JP2005019074A

JP2005019074A - Electroluminescence display device, method of manufacturing the same and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2005019074A
Application number: JP2003179593A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Karasawa; 康史柄沢; Ryoichi Nozawa; 陵一野澤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-06-24
Filing date: 2003-06-24
Publication date: 2005-01-20

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence display device which absorbs an outdoor light and prevents the outdoor light from being reflected even when the outdoor light is incident. <P>SOLUTION: In the electroluminescence display device, a metal thin film having light transmission properties, such as, for example, calcium, lithium, etc. is formed on upper surfaces of an organic compound layer 22 and a partition wall 21 in a cathode 23, and an antireflection film having optical absorptivity is formed to prevent the outdoor light from being reflected on the upper surface of the metal thin film. Thus, the antireflection film is formed, and thereby the incident outdoor light can be absorbed. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄型で消費電力も小さい表示装置として、発光素子をマトリクス状に配置して構成される発光表示ディスプレイが注目され、広く開発が進められている。このような発光表示装置の画質を向上する上で、外光の反射を抑制してコントラストを高めることが重要である。発光表示装置の１つとして、例えば、有機エレクトロルミネセンス素子を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示パネルがある。
【０００３】
図７に示すように、有機エレクトロルミネッセンス素子は、光透過性を有する画素電極１２０および光反射性を有する陰極１２３を利用して通電がなされると有機化合物層１２２が発光し、この発光した光が光透過性を有する画素電極１２０、光透過性を有する基板１１１を通過して外部に放出される。ところで、有機化合物１２２において使用される有機材料に起因して、画素電極１２０には仕事関数の大きなものを、陰極１２３には仕事関数の小さなものをそれぞれ用いることで、電荷の注入効率が上がり、輝度が向上することが知られている。
【０００４】
また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画質を向上する上で、外光の反射を抑制してコントラストを高めることが重要である。そこで、有機エレクトロルミネッセンス表示装置のコントラストを改善することを目的として有機エレクトロルミネッセンス素子と低反射吸収層との組み合わせに関する提案がなされている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第５９８６４０１号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の方法では、図７に示すように特にアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合は、例えば、第一の配線１１５や、第二の配線１１８、陰極１２３に用いられる光反射性を有する金属により、太陽の光等の外光が反射される。そのため、十分なコントラストが得られないという問題点があった。また黒色表示の場合も外光が反射し、その反射光が有機エレクトロルミネッセンス素子の光と合成されぼやけた感じになって、コントラストが下がる等の問題が生じていた。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置内に外光が入射した場合でも、外光を吸収し反射を防ぐことができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置は、光透過性を有する基板に電子素子が形成され、前記電子素子側から順に配線と、エレクトロルミネッセンス素子とが形成され、前記エレクトロルミネッセンス素子の光を前記基板側から取り出すようにしたエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記エレクトロルミネッセンス素子は、前記基板側から光透過性を有する第一の電極と、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層と、光透過性を有する第二の電極とを有し、
前記配線は光透過性を有する導電膜で形成され、前記発光層を含む一層または複数の層より第二の電極側に、光吸収性を有する反射防止膜を備えた。
【０００９】
この発明によれば、発光層より第二の電極側に反射防止膜を形成したことにより、外光が入射した場合でも外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００１０】
このエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記反射防止膜は前記第二の電極の前記発光層とは反対側の面に形成してもよい。
この発明によれば、第二の電極の発光層側と反対側の面に反射防止膜を形成したことにより、外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００１１】
このエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第二の電極の前記発光層とは反対側の面に、光透過性を有する封止材を形成し、前記反射防止膜は前記封止材の外側面又は前記第二の電極と前記封止材との間に形成してもよい。
【００１２】
この発明によれば、封止材の外側面及び封止材と第二の電極との間に反射防止膜を設けたことにより、外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００１３】
このエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記配線と前記エレクトロルミネッセンス素子との間に、平坦化膜が形成され、前記配線および平坦化膜の上方にエレクトロルミネッセンス素子の少なくとも一部が形成されるようにしてもよい。
この発明によれば、外光の反射を増加させること無く、画素の開口率を向上させることができる。
【００１４】
このエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記電子素子と前記エレクトルミネッセンス素子の間に遮光層を形成してもよい。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００１５】
このエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記電子素子の少なくとも１つの電極は、光透過性を有してもよい。
この発明によれば、電極部で外光が反射せずに透過し、反射防止膜によってその外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００１６】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記基板に配線を形成する配線形成工程と、前記電子素子及び前記配線よりも上方にエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子形成工程と、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止材を形成する封止材形成工程を有し、前記エレクトロルミネッセンス素子の光が前記基板側から取り出されるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記配線形成工程は、前記配線を光透過性を有する導電膜で形成し、エレクトロルミネッセンス素子形成工程は、光透過性を有する第一の電極を形成する工程と、前記第一の電極を形成した後に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層を形成する工程と、前記発光層を含む一層又は複数の層を形成した後に、光を吸収し光の反射を防止する第二の電極を形成する工程とから構成した。
【００１７】
この発明によれば、第二の電極を光を吸収し光の反射を防止する電極で形成したことにより、外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００１８】
本発明のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基板に電子素子を形成する電子素子形成工程と、前記基板に配線を形成する配線形成工程と、前記電子素子及び前記配線よりも上方にエレクトロルミネッセンス素子を形成するエレクトロルミネッセンス素子形成工程と、前記エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止材を形成する封止材形成工程を有し、前記エレクトロルミネッセンス素子の光が前記基板側から取り出されるエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記配線形成工程は、前記配線を光透過性を有する導電膜で形成し、エレクトロルミネッセンス素子形成工程は、光透過性を有する第一の電極を形成する工程と、前記第一の電極を形成した後に、少なくとも発光層を含む一層又は複数の層を形成する工程と、前記発光層を含む一層又は複数の層を形成した後に、光を透過性を有する第二の電極を形成する工程とから構成するとともに、前記封止材形成工程の前又は後に、外光の反射を防止する反射防止膜を形成する工程を備えた。
【００１９】
この発明によれば、封止材の外側又は内側に反射防止膜を形成でき、反射防止膜にて外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００２０】
このエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記配線形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、光透過性を有する平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程を備え、前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程は、前記平坦化膜の上方に前記エレクトロルミネッセンス素子を形成してもよい。
【００２１】
この発明によれば、平坦化膜は外光を反射せずに透過し、反射防止膜によってその外光を吸収することが可能になる。よって、外光の反射を防止することができる。
【００２２】
このエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、少なくとも前記電子素子形成工程の後に、前記電子素子の上方位置に遮光層を形成する遮光層形成工程を設けてもよい。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００２３】
このエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、前記平坦化膜形成工程と前記エレクトロルミネッセンス素子形成工程との間に、前記電子素子の上方位置に遮光層を形成する遮光層形成工程を設けてもよい。
この発明によれば、遮光層が電子素子に照射される光を遮るため、光により励起される電子素子のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記したエレクトロルミネッセンス表示装置のいずれかを搭載した。
この発明によれば、外光を吸収し、外光の反射を防止できる表示部を備えた電子機器を得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化したエレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置の第１実施形態を、図１〜図３を用いて説明する。
【００２６】
図１は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図である。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、表示パネル部２を有し、この表示パネル部２の図中下側には、フレキシブル配線板３が接続されている。
【００２７】
表示パネル部２の略中央には、画像を表示する表示領域４が形成されている。
表示領域４には、行方向に延びる多数の走査線が形成されているとともに、列方向に延びる多数のデータ線が形成されている。そして、表示領域４において、各走査線と各データ線との交差部に対応した位置に、有機エレクトロルミネッセンス素子や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる画素回路（以下、画素という）１０がマトリクス状に多数配置されている。表示領域４の左右両側には、前記各走査線を駆動する走査線駆動回路５が形成され、表示領域４の下側には、前記各データ線を駆動するデータ線駆動回路６が形成されている。
【００２８】
フレキシブル配線板３には制御用ＩＣ７が実装されている。制御用ＩＣ７は、フレキシブル配線板３を通して、表示パネル部２上の走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６との間で、各種信号や電源の送受を行っている。なお、本実施形態では、制御用ＩＣ７をフレキシブル配線板３上に実装したが、制御用ＩＣ７の機能の全部又は一部は、表示パネル部２上に備えられていてもよい。一方、表示パネル部２上にある走査線駆動回路５やデータ線駆動回路６の機能の全部又は一部は、制御用ＩＣ７に含まれていてもよい。
【００２９】
図２は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル部２上に形成された画素１０の断面図であり、図３はその上面図である。両図ではマトリクス状に配置された多数の画素１０のうち、第ｍ列、第ｎ行にある一の画素１０を主に示している。ここで図３は、平坦化膜を形成する前までの状態を示しているが、その後に形成される画素電極と有機化合物層の形状を、二点鎖線で示している。図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、一の画素１０に２つのＴＦＴ３１，３２と１つのキャパシタ３３とを有している。ＴＦＴ３２（スイッチング用ＴＦＴ）は、走査線１５ａからの走査信号に基づいてオン状態となり、データ線１８ａからのデータ信号がキャパシタ３３に書き込まれるようになっている。また、ＴＦＴ３１（駆動用ＴＦＴ）は、キャパシタ３３に書き込まれたデータ信号に応じた導通状態となり、そのデータ信号、即ちキャパシタ３３に書き込まれた電荷量に応じた駆動電流を有機エレクトロルミネッセンス素子３０に供給する。有機エレクトロルミネッセンス素子３０は、供給される駆動電流に応じた輝度で発光する。なお、図２では、２つのＴＦＴ３１，３２のうち、駆動用ＴＦＴ３１のみを図示している。
【００３０】
図２に示すように、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の上面には、ＴＦＴ３１，３２を形成するための、ポリシリコンからなる島状の半導体膜１２が形成され、さらに基板１１の上面には、半導体膜１２を覆うようにシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３の上面には、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４が形成され、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面には、第一の配線１５が形成されている。第一の配線１５は、ＩＴＯ等光透過性を有する導電膜からなり、ゲート電極１４と導通可能に接合されている。また、図３に示すように、第一の配線１５は走査線１５ａ等の配線に用いられる。
【００３１】
ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面には、シリコン酸化膜や窒化膜等からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６が形成されている。半導体膜１２のソース領域及びドレイン領域の上面には、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７がゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１６を貫通して形成されており、その下面は半導体膜１２と導通可能に接合されている。層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７の上面には、第二の配線１８が形成されている。第二の配線１８は、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなり、ソース／ドレイン電極１７と導通可能に接合されている。なお、ソース／ドレイン電極１７が、後述する画素電極２０のみに接続される場合には、そのソース／ドレイン電極１７上には第二の配線１８はなくてもよい。また、図３に示すように、第二の配線１８は、データ線１８ａや電源線１８ｂ等の配線に用いられる。
【００３２】
層間絶縁膜１６及び第二の配線１８の上面には、ポリイミドやアクリル等の光透過性を有する樹脂からなる平坦化膜１９が形成されている。平坦化膜１９とは、その下面に配線等の凹凸があっても、その上面は平坦に形成される絶縁膜である。平坦化膜１９の上面には、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる画素電極２０が形成されており、その一部はソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８のいずれかと導通可能に接合されている。さらに、平坦化膜１９の上面には、画素電極２０を囲むように、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１が形成され、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上には、正孔輸送層及び発光層の２層からなる有機化合物層２２が形成されている。有機化合物層２２及び隔壁２１の上面には、反射防止膜を有した陰極２３が形成されている。陰極２３は、有機化合物層２２及び隔壁２１の上面に、例えばカルシウムやリチウム等の光透過性のある金属薄膜が形成されていて、その金属薄膜の上面には外光の反射を防止するために光吸収性のある反射防止膜が形成されている。本実施形態では、カルシウムやリチウム等の金属薄膜と反射防止膜とで陰極２３を形成する。このように反射防止膜を形成したことにより、陰極２３は入射した外光を反射させることなく吸収することが可能となる。一般的には反射防止膜でなく、例えばアルミニウムを形成しているが、本実施形態では外光の反射を防止する目的から反射防止膜を形成している。陰極２３に形成されている反射防止膜は、例えば酸化金属である酸化チタンで形成されている。ここで、画素電極２０、陰極２３及びこれらに挟まれた有機化合物層２２とで、有機エレクトロルミネッセンス素子３０を形成する。なお、本実施形態では、陰極２３は、表示領域４のすべての画素１０に共通の電位を供するものであるため、表示領域４の全面を覆うように形成されており、すべての画素１０で共有される。
【００３３】
陰極２３の上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４が形成されている。
次に、前記表示パネル部２の製造方法について、図２を参照して説明する。
【００３４】
まず、ガラスや樹脂等からなる光透過性を有する基板１１の片面に、必要に応じてシリコン酸化膜からなる下地保護膜（図示せず）を形成する。その上にアモルファスシリコン膜からなる半導体膜を形成し、レーザーアニール等の結晶化工程によりポリシリコン膜に結晶化する。その後、これをパターニングして島状の半導体膜１２とする。その表面にはＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有するゲート絶縁膜１３を形成する。
【００３５】
次に、ゲート絶縁膜１３の上面にタンタルやチタン等の薄膜を含む導電膜を形成した後、これをパターニングしてゲート電極１４を形成する。なお、この状態でイオン注入を行い、半導体膜１２にソース／ドレイン領域を形成するとともに、ゲート電極１４の下部にはチャンネル領域が形成される。
【００３６】
ゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成した後、これをパターニングして第一の配線１５を形成する。そして、ＴＥＯＳ等を反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜や窒化膜からなる光透過性を有する層間絶縁膜１６を形成した後、コンタクトホール２５を形成し、その中にチタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７を埋め込む。
【００３７】
次に、層間絶縁膜１６及びソース／ドレイン電極１７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして第二の配線１８を形成する。
【００３８】
さらに、これらの上面にポリイミドやアクリル等の樹脂からなる光透過性を有する平坦化膜１９を形成し、ソース／ドレイン電極１７に対応する位置にコンタクトホール２６を形成する。平坦化膜１９の上面には、一部がコンタクトホール２６内に埋め込まれるようにＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜を形成し、これをパターニングして画素電極２０を形成する。
【００３９】
次に、有機化合物層２２を形成する領域の周辺に、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂からなる隔壁２１を形成し、隔壁２１に囲まれた画素電極２０上に、インクジェット法で正孔輸送層の形成材料を塗布する。これを固化した後、この上に発光層の形成材料を同様にインクジェット法で塗布し、これを固化する。これにより正孔輸送層と発光層とからなる有機化合物層２２が形成される。なお、本実施形態では、インクジェット法を用いて有機化合物層２２を形成したが、真空蒸着法により形成してもよい。
【００４０】
その後、上面全体に、光吸収性を有する陰極２３を形成する。陰極２３は、有機化合物層２２及び隔壁２１の上面にカルシウムやリチウム等の光透過性のある金属薄膜を形成する。前記金属薄膜の上面に外光の反射を防止するために光吸収性のある反射防止膜を形成する。さらにその上面には、酸化の防止や湿度からの保護を目的に、封止基板と封止樹脂からなる封止材２４を形成する。
【００４１】
そして、本実施形態では、半導体膜１２、ゲート電極１４、ソース／ドレイン領域等の形成が電子素子形成工程に相当する。また、第一の配線１５又は第二の配線１８の形成が配線形成工程に相当する。さらに、画素電極２０、有機化合物層２２、陰極２３の形成がエレクトロルミネッセンス素子形成工程に相当する。
また、平坦化膜１９の形成が平坦化膜形成工程に相当し、封止材２４の形成が封止材形成工程に相当する。
【００４２】
次に、上記のように構成した第１実施形態の作用について説明する。
まず、この有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を比較的明るい場所で使用する場合には、外光が光透過性を有する基板１１１に入射し、有機エレクトロルミネッセンス素子３０に向けて進行する。しかし、図２に示すように、陰極２３は光吸収性を有する反射防止膜を形成してあるので、上記入射した外光は反射されずに吸収される。
【００４３】
以上説明したように本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）外光が有機エレクトロルミネッセンス表示装置１に入射した場合、陰極２３に形成された光吸収性を有する反射防止膜によって、入射した外光を吸収することが可能となる。よって外光による反射を防止することができる。
（２）第一の配線１５及び第二の配線１８は、ＩＴＯ等の透明導電膜で形成したことにより入射した外光は通過し、陰極２３に形成した光吸収性のある反射防止膜によって吸収することが可能になる。よって外光による反射を防止することができる。
（３）光透過性を有する第一の配線１５、第二の配線１８及び平坦化膜に上方に形成される有機エレクトロルミネッセンス素子３０の一部を、前記第一の配線１５及び第二の配線１８と平面的位置を重ね合わせることによって、開口率を向上させることができ、しかも、その開口率を外光の反射を増加させることなく向上させる。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図４に基づいて説明する。
図４は、本発明の第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル部２上に形成された画素１０の断面図である。図４において、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に、遮光層２７を設けている点で第１実施形態の構成と異なっている。これは、インクジェット法等の溶液塗布法により遮光性を有する材料を塗布することなどで実現可能である。つまり、平坦化膜１９の、ＴＦＴ３１の上部の位置に貫通孔を設け、そこにインクジェットヘッドのノズルから遮光層２７の形成材料をインクとして吐出させた後、加熱等により溶媒を蒸発させることで遮光層２７が形成される。なお、図示しないＴＦＴ３２の上部にも、遮光層２７が形成されている。そして、この遮光層２７の形成が遮光層形成工程に相当する。
【００４５】
以上詳述したように本実施形態によれば、前記第１実施形態における効果（１）〜（２）が同様に得られる他、以下の効果を得ることができる。
（３）本実施形態によれば、ＴＦＴ３１、３２の上部に遮光層２７を形成したため、有機エレクトロルミネッセンス素子３０からの光による光励起等によって発生するＴＦＴ３１、３２のリーク電流を抑制することが可能となる。
【００４６】
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を、図５に基づいて説明する。
図５は、本発明の第３実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示パネル部２上に形成された画素１０の断面図である。封止材２４の上部には、反射防止膜２８が重なるように形成されている点で第１実施形態の構成と異なっている。反射防止膜２８は、第１実施形態で例に挙げた酸化金属のような導電性材料に限らず、非導電性材料である黒色の紙でも対応できる点で異なっている。また有機化合物層２２および隔壁２１の上面に形成される陰極２３が、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜にて形成されている点も第１実施形態の構成と異なっている。
【００４７】
この構成によれば、反射防止膜２８は画素の上面全体を形成しているため外光が反射防止膜２８にあたる可能性が高くなり、その多くの光が光吸収性を有する反射防止膜２８によって吸収される。又、基板１１からまた反射防止膜２８は、非導電性材料でも対応できることから適用材料の自由度を広げることが可能になる。以上詳述したように本実施形態によれば、前記第１実施形態における効果（１）〜（２）が同様に得られる他、以下の効果を得ることができる。
（４）封止材２４の上面に反射防止膜２８を形成したことにより、反射防止膜２８は導電性材料である必要性はなくなり、非導電性の材料でも形成することが可能になる。よって、導電性材料にとらわれない光吸収性のある材料や安価な材料を適用することができる。
【００４８】
（第４実施形態）
次に、前記第１〜第３実施形態で説明したエレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の、電子機器への適用について図６を用いて説明する。有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、携帯電話、携帯型情報機器、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用可能である。
【００４９】
図６は、携帯電話の構成を示す斜視図である。図６において、携帯電話４０は、複数の操作ボタン４１、受話口４２、送話口４３、前記実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を用いた表示部４４を備えている。この場合でも、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１からなる表示部４４は、前記実施形態と同様の効果を発揮する。その結果、携帯電話４０は、表示部４４から外光が入射した場合でも、反射防止膜によって外光を吸収し反射を防止することができる。
【００５０】
なお、本発明の実施形態は上記の実施形態に限られるものでなく、以下のように変更してもよい。
・前記第１及び第２実施形態では、陰極２３はカルシウムやリチウム等の金属薄膜と光吸収性のある反射防止膜を形成した。反射防止膜は酸化チタンを例に説明したが、カーボンブラックをカルシウムやリチウム等の金属薄膜と形成してもよい。
【００５１】
・前記第３実施形態では、反射防止膜２８は封止材の上部に重なるように形成され黒色の紙とした例を説明している。これを、黒色の紙でなく酸化チタン、カーボンブラック、または太陽電池を用いてもよい。太陽電池は外光により電気を発生させることからバッテリとして使用することが可能である。
【００５２】
・前記第３実施形態では、陰極２３に光透過性のあるＩＴＯを例に説明しているが、ＩＣＯ／Ａｇ／ＩＣＯ、Ａｇ、またはＭｇ／Ａｇなどの薄膜を形成してもよい。
【００５３】
・前記実施形態では、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電材料からなるゲート電極１４の上面に、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第一の配線１５を形成した。このゲート電極１４および第一の配線１５を、タンタルやチタン等の薄膜を含む導電部材を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。
【００５４】
・前記実施形態では、層間絶縁膜１６の上面にＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる第二の配線１８を形成し、チタン等を含む金属からなるソース／ドレイン電極１７に接続させた。このソース／ドレイン電極１７と第二の配線１８を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一の材料として、同時に形成してもよい。
【００５５】
・前記実施形態では、第二の配線１８は層間絶縁膜１６の上面に形成されているが、これを平坦化膜１９の上面で、画素電極２０と同一面に形成してもよい。
この場合、第二の配線１８も画素電極２０もＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなっているため、これらを同時に形成することが可能となる。
【００５６】
・前記実施形態では、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に、層間絶縁膜１６が形成し、その上面に形成した第二の配線１８をソース／ドレイン電極１７に接続されている。そして、その上面に平坦化膜１９を形成し、その上面に画素電極２０を形成した。これを、ゲート絶縁膜１３及び第一の配線１５の上面に平坦化膜１９を形成し、その上面で画素電極２０と同一面に第二の配線１８を形成してもよい。さらに、ソース／ドレイン電極１７、第二の配線１８及び画素電極２０を、チタン等を含む金属薄膜を下地にしたＩＴＯ等の光透過性を有する導電膜からなる同一材料として、同時に形成してもよい。
【００５７】
・前記実施形態では、平坦化膜１９のＴＦＴ上部の位置に貫通孔を設け、そこに遮光層２７を形成した。これを、貫通孔の代わりに、下部に平坦化膜１９の一部を残した開口部とし、そこに遮光層２７を形成してもよい。
【００５８】
・前記第２実施形態では、平坦化膜１９に遮光層２７を設けて、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにした。これを、チタンを含むソース／ドレイン電極１７と、ＩＴＯからなる第二の配線１８との界面に、ＩＴＯとチタンとからなる光吸収層を形成して、ＴＦＴ部への光の照射を遮るようにしてもよい。
【００５９】
・前記第３実施形態では、封止材２４の上部に反射防止膜２８が重なるように形成されている例を説明した。これを封止材２４と陰極２３との間に反射防止膜２８を設けてもよい。
【００６０】
・前記第２実施形態では、陰極２３に反射防止膜が形成された場合において、平坦化膜と半導体膜１２の間に遮光層を設けた例を説明した。これを実施形態３のように封止材の上部に反射防止膜２８が形成された場合においても、平坦化膜と半導体膜１２の間に遮光層を設けてもよい。
【００６１】
・前記実施形態では、エレクトロルミネッセンス素子として有機エレクトロルミネッセンス素子３０で実施したが、無機エレクトロルミネッセンス素子で実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成図。
【図２】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の断面図。
【図３】本発明の第１実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の上面図。
【図４】本発明の第２実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の断面図。
【図５】本発明の第３実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の断面図。
【図６】本発明に係る表示装置を適用した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図。
【図７】従来技術における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の画素部の断面図。
【符号の説明】
１・・・エレクトロルミネッセンス表示装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置、１１・・・基板、１４・・・電極としてのゲート電極、１５・・・配線としての第一の配線、１７・・・電極としてのソース／ドレイン電極、１８・・・配線としての第二の配線、１９・・・平坦化膜、２０・・・第一の電極又は陽極としての画素電極、２２・・・少なくとも発光層を含む一層又は複数の層としての有機化合物層、２３・・・第二の電極としての陰極、２４・・・封止材、２７・・・遮光層、２８・・・反射防止膜、３０…エレクトロルミネッセンス素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、３１、３２・・・電子素子としてのＴＦＴ、３３・・・電子素子としてのキャパシタ、４０・・・電子機器としての携帯電話。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an electroluminescence display device, a method for manufacturing an electroluminescence display device, and an electronic apparatus.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, attention has been paid to a light-emitting display configured by arranging light-emitting elements in a matrix as a thin display device with low power consumption. In order to improve the image quality of such a light emitting display device, it is important to suppress the reflection of external light and increase the contrast. As one of the light emitting display devices, for example, there is an organic electroluminescence display panel using an organic electroluminescence element.
[0003]
As shown in FIG. 7, the organic electroluminescence element emits light from the organic compound layer 122 when energized using the pixel electrode 120 having light transparency and the cathode 123 having light reflectivity. Is emitted to the outside through the pixel electrode 120 having light transmittance and the substrate 111 having light transmittance. By the way, due to the organic material used in the organic compound 122, by using a pixel electrode 120 having a high work function and the cathode 123 having a low work function, the charge injection efficiency is increased. It is known that the brightness is improved.
[0004]
Further, in order to improve the image quality of the organic electroluminescence display device, it is important to suppress the reflection of external light and increase the contrast. Then, the proposal regarding the combination of an organic electroluminescent element and a low reflection absorption layer is made | formed for the purpose of improving the contrast of an organic electroluminescent display apparatus (for example, patent document 1).
[0005]
[Patent Document 1]
US Pat. No. 5,986,401 Specification
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method, as shown in FIG. 7, particularly in the case of an active matrix organic electroluminescence display device, for example, it has light reflectivity used for the first wiring 115, the second wiring 118, and the cathode 123. External light such as sunlight is reflected by the metal. Therefore, there is a problem that sufficient contrast cannot be obtained. Also, in the case of black display, external light is reflected, and the reflected light is combined with the light of the organic electroluminescence element to make it blurry, causing problems such as a decrease in contrast.
[0007]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic material that can absorb external light and prevent reflection even when external light enters the organic electroluminescence display device. An object of the present invention is to provide an electroluminescent display device.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In the electroluminescent display device of the present invention, an electronic element is formed on a light-transmitting substrate, wiring and an electroluminescent element are formed in order from the electronic element side, and light from the electroluminescent element is transmitted from the substrate side. In the electroluminescence display device to be taken out, the electroluminescence element includes a first electrode having light transmittance from the substrate side, one or a plurality of layers including at least a light emitting layer, and a second material having light transmittance. And an electrode of
The wiring is formed of a light-transmitting conductive film, and a light-absorbing antireflection film is provided on the second electrode side of one or more layers including the light-emitting layer.
[0009]
According to the present invention, since the antireflection film is formed on the second electrode side from the light emitting layer, it is possible to absorb the external light even when the external light is incident. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0010]
In the electroluminescence display device, the antireflection film may be formed on a surface of the second electrode opposite to the light emitting layer.
According to this invention, it is possible to absorb external light by forming the antireflection film on the surface of the second electrode opposite to the light emitting layer. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0011]
In the electroluminescence display device, a sealing material having light transmittance is formed on a surface of the second electrode opposite to the light emitting layer, and the antireflection film is formed on the outer surface of the sealing material or the surface of the sealing material. You may form between a 2nd electrode and the said sealing material.
[0012]
According to the present invention, external light can be absorbed by providing the antireflection film between the outer surface of the sealing material and between the sealing material and the second electrode. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0013]
In this electroluminescence display device, a planarization film is formed between the wiring and the electroluminescence element, and at least a part of the electroluminescence element is formed above the wiring and the planarization film. Good.
According to the present invention, the aperture ratio of a pixel can be improved without increasing the reflection of external light.
[0014]
In this electroluminescence display device, a light shielding layer may be formed between the electronic element and the electroluminescence element.
According to the present invention, since the light shielding layer blocks the light applied to the electronic element, it is possible to suppress the leakage current of the electronic element excited by the light.
[0015]
In the electroluminescence display device, at least one electrode of the electronic element may have light transmittance.
According to the present invention, external light is transmitted without being reflected by the electrode portion, and the external light can be absorbed by the antireflection film. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0016]
An electroluminescence display device manufacturing method according to the present invention includes an electronic element forming step of forming an electronic element on a substrate, a wiring forming step of forming a wiring on the substrate, and the electroluminescent element above the electronic element and the wiring. An electroluminescence element forming step, and a sealing material forming step for forming a sealing material for sealing the electroluminescence element, wherein the light from the electroluminescence element is extracted from the substrate side In the manufacturing method, the wiring forming step includes forming the wiring with a light-transmitting conductive film, and the electroluminescence element forming step includes a step of forming a light-transmitting first electrode, and the first After forming the electrode, a layer or layers including at least the light emitting layer are formed. A step of, after forming one or more layers including the light emitting layer, absorbing light is composed of a step of forming a second electrode to prevent reflection of light.
[0017]
According to this invention, since the second electrode is formed of an electrode that absorbs light and prevents reflection of light, external light can be absorbed. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0018]
An electroluminescence display device manufacturing method according to the present invention includes an electronic element forming step of forming an electronic element on a substrate, a wiring forming step of forming a wiring on the substrate, and the electroluminescent element above the electronic element and the wiring. An electroluminescence element forming step, and a sealing material forming step for forming a sealing material for sealing the electroluminescence element, wherein the light from the electroluminescence element is extracted from the substrate side In the manufacturing method, the wiring forming step includes forming the wiring with a light-transmitting conductive film, and the electroluminescence element forming step includes a step of forming a light-transmitting first electrode, and the first After forming the electrode, a layer or layers including at least the light emitting layer are formed. And a step of forming a light-transmitting second electrode after forming one or more layers including the light emitting layer, and before or after the sealing material forming step, A step of forming an antireflection film for preventing reflection of external light is provided.
[0019]
According to the present invention, the antireflection film can be formed on the outer side or the inner side of the sealing material, and external light can be absorbed by the antireflection film. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0020]
In the method of manufacturing the electroluminescence display device, the electroluminescence element formation includes a planarization film forming step of forming a planarizing film having light transmittance between the wiring formation step and the electroluminescence element formation step. In the step, the electroluminescence element may be formed above the planarizing film.
[0021]
According to the present invention, the planarization film transmits the external light without reflecting it, and the antireflection film can absorb the external light. Therefore, reflection of external light can be prevented.
[0022]
In this method of manufacturing an electroluminescent display device, a light shielding layer forming step of forming a light shielding layer at a position above the electronic element may be provided at least after the electronic element forming step.
According to the present invention, since the light shielding layer blocks the light applied to the electronic element, it is possible to suppress the leakage current of the electronic element excited by the light.
[0023]
In this method of manufacturing an electroluminescence display device, a light shielding layer forming step of forming a light shielding layer above the electronic element may be provided between the planarization film forming step and the electroluminescence element forming step.
According to the present invention, since the light shielding layer blocks the light applied to the electronic element, it is possible to suppress the leakage current of the electronic element excited by the light.
[0024]
The electronic apparatus of the present invention is equipped with any of the above-described electroluminescence display devices.
According to the present invention, it is possible to obtain an electronic apparatus including a display unit that can absorb external light and prevent reflection of external light.
[0025]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of an organic electroluminescence display device as an electroluminescence display device embodying the present invention will be described with reference to FIGS.
[0026]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic electroluminescence display device. The organic electroluminescence display device 1 has a display panel unit 2, and a flexible wiring board 3 is connected to the lower side of the display panel unit 2 in the figure.
[0027]
A display area 4 for displaying an image is formed in the approximate center of the display panel unit 2.
In the display area 4, a large number of scanning lines extending in the row direction are formed, and a large number of data lines extending in the column direction are formed. In the display area 4, a large number of pixel circuits (hereinafter referred to as pixels) 10 made up of organic electroluminescence elements, thin film transistors (TFTs), etc. are arranged in a matrix at positions corresponding to the intersections between the scanning lines and the data lines. Is arranged. A scanning line driving circuit 5 for driving each scanning line is formed on both the left and right sides of the display area 4, and a data line driving circuit 6 for driving each data line is formed below the display area 4. Yes.
[0028]
A control IC 7 is mounted on the flexible wiring board 3. The control IC 7 transmits / receives various signals and power to / from the scanning line driving circuit 5 and the data line driving circuit 6 on the display panel unit 2 through the flexible wiring board 3. In this embodiment, the control IC 7 is mounted on the flexible wiring board 3, but all or part of the functions of the control IC 7 may be provided on the display panel unit 2. On the other hand, all or part of the functions of the scanning line driving circuit 5 and the data line driving circuit 6 on the display panel unit 2 may be included in the control IC 7.
[0029]
FIG. 2 is a sectional view of the pixel 10 formed on the display panel unit 2 of the organic electroluminescence display device 1, and FIG. 3 is a top view thereof. Both figures mainly show one pixel 10 in the m-th column and the n-th row among many pixels 10 arranged in a matrix. Here, FIG. 3 shows a state before the planarization film is formed, but the shape of the pixel electrode and the organic compound layer formed after that is indicated by a two-dot chain line. As shown in FIG. 3, the organic electroluminescence display device 1 has two TFTs 31 and 32 and one capacitor 33 in one pixel 10. The TFT 32 (switching TFT) is turned on based on the scanning signal from the scanning line 15 a, and the data signal from the data line 18 a is written into the capacitor 33. Further, the TFT 31 (driving TFT) is in a conductive state corresponding to the data signal written in the capacitor 33, and the data signal, that is, a driving current corresponding to the amount of charge written in the capacitor 33 is supplied to the organic electroluminescence element 30. Supply. The organic electroluminescence element 30 emits light with a luminance corresponding to the supplied drive current. In FIG. 2, only the driving TFT 31 of the two TFTs 31 and 32 is illustrated.
[0030]
As shown in FIG. 2, an island-like semiconductor film 12 made of polysilicon for forming TFTs 31 and 32 is formed on the upper surface of a light-transmitting substrate 11 made of glass, resin, or the like. A light-insulating gate insulating film 13 made of a silicon oxide film or a nitride film is formed on the upper surface of 11 so as to cover the semiconductor film 12. A gate electrode 14 made of a conductive material including a thin film such as tantalum or titanium is formed on the upper surface of the gate insulating film 13, and a first wiring 15 is formed on the upper surfaces of the gate insulating film 13 and the gate electrode 14. Yes. The first wiring 15 is made of a light-transmitting conductive film such as ITO, and is joined to the gate electrode 14 so as to be conductive. As shown in FIG. 3, the first wiring 15 is used for wiring such as the scanning line 15a.
[0031]
On the upper surfaces of the gate insulating film 13 and the first wiring 15, an optically transparent interlayer insulating film 16 made of a silicon oxide film, a nitride film or the like is formed. A source / drain electrode 17 made of a metal containing titanium or the like is formed on the upper surface of the source region and the drain region of the semiconductor film 12 so as to penetrate the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 16. 12 is connected to be conductive. A second wiring 18 is formed on the upper surfaces of the interlayer insulating film 16 and the source / drain electrodes 17. The second wiring 18 is made of a light-transmitting conductive film such as ITO, and is joined to the source / drain electrode 17 so as to be conductive. When the source / drain electrode 17 is connected only to the pixel electrode 20 described later, the second wiring 18 may not be provided on the source / drain electrode 17. Further, as shown in FIG. 3, the second wiring 18 is used for wiring such as a data line 18a and a power supply line 18b.
[0032]
On the upper surfaces of the interlayer insulating film 16 and the second wiring 18, a planarizing film 19 made of a light-transmitting resin such as polyimide or acrylic is formed. The flattening film 19 is an insulating film that is formed flat on the top surface even if there are irregularities such as wiring on the bottom surface. A pixel electrode 20 made of a light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the upper surface of the planarizing film 19, and a part thereof can be electrically connected to either the source / drain electrode 17 or the second wiring 18. It is joined to. Furthermore, a partition wall 21 made of a resin such as photosensitive polyimide or acrylic is formed on the upper surface of the planarizing film 19 so as to surround the pixel electrode 20. Holes are formed on the pixel electrode 20 surrounded by the partition wall 21. An organic compound layer 22 composed of two layers of a transport layer and a light emitting layer is formed. On the upper surface of the organic compound layer 22 and the partition wall 21, a cathode 23 having an antireflection film is formed. In the cathode 23, a light-transmitting metal thin film such as calcium or lithium is formed on the upper surfaces of the organic compound layer 22 and the partition wall 21 to prevent reflection of external light on the upper surface of the metal thin film. A light-absorbing antireflection film is formed. In the present embodiment, the cathode 23 is formed of a metal thin film such as calcium or lithium and an antireflection film. By forming the antireflection film in this way, the cathode 23 can absorb incident external light without reflecting it. In general, for example, aluminum is formed instead of the antireflection film, but in this embodiment, the antireflection film is formed for the purpose of preventing reflection of external light. The antireflection film formed on the cathode 23 is made of, for example, titanium oxide that is a metal oxide. Here, the organic electroluminescence element 30 is formed by the pixel electrode 20, the cathode 23, and the organic compound layer 22 sandwiched therebetween. In the present embodiment, since the cathode 23 provides a common potential to all the pixels 10 in the display region 4, the cathode 23 is formed so as to cover the entire surface of the display region 4, and is shared by all the pixels 10. Is done.
[0033]
A sealing material 24 made of a sealing substrate and a sealing resin is formed on the upper surface of the cathode 23 for the purpose of preventing oxidation and protecting from humidity.
Next, a method for manufacturing the display panel unit 2 will be described with reference to FIG.
[0034]
First, a base protective film (not shown) made of a silicon oxide film is formed on one side of a light-transmitting substrate 11 made of glass, resin, or the like, if necessary. A semiconductor film made of an amorphous silicon film is formed thereon and crystallized into a polysilicon film by a crystallization process such as laser annealing. Thereafter, this is patterned to form an island-shaped semiconductor film 12. A light-insulating gate insulating film 13 made of a silicon oxide film or a nitride film is formed on the surface by plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or the like as a reaction gas.
[0035]
Next, after forming a conductive film including a thin film such as tantalum or titanium on the upper surface of the gate insulating film 13, this is patterned to form the gate electrode 14. In this state, ion implantation is performed to form source / drain regions in the semiconductor film 12, and a channel region is formed below the gate electrode 14.
[0036]
A light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the top surfaces of the gate insulating film 13 and the gate electrode 14 and then patterned to form the first wiring 15. Then, after forming a light-transmitting interlayer insulating film 16 made of a silicon oxide film or a nitride film by a plasma CVD method using TEOS or the like as a reaction gas, a contact hole 25 is formed, and titanium or the like is contained therein. A source / drain electrode 17 made of metal is embedded.
[0037]
Next, a light-transmitting conductive film made of ITO or the like is formed on the interlayer insulating film 16 and the source / drain electrodes 17, and this is patterned to form the second wiring 18.
[0038]
Further, a light-transmitting planarizing film 19 made of a resin such as polyimide or acrylic is formed on these upper surfaces, and contact holes 26 are formed at positions corresponding to the source / drain electrodes 17. A light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the upper surface of the planarizing film 19 so as to be partially embedded in the contact hole 26, and is patterned to form the pixel electrode 20.
[0039]
Next, a partition wall 21 made of a resin such as photosensitive polyimide or acrylic is formed around a region where the organic compound layer 22 is formed, and a hole transport layer is formed on the pixel electrode 20 surrounded by the partition wall 21 by an inkjet method. The forming material is applied. After solidifying this, the material for forming the light emitting layer is similarly applied thereon by the ink jet method, and this is solidified. Thereby, the organic compound layer 22 composed of the hole transport layer and the light emitting layer is formed. In the present embodiment, the organic compound layer 22 is formed using an inkjet method, but may be formed using a vacuum deposition method.
[0040]
Thereafter, the light-absorbing cathode 23 is formed on the entire upper surface. The cathode 23 forms a light-transmitting metal thin film such as calcium or lithium on the upper surface of the organic compound layer 22 and the partition wall 21. A light-absorbing antireflection film is formed on the upper surface of the metal thin film to prevent reflection of external light. Further, a sealing material 24 made of a sealing substrate and a sealing resin is formed on the upper surface for the purpose of preventing oxidation and protecting from humidity.
[0041]
In the present embodiment, the formation of the semiconductor film 12, the gate electrode 14, the source / drain regions, and the like corresponds to the electronic element formation step. The formation of the first wiring 15 or the second wiring 18 corresponds to a wiring forming process. Furthermore, the formation of the pixel electrode 20, the organic compound layer 22, and the cathode 23 corresponds to an electroluminescence element forming step.
Further, the formation of the planarizing film 19 corresponds to a planarizing film forming process, and the formation of the sealing material 24 corresponds to a sealing material forming process.
[0042]
Next, the operation of the first embodiment configured as described above will be described.
First, when the organic electroluminescence display device 1 is used in a relatively bright place, external light enters the light-transmitting substrate 111 and proceeds toward the organic electroluminescence element 30. However, as shown in FIG. 2, since the cathode 23 is formed with an antireflection film having light absorption, the incident outside light is absorbed without being reflected.
[0043]
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) When external light is incident on the organic electroluminescence display device 1, the incident external light can be absorbed by the light-absorbing antireflection film formed on the cathode 23. Therefore, reflection by external light can be prevented.
(2) The first wiring 15 and the second wiring 18 are made of a transparent conductive film such as ITO, so that incident external light passes therethrough and is absorbed by a light-absorbing antireflection film formed on the cathode 23. It becomes possible to do. Therefore, reflection by external light can be prevented.
(3) The first wiring 15 and the second wiring 18 having a light transmitting property, and a part of the organic electroluminescence element 30 formed above the planarizing film is replaced with the first wiring 15 and the second wiring. By superposing 18 and the planar position, the aperture ratio can be improved, and the aperture ratio is improved without increasing the reflection of external light.
[0044]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the pixel 10 formed on the display panel unit 2 of the organic electroluminescence display device 1 according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4, the structure of the planarizing film 19 is different from that of the first embodiment in that a light shielding layer 27 is provided at a position above the TFT 31. This can be realized by applying a light-shielding material by a solution coating method such as an inkjet method. That is, a through-hole is provided in the flattening film 19 at a position above the TFT 31, and after the material for forming the light-shielding layer 27 is ejected from the nozzles of the inkjet head as ink, the solvent is evaporated by heating or the like to shield the light Layer 27 is formed. A light shielding layer 27 is also formed on the TFT 32 (not shown). The formation of the light shielding layer 27 corresponds to a light shielding layer forming step.
[0045]
As described above in detail, according to the present embodiment, the effects (1) to (2) in the first embodiment can be obtained in the same manner, and the following effects can be obtained.
(3) According to the present embodiment, since the light shielding layer 27 is formed on the TFTs 31 and 32, it is possible to suppress the leakage current of the TFTs 31 and 32 that is generated by light excitation or the like by light from the organic electroluminescence element 30. Become.
[0046]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view of the pixel 10 formed on the display panel unit 2 of the organic electroluminescence display device 1 according to the third embodiment of the present invention. It differs from the configuration of the first embodiment in that an antireflection film 28 is formed on top of the sealing material 24 so as to overlap. The antireflection film 28 is not limited to a conductive material such as a metal oxide exemplified in the first embodiment, but is different in that it can be applied to black paper which is a nonconductive material. Moreover, the point from which the cathode 23 formed in the organic compound layer 22 and the upper surface of the partition 21 is formed with the transparent conductive film which has light transmittances, such as ITO, differs from the structure of 1st Embodiment.
[0047]
According to this configuration, since the antireflection film 28 forms the entire upper surface of the pixel, there is a high possibility that external light will hit the antireflection film 28, and much of the light is absorbed by the antireflection film 28 having light absorption. Absorbed. Further, since the antireflection film 28 can be made of a non-conductive material from the substrate 11 as well, the degree of freedom of the applicable material can be expanded. As described above in detail, according to the present embodiment, the effects (1) to (2) in the first embodiment can be obtained in the same manner, and the following effects can be obtained.
(4) Since the antireflection film 28 is formed on the upper surface of the sealing material 24, the antireflection film 28 is not necessarily made of a conductive material, and can be formed of a nonconductive material. Therefore, a light-absorbing material that is not confined to a conductive material or an inexpensive material can be used.
[0048]
(Fourth embodiment)
Next, application of the organic electroluminescence display device 1 as the electroluminescence display device described in the first to third embodiments to an electronic device will be described with reference to FIG. The organic electroluminescence display device 1 can be applied to various electronic devices such as a mobile phone, a portable information device, and a digital camera.
[0049]
FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the mobile phone. In FIG. 6, the mobile phone 40 includes a plurality of operation buttons 41, an earpiece 42, a mouthpiece 43, and a display unit 44 using the organic electroluminescence display device 1 of the above embodiment. Even in this case, the display unit 44 including the organic electroluminescence display device 1 exhibits the same effect as that of the embodiment. As a result, even when external light is incident from the display unit 44, the mobile phone 40 can absorb external light and prevent reflection by the antireflection film.
[0050]
In addition, embodiment of this invention is not restricted to said embodiment, You may change as follows.
In the first and second embodiments, the cathode 23 is formed with a metal thin film such as calcium or lithium and a light-absorbing antireflection film. Although the antireflection film has been described by taking titanium oxide as an example, carbon black may be formed with a metal thin film such as calcium or lithium.
[0051]
In the third embodiment, an example is described in which the antireflection film 28 is formed as black paper so as to overlap the upper portion of the sealing material. Instead of black paper, titanium oxide, carbon black, or a solar cell may be used. Solar cells can be used as batteries because they generate electricity by external light.
[0052]
In the third embodiment, the light-transmitting ITO is described as an example for the cathode 23, but a thin film such as ICO / Ag / ICO, Ag, or Mg / Ag may be formed.
[0053]
In the embodiment, the first wiring 15 made of a light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the upper surface of the gate electrode 14 made of a conductive material including a thin film such as tantalum or titanium. The gate electrode 14 and the first wiring 15 may be simultaneously formed as the same material made of a light-transmitting conductive film such as ITO with a conductive member including a thin film such as tantalum or titanium as a base.
[0054]
In the embodiment, the second wiring 18 made of a light-transmitting conductive film such as ITO is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 16 and connected to the source / drain electrode 17 made of a metal containing titanium or the like. . The source / drain electrode 17 and the second wiring 18 may be simultaneously formed as the same material made of a light-transmitting conductive film such as ITO with a metal thin film containing titanium or the like as a base.
[0055]
In the embodiment, the second wiring 18 is formed on the upper surface of the interlayer insulating film 16, but it may be formed on the same surface as the pixel electrode 20 on the upper surface of the planarizing film 19.
In this case, since the second wiring 18 and the pixel electrode 20 are both made of a light-transmitting conductive film such as ITO, these can be formed simultaneously.
[0056]
In the embodiment, the interlayer insulating film 16 is formed on the upper surfaces of the gate insulating film 13 and the first wiring 15, and the second wiring 18 formed on the upper surface is connected to the source / drain electrode 17. Then, a planarizing film 19 was formed on the upper surface, and a pixel electrode 20 was formed on the upper surface. Alternatively, the planarization film 19 may be formed on the top surfaces of the gate insulating film 13 and the first wiring 15, and the second wiring 18 may be formed on the same surface as the pixel electrode 20. Further, the source / drain electrode 17, the second wiring 18, and the pixel electrode 20 may be simultaneously formed as the same material made of a light-transmitting conductive film such as ITO with a metal thin film containing titanium or the like as a base. Good.
[0057]
In the embodiment, a through hole is provided at a position above the TFT of the planarizing film 19, and the light shielding layer 27 is formed there. Instead of the through hole, this may be used as an opening in which a part of the planarizing film 19 is left below, and the light shielding layer 27 may be formed there.
[0058]
In the second embodiment, the light shielding layer 27 is provided on the planarizing film 19 so as to block the light irradiation to the TFT portion. A light absorption layer made of ITO and titanium is formed at the interface between the source / drain electrode 17 containing titanium and the second wiring 18 made of ITO so that light irradiation to the TFT portion is blocked. It may be.
[0059]
In the third embodiment, the example in which the antireflection film 28 is formed so as to overlap the upper portion of the sealing material 24 has been described. An antireflection film 28 may be provided between the sealing material 24 and the cathode 23.
[0060]
In the second embodiment, the example in which the light shielding layer is provided between the planarization film and the semiconductor film 12 when the antireflection film is formed on the cathode 23 has been described. In the case where the antireflection film 28 is formed on the sealing material as in the third embodiment, a light shielding layer may be provided between the planarization film and the semiconductor film 12.
[0061]
-In the said embodiment, although implemented with the organic electroluminescent element 30 as an electroluminescent element, you may implement with an inorganic electroluminescent element.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic electroluminescence display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a pixel portion of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top view of a pixel portion of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a pixel portion of an organic electroluminescence display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a pixel portion of an organic electroluminescence display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus to which the display device according to the invention is applied.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a pixel portion of an organic electroluminescence display device in the prior art.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic electroluminescence display device as an electroluminescence display device, 11 ... Substrate, 14 ... Gate electrode as electrode, 15 ... First wiring as wiring, 17 ... As electrode Source wiring 18, second wiring as wiring, 19 flattening film, 20 pixel electrode as first electrode or anode, 22 at least including a light emitting layer. Organic compound layer as one or more layers, 23... Cathode as second electrode, 24... Sealing material, 27... Light-shielding layer, 28. Organic electroluminescence element as an element, 31, 32... TFT as an electronic element, 33... Capacitor as an electronic element, 40.

Claims

In an electroluminescence display device in which an electronic element is formed on a substrate having optical transparency, wiring and an electroluminescence element are formed in order from the electronic element side, and light from the electroluminescence element is extracted from the substrate side. ,
The electroluminescence element includes a first electrode having light transmittance from the substrate side, one or a plurality of layers including at least a light emitting layer, and a second electrode having light transmittance,
The wiring is formed of a light-transmitting conductive film, and includes an antireflection film having a light absorption property on the second electrode side of one or more layers including the light-emitting layer. Display device.

The electroluminescent display device according to claim 1,
The electroluminescence display device, wherein the antireflection film is formed on a surface of the second electrode opposite to the light emitting layer.

The electroluminescent display device according to claim 1,
A light-transmitting sealing material is formed in a direction different from the light emitting layer of the second electrode, and the antireflection film is formed between the outer surface of the sealing material or the second electrode and the sealing material. An electroluminescence display device formed between the electroluminescence displays.

In the electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 3,
An electroluminescence display device, wherein a planarization film is formed between the wiring and the electroluminescence element, and at least a part of the electroluminescence element is formed above the wiring and the planarization film.

In the electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 4,
An electroluminescence display device, wherein a light shielding layer is formed between the electronic element and the electroluminescence element.

In the electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 5,
The electroluminescence display device, wherein at least one electrode of the electronic element is light transmissive.

An electronic element forming step of forming an electronic element on a substrate; a wiring forming step of forming a wiring on the substrate; an electroluminescent element forming step of forming an electroluminescent element above the electronic element and the wiring; In the manufacturing method of the electroluminescence display device which has the sealing material formation process which forms the sealing material which seals a luminescence element, and the light of the electroluminescence element is taken out from the substrate side,
In the wiring formation step, the wiring is formed of a light-transmitting conductive film,
The electroluminescence element forming step is:
Forming a first electrode having optical transparency;
Forming one or more layers including at least a light emitting layer after forming the first electrode;
And forming a second electrode that absorbs light and prevents reflection of light after forming one or a plurality of layers including the light emitting layer, and a method for manufacturing an electroluminescence display device.

An electronic element forming step of forming an electronic element on a substrate; a wiring forming step of forming a wiring on the substrate; an electroluminescent element forming step of forming an electroluminescent element above the electronic element and the wiring; In the manufacturing method of the electroluminescence display device which has the sealing material formation process which forms the sealing material which seals a luminescence element, and the light of the electroluminescence element is taken out from the substrate side,
In the wiring formation step, the wiring is formed of a light-transmitting conductive film,
The electroluminescence element forming step is:
Forming a first electrode having optical transparency;
Forming one or more layers including at least a light emitting layer after forming the first electrode;
After forming one or more layers including the light emitting layer, and forming a second electrode having light transmission,
A method of manufacturing an electroluminescence display device comprising a step of forming an antireflection film for preventing reflection of external light before or after the sealing material forming step.

In the manufacturing method of the electroluminescence display device according to claim 7 or 8,
A flattening film forming step for forming a light-transmitting flattening film is provided between the wiring forming step and the electroluminescent element forming step, and the electroluminescent element forming step is provided above the flattening film. A method of manufacturing an electroluminescence display device, wherein the electroluminescence element is formed.

In the manufacturing method of the electroluminescent display apparatus as described in any one of Claims 7-9,
A method for manufacturing an electroluminescence display device, comprising: a light shielding layer forming step of forming a light shielding layer at a position above the electronic element at least after the electronic element forming step.

In the manufacturing method of the electroluminescent display device according to claim 10,
A method for manufacturing an electroluminescence display device, comprising: a light shielding layer forming step of forming a light shielding layer at a position above the electronic element between the planarization film forming step and the electroluminescent element forming step.

The electronic device carrying the electroluminescent display apparatus as described in any one of Claims 1-6.