KR20060083770A

KR20060083770A - 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법

Info

Publication number: KR20060083770A
Application number: KR1020050004706A
Authority: KR
Inventors: 최호성
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2005-01-18
Filing date: 2005-01-18
Publication date: 2006-07-21

Abstract

본 발명은 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판 상에 형성되는 댐은 일정한 폭과 모양으로 형성할 수 있으나, 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 형성되는 댐은 일정한 폭과 모양으로 형성할 수 없게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 복수개의 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되게 형성되어 이들 복수개의 에폭시 수지 도트에 의해 댐이 형성되도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 구조와 디스펜서 노즐을 이용하여 에폭시 수지를 단속적으로 압출하여 기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 에폭시 수지 도트를 형성하면서 각 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되어 하나의 댐을 형성하도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 형성 방법을 제공함으로써 기판 상에 형성되는 댐은 물론 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 형성되는 댐도 항상 일정한 폭과 모양으로 형성할 수 있게 되도록 한 것이다.

Description

반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법{DAM FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE AND FORMING METHOD THEREOF}

도 1은 일반적인 반도체 패키지의 단면도,

도 2는 종래 댐 형성 과정을 보인 것으로,

도 2a는 기판 상에 댐을 형성하는 과정을 보인 측면도,

도 2b는 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 댐을 형성하는 과정을 보인 측면도,

도 3은 본 발명에 의한 댐 형성 과정을 보인 것으로,

도 3a는 에폭시 수지가 도트 형태로 압출된 상태를 보인 측면도,

도 3b는 에폭시 수지가 도트 형태로 압출된 상태를 보인 평면도,

도 4는 도트 형태로 압출된 에폭시 수지가 하나의 댐을 형성한 상태를 보인 평면도,

도 5는 본 발명에 의해 형성된 댐을 보인 측면도.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **

10 : 기판 20 : 반도체 칩

30 : 댐 31 : 에폭시 수지 도트

40 : 디스펜서 노즐

본 발명은 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법에 관한 것으로, 특히 댐의 폭과 모양이 일정하게 되는 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법에 관한 것이다.

최근 들어 음극선관(CRT)의 단점이 부피와 무게를 줄일 수 있는 각종 평판표시소자 장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치에는 액정 디스플레이(LCD), 전계방출 디스플레이(FED), 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기 일렉트로 루미니센스(OLED) 등이 있다.

이러한 평판표시장치의 표시품질을 개선하기 위하여 평판표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색순도를 높이기 위한 연구개발이 활발히 진행되고 있다.

이러한 평판표시장치들을 구동하기 위하여 구동회로들 상에 반도체 패키지를 실장하게 된다.

종래의 반도체 패키지는 도 1에 도시한 바와 같이, 도전성 패선들(미도시)이 패턴화되어 있는 기판(1)과, 이 기판(1) 상에 탑재되며 복수개의 패드(미도시)를 가지는 반도체 칩(2)과, 상기 반도체 칩(2)의 패드들과 도전성 배선들을 전기적으로 접속시키기 위한 금속와이어(3)들 및, 상기 기판(1)의 배면에 형성되어 상기 도전성 배선들과 전기적으로 접속되는 도전성 볼(4)을 포함하여 구성된다.

상기 금속와이어(3)는 외부의 약한 충격에도 손상을 받아 단선(open)이나 단락(short)이 발생하기 쉽기 때문에 통상적으로 반도체 칩(2)과 금속와이어(3)들을 포함하여 기판(1)의 상면에 에폭시 수지를 몰딩하여 몰딩부(5)를 형성하고 있다.

이러한 몰딩 방식 중 액상 에폭시 수지를 이용하여 몰딩부(5)를 형성하는 경우에는 우선 점도가 높은 수지를 디스펜싱(dispensing)하여 몰딩용 에폭시가 담길 영역을 설정하여 주는 댐(dam)(6)을 형성한 다음 이 댐(6)에 의해 형성된 영역 안에 몰딩용 에폭시 수지를 반도체 칩(2)과 금속와이어(3)가 충분히 덮일 만큼 충분히 몰딩하여 경화시킨다.

이러한 반도체 패키지가 집적화되고 더 많은 기능을 요구함에 따라 반도체 칩을 실장하는 기판 위에 한 개의 칩 외에도 다수의 칩과 캐패시터, 레지스터 등의 반도체 칩들을 함께 실장하게 되는데, 기판(1) 위에 실장해야 하는 반도체 칩의 개수가 많아질수록 이들이 기판의 외곽 쪽에 위치하게 되어 몰딩의 경계부위와 겹쳐지게 된다.

여기서 종래 디스펜싱 공정에서는 디스펜서 노즐(7)로부터 에폭시 수지를 연속적으로 선형(線形) 압출하여 선형의 댐(6)을 형성하기 때문에 노즐(7)의 끝 부분이 도 2a에서 보는 바와 같이 댐(6)의 높이와 거의 동일한 위치에 놓인 상태에서 시간 당 에폭시 수지 압출량이 일정하게 유지될 경우에는 일정한 폭을 가지는 댐(6)을 형성할 수 있으나, 기판(1)에 탑재된 반도체 칩(2)이 위치한 곳을 도포하는 경우에는 에폭시 수지가 연속적으로 선형 압출되는 디스펜서의 노즐(7)의 끝 부분을 들어올려야 하는데 이 경우 노즐(7)의 들어올림 동작과 에폭시 수지 압출 동작이 동시에 이루어져야 하므로 도포되는 댐(6)의 폭이 불규칙해지고 댐(6)의 모양도 노즐(7) 끝에서의 마찰력의 영향을 받아 도 2b에 도시한 바와 같이 구불구불해지게 된다.

따라서 이러한 경우에는 반도체 칩(2)이 위치한 영역을 피해서 디스펜싱을 하거나 반도체 칩(2)이 위치한 영역만을 남겨두고 디스펜싱을 한 다음 반도체 칩(2)이 위치한 영역에 다시 디스펜싱을 실시하여야 한다.

그러나 전자 경우에는 댐(6)과 기판(1)의 끝 부분과의 여유 공간이 줄어들어 디스펜싱 작업이 까다로워 질 수 있으며, 후자의 경우에는 작업시간이 길어지고 댐(6)의 모양에 보강(repair)한 부분에서 경계가 발생하여 외관불량이 발생하게 되는 문제점이 있다.

따라서 본 발명의 목적은 기판 상에 형성되는 댐은 물론 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 형성되는 댐의 경우에도 일정한 폭과 모양을 가지도록 할 수 있는 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법을 제공하려는 것이다.

이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 복수개의 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되게 형성되어 이들 복수개의 에폭시 수지 도트에 의해 댐이 형성되도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 구조를 제공한다.

또한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 디스펜서 노즐을 이용하여 에폭시 수지를 단속적으로 압출하여 기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 에폭시 수지 도트를 형성하면서 각 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되어 하나의 댐을 형성하 도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 형성 방법을 제공한다.

상기 복수개의 에폭시 수지 도트는, 먼저 번 에폭시 수지 도트를 형성한 후 다음 번 에폭시 수지 도트를 형성할 때까지 에폭시 수지의 압출을 멈춘 상태에서 디스펜서 노즐을 다음 번 에폭시 수지 도트를 형성할 위치까지 이동시킨 다음, 다음 번 에폭시 수지 도트를 압출하여 형성한다.

이하, 본 발명에 의한 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법을 첨부 도면에 도시한 실시례에 따라서 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 의한 댐 형성 과정을 보인 것으로, 도 3a는 에폭시 수지가 도트 형태로 압출된 상태를 보인 측면도, 도 3b는 에폭시 수지가 도트 형태로 압출된 상태를 보인 평면도, 도 4는 도트 형태로 압출된 에폭시 수지가 하나의 댐을 형성한 상태를 보인 평면도, 도 5는 본 발명에 의해 형성된 댐을 보인 측면도이다.

본 발명에 의한 반도체 패키지의 댐 구조는 도 3 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(10) 또는 이 기판(10)에 탑재된 반도체 칩(20) 상에 복수개의 에폭시 수지 도트(31)가 서로 중첩되게 형성되어 이들 복수개의 에폭시 수지 도트(31)에 의해 댐(30)이 형성되도록 한 것이다.

본 발명에 의한 반도체 패키지의 댐 형성 방법은 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이, 디스펜서 노즐(40)을 이용하여 에폭시 수지를 단속적으로 압출하여 기판(10) 또는 이 기판(10)에 탑재된 반도체 칩(20) 상에 에폭시 수지 도트(31)를 형성하면서 도 4에 도시한 바와 같이, 각 에폭시 수지 도트(31)가 서로 중첩되어 하나의 댐(30)을 형성하도록 하는 것이다.

여기서 하나의 에폭시 수지 도트(31)를 압출한 후 다음 번 에폭시 수지 도트(31)를 압출하기 전까지는 에폭시 수지의 압출 동작을 멈춘 상태에서다음 번 디스펜서 노즐(40)을 에폭시 수지 도트(31)를 형성할 위치까지 이동시킨 다음, 다음 번 에폭시 수지 도트(31)를 압출함과 아울러 다음 번 에폭시 수지 도트(31)를 압출함에 있어서는 먼저 번 에폭시 수지 도트(31)에 중첩되도록 압출한다.

상기 에폭시 수지 도트(31)는 에폭시 수지 자체의 표면장력에 의하여 반구형으로 형성된다.

또한 도 5에 도시한 바와 같이 기판(10) 상에 형성되는 댐(30)을 형성하는 경우와 기판(10)에 탑재된 반도체 칩(20) 상에 댐(30)을 형성하는 경우에는 디스펜서 노즐(40)의 높이를 변경하게 되는 데 본 발명에서는 에폭시 수지를 단속적으로 압출하기 때문에 디스펜서 노즐(40)의 높이를 변경하는 동안은 에폭시 수지를 압출하지 않고 디스펜서 노즐(40)의 높이가 변경된 후 에폭시 수지를 압출하는 것이므로 어느 부분에 대해 댐을 형성하는 경우라도 항상 일정한 폭과 모양의 댐을 형성할 수 있게 되는 것이다.

이상과 같이 본 발명에 의한 반도체 패키지의 댐 구조 및 그 형성 방법에 의하면, 기판에 댐을 형성하는 경우는 물론 기판에 탑재된 반도체 칩에 댐을 형성하는 경우에도 항상 일정한 폭과 모양의 댐을 형성할 수 있게 되는 효과가 있다.

Claims

기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 복수개의 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되게 형성되어 이들 복수개의 에폭시 수지 도트에 의해 댐이 형성되도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 구조.
디스펜서 노즐을 이용하여 에폭시 수지를 단속적으로 압출하여 기판 또는 이 기판에 탑재된 반도체 칩 상에 에폭시 수지 도트를 형성하면서 각 에폭시 수지 도트가 서로 중첩되어 하나의 댐을 형성하도록 하여 구성된 반도체 패키지의 댐 형성 방법.
제 2항에 있어서, 상기 복수개의 에폭시 수지 도트는, 먼저 번 에폭시 수지 도트를 형성한 후 다음 번 에폭시 수지 도트를 형성할 때까지 에폭시 수지의 압출을 멈춘 상태에서 디스펜서 노즐을 다음 번 에폭시 수지 도트를 형성할 위치까지 이동시킨 다음, 다음 번 에폭시 수지 도트를 압출하여 형성함을 특징으로 하는 반도체 패키지의 댐 형성 방법.