KR20060101453A - 고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법 - Google Patents
고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
성장조건 | 결정ΔT (50mm) | 결정ΔT (100mm) |
기준치 | ST50 | ST100 |
실시예1 | 1.99 | 1.94 |
실시예2 | 2.00 | 1.96 |
실시예3 | 2.02 | 1.97 |
비교예1 | 1.96 | 1.92 |
비교예2 | 2.08 | 2.04 |
비교예3 | 2.10 | 2.09 |
성장조건 | 융액ΔT (1/5깊이) | 융액ΔT (1/4깊이) | 융액ΔT (1/3깊이) | 융액ΔT (1/2깊이) | 융액ΔT (2/3깊이) | 융액ΔT (3/4깊이) | 융액ΔT (4/5깊이) | 고품질 성장속도(V) |
기준치 | LT1/5 | LT1/4 | LT1/3 | LT1/2 | LT2/3 | LT3/4 | LT4/5 | V0 |
실시예1 | 1.31 | 1.31 | 1.31 | 1.30 | 1.10 | 1.00 | 0.92 | 1.31 |
실시예2 | 1.30 | 1.31 | 1.31 | 1.30 | 1.13 | 1.05 | 0.96 | 1.31 |
실시예3 | 1.30 | 1.30 | 1.31 | 1.31 | 1.15 | 1.08 | 0.99 | 1.31 |
비교예1 | 1.09 | 1.08 | 1.08 | 1.08 | 1.09 | 1.10 | 1.10 | 1.09 |
비교예2 | 1.10 | 1.09 | 1.10 | 1.10 | 1.13 | 1.15 | 1.15 | 1.09 |
비교예3 | 1.09 | 1.08 | 1.08 | 1.08 | 1.09 | 1.10 | 1.10 | 1.09 |
Claims (16)
- 초크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법에 있어서,실리콘 융액의 온도를 실리콘 단결정 잉곳의 길이 방향과 평행한 축을 따라서 측정할 때 고액계면에서부터 잉곳과 멀어질수록 융액의 온도가 점점 상승하여 최고점에 도달하였다가 점점 하강하고, 상기 고액계면에서부터 최고점까지의 상승하는 융액의 상승 온도 기울기가 상기 최고점에서부터 하강하는 융액의 하강 온도 기울기보다 크게 제어하여 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 축은 상기 실리콘 단결정 잉곳의 중심을 관통하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 최고점은 상기 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 상기 융액의 표면으로부터 1/5 지점 내지 2/3 지점에 존재하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 최고점은 상기 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 상기 융액의 표면으로 부터 1/3 지점 내지 1/2 지점에 존재하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 융액의 측방에는 히터를 설치하고,상기 히터에서 상기 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 상기 융액의 표면으로부터 1/5 지점 내지 2/3 지점에 대응하는 부분의 발열량을 주변에 비해 증가시킨 상태에서 상기 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고액계면에서의 온도와, 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 표면으로부터 각각 1/5 지점 내지 2/3 깊이 지점에서의 융액 온도 사이의 차이를 각각 구하고 이들을 각각 기준치에 대한 비율로 표현할 때, 상기 융액의 온도 기울기는 고품질 단결정 잉곳 확보 성장속도에 대응하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 고액계면에서의 온도와, 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 표면으로부터 각각 1/5 지점 내지 2/3 깊이 지점에서의 융액 온도 사이의 차이를 각각 구하고 이들을 각각 기준치에 대한 비율로 표현할 때, 상기 융액의 온도 기울기는 고품질 단결정 잉곳 확보 성장속도에 대응하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 기준치는 실리콘 융액의 온도가 고액계면에서 멀어져 도가니의 바닥부로 갈수록 계속 상승하되, 그 상승하는 온도기울기가 점점 작아지는 온도 프로파일을 갖는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 제 8 항에 있어서,직경 사이즈가 약 200mm 이상인 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 경우에, 강한 수평자장을 인가함으로써 결정성장이 일어나는 고액계면의 형태가 단결정 잉곳 쪽으로 볼록하게 형성되는 경우의 단결정 잉곳의 인상속도에 비하여 20% 정도 증가된 인상속도로 인상하는 실리콘 단결정 잉곳 성장방법.
- 쵸크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 장치에 있어서,챔버;상기 챔버의 내부에 설치되고, 실리콘 융액을 담고 있는 도가니;상기 도가니의 측방에 설치되어 상기 실리콘 융액을 가열하며, 상기 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 상기 융액의 표면으로부터 1/5 지점 내지 2/3 지점에 대응하는 부분의 발열량이 주변에 비해 증가된 히터; 및상기 실리콘 융액으로부터 성장되는 실리콘 단결정 잉곳을 인상하는 인상기구를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 히터는 상기 실리콘 융액의 전체 깊이에 대해 상기 융액의 표면으로부터 1/3 지점 내지 1/2 지점에 대응하는 부분의 발열량이 주변에 비해 증가된 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 히터가 저항선을 포함하는 경우에 상기 저항선은 상기 융액의 표면으로부터 1/5 지점 내지 2/3 지점에 대응하는 부분이 단면적이 다른 부분에 비해 작은실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 히터가 저항선을 포함하는 경우에 상기 저항선은 융액의 표면으로부터 1/5 지점 내지 2/3 지점에 대응하는 부분이 비저항이 큰 다른 물질을 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 인상기구는 직경 사이즈가 약 200mm 이상인 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 경우에, 강한 수평자장을 인가함으로써 결정성장이 일어나는 고액계면의 형태가 단결정 잉곳 쪽으로 볼록하게 형성되는 경우의 단결정 잉곳의 인상속도에 비 하여 20% 정도 증가된 인상속도로 인상하는 실리콘 단결정 잉곳 성장장치.
- 제 10 항에 있어서,실리콘 단결정 잉곳을 에워싸도록 상기 실리콘 단결정 잉곳과 상기 도가니 사이에 설치되어 상기 잉곳으로부터 방사되는 열을 차단하는 열실드를 더 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
- 제 10 항에 있어서,상기 열실드에서 상기 실리콘 단결정 잉곳과의 최인접부에 부착되고, 상기 실리콘 단결정 잉곳을 에워싸는 원통형의 열차폐부를 더 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020060088714A KR100749938B1 (ko) | 2006-09-13 | 2006-09-13 | 고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법 |
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060101453A true KR20060101453A (ko) | 2006-09-25 |
KR100749938B1 KR100749938B1 (ko) | 2007-08-16 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR100749938B1 (ko) |
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---|---|---|---|---|
CN104372399A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-02-25 | 英利能源(中国)有限公司 | 一种单晶硅收尾方法及单晶硅制备方法 |
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---|---|---|---|---|
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KR100606997B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2006-07-31 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼 및 실리콘 단결정 잉곳의 제조 방법 |
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2006
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CN114197034A (zh) * | 2020-09-02 | 2022-03-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉 |
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