KR20060083746A - Substrate for display panel and testing method by using the same - Google Patents

Substrate for display panel and testing method by using the same Download PDF

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KR20060083746A
KR20060083746A KR1020050004673A KR20050004673A KR20060083746A KR 20060083746 A KR20060083746 A KR 20060083746A KR 1020050004673 A KR1020050004673 A KR 1020050004673A KR 20050004673 A KR20050004673 A KR 20050004673A KR 20060083746 A KR20060083746 A KR 20060083746A
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이봉준
안병재
강신택
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삼성전자주식회사
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Abstract

검사 공정이 용이한 표시 패널용 기판 및 이를 이용한 검사 방법이 개시된다. 게이트 구동회로부는 복수의 게이트 배선들의 일측에 전기적으로 연결되어, 복수의 게이트 신호들을 각각 출력한다. 게이트 보조회로부는 게이트 배선들의 타측에 전기적으로 연결되어, 게이트 배선에 인가된 게이트 신호를 풀-다운시킨다. 제1 검사부는 게이트 구동회로부의 입력단자에 테스트 신호를 인가한다. 제2 검사부는 게이트 보조회로부의 입력단자에 테스트 신호를 인가한다. 스위칭부는 게이트 보조회로부의 최종단에 전기적으로 연결되어 게이트 보조회로부의 동작을 제어한다. 이에 따라, 2G 어레이 검사 공정을 용이하게 할 수 있다. Disclosed are a display panel substrate and an inspection method using the same. The gate driving circuit unit is electrically connected to one side of the plurality of gate lines, and outputs a plurality of gate signals, respectively. The gate auxiliary circuit part is electrically connected to the other sides of the gate lines, thereby pulling down the gate signal applied to the gate line. The first inspection unit applies a test signal to an input terminal of the gate driving circuit unit. The second test unit applies a test signal to an input terminal of the gate auxiliary circuit unit. The switching unit is electrically connected to the final stage of the gate auxiliary circuit unit to control the operation of the gate auxiliary circuit unit. This can facilitate the 2G array inspection process.

게이트 구동회로, 게이트 보조회로, 2G 어레이 검사 Gate Drive Circuit, Gate Auxiliary Circuit, 2G Array Inspection

Description

표시 패널용 기판 및 이를 이용한 검사 방법{SUBSTRATE FOR DISPLAY PANEL AND TESTING METHOD BY USING THE SAME}Substrate for display panel and inspection method using same {SUBSTRATE FOR DISPLAY PANEL AND TESTING METHOD BY USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널용 기판의 개략적인 평면도이다. 1 is a schematic plan view of a substrate for a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 표시 패널용 기판의 제1 실시예에 따른 상세한 블록도이다.FIG. 2 is a detailed block diagram of a display panel substrate shown in FIG. 1 according to a first exemplary embodiment.

도 3은 도 1에 도시된 표시 패널용 기판의 제2 실시예에 따른 상세한 블록도이다.3 is a detailed block diagram of a display panel substrate shown in FIG. 1 according to a second exemplary embodiment.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

130 : 게이트 구동회로 140 : 게이트 보조회로130: gate driving circuit 140: gate auxiliary circuit

150 : 게이트 검사부 152 : 제1 검사패드150: gate inspection unit 152: first inspection pad

154 : 제2 검사패드 156 : 제3 검사패드154: second test pad 156: third test pad

TRc : 제어 트랜지스터TRc: control transistor

본 발명은 표시 패널용 기판 및 이의 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 검사 공정이 용이한 표시 패널용 기판 및 이를 이용한 검사 방법에 관한 것이 다.The present invention relates to a display panel substrate and an inspection method thereof, and more particularly, to a display panel substrate and an inspection method using the same.

일반적으로 액정 표시 장치는 복수의 게이트 배선들과 복수의 데이터 배선들이 구비된 액정 표시 패널, 복수의 게이트 배선들에 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동회로 및 복수의 데이터 배선에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동회로로 이루어진다. 상기 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로는 칩 형태로 상기 액정 표시 패널에 실장된다.In general, a liquid crystal display includes a liquid crystal display panel having a plurality of gate lines and a plurality of data lines, a gate driving circuit for outputting a gate signal to the plurality of gate lines, and a data driving circuit for outputting a data signal to the plurality of data lines. It is made of furnace. The gate driving circuit and the data driving circuit are mounted on the liquid crystal display panel in a chip form.

상기 액정 표시 장치의 전체적인 사이즈를 감소시키면서 생산성을 증대시키기 위하여 게이트 구동회로를 액정 표시 패널에 집적하는 구조가 개발되고 있다.In order to increase productivity while reducing the overall size of the liquid crystal display, a structure for integrating a gate driving circuit into a liquid crystal display panel has been developed.

상기 액정 표시 패널의 제조 공정 중 어레이 기판 상에 게이트 배선들 및 데이터 배선들이 형성되면, 각 배선들의 전기적 동작 상태를 검사하는 검사 공정이 수행된다. 상기 검사 공정은 상기 게이트 배선들을 하나로 묶어 테스트 신호를 인가하는 1G 방식을 사용하고 있다.When the gate lines and the data lines are formed on the array substrate during the manufacturing process of the liquid crystal display panel, an inspection process for inspecting an electrical operation state of each of the lines is performed. The inspection process uses a 1G method of applying the test signal by binding the gate lines together.

상기 1G 방식으로 게이트 펄스를 상기 게이트 구동회로에 인가하여 테스트 동작을 수행하면, 상기 게이트 구동회로의 구동 특성상 상기 게이트 신호의 하이 레벨 구간 동안 인접하는 픽셀들의 불량을 검출할 수 있다.When a test operation is performed by applying a gate pulse to the gate driving circuit in the 1G method, defects of adjacent pixels may be detected during a high level period of the gate signal due to driving characteristics of the gate driving circuit.

하지만, 상기 게이트 신호가 실질적으로 로우 레벨인 구간에 상기 게이트 배선에서 느끼는 게이트 신호는 하이 레벨로 플로팅(FLOATING)된 상태이므로 실질적으로 불량 검출이 불가능한 문제점이 있다. However, since the gate signal sensed by the gate wiring in the period in which the gate signal is substantially low level is floated to a high level, there is a problem in that failure detection is not practical.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으 로, 본 발명의 목적은 2G 어레이 검사 공정을 용이하게 하기 위한 표시 패널용 기판을 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to solve such a conventional problem, and an object of the present invention is to provide a display panel substrate for facilitating a 2G array inspection process.

상기 본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널용 기판을 이용한 검사 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an inspection method using the display panel substrate.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널용 기판은 게이트 구동회로부, 게이트 보조회로부, 제1 검사부, 제2 검사부 및 스위칭부를 포함한다. 상기 게이트 구동회로부는 복수의 게이트 배선들의 일측에 전기적으로 연결되어, 복수의 게이트 신호들을 각각 출력한다. 상기 게이트 보조회로부는 상기 게이트 배선들의 타측에 전기적으로 연결되어, 상기 게이트 배선에 인가된 게이트 신호를 풀-다운시킨다. 상기 제1 검사부는 상기 게이트 구동회로부의 입력단자에 테스트 신호를 인가한다. 상기 제2 검사부는 상기 게이트 보조회로부의 입력단자에 상기 테스트 신호를 인가한다. 상기 스위칭부는 상기 게이트 보조회로부의 최종단에 전기적으로 연결되어, 상기 게이트 보조회로부의 동작을 제어한다. A display panel substrate according to an exemplary embodiment of the present invention includes a gate driving circuit part, a gate auxiliary circuit part, a first test part, a second test part, and a switching part. The gate driving circuit unit is electrically connected to one side of the plurality of gate lines, and outputs a plurality of gate signals, respectively. The gate auxiliary circuit part is electrically connected to the other side of the gate wires to pull down the gate signal applied to the gate wire. The first inspection unit applies a test signal to an input terminal of the gate driving circuit unit. The second test unit applies the test signal to an input terminal of the gate auxiliary circuit unit. The switching unit is electrically connected to a final end of the gate auxiliary circuit unit to control the operation of the gate auxiliary circuit unit.

상기 게이트 보조회로부는 상기 게이트 배선들의 타측에 전기적으로 연결된 복수의 풀-다운 트랜지스터들을 포함하며, 상기 스위칭부는 게이트 전극과 드레인 전극이 다이오드 연결되고 소스 전극이 상기 풀-다운 트랜지스터들 중 마지막 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된다. The gate auxiliary circuit part includes a plurality of pull-down transistors electrically connected to the other sides of the gate lines, wherein the switching part is diode-connected with a gate electrode and a drain electrode, and a source electrode is the last pull-down of the pull-down transistors. It is connected to the gate electrode of the transistor.

바람직하게 상기 제2 검사부는 상기 홀수번째 게이트 라인들에 연결된 풀-다운 트랜지스터들에 테스트 신호를 인가하는 제1 검사 패드부 및 상기 짝수번째 게 이트 라인들에 연결된 풀-다운 트랜지스터들에 테스트 신호를 인가하는 제2 검사 패드부를 포함한다. Preferably, the second test unit applies a test signal to the first test pad unit for applying a test signal to pull-down transistors connected to the odd-numbered gate lines and the pull-down transistors connected to the even-numbered gate lines. And a second test pad portion to be applied.

더욱 바람직하게 상기 제어스위칭소자의 게이트 전극은 상기 제1 검사 패드부 및 제2 검사 패드부 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. More preferably, the gate electrode of the control switching device is electrically connected to any one of the first test pad unit and the second test pad unit.

상기 제1 검사부와, 상기 제1 및 제1 검사패드에 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역을 액티브시키고, 상기 제1 검사부 및 상기 제1 검사 패드에 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역 중 상기 짝수번째 게이트 라인들에 대응하는 표시 영역을 액티브시킨다. A first test signal is applied to the first test unit and the first and first test pads to activate the display area, and a second test signal is applied to the first test unit and the first test pad to display the display area. The display areas corresponding to the even-numbered gate lines are activated.

상기 제1 검사부와, 상기 제1 및 제1 검사패드에 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역을 액티브시키고, 상기 제1 검사부 및 상기 제2 검사 패드에 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역 중 상기 홀수번째 게이트 라인들에 대응하는 표시 영역을 액티브시킨다. The display area is activated by applying a first test signal to the first test part and the first and first test pads, and applying a second test signal to the first test part and the second test pad. The display areas corresponding to the odd-numbered gate lines are activated.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시 패널용 기판의 검사 방법은 전체의 표시 영역을 액티브시키기 위해 전체의 게이트 라인들에 게이트 온 전압을 인가하는 단계와, 상기 표시 영역 중 짝수번째 라인에 대응하는 표시 영역을 액티브시키기 위해 홀수번째 게이트 라인들에 게이트 오프 전압을 인가하고, 짝수번째 게이트 라인들에 상기 게이트 온 전압을 유지시키는 단계와, 전체의 표시 영역을 액티브시키기 위해 전체의 게이트 라인들에 게이트 온 전압을 인가하는 단계 및 상기 표시 영역 중 홀수번째 라인에 대응하는 표시 영역을 액티브시키기 위해 짝수번째 게이트 라인들에 게이트 오프 전압을 인가하고, 홀수번째 게 이트 라인들에 상기 게이트 온 전압을 유지시키는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of inspecting a substrate for a display panel, the method including: applying a gate-on voltage to all of the gate lines to activate the entire display area; Applying a gate-off voltage to odd-numbered gate lines to activate the display area corresponding to the even-numbered line, maintaining the gate-on voltage at even-numbered gate lines, and totally activating the entire display area. Applying a gate-on voltage to gate lines of the gate line and applying a gate-off voltage to even-numbered gate lines to activate a display area corresponding to an odd-numbered line of the display area, and applying the gate-off voltage to odd-numbered gate lines. Maintaining a gate on voltage.

이러한 표시 패널용 기판 및 이를 이용한 검사 방법에 의하면, 표시 패널용 기판에 집적되는 게이트 구동회로를 포함하는 기판에 대해서 2G 어레이 검사 공정을 용이하게 할 수 있다. According to the display panel substrate and the inspection method using the same, the 2G array inspection process can be facilitated with respect to the substrate including the gate driving circuit integrated in the display panel substrate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널용 기판에 대한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of a substrate for a display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 표시 패널용 기판(100)은 화상이 표시되는 표시 영역(DA)과 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)으로 이루어진다. 상기 표시 영역(DA)에는 복수의 데이터 배선(DL)들과 복수의 게이트 배선(GL)들에 의해 정의되는 복수의 화소 영역들이 구비된다. 상기 화소 영역에는 스위칭 소자(TFT)와, 상기 스위칭 소자(TFT)와 연결된 화소 전극 및 스토리지 캐패시터(CST)가 형성된다. 상기 화소 전극은 액정 캐패시터(CLC)의 제1 전극을 정의한다.Referring to FIG. 1, the display panel substrate 100 includes a display area DA in which an image is displayed and a peripheral area PA surrounding the display area DA. The display area DA includes a plurality of pixel areas defined by a plurality of data lines DL and a plurality of gate lines GL. In the pixel region, a switching element TFT, a pixel electrode connected to the switching element TFT, and a storage capacitor CST are formed. The pixel electrode defines a first electrode of the liquid crystal capacitor CLC.

상기 주변 영역은 복수의 게이트 배선(GL)들의 일단부에 위치하는 제1 주변 영역(PA1)과, 복수의 게이트 배선(GL)들의 타단부에 위치하는 제2 주변 영역(PA2)과, 복수의 데이터 배선(DL)들의 일단부에 위치하는 제3 주변 영역(PA3)을 포함한다. The peripheral region may include a first peripheral region PA1 positioned at one end of the plurality of gate lines GL, a second peripheral region PA2 positioned at the other end of the plurality of gate lines GL, and a plurality of The third peripheral area PA3 is positioned at one end of the data lines DL.

상기 제1 주변 영역(PA1)에는 게이트 배선들에 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로(130)가 집적되고, 상기 제2 주변 영역(PA2)에는 상기 게이트 구동회로(130)로부터 출력되는 게이트 신호들의 로우 레벨(VSS)을 결정하는 게이트 보조 회로(140)가 집적된다. A gate driving circuit 130 for outputting gate signals to gate lines is integrated in the first peripheral area PA1, and gate signals output from the gate driving circuit 130 are output to the second peripheral area PA2. The gate auxiliary circuit 140 for determining the low level VSS is integrated.

상기 제3 주변 영역(PA3)에는 데이터 배선들에 데이터 신호들을 출력하는 데이터 구동회로가 실장 또는 집적된다. 또한, 상기 제3 주변 영역(PA3)에는 상기 게이트 구동회로(130) 및 게이트 보조회로(140)에 테스트 신호를 인가하는 게이트 검사부(150)가 형성된다. 상기 게이트 검사부(150)는 게이트 구동회로(130)에 테스트 신호를 인가하는 제1 검사패드(152)와 게이트 보조회로(140)에 테스트 신호를 인가하는 제2 검사패드(154) 및 제3 검사패드(156)가 형성된다.A data driving circuit for outputting data signals to data lines is mounted or integrated in the third peripheral area PA3. In addition, a gate inspection unit 150 for applying a test signal to the gate driving circuit 130 and the gate auxiliary circuit 140 is formed in the third peripheral area PA3. The gate inspecting unit 150 includes a first test pad 152 for applying a test signal to the gate driving circuit 130 and a second test pad 154 and a third test for applying a test signal to the gate auxiliary circuit 140. Pad 156 is formed.

도 2는 도 1에 도시된 표시 패널용 기판의 제1 실시예에 따른 상세한 블록도이다.FIG. 2 is a detailed block diagram of a display panel substrate shown in FIG. 1 according to a first exemplary embodiment.

도 2를 참조하면, 게이트 구동회로(130)는 n개의 스테이지들(SRC1,SRC2,...,SRCn)과 더미 스테이지(SRCd)로 구성되며, 복수의 스테이지들이 종속적으로 연결된다. Referring to FIG. 2, the gate driving circuit 130 includes n stages SRC1, SRC2,..., SRCn and a dummy stage SRCd, and a plurality of stages are cascaded.

상기 스테이지 각각은 복수의 박막트랜지스터들이 집적되어 형성된 것으로, 입력단자들과 출력단자들을 갖는다. 상기 입력단자들은 개시신호인 수직개시신호(STV) 또는 이전 스테이지 출력신호가 입력되는 입력단자(IN)와, 다음 스테이지의 출력신호 또는 더미 스테이지(SRCd)의 출력신호가 입력되는 제어단자(CL), 제1 클럭신호(CKV) 또는 제2 클럭신호(CKVB)가 입력되는 클럭단자(CK)와, 오프 전압(VSS)이 인가되는 전압단자(VSS)를 포함한다.Each of the stages is formed by integrating a plurality of thin film transistors, and has an input terminal and an output terminal. The input terminals include an input terminal IN through which a vertical start signal STV or a previous stage output signal is input, and a control terminal CL through which an output signal of a next stage or a dummy stage SRCd is input. And a clock terminal CK to which the first clock signal CKV or the second clock signal CKVB is input, and a voltage terminal VSS to which the off voltage VSS is applied.

상기 출력단자는 해당하는 게이트 배선들과 연결되어 게이트 신호들(G1,G2,..Gn)을 출력한다. 제1 클럭신호(CKV)는 홀수번째 스테이지들에 제공되고, 제2 클럭신호(CKVB)는 짝수번째 스테이지들에 제공된다. 상기 제1 클럭신호(CKV)와 상기 제2 클럭신호(CKVB)는 서로 반대되는 위상을 갖는다.The output terminal is connected to the corresponding gate lines to output gate signals G1, G2, .. Gn. The first clock signal CKV is provided to odd-numbered stages, and the second clock signal CKVB is provided to even-numbered stages. The first clock signal CKV and the second clock signal CKVB have phases opposite to each other.

상기 게이트 구동회로(130)의 동작은, 첫 번째 스테이지(SRC1)는 수직개시신호(STV), 제1 클럭신호(CKV) 또는 제2 클럭신호(CKVB) 및 오프 전압(VSS)에 의해 구동이 개시되면서, 나머지 스테이지들은 입력단자(IN)에 이전 스테이지의 출력신호가 입력되고, 제어단자(CL)에 다음 스테이지의 출력신호가 입력되어 순차적으로 게이트 신호들(G1,G2,..Gn)을 출력한다. In the operation of the gate driving circuit 130, the first stage SRC1 is driven by the vertical start signal STV, the first clock signal CKV or the second clock signal CKVB, and the off voltage VSS. At the start, the remaining stages are inputted with the output signal of the previous stage to the input terminal IN, and the output signal of the next stage is input to the control terminal CL to sequentially receive the gate signals G1, G2, ..Gn. Output

상기 게이트 보조회로(140)는 상기 복수의 스테이지의 출력신호를 오프 전압(VSS)에 기초하여 로우 레벨로 풀-다운시키는 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)과, 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)을 턴-온 시키기 위한 제어 트랜지스터(TRc)를 포함한다. The gate auxiliary circuit 140 may include pull-down transistors TR1, TR2,... TRn that pull-down output signals of the plurality of stages to a low level based on an off voltage VSS. And a control transistor TRc for turning on the down transistors TR1, TR2, ..., TRn.

상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn) 중 홀수번째 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR3,..,TRn-1)과 제어 트랜지스터(TRc)는 제1 배선으로 연결되고 상기 제1 배선의 단부에는 상기 게이트 보조회로(140)의 제1 입력단자(141)가 형성된다. The odd-numbered pull-down transistors TR1, TR3,..., TRn-1 and the control transistor TRc of the pull-down transistors TR1, TR2,..., TRn are connected to each other by a first wiring. The first input terminal 141 of the gate auxiliary circuit 140 is formed at an end of the first wiring.

상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn) 중 짝수번째 풀-다운 트랜지스터들((TR2,TR4,..,TRn)의 드레인 전극들은 제2 배선으로 연결되고 상기 제2 배선의 단부에는 상기 게이트 보조회로(140)의 제2 입력단자(141)가 형성된다. Drain electrodes of even-numbered pull-down transistors (TR2, TR4, .., TRn) of the pull-down transistors TR1, TR2,..., TRn are connected to a second wiring, The second input terminal 141 of the gate auxiliary circuit 140 is formed at an end thereof.

각각의 상기 풀-다운 트랜지스터(TR1)의 게이트 전극은 다음 스테이지의 출력신호(G2)가 인가되고, 소스 전극은 현재 스테이지의 출력신호(G1)가 인가되고, 드레인 전극은 오프 전압(VSS)이 인가된다. 이에 의해 다음 스테이지로부터 출력신 호(G2)가 상기 게이트 전극으로 인가되면, 현재 스테이지의 출력신호(G1)를 로우 레벨(VSS)로 풀-다운시킨다. The gate electrode of each pull-down transistor TR1 is applied with the output signal G2 of the next stage, the source electrode is applied with the output signal G1 of the current stage, and the drain electrode has an off voltage VSS. Is approved. As a result, when the output signal G2 is applied to the gate electrode from the next stage, the output signal G1 of the current stage is pulled down to the low level VSS.

상기 제어 트랜지스터(TRc)는 2G 어레이 검사 공정을 위해서 형성된 것으로, 게이트 전극과 드레인 전극이 다이오드 연결되어 상기 제1 배선(또는 제1 입력단자(141))과 전기적으로 연결되고, 소스 전극이 마지막 풀-다운 트랜지스터(TRn)의 게이트 전극에 연결된다. The control transistor TRc is formed for a 2G array inspection process, and a gate electrode and a drain electrode are diode-connected to be electrically connected to the first wiring (or the first input terminal 141), and the source electrode is the last pull. It is connected to the gate electrode of the -down transistor TRn.

구체적으로, 2G 어레이 검사 공정시 제1 배선과 전기적으로 연결된 상기 제어 트랜지스터(TRc)는 상기 제1 입력단자(141)에 인가되는 제1 테스트 신호(VON)에 의해 턴-온 된다. 상기 제어 트랜지스터(TRc)가 턴-온 되면, 상기 제어 트랜지스터(TRc)와 연결된 마지막 풀-다운 트랜지스터(TRn)가 턴-온 된다. 종속적으로 연결된 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)은 턴-온 상태가 된다. In detail, during the 2G array inspection process, the control transistor TRc electrically connected to the first wiring is turned on by the first test signal VON applied to the first input terminal 141. When the control transistor TRc is turned on, the last pull-down transistor TRn connected to the control transistor TRc is turned on. The cascaded pull-down transistors TR1, TR2,..., TRn are turned on.

따라서, 2G 어레이 검사 공정시, 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)은 스테이지들(SRC1,..SRCn)로부터 출력되는 게이트 신호들의 레벨을 상기 제1 입력단자(141)로부터 인가되는 상기 제1 테스트 신호(VON)의 레벨로 유지시킨다.Accordingly, during the 2G array inspection process, the pull-down transistors TR1, TR2,..., And TRn adjust the level of the gate signals output from the stages SRC1, .. SRCn to the first input terminal 141. Is maintained at the level of the first test signal (VON) applied from.

상기 게이트 구동회로(130)와 게이트 보조회로(140)를 통해서 상기 기판 상에 형성된 게이트 배선(GL)들에 테스트 신호를 인가하여 상기 게이트 배선들을 2G 방식으로 어레이 검사를 한다. A test signal is applied to the gate lines GL formed on the substrate through the gate driving circuit 130 and the gate auxiliary circuit 140 to inspect the gate lines in a 2G manner.

도 3은 도 1에 도시된 표시 패널용 기판의 제2 실시예에 따른 상세한 블록도이다. 도 2에 도시된 제1 실시예와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하여 설명한다. 3 is a detailed block diagram of a display panel substrate shown in FIG. 1 according to a second exemplary embodiment. The same components as those in the first embodiment shown in FIG. 2 will be described with the same reference numerals.

도 3을 참조하면, 게이트 구동회로(130)는 n개의 스테이지들(SRC1,SRC2,...,SRCn)과 더미 스테이지(SRCd)로 구성되며, 복수의 스테이지들이 종속적으로 연결된다. Referring to FIG. 3, the gate driving circuit 130 is composed of n stages SRC1, SRC2,..., SRCn and a dummy stage SRCd, and a plurality of stages are cascaded.

상기 게이트 보조회로(140)는 상기 복수의 스테이지의 출력신호를 오프 전압(VSS)에 기초하여 로우 레벨로 풀-다운시키는 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)과, 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)의 동작을 제어하는 제어 트랜지스터(TRc)를 포함한다. The gate auxiliary circuit 140 may include pull-down transistors TR1, TR2,... TRn that pull-down output signals of the plurality of stages to a low level based on an off voltage VSS. A control transistor TRc that controls the operation of the down transistors TR1, TR2, ..., TRn.

구체적으로, 홀수번째 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR3,..,TRn-1)은 제1 배선을 통해 상기 게이트 보조회로(140)의 제1 입력단자(141)와 연결된다. 짝수번째 풀-다운 트랜지스터들(TR2,TR4,...,TRn)과 제어 트랜지스터(TRc)는 제2 배선을 통해 상기 게이트 보조회로(140)의 제2 입력단자(142)와 연결된다. Specifically, the odd-numbered pull-down transistors TR1, TR3,..., TRn-1 are connected to the first input terminal 141 of the gate auxiliary circuit 140 through a first wiring. The even-numbered pull-down transistors TR2, TR4,..., TRn and the control transistor TRc are connected to the second input terminal 142 of the gate auxiliary circuit 140 through a second wiring.

상기 제어 트랜지스터(TRc)는 2G 어레이 검사 공정을 위해서 형성된 것으로, 게이트 전극과 드레인 전극이 다이오드 연결되어 상기 제2 배선(또는 제2 입력단자(142))과 전기적으로 연결되고, 소스 전극이 마지막 풀-다운 트랜지스터(TRn)의 게이트 전극에 연결된다.The control transistor TRc is formed for a 2G array inspection process, and a gate electrode and a drain electrode are diode-connected to be electrically connected to the second wiring (or the second input terminal 142), and the source electrode is the last pull. It is connected to the gate electrode of the -down transistor TRn.

즉, 상기 제어 트랜지스터(TRc)는 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR2,TR4,...,TRn)을 턴-온 시키는 스위칭 소자이다. 이에 의해 상기 제2 입력단자(142)로부터 제1 테스트 신호(VON)가 인가되면, 상기 제어 트랜지스터(TRc)는 턴-온 되고, 이에 의해 상호 종속적으로 연결된 풀-다운 트랜지스터들 (TR2,TR4,...,TRn)은 턴-온 상태가 된다. That is, the control transistor TRc is a switching device that turns on the pull-down transistors TR2, TR4,..., TRn. As a result, when the first test signal VON is applied from the second input terminal 142, the control transistor TRc is turned on, whereby the pull-down transistors TR2, TR4, ..., TRn) is turned on.

따라서, 2G 어레이 검사 공정시, 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)은 스테이지들(SRC1,..SRCn)로부터 출력되는 게이트 신호들의 레벨을 상기 제2 입력단자(142)로부터 인가되는 상기 제1 테스트 신호(VON)의 레벨로 유지시킨다. Therefore, during the 2G array inspection process, the pull-down transistors TR1, TR2,..., And TRn adjust the level of the gate signals output from the stages SRC1, .. SRCn to the second input terminal 142. Is maintained at the level of the first test signal (VON) applied from.

상기 게이트 검사부(150)에 의한 상기 2G 어레이 검사 방식은 다음과 같다.The 2G array inspection method by the gate inspection unit 150 is as follows.

도 1 및 도 2를 참조하면, 게이트 검사부(150)는 게이트 구동회로(130)의 입력단자들(131,132,133,134)에 테스트 신호를 인가하는 제1 검사패드(152)와 게이트 보조회로(140)의 제1 입력단자(141) 및 제2 입력단자(142)에 테스트 신호를 인가하는 제2 검사패드(154) 및 제3 검사패드(156)를 포함한다. Referring to FIGS. 1 and 2, the gate inspecting unit 150 may include a first inspection pad 152 and a gate auxiliary circuit 140 configured to apply a test signal to the input terminals 131, 132, 133, and 134 of the gate driving circuit 130. And a second test pad 154 and a third test pad 156 for applying a test signal to the first input terminal 141 and the second input terminal 142.

상기 제1 검사패드(152)는 상기 게이트 구동회로(130)의 입력단자인 제1 클럭단자(131)와, 제2 클럭단자(132)와, 개시신호 입력단자(133) 및 오프전압 입력단자(134)를 하나로 묶은 배선의 단부에 형성된다. 상기 제2 검사패드(154)는 상기 게이트 보조회로(140)의 제1 입력단자(141)와 연장된 단부에 형성되며, 상기 제3 검사패드(156)는 상기 게이트 보조회로(140)의 제2 입력단자(142)와 연장된 단부에 형성된다.The first test pad 152 includes a first clock terminal 131, a second clock terminal 132, a start signal input terminal 133, and an off voltage input terminal of the gate driving circuit 130. 134 is formed at an end of the wiring which is bundled together. The second test pad 154 is formed at an end extending from the first input terminal 141 of the gate auxiliary circuit 140, and the third test pad 156 is formed of the gate auxiliary circuit 140. 2 is formed at the input terminal 142 and the extended end.

먼저, 짝수번째 게이트 배선들에 대한 전기적인 동작상태를 검사하는 공정은 다음과 같다. First, a process of inspecting an electrical operation state of even-numbered gate lines is as follows.

제1 단계로, 제1 검사패드(152), 제2 검사패드(154) 및 제3 검사패드(156)에 제1 테스트 신호(VON)를 인가한다. 물론, 상기 게이트 검사부(150)에 테스트 신호 가 인가될 때, 상기 데이터 배선들에도 테스트 데이터 전압이 인가됨은 당연하다.In a first step, the first test signal VON is applied to the first test pad 152, the second test pad 154, and the third test pad 156. Of course, when the test signal is applied to the gate checker 150, it is natural that the test data voltage is also applied to the data lines.

상기 제1 검사패드(152)에 제1 테스트 신호(VON)가 인가됨에 따라 복수의 스테이지들(SRC1,..SRCn)은 구동하여 소정 레벨의 게이트 온 전압을 생성한다. 상기 생성된 게이트 온 전압들은 해당하는 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn)에 출력된다. 이에 의해 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn)에 상기 제1 테스트 신호에 대응하는 게이트 온 전압이 인가된다.As the first test signal VON is applied to the first test pad 152, the plurality of stages SRC1 and SRCn are driven to generate a gate-on voltage having a predetermined level. The generated gate on voltages are output to the corresponding gate lines GL1, GL2,..., GLn. As a result, a gate-on voltage corresponding to the first test signal is applied to the gate lines GL1, GL2,..., GLn.

상기 제2 검사패드(154)에 제1 테스트 신호(VON)가 인가됨에 따라서 제어 트랜지스터(TRc)가 턴-온 되고, 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)이 턴-온 된다. 상기 제2 및 제3 검사패드(154,156)에 인가된 제1 테스트 전압(VON)에 의해 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)은 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn)에 인가된 상기 게이트 온 전압을 상기 제1 테스트 신호(VON)의 레벨로 유지시킨다. As the first test signal VON is applied to the second test pad 154, the control transistor TRc is turned on, and the pull-down transistors TR1, TR2,..., TRn are turned on. do. The pull-down transistors TR1, TR2,... TRn are applied to the gate lines GL1, GL2,... By the first test voltage VON applied to the second and third test pads 154, 156. The gate-on voltage applied to .GLn is maintained at the level of the first test signal VON.

따라서, 복수의 화소 영역들에 형성된 스위칭 소자들이 턴-온 되어 화소 전극에 상기 테스트 데이터 전압이 인가된다. Accordingly, the switching elements formed in the plurality of pixel regions are turned on to apply the test data voltage to the pixel electrode.

제2 단계로, 상기 제3 검사패드(156)에는 상기 제1 테스트 신호(VON)가 인가되는 상태에서, 상기 제1 검사패드(152)와 제2 검사패드(154)에는 제2 테스트 신호(VOFF)를 인가한다. 상기 제2 테스트 신호에 의해 상기 제2 검사패드(154)와 전기적으로 연결된 홀수번째 게이트 배선들(GL1,GL3,..,GLn-1)에 연결된 스위칭 소자들(TFT)은 턴-오프 된다. 상기 스위칭 소자들이 턴-오프 됨에 따라서 상기 홀수번째 게이트 배선들(GL1,GL3,..,GLn-1)에 연결된 화소 전극에 인가된 테스트 데이터 전 압은 방전된다. In a second step, in a state in which the first test signal VON is applied to the third test pad 156, the first test pad 152 and the second test pad 154 have a second test signal ( VOFF). The switching elements TFT connected to the odd-numbered gate lines GL1, GL3,..., GLn-1 electrically connected to the second test pad 154 by the second test signal are turned off. As the switching elements are turned off, the test data voltage applied to the pixel electrode connected to the odd-numbered gate lines GL1, GL3,..., GLn-1 is discharged.

한편, 상기 제3 검사패드(156)에는 제1 테스트 신호(VON)가 유지됨 따라서, 상기 짝수번째 게이트 배선들(GL2,GL4,...GLn)에 연결된 화소 전극들에 인가된 테스트 데이터 전압은 방전되지 않는다. 이에 의해 짝수번째 게이트 배선들(GL2,GL4,...GLn)에 연결된 화소 전극에만 테스트 데이터 전압이 유지된다. Meanwhile, the first test signal VON is maintained in the third test pad 156. Therefore, the test data voltage applied to the pixel electrodes connected to the even-numbered gate lines GL2, GL4,... It is not discharged. As a result, the test data voltage is maintained only at the pixel electrode connected to the even-numbered gate lines GL2, GL4,... GLn.

이 상태에서, 상기 짝수번째 게이트 배선들에 대응하는 픽셀의 오류 여부를 검사한다. In this state, an error of a pixel corresponding to the even-numbered gate lines is checked.

다음, 홀수번째 게이트 배선들에 대한 전기적인 동작상태를 검사하는 공정은 다음과 같다. Next, the process of checking the electrical operation state of the odd-numbered gate wirings is as follows.

제3 단계로, 제1 검사패드(152), 제2 검사패드(154) 및 제3 검사패드(156)에 제1 테스트 신호(VON)를 인가한다. 물론, 상기 게이트 검사부(150)에 테스트 신호를 인가될 때, 상기 데이터 배선들에도 테스트 데이터 전압이 인가됨은 당연하다.In a third step, the first test signal VON is applied to the first test pad 152, the second test pad 154, and the third test pad 156. Of course, when a test signal is applied to the gate checker 150, it is natural that a test data voltage is also applied to the data lines.

상기 제1 검사패드(152)에 제1 테스트 신호(VON)가 인가됨에 따라 복수의 스테이지들(SRC1,..SRCn)은 구동하여 소정레벨의 게이트 온 전압을 생성하여 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn)에 출력한다. 이에 의해 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn)에 상기 제1 테스트 신호에 대응하는 게이트 온 전압이 인가된다.As the first test signal VON is applied to the first test pad 152, the plurality of stages SRC1 and .. SRCn are driven to generate a gate-on voltage having a predetermined level to generate the gate lines GL1, Output to GL2, .., GLn). As a result, a gate-on voltage corresponding to the first test signal is applied to the gate lines GL1, GL2,..., GLn.

상기 제2 검사패드(154)에 제1 테스트 신호(VON)가 인가됨에 따라서 제어 트랜지스터(TRc)가 턴-온 되고, 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)이 턴-온 된다. 상기 제2 및 제3 검사패드(154,156)에 인가된 제1 테스트 전압(VON)에 의해 상기 풀-다운 트랜지스터들(TR1,TR2,..,TRn)은 상기 게이트 배선들(GL1,GL2,..,GLn) 에 인가된 상기 게이트 온 전압을 상기 제1 테스트 신호(VON)의 레벨로 유지시킨다. As the first test signal VON is applied to the second test pad 154, the control transistor TRc is turned on, and the pull-down transistors TR1, TR2,..., TRn are turned on. do. The pull-down transistors TR1, TR2,... TRn are applied to the gate lines GL1, GL2,... By the first test voltage VON applied to the second and third test pads 154, 156. The gate-on voltage applied to .GLn is maintained at the level of the first test signal VON.

따라서, 복수의 화소 영역들에 형성된 스위칭 소자들이 턴-온 되어 화소 전극에 상기 테스트 데이터 전압이 인가된다. Accordingly, the switching elements formed in the plurality of pixel regions are turned on to apply the test data voltage to the pixel electrode.

제4 단계로, 상기 제2 검사패드(154)에는 상기 제1 테스트 신호(VON)가 인가되는 상태에서, 상기 제1 검사패드(152)와 제3 검사패드(156)에는 제2 테스트 신호(VOFF)를 인가한다. 상기 제2 테스트 신호(VOFF)에 의해 상기 제3 검사패드(156)와 전기적으로 연결된 짝수번째 게이트 배선들(GL2,GL4,..,GLn)에 연결된 스위칭 소자들(TFT)은 턴-오프 된다. 상기 스위칭 소자들이 턴-오프 됨에 따라서 상기 짝수번째 게이트 배선들(GL2,GL4,..,GLn)에 연결된 화소 전극에 인가된 테스트 데이터 전압은 방전된다. In a fourth step, in a state in which the first test signal VON is applied to the second test pad 154, the first test pad 152 and the third test pad 156 have a second test signal ( VOFF). The switching elements TFT connected to the even-numbered gate lines GL2, GL4,... GLn electrically connected to the third test pad 156 are turned off by the second test signal VOFF. . As the switching elements are turned off, the test data voltage applied to the pixel electrode connected to the even-numbered gate lines GL2, GL4,..., GLn is discharged.

한편, 상기 제2 검사패드(154)에는 제1 테스트 신호(VON)가 유지됨 따라서, 상기 홀수번째 게이트 배선들(GL1,GL3,...GLn-1)에 연결된 화소 전극들에 인가된 테스트 데이터 전압은 방전되지 않는다. 이에 의해 홀수번째 게이트 배선들(GL1,GL3,...GLn-1)에 연결된 화소 전극에만 테스트 데이터 전압이 유지된다. Meanwhile, a first test signal VON is maintained on the second test pad 154. Therefore, test data applied to pixel electrodes connected to the odd-numbered gate lines GL1, GL3,..., GLn-1. The voltage is not discharged. As a result, the test data voltage is maintained only at the pixel electrode connected to the odd-numbered gate lines GL1, GL3, ... GLn-1.

이 상태에서, 상기 홀수번째 게이트 배선들에 대응하는 픽셀의 오류 여부를 검사한다.In this state, an error of a pixel corresponding to the odd-numbered gate lines is checked.

이상에서 설명된 2G 어레이 검사 공정을 정리하면 다음의 표 1과 같다. A summary of the 2G array inspection process described above is shown in Table 1 below.

순서order 제1검사패드1st test pad 제2검사패드2nd test pad 제3검사패드3rd test pad 홀수번째 GLOdd numbered GL 짝수번째 GLEven GL 1One VONVON VONVON VONVON ACTIVEACTIVE ACTIVEACTIVE 22 VOFFVOFF VOFFVOFF VONVON INACTIVEINACTIVE ACTIVEACTIVE 33 VONVON VONVON VONVON ACTIVEACTIVE ACTIVEACTIVE 44 VOFFVOFF VONVON VOFFVOFF ACTIVEACTIVE INACTIVEINACTIVE

이와 같은 방식으로 표시 패널용 기판 상에 집적된 게이트 구동회로부에 연결된 게이트 배선들에 대한 2G 어레이 검사 공정을 수행한다. In this manner, the 2G array inspection process is performed on the gate lines connected to the gate driving circuit unit integrated on the display panel substrate.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 표시 패널용 기판 상에 집적e된 게이트 구동회로를 포함하는 기판에 대해서 2G 어레이 검사 공정을 용이하게 할 수 있다. As described above, according to the present invention, a 2G array inspection process may be facilitated with respect to a substrate including a gate driving circuit integrated on a display panel substrate.

이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand.

Claims (7)

복수의 게이트 배선들의 일측에 전기적으로 연결되어, 복수의 게이트 신호들을 출력하는 게이트 구동회로부;A gate driving circuit unit electrically connected to one side of the plurality of gate lines to output a plurality of gate signals; 상기 게이트 배선들의 타측에 전기적으로 연결되어, 상기 게이트 배선에 인가된 게이트 신호를 풀-다운시키는 게이트 보조회로부;A gate auxiliary circuit part electrically connected to the other sides of the gate lines to pull down the gate signal applied to the gate line; 상기 게이트 구동회로부의 입력단자에 테스트 신호를 인가하는 제1 검사부; A first inspection unit applying a test signal to an input terminal of the gate driving circuit unit; 상기 게이트 보조회로부의 입력단자에 상기 테스트 신호를 인가하는 제2 검사부; 및 A second inspection unit applying the test signal to an input terminal of the gate auxiliary circuit unit; And 상기 게이트 보조회로부의 최종단에 전기적으로 연결되어, 상기 게이트 보조회로부의 동작을 제어하는 스위칭부를 포함하는 표시 패널용 기판.And a switching unit electrically connected to a final end of the gate auxiliary circuit unit to control an operation of the gate auxiliary circuit unit. 제1항에 있어서, 상기 게이트 보조회로부는 상기 게이트 배선들의 타측에 연결된 복수의 풀-다운 트랜지스터들을 포함하며,The gate auxiliary circuit of claim 1, further comprising a plurality of pull-down transistors connected to the other side of the gate lines. 상기 스위칭부는 게이트 전극과 드레인 전극이 다이오드 연결되고 소스 전극이 상기 풀-다운 트랜지스터들 중 마지막 풀-다운 트랜지스터의 게이트 전극에 연결된 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판.And wherein the switching unit is diode-connected with a gate electrode and a drain electrode, and a source electrode is connected with a gate electrode of the last pull-down transistor among the pull-down transistors. 제2항에 있어서, 상기 제2 검사부는, The method of claim 2, wherein the second inspection unit, 홀수번째 게이트 라인들에 연결된 풀-다운 트랜지스터들에 상기 테스트 신호 를 인가하는 제1 검사 패드부; 및 A first test pad unit applying the test signal to pull-down transistors connected to odd-numbered gate lines; And 짝수번째 게이트 라인들에 연결된 풀-다운 트랜지스터들에 상기 테스트 신호를 인가하는 제2 검사 패드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판.And a second test pad unit configured to apply the test signal to pull-down transistors connected to even-numbered gate lines. 제2항에 있어서, 상기 스위칭부의 게이트 전극은 상기 제1 검사 패드부 및 제2 검사 패드부 중 어느 하나와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판.The display panel substrate of claim 2, wherein the gate electrode of the switching unit is electrically connected to any one of the first test pad unit and the second test pad unit. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 검사부와, 상기 제1 및 제1 검사패드에 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역을 액티브시키고,Activate the display area by applying a first test signal to the first inspection unit and the first and first inspection pads; 상기 제1 검사부 및 상기 제1 검사 패드에 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역 중 짝수번째 게이트 라인들에 대응하는 표시 영역을 액티브시키는 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판.And applying a second test signal to the first test unit and the first test pad to activate a display area corresponding to even-numbered gate lines of the display area. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 검사부와, 상기 제1 및 제1 검사패드에 제1 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역을 액티브시키고,Activate the display area by applying a first test signal to the first inspection unit and the first and first inspection pads; 상기 제1 검사부 및 상기 제2 검사 패드에 제2 테스트 신호를 인가하여 상기 표시 영역 중 홀수번째 게이트 라인들에 대응하는 표시 영역을 액티브시키는 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판.And applying a second test signal to the first test unit and the second test pad to activate a display area corresponding to odd-numbered gate lines of the display area. 전체의 표시 영역을 액티브시키기 위해 전체의 게이트 라인들에 게이트 온 전압을 인가하는 단계;Applying a gate on voltage to the entire gate lines to activate the entire display area; 상기 표시 영역 중 짝수번째 라인에 대응하는 표시 영역을 액티브시키기 위해 홀수번째 게이트 라인들에 게이트 오프 전압을 인가하고, 짝수번째 게이트 라인들에 상기 게이트 온 전압을 유지시키는 단계;Applying a gate-off voltage to odd-numbered gate lines to activate a display area corresponding to an even-numbered line among the display areas, and maintaining the gate-on voltage at even-numbered gate lines; 전체의 표시 영역을 액티브시키기 위해 전체의 게이트 라인들에 게이트 온 전압을 인가하는 단계; 및Applying a gate on voltage to the entire gate lines to activate the entire display area; And 상기 표시 영역 중 홀수번째 라인에 대응하는 표시 영역을 액티브시키기 위해 짝수번째 게이트 라인들에 게이트 오프 전압을 인가하고, 홀수번째 게이트 라인들에 상기 게이트 온 전압을 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널용 기판의 검사 방법.Applying a gate-off voltage to even-numbered gate lines to activate a display area corresponding to an odd-numbered line among the display areas, and maintaining the gate-on voltage at odd-numbered gate lines. The inspection method of the board | substrate for display panels.
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