KR20060078003A - 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법이 제공된다. 액정 표시 장치는 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판, 제 1 투명 절연 기판 상에 형성된 컬럼 스페이서, 제 2 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 배선, 게이트 배선 상에 형성된 게이트 절연막, 게이트 절연막 상의 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 형성된 컬럼 스페이서 돌출부, 컬럼 스페이서 돌출부 상에 형성된 보호층 및 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판 사이에 형성된 액정층을 포함한다. 액정 표시 장치의 제조 방법은 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 준비하는 단계, 제 1 투명 절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 제 2 투명 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계, 게이트 배선 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상의 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 컬럼 스페이서 돌출부를 형성하는 단계, 컬럼 스페이서 돌출부 상에 보호층을 형성하는 단계 및 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 합착하는 단계를 포함한다.
액정 표시 장치, 컬럼 스페이서, 전경선(disclination)
Description
도 1은 종래의 액정 표시 장치의 단위 화소의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A'라인의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단위 화소의 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B'라인의 단면도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
100: 제 2 투명 절연 기판 100A: 제 2 기판부
120: 게이트 배선 130: 게이트 절연막
140: 데이터 배선 150: 보호층
160: 박막 트랜지스터 180: 화소 전극
190: 컬럼 스페이서 돌출부 200: 제 1 투명 절연 기판
200A: 제 1 기판부 220: 차광층
240: 컬러 필터층 260: 공통 전극
300: 컬럼 스페이서
본 발명은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD) 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 컬럼 스페이서에 의해서 유발되는 전경선(disclination)을 효과적으로 감소시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날과 같은 정보화 사회에 있어서 전자 표시 장치의 역할은 매우 중요해지고 있으며, 각종의 전자 표시 장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다. 이러한 전자 표시 장치 분야는 발전을 거듭하여 다양화하는 정보화 사회의 요구에 적합한 새로운 기능을 갖는 전자 표시 장치가 계속 개발되고 있다. 일반적으로 전자 표시 장치란 다양한 정보를 시각을 통하여 인간에게 전달하는 장치를 말한다. 즉, 전자 표시 장치란 각종의 전자 기기로부터 출력되는 전자적 정보 신호를 인간의 시각으로 인식할 수 있는 광 정보 신호로 변화하는 전자 장치를 말하며, 인간과 전자 기기를 연결하는 가교적인 역할을 담당하는 장치라고 할 수 있다.
이러한 전자 표시 장치에 있어서, 광 정보 신호가 발광 현상에 의해서 표시되는 경우에는 발광형 표시 장치로 일컬어지며, 반사, 산란, 간섭 현상 등에 의하여 광 변조로 표시되는 경우에는 수광형 표시 장치로 일컬어진다. 능동형 표시 장치로도 불리는 발광형 표시 장치로는 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Tube; CRT), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel; PDP), 유기 이엘 표시 장치(Organic ElectroLuminiscent Display; OELD), 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED) 등을 들 수 있다. 그리고 수동형 표시 장치로 불리는 수광형 표시 장치로는 액정 표시 장치(LCD), 전자 영동 표시 장치(ElectroPhoretic Image Display; EPID) 등을 들 수 있다.
텔레비전이나 컴퓨터 모니터 등에 사용되고 있으며, 가장 오랜 역사를 갖는 표시 장치인 음극선관 표시 장치는 경제성 등의 면에서 가장 높은 시장 점유율을 차지하고 있으나, 무거운 중량, 큰 부피 및 높은 소비 전력 등과 같은 단점을 많이 가지고 있다.
최근에, 반도체 기술의 급속한 진보에 의하여 각종 전자 장치의 저전압화 및 저전력화와 함께 전자 기기의 소형화, 박형화 및 경량화의 추세에 따라 새로운 환경에 적합한 전자 표시 장치로서 평판 패널형 표시 장치에 대한 요구가 급격히 증대되고 있다. 이에 따라 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 표시 장치(PDP), 유기 이엘 표시 장치(OELD) 등과 같은 평판 패널형 표시 장치가 개발되고 있으며, 이러한 평판 패널형 표시 장치 중에서 소형화, 경량화 및 박형화가 용이하며, 낮은 소비 전력 및 낮은 구동 전압을 갖는 액정 표시 장치가 특히 주목 받고 있다.
액정 표시 장치는 공통 전극, 컬러 필터, 블랙 매트릭스 등이 형성되어 있는 상부 투명 절연 기판과 스위칭 소자, 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 투명 절연 기판 사이에 이방성 유전율을 갖는 액정 물질을 주입해 놓고, 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전위를 인가함으로써 액정 물질에 형성되는 전계의 세기를 조정하여 액정 물질의 분자 배열을 변경시키고, 이를 통하여 투명 절연 기판에 투과되는 빛의 양을 조절함으로써 원하는 화상을 표현하는 표시 장치이다. 이러한 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 소자를 스위칭 소자로 이용하는 박막 트랜지스터 액정 표시 장치(TFT LCD)가 주로 사용되고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 종래의 액정 표시 장치에 대해서 설명한다. 도 1은 종래의 액정 표시 장치의 단위 화소의 평면도이다. 도 2는 도 1의 A-A'라인의 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 것처럼, 하부 투명 절연 기판(10) 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(12)과 데이터 배선이 형성되어 있다. 그리고 게이트 배선(12)과 데이터 배선(14)의 교차 영역에는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(16)가 형성되어 있다. 이러한 박막 트랜지스터(16)는 게이트 배선(12)에서 연장되어 형성되는 게이트 전극(16_1), 게이트 절연막(13), 반도체층(16_2), 데이터 배선(14)에서 연장되어 형성되는 소스 전극(16_3), 소스 전극(16_3)과 마주보도록 형성되는 드레인 전극(16_4) 및 보호층(15)을 포함하여 구성된다. 그리고 박막 트랜지스터(16)의 드레인 전극(16_4)과 연결되는 화소 전극(18)이 화소 영역에 형성되어 있다.
한편, 상부 투명 절연 기판(20) 상에는 게이트 배선(12), 데이터 배선(14) 및 박막 트랜지스터(16) 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층(22)이 형성되어 있고, 차광층(22) 상부에는 컬러 필터층(24)이 형성되어 있으며, 컬러 필터층(24) 상부에는 공통 전극(26)이 형성되어 있다.
그리고, 공통 전극(26) 상에는 액정 표시 장치의 셀 갭(Y1)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(30)가 형성된다. 이러한 컬럼 스페이서(30)는 게이트 배선(12)의 형 성 영역에 대응되는 영역에 형성된다. 상부 투명 절연 기판(20)과 하부 투명 절연 기판(10) 사이에는 액정층이 형성된다.
그런데 종래의 액정 표시 장치의 컬럼 스페이서(30)는 소정의 셀 갭(Y1)을 유지하기 위해서는 소정의 컬럼 스페이서의 폭(X1)을 가져야 한다. 소정의 셀 갭(Y1)을 가지면서 컬럼 스페이서의 폭(X1)을 줄이는 경우에는 셀 갭(Y1)이 균일하게 유지되지 않으므로, 원하는 화상을 효과적으로 표시할 수 없다. 그리고 이러한 컬럼 스페이서(30)는 상부 투명 절연 기판(20)과 하부 투명 절연 기판(10) 사이에 형성된 액정층에 전경선(disclination)을 유발하므로, 전경선이 유발되는 영역은 빛샘 방지를 위해서 차광층을 형성시켜야 한다. 이로 인해서 액정 표시 장치의 개구율이 감소하게 된다. 그러므로 전경선이 유발되는 영역을 감소시키기 위해서는 컬럼 스페이서의 폭을 줄이는 것이 필요하다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 셀 갭을 균일하게 유지하면서 컬럼 스페이서에 의해서 유발되는 전경선(disclination)을 효과적으로 감소시킬 수 있는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판, 상기 제 1 투명 절연 기판 상에 형성된 컬럼 스페이서, 상기 제 2 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 배선, 상기 게이트 배선 상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상의 상기 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 형성된 컬럼 스페이서 돌출부, 상기 컬럼 스페이서 돌출부 상에 형성된 보호층 및 상기 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 수소화 비정질 실리콘과 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 상기 금속 물질이 알루미늄과 크롬을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 준비하는 단계, 상기 제 1 투명 절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계, 상기 제 2 투명 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계, 상기 게이트 배선 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연막 상의 상기 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 컬럼 스페이서 돌출부를 형성하는 단계, 상기 컬럼 스페이서 돌출부 상에 보호층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 합착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 컬럼 스페이서 돌출부가 수소화 비정질 실리콘과 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 상기 금속 물질이 알루미늄과 크롬을 포함하는 것이 바람직하다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 단위 화소의 평면도이다. 도 4는 도 3의 B-B'라인의 단면도이다.
도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 제 2 투명 절연 기판(100) 상에는 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(120)과 데이터 배선(140)이 형성되어 있다. 그리고 게이트 배선(120)과 데이터 배선(140)의 교차 영역에는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(160)가 형성되어 있다. 이러한 박막 트랜지스터(160)는 게이트 배선(120)에서 연장되어 형성되는 게이트 전극(161), 게이트 절연막(130), 반도체층(162), 데이터 배선(140)에서 연장되어 형성되는 소스 전극(163), 소스 전극(163)과 마주보도록 형성되는 드레인 전극(164) 및 보호층(150)을 포함하여 구성된다. 그리고 박막 트랜지스터(160)의 드레인 전극(164)과 콘택홀(165)을 통해서 연결되는 화소 전극(180)이 상기 화소 영역에 형성되어 있다. 한편, 게이트 배선(120) 상의 컬럼 스페이서(300)에 대응되는 영역에는 컬럼 스페이서 돌출부(190)가 형성되어 있다.
제 1 투명 절연 기판(200) 상에는 게이트 배선(120), 데이터 배선(140) 및 박막 트랜지스터(160) 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층(220)이 형성되어 있고, 차광층(220) 상부에는 컬러 필터층(240)이 형성되어 있으며, 컬러 필터층(240) 상부에는 공통 전극(260)이 형성되어 있다.
그리고, 공통 전극(260) 상에는 액정 표시 장치의 셀 갭(Y2)을 유지하기 위한 컬럼 스페이서(300)가 형성된다. 이러한 컬럼 스페이서(300)는 컬럼 스페이서 돌출부(190)의 형성 영역에 대응되는 영역에 형성된다. 제 1 투명 절연 기판(200)과 제 2 투명 절연 기판(100) 사이에는 액정층이 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 게이트 배선(120) 상에 컬럼 스페이서(300)에 대응되는 영역에 컬럼 스페이서 돌출부(190)를 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성함으로써, 액정 표시 장치의 셀 갭(Y2)을 종래의 액정 표시 장치의 셀 갭(도 2의 Y1 참조)과 동일하게 유지하면서도 컬럼 스페이서(300)의 길이(L)를 컬럼 스페이서 돌출부(190)의 두께만큼 줄일 수 있으므로, 컬럼 스페이서(300)의 폭(X2)을 효과적으로 줄일 수 있다. 따라서 컬럼 스페이서(300)에 유발되는 전경선(disclination)을 효율적으로 감소시킬 수 있다.
여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 것이 바람직하다. 그럼으로써 박막 트랜지스터(160)의 반도체층(162)을 형성하는 공정에서 동시에 형성할 수 있으므로, 별도의 공정을 추가할 필요가 없다.
여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 알루미늄과 크롬을 포함하는 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다. 그럼으로써 데이터 배선(140)을 형성하는 공정에서 동시에 형성할 수 있으므로, 별도의 공정을 추가할 필요가 없다.
여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 수소화 비정질 실리콘 및 알루미늄과 크롬을 포함하는 금속 물질로 이루어진 것이 바람직하다. 그럼으로써 박막 트랜지스터(160)의 반도체층(162)과 데이터 배선(140)을 형성하는 공정에서 형성할 수 있으므로, 별도의 공정을 추가할 필요가 없다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 제 1 투명 절연 기판(200) 및 제 2 투명 절연 기판(100)을 준비한다.
다음으로, 제 1 투명 절연 기판(200) 상에 게이트 배선(120), 데이터 배선(140) 및 박막 트랜지스터(160) 영역에서 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층(220), 컬러 필터층(240), 공통 전극(260)을 순차적으로 적층하여 형성하고, 공통 전극(260) 상에 컬럼 스페이서(300)를 형성한다.
다음으로, 제 2 투명 절연 기판(100) 상에 제 1 금속 물질로 게이트 배선층을 증착하고, 제 1 마스크를 이용하는 사진 공정과 에칭 공정으로 게이트 배선층을 패터닝함으로써, 게이트 전극(161)과 게이트 배선(120)을 형성한다. 여기에서, 제 1 금속 물질은 비저항값이 낮은 금속 물질에서 선택되며, 바람직하게는 알루미늄 등을 포함하는 금속 물질로 선택되는 것이다.
다음으로, 게이트 배선(120)과 게이트 전극(161) 상에 게이트 절연막(130)을 형성한다. 여기에서, 게이트 절연막(130)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 중 어느 하나에서 선택되며, 바람직하게는 무기 절연 물질에서 선택되는 것이며, 더욱 바람직하게는 실리콘 절연 물질에서 선택되는 것이다. 이러한 실리콘 절연 물질로는 예를 들면, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 게이트 절연막(130) 상에 수소화 비정질 실리콘층을 증착하고, 제 2 마스크를 이용하는 사진 공정과 에칭 공정으로 수소화 비정질 실리콘층을 패터닝함으로써, 박막 트랜지스터(160)의 반도체층(162)을 형성한다.
한편, 박막 트랜지스터(160)의 반도체층(162)을 형성하면서, 게이트 절연막(130) 상의 컬럼 스페이서(300)에 대응되는 영역에 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 컬럼 스페이서 돌출부(190)를 형성할 수 있다. 여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 반도체층(162) 상에 제 2 금속층을 증착하고, 제 3 마스크를 이용하는 사진 공정과 에칭 공정으로 제 2 금속층을 패터닝함으로써, 데이터 배선(140), 소스 전극(163), 드레인 전극(164)을 형성한다. 여기에서, 제 2 금속층은 비저항값이 낮은 금속 물질에서 선택되며, 바람직하게는 알루미늄과 크롬 등을 포함하는 금속 물질로 선택되는 것이다.
한편, 데이터 배선(140), 소스 전극(163), 드레인 전극(164)을 형성하면서, 게이트 절연막(130) 상의 컬럼 스페이서(300)에 대응되는 영역에 알루미늄과 크롬 등을 포함하는 금속 물질로 컬럼 스페이서 돌출부(190)를 형성할 수 있다. 여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성될 수 있다.
그리고, 게이트 절연막(130) 상의 컬럼 스페이서(300)에 대응되는 영역에 박막 트랜지스터(160)의 반도체층(162)을 형성하면서 증착되는 수소화 비정질 실리콘과 데이터 배선(140), 소스 전극(163), 드레인 전극(164)을 형성하면서 증착되는 알루미늄과 크롬 등을 포함하는 금속 물질로 이루어진 컬럼 스페이서 돌출부(190)를 형성할 수 있다. 여기에서, 컬럼 스페이서 돌출부(190)는 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성될 수 있다.
다음으로, 절연 물질을 도포하여 보호층(150)을 형성한다. 여기에서, 보호층(150)으로 이용되는 절연 물질은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질 중 어느 하나에서 선택되며, 바람직하게는 무기 절연 물질에서 선택되는 것이며, 더욱 바람직하게는 실리콘 절연 물질에서 선택되는 것이다. 이러한 실리콘 절연 물질로는 예를 들면, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 등을 이용할 수 있다.
다음으로, ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명 도전 물질을 증착하여, 화소 전극(180)을 형성한다.
다음으로, 제 1 기판부(200A)와 제 2 기판부(100A)를 합착하고, 제 1 기판부(200A)와 제 2 기판부(100A) 사이에 액정층을 형성한다. 여기에서 제 1 기판부(200A)와 제 2 기판부(100A) 사이에 액정층을 형성하는 방법으로는 진공 주입법 또는 액정 적하법 등이 있다.
진공 주입법은 제 1 기판부(200A) 및 제 2 기판부(100A)를 합착하고, 가열 등을 통해서 씨일재를 경화시켜 제 1 기판부(200A) 및 제 2 기판부(100A)를 완전히 접착한 후, 합착 기판 사이에 모세관 현상과 압력차를 이용하여 액정층을 형성하는 방법이다. 그리고 액정 적하법은 제 1 기판부(200A) 또는 제 2 기판부(100A) 중 어느 하나의 기판 상에 액정을 적하하여 액정층을 형성한 후, 제 1 기판부(200A) 및 제 2 기판부(100A)를 합착하고, 가열 또는 자외선(Ultra Violet; UV) 조사에 의해 씨일재를 경화시켜 제 1 기판부(200A) 및 제 2 기판부(100A)를 완전히 접착시키는 방법이다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 이상에서 기술한 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이므로, 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 하며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 컬럼 스페이서에 대응되는 하부 기판 상에 컬럼 스페이서 돌출부를 형성함으로써, 셀 갭을 종래의 액정 표시 장치의 셀 갭과 동일하게 유지하면서도 컬럼 스페이서의 길이를 컬럼 스페이서 돌출부의 두께만큼 줄일 수 있으므로, 컬럼 스페이서의 폭을 효과적으로 줄일 수 있다. 따라서 액정 표시 장치의 개구율을 효율적으로 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 컬럼 스페이서에 대응되는 하부 기판 상에 컬럼 스페이서 돌출부를 형성함으로써, 컬럼 스페이서에 의해서 유발되는 전경선(disclination)을 효과적으로 감소시킬 수 있는 액정 표시 장치를 용이하게 형성할 수 있다.
Claims (12)
- 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판;상기 제 1 투명 절연 기판 상에 형성된 컬럼 스페이서;상기 제 2 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 배선;상기 게이트 배선 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 상기 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 형성된 컬럼 스페이서 돌출부;상기 컬럼 스페이서 돌출부 상에 형성된 보호층; 및상기 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제1항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 수소화 비정질 실리콘과 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 금속 물질은 알루미늄과 크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
- 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 준비하는 단계;상기 제 1 투명 절연 기판 상에 컬럼 스페이서를 형성하는 단계;상기 제 2 투명 절연 기판 상에 게이트 배선을 형성하는 단계;상기 게이트 배선 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상의 상기 컬럼 스페이서에 대응되는 영역에 컬럼 스페이서 돌출부를 형성하는 단계;상기 컬럼 스페이서 돌출부 상에 보호층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 투명 절연 기판 및 제 2 투명 절연 기판을 합착하는 단계를 포함 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 1000 Å ∼ 10000 Å 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 수소화 비정질 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼 스페이서 돌출부는 수소화 비정질 실리콘과 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
- 제10항 또는 제11항에 있어서,상기 금속 물질은 알루미늄과 크롬을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표 시 장치의 제조 방법.
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KR20130054680A (ko) * | 2011-11-17 | 2013-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체 영상 표시장치의 3d 필터 제조 방법 |
CN103293772A (zh) * | 2012-02-29 | 2013-09-11 | 株式会社东芝 | 液晶光学元件和立体图像显示装置 |
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- 2004-12-30 KR KR1020040116665A patent/KR20060078003A/ko active Search and Examination
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