루미늄, 은합금, 알루미늄합금 등의 금속을 사용한다. 상부보조전극층(625)은 배면측의 반사율을 높여 빛이 전면으로 새는 것을 막아주는 역할을 하고 또한 제2 상부전극(624)의 저항을 줄여주는 역할을 수행한다. The bottom light emitting unit B is formed on the second lower electrodes (second anode electrodes 522 and 622), the second light emitting layers 523 and 623 formed on the second lower electrodes 522 and 622, and the second light emitting layers 523 and 623. A second upper electrode (second cathode electrode: 524,624) is provided. Meanwhile, the bottom emission part B of FIG. 6 further includes an upper auxiliary electrode layer 625 formed on the second upper electrode 624 to correspond to the second emission layer 423. The upper auxiliary electrode layer 625 uses a metal having high reflectance such as silver, aluminum, silver alloy, aluminum alloy, or the like. The upper auxiliary electrode layer 625 serves to prevent the light from leaking to the front by increasing the reflectance on the back side and also serves to reduce the resistance of the second upper electrode 624.

하부도전층(522b,622b)과 제2 하부전극(522,622)은 일체로 형성되며, 제1 및 제2 상부전극(524,624)과 제1 및 제2 발광층(523,623)은 모두 일체로 형성된다. 제1 및 제2 하부전극(522,622)과 제1 및 제2 상부전극(524,624)으로부터의 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하면서 발광한다. The lower conductive layers 522b and 622b and the second lower electrodes 522 and 622 are integrally formed, and the first and second upper electrodes 524 and 624 and the first and second light emitting layers 523 and 623 are integrally formed. Electrons and holes from the first and second lower electrodes 522 and 622 and the first and second upper electrodes 524 and 624 are recombined to emit light while forming excitons.

본 실시예들에서는 제1 하부전극의 하부도전층 및 제2 하부전극, 제1 및 제2 발광층, 제1 및 제2 상부전극을 각각 일체로 형성하는 것이 개시되어 있으나, 각 전극 및 발광층을 별도로 형성할 수 있다. 또한, 본 실시예들에서는 발광소자의 하부에 박막트랜지스터만 개시되어 있는 개략적인 화소회로만 개시되어 있으나, 발광소자의 하부에는 전원선, 데이터선, 커패시터 등을 포함하는 다양한 구동소자들이 더 개시될 수 있다.In the present exemplary embodiments, the lower conductive layer and the second lower electrode, the first and second light emitting layers, and the first and second upper electrodes of the first lower electrode are disclosed, but each electrode and the light emitting layer are separately formed. Can be formed. In addition, in the present exemplary embodiment, only a schematic pixel circuit in which only a thin film transistor is disclosed below the light emitting device is disclosed, but various driving devices including a power line, a data line, a capacitor, etc. may be further disclosed below the light emitting device. Can be.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해여 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

이상, 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 사용자가 원하는 화상을 타측화상에 영향받지 않고 정확하게 표시할 수 있을 뿐만 아니라 박막트랜지스터, 전원선 등 각종 소자들을 전면발광부 하부영역에 형성함으로써, 개구율을 극대화시킬 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to accurately display the image desired by the user without being affected by the other image, and to maximize the aperture ratio by forming various elements such as a thin film transistor and a power line in the lower area of the front light emitting part. You can.

Claims (7)

기판 상에 형성되는 적어도 하나의 발광소자와, 복수의 데이터선, 복수의 주사선, 복수의 전원선, 적어도 하나의 박막트랜지스터 및 적어도 하나의 캐패시터를 구비하여 상기 발광소자를 발광시키는 구동회로를 포함하는 발광표시장치에 있어서,At least one light emitting device formed on the substrate, and a plurality of data lines, a plurality of scanning lines, a plurality of power lines, at least one thin film transistor and at least one capacitor comprising a driving circuit for emitting the light emitting device; In the light emitting display device, 상기 발광소자는, The light emitting device, 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 반사성 도전층을 포함하는 제1 하부전극과, 상기 제1 하부전극상에 형성되는 제1 발광층과, 상기 발광층상에 형성되는 제1 상부전극을 구비하는 전면발광부; 및 A front light emitting part including a first lower electrode formed on the thin film transistor and including a reflective conductive layer, a first light emitting layer formed on the first lower electrode, and a first upper electrode formed on the light emitting layer. ; And 상기 박막트랜지스터의 상부에 형성되며 투명도전층을 포함하고, 상기 제1 하부전극과 전기적으로 연결된 제2 하부전극과, 상기 제2 하부전극 상에 형성되는 제2 발광층과, 상기 제2 발광층 상에 형성되는 제2 상부전극을 구비하는 배면발광부A second lower electrode formed on the thin film transistor and including a transparent conductive layer, electrically connected to the first lower electrode, a second light emitting layer formed on the second lower electrode, and formed on the second light emitting layer A rear light emitting unit having a second upper electrode 를 포함하는 발광표시장치.Light emitting display device comprising a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 하부전극은 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 접촉되는 상기 반사성 도전층 상에 투명성이 있는 하부도전층을 더 포함하는 발광표시장치.The first lower electrode further comprises a lower conductive layer having transparency on the reflective conductive layer in electrical contact with the thin film transistor. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 배면발광부는 상기 제2 상부전극 상에 상기 제2 발광층을 대응하게 형성되는 상부보조전극층을 더 포함하는 발광표시장치. The rear light emitting unit further comprises an upper auxiliary electrode layer formed on the second upper electrode to correspond to the second light emitting layer. 제3항에 있어서, The method of claim 3, 상기 상부보조전극층은 알루미늄, 은, 알루미늄합금, 은합금 중 적어도 하나에서 선택되는 발광표시장치. The upper auxiliary electrode layer is at least one selected from aluminum, silver, aluminum alloy and silver alloy. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층이 일체로 형성되는 발광표시장치.A light emitting display device in which the first light emitting layer and the second light emitting layer are integrally formed. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제2 하부전극은 상기 제1 하부전극의 상면으로 연장되게 형성되는 발광표시장치.The second lower electrode extends to an upper surface of the first lower electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 하부전극과 상기 제2 하부전극 간 단차를 줄이기 위해 적어도 상기 제2 하부전극 하부에 형성되는 보조절연층을 더 포함하는 발광표시장치. And an auxiliary insulating layer formed on at least a lower portion of the second lower electrode in order to reduce the step between the first lower electrode and the second lower electrode.
KR1020050029185A 2005-04-07 2005-04-07 Light Emission Display KR100714010B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050029185A KR100714010B1 (en) 2005-04-07 2005-04-07 Light Emission Display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050029185A KR100714010B1 (en) 2005-04-07 2005-04-07 Light Emission Display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060107151A true KR20060107151A (en) 2006-10-13
KR100714010B1 KR100714010B1 (en) 2007-05-04

Family

ID=37627517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050029185A KR100714010B1 (en) 2005-04-07 2005-04-07 Light Emission Display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100714010B1 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100892369B1 (en) * 2007-04-02 2009-04-10 주식회사 나모텍 Organic Light Emitting Diode of Double Side Display Type
KR20140050559A (en) * 2012-10-19 2014-04-29 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device
WO2015027575A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 京东方科技集团股份有限公司 Electroluminescent component and display device
KR20190137205A (en) * 2018-05-31 2019-12-11 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method thereof
KR20200013978A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004220888A (en) 2003-01-14 2004-08-05 Shoen Kagi Kofun Yugenkoshi Double-sided display structure of transparent organic light emitting diode, and manufacturing method of same
US7566902B2 (en) * 2003-05-16 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
JP4131838B2 (en) 2003-05-16 2008-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
KR100739323B1 (en) * 2005-01-07 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 Light emitting diode and pixel circuit including light emitting diode

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100892369B1 (en) * 2007-04-02 2009-04-10 주식회사 나모텍 Organic Light Emitting Diode of Double Side Display Type
US10573239B2 (en) 2012-10-19 2020-02-25 Japan Display Inc. Display apparatus
US9368058B2 (en) 2012-10-19 2016-06-14 Japan Display Inc. Display apparatus
US9542888B2 (en) 2012-10-19 2017-01-10 Japan Display Inc. Display apparatus
US10096283B2 (en) 2012-10-19 2018-10-09 Japan Display Inc. Display apparatus
KR20140050559A (en) * 2012-10-19 2014-04-29 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 Display device
US11004394B2 (en) 2012-10-19 2021-05-11 Japan Display Inc. Display apparatus
US11568810B2 (en) 2012-10-19 2023-01-31 Japan Display Inc. Display apparatus
US11908409B2 (en) 2012-10-19 2024-02-20 Japan Display Inc. Display apparatus
WO2015027575A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 京东方科技集团股份有限公司 Electroluminescent component and display device
US9245933B2 (en) 2013-08-30 2016-01-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Electroluminescent (EL) device and display device
KR20190137205A (en) * 2018-05-31 2019-12-11 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method thereof
KR20200013978A (en) * 2018-07-31 2020-02-10 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100714010B1 (en) 2007-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100804859B1 (en) Display and array substrate
US6897478B2 (en) Flat panel display device with anti-reflection layer having concentration gradient
KR101015851B1 (en) Organic light emitting diode display
US8598782B2 (en) Organic electroluminescent device and electronic apparatus
KR101973760B1 (en) Multi-display device
JP2005310782A (en) Display panel with organic light emitting diode
WO2018120108A1 (en) Top emission type oled display unit, manufacturing method, and display panel
JP2002318553A (en) Luminous display device
JP2002208491A (en) Self-illuminating display device
KR100714010B1 (en) Light Emission Display
KR102543973B1 (en) Organic light emitting diode display device
KR100453633B1 (en) an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same
KR100684835B1 (en) Flat pixel array panel, method thereof and flat display device using the same
JP2005128310A (en) Display arrangement and electronic device
JP4639588B2 (en) Electro-optical device and method for manufacturing electro-optical device
KR20030035219A (en) an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same
US20190267442A1 (en) Double-face display panel and double-face display device
KR100761078B1 (en) Organic Electroluminescence Device
CN110571245A (en) Display panel and manufacturing method thereof
JP2005019074A (en) Electroluminescence display device, method of manufacturing the same and electronic apparatus
KR100782322B1 (en) an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same
JP2008218330A (en) Organic el display device
KR100721552B1 (en) organic electroluminescence display device and method for fabricating the same
JP2003280555A (en) Display device and method for manufacturing display device
KR100552959B1 (en) Substrate containing the black matrix and fabricating the same and FPD using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140401

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160329

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180403

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190401

Year of fee payment: 13