KR20060077076A - 시모스 이미지센서 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 리셋 트랜지스터의 턴온/턴오프 동작시 발생하는 파티션 노이즈를 제거하여 이미지를 보다 실제와 가깝게 구현할 수 있는 시모스 이미지센서를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 생길 영역중 일부영역의 상기 제1 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1 게이트 절연막이 제거된 영역에 상기 제1 게이트 절연막보다 더 얇은 두께를 가지는 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계; 리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 생길 영역의 상기 제1 게이트 절연막을 남기고 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 게이트 절연막상에 리셋트랜지스터의 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서를 제공한다.
시모스 이미지센서, 포토다이오드, 리셋 트랜지스터, 노이즈.
Description
도1은 시모스 이미지센서에서의 한 단위화소를 나타내는 회로도.
도2는 도1에 도시된 단위회소를 이루는 4개의 모스트랜지스터의 공정단면도.
도3은 도2에 도시된 4개의 모스트랜지스터의 공정평면도.
도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 문제점을 나타내는 도면.
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서 및 그 동작을 나타내는 도면.
도6a 내지 도6e는 도5에 도시된 시모스 이미지센서를 제조하는 방법을 나타내는 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
30 : 기판 31 : 소자분리막
32 : 제1 게이트용 절연막 33 : 감광막 패턴
34 : 제2 게이트용 절연막 35 : 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴
36,37 : 접합영역
본 발명은 시모스 이미지센서에 관한 것으로, 특히 리셋노이즈를 줄일 수 있는 시모스 이미지센서에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치중 이미지센서는 광학 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 대표적인 이미지센서 소자로는 전하결합소자(Charge Coupled Device; CCD)와 시모스 이미지센서를 들 수 있다.
그 중에서 전하결합소자는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 시모스 기술을 이용하여 각 화소(pixel)수에 대응하는 모스 트랜지스터(통상적으로 4개의 모스트랜지스터)를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력하는 소자이다.
도1은 시모스 이미지센서에서의 한 단위화소를 나타내는 회로도이다.
도1을 참조하여 살펴보면, 한 단위화소 내에는 1개의 포토다이오드(10)와 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)로 구성되어 있다. 4개의 앤모스트랜지스터(11,12,13,14)는 포토다이오드(10)에서 생성된 광전하를 전하감지노드(N)로 운송하기 위한 트랜스퍼 모스트랜지스터(11)와, 다음 신호검출을 위해 전하감지노드(11)에 저장되어 있는 전하를 배출하기 위한 리셋 모스트랜지스터(12)와, 소스 팔로워 (Source Follower) 역할을 하는 드라이브 모스트랜지스터(13) 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 모스트랜지스터(14)로 구성된다.
이렇게 4개의 모스트랜지스터(11,12,13,14)와 하나의 포토다이오드(10)가 하나의 단위화소를 이루며, 시모스 이미지센서에 구비되는 단위화소의 수에 따라 시모스 이미지센서의 픽셀어레이에 구비되는 포토다이오드(10)와 그에 대응하는 단위화소용 모스트랜지스터의 수가 정해지는 것이다.
도2는 도1에 도시된 단위회소를 이루는 4개의 모스트랜지스터의 공정단면도로서, 4개의 모스트랜지스터(11,12,13,14)가 각각 게이트로 신호(Tx,Rx,Dx,Sx)를 전달받아 포토다이오드(PD)에 전달된 빛이 출력단(Output)으로 전달되도록 구현되어 있다.
도3은 도2에 도시된 4개의 모스트랜지스터의 공정평면도이다.
도3에 도시된 바와 같이, 포토다이오드(10)에서 전달된 빛에 의해 모아진 전자를 전자를 출력단(Output)으로 전달하기 위해 4개의 모스트랜지스터(11, 12, 13, 14)의 게이트 패턴(Tx,Rx,Dx,Sx)이 각각 배치되고, 액티브영역(101 ~ 104)이 게이트 패턴(Tx,Rx,Dx,Sx)의 좌우에 각각 배치된다.
여기서 액티브영역(101)이 포토다이오드에 의해 모아진 전자를 전달받는 센싱노드이다.
한 단위소자의 동작을 간단하게 살펴보면, 포토다이오드(10)에 전달된 빛에 의해 모아진 전자가 전달트랜지스터(11)를 통해 센싱노드(101)에 전달된다.
센싱노드(101)는 드라이빙 트랜지스터(13)의 게이트와 연결되어 있기 때문에, 드라이빙 트랜지스터(13)은 센싱노드(101)에 인가되는 전압에 따라 일측단에 접합된 액티브영역(103)의 전압레벨을 드라이빙하게 된다. 이어서 셀렉트 트랜지스터(104)가 턴온되어 액티브영역(103)에 인가된 전압을 출력단을 통해 출력하게 된다.
한번 데이터를 전달하는 과정에서 리셋과정을 거치게 되는데, 리셋과정은 리셋트랜지스터를 턴온시켜 노이즈등으로 인해 센싱노드에 축척된 전자를 제거하는 과정이다. 리셋과정에서 출력된 값과 실제 이미지에 의한 데이터의 차이를 실제 정보로 처리하게 된다.
도4는 종래기술에 의한 시모스 이미지센서의 문제점을 나타내는 도면이다.
도4를 참조하여 살펴보면, 리셋동작을 위해서 리셋트랜지스터를 턴온 또는 턴오프 시킬 때에 노이즈가 생기게 되는데, 이 때의 노이즈는 Johnson 노이즈(열적 생성 요소)에 기인한 kTC 노이즈와, 터온에서 턴오프로 전환시 리셋 트랜지스터의 채널내 전하의 분배에 기인한 파티션 노이즈(partition)로 구성된다.
전술한 파티션 노이즈의 경우 플랫한 일반적인 채널을 가지는 일반트랜지스터에서 발생되며 이를 개선하기 위해 활발히 연구가 진행되어 오고 있다.
전술한 바와 같이 이미지센서가 동작할 때에 리셋출력값과 입사빛에 대한 데이터 출력값의 차이를 실제 데이터로 이미지로 처리하는 데, 이를 CDS(Correlated double sampling) 라고 한다.
리셋트랜지스터가 턴온에서 턴오프로 변환할 때에 리셋트랜지스터의 채널에 있던 전하가 센싱노드로 유입됨으로서 발생하는 파티션 노이즈는 전술한 CDS 방법을 사용하여도 제거하기가 매우 어렵게된다.
도4의 좌측도면에서 리셋트랜지스터가 턴온되었을 때의 준위가 b이고, 턴오프되었을 때가 a라고 한다면, 턴온되었다가 턴오프가 되는 순간에 b에서 a로 퍼텐셜이 변화하게 되는데, 변화화는 과정에서 채널에 있던 전자는 양측(한쪽은 센싱노드 나머지 한쪽은 리셋트랜지스터의 전원전압단)의 퍼텐셜이 낮은 곳으로 이동하게 된다. 이 때 이동되는 전자에 의해서 파티션 노이즈가 발생하는 것이다.
파티션 노이즈 때문에 CDS 방법을 사용해도 이미지가 왜곡되는 문제가 발생하고, 그로 인해 이미지를 제대로 구현할 수 없어 문제가 되고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 리셋 트랜지스터의 턴온/턴오프 동작시 발생하는 파티션 노이즈를 제거하여 이미지를 보다 실제와 가깝게 구현할 수 있는 시모스 이미지센서를 제공함을 목적으로 한다.
본 발명은 기판상에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계; 리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 생길 영역중 일부영역의 상기 제1 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계; 상기 제1 게이트 절연막이 제거된 영역에 상기 제1 게이트 절연막보다 더 얇은 두께를 가지는 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계; 리셋트랜지스터의 게 이트 패턴이 생길 영역의 상기 제1 게이트 절연막을 남기고 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 게이트 절연막상에 리셋트랜지스터의 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서를 제공한다.
또한 본 발명은 포토다이오드; 도전성 불순물이 도핑된 센싱노드; 상기 포토다이오드에서 전달되는 전자를 상기 센싱노드로 전해주기 위한 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴; 전원전압단과 연결된 도전성 불순물이 도핑된 접합영역; 및 상기 센싱노드에 노이즈에 의해 생긴 전자를 상기 접합영역을 전달하기 위해, 상기 접합영역쪽의 퍼텐셜은 높게 상기 센싱노드쪽의 퍼텐셜은 낮게 유지되도록 구현된 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴을 구비하는 시모스 이미지센서를 제공한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시모스 이미지센서 및 그 동작을 나타내는 도면이다.
도5를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서는 리셋 트랜지스터의 채널부분에 플랫하게 형성하는 것이 아니라 센싱노드가 있는 일측방향은 퍼텐셜이 낮게, 전원전압단과 연결된 액티브영역은 퍼텐셜이 높게 형성하게 된다.
이를 위해 리셋 트랜지스터의 게이트 절연막을 균일하게 만들지 않고, 센싱노드가 있는 부분의 게이트 절연막은 얇게 전원전압단과 연결된 액티브영역은 두껍 게 형성한다.
이렇게 형성하여 리셋 트랜지스터의 채널내의 퍼텐셜 기울기를 발생시켜 리셋트랜지스터가 턴온되었다가 턴오프될 때 채널에 형성된 전자가 전원전압단과 연결된 액티브영역을 통해 전원전압단으로 모두 빠져나가도록 유도한다.
이렇게 함으로서 리셋트랜지스터의 채널 전하들이 센싱노드로 유입되는 것을 방지하여 파티션노이즈를 억제시킬 수 있다.
그로 인해 고화질의 이미지를 구현할 수 있게 된다.
도6a 내지 도6e는 도5에 도시된 시모스 이미지센서를 제조하는 방법을 나타내는 공정단면도이다.
도6a에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 시모스 이미지센서는 기판상에 소자분리막(31)을 형성하고, 제1 게이트 절연막(32)을 형성한다.
이어서 도6b에 도시된 바와 같이 감광막 패턴(33)을 형성하고, 감광막 패턴(33)을 식각마스크로 하여 제1 게이트 절연막(32)을 습식각공정을 이용해서 패터닝해낸다.
이 때 패터닝되는 제1 게이트 절연막(32)은 리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 형성된 부분중 일부분이 된다. 바람직하게는 리셋트랜지스터의 게이트 패턴의 1/2 정도 되는 영역의 제1 게이트 절연막(32)을 패터닝해낸다.
이어서 도6c에 도시된 바와 같이, 감광막 패턴(33)을 제거한다.
이어서 도6d에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 절연막(32)이 제거된 부분에 제1 게이트 절연막(32)보다 얇게 제2 게이트 절연막(34)을 형성한다.
이어서 도6e에 도시된 바와 같이, 제1 게이트 절연막(32)를 패터닝하고, 리셋트랜지스터의 게이트 패턴(35)을 형성한다.
이어서 리셋 트랜지스터 게이트 패턴(35)의 일측과 타측에 앤형 불순물 영역을 형성한다.
이상과 같이 제조된 시모스 이미지센서는 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴의 하단에 생기는 채널이 균일하지 않고, 센싱노드쪽의 퍼텐셜이 더 낮게 하여 파티션 노이즈를 제거할 수 있게 되었다.
또한, 본 실시예에서와 같이 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴의 절연막을 두단으로 하지 않고 서로 다른 두께를 가지는 다단으로 형성할 수 있으며, 또한 점진적으로 두께가 변화되도록 할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 의해서 리셋트랜지스터가 턴온되었다가 턴오프되는 순간의 채널에 있었던 전자로 인해 발생했던 파티션 노이즈를 제거할 수 있다. 따라서 입력된 이미지에 대한 정보를 보다 정확하게 구현할 수 있게 된다.
Claims (6)
- 포토다이오드;도전성 불순물이 도핑된 센싱노드;상기 포토다이오드에서 전달되는 전자를 상기 센싱노드로 전해주기 위한 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴;전원전압단과 연결된 도전성 불순물이 도핑된 접합영역; 및상기 센싱노드에 노이즈에 의해 생긴 전자를 상기 접합영역으로 전달하기 위해, 상기 접합영역쪽의 퍼텐셜은 높게 상기 센싱노드쪽의 퍼텐셜은 낮게 유지되도록 구현된 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴을 구비하는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴은 하단의 절연막 두께가 상기 접합영역쪽은 두껍게, 상기 센싱노드쪽은 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴은상기 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴의 하단부영역중 상기 센싱노드쪽의 1/2 영역에 배치된 제1 게이트용 절연막; 및상기 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴의 하단부영역중 상기 센싱노드 반대쪽 1/2 영역에 배치되되, 상기 제1 게이트용 절연막보다는 더 두껍게 배치된 제1 게이트용 절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터의 게이트 패턴은상기 접합영역쪽의 퍼텐셜은 높게 상기 센싱노드쪽의 퍼텐셜은 낮게 유지되도록 하단의 절연막이 적어도 2가지 이상의 서로 다른 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
- 기판상에 제1 게이트 절연막을 형성하는 단계;리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 생길 영역중 일부영역의 상기 제1 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계;상기 제1 게이트 절연막이 제거된 영역에 상기 제1 게이트 절연막보다 더 얇은 두께를 가지는 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계;리셋트랜지스터의 게이트 패턴이 생길 영역의 상기 제1 게이트 절연막을 남기고 나머지를 제거하는 단계; 및상기 제1 및 제2 게이트 절연막상에 리셋트랜지스터의 게이트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 시모스 이미지센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제1 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계는상기 제1 게이트 절연막상에 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 감광막 패턴을 식각마스크로 하여 습식각공정으로 상기 제1 게이트 절연막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100789575B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100824629B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US8901498B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit pixels, depth sensors and three-dimensional image sensors including the same |
| US11812175B2 (en) | 2021-05-07 | 2023-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of operating the same |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100789575B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-12-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100824629B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-04-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US8901498B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-12-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit pixels, depth sensors and three-dimensional image sensors including the same |
| US9103722B2 (en) | 2011-05-06 | 2015-08-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Unit pixels, depth sensors and three-dimensional image sensors including the same |
| US11812175B2 (en) | 2021-05-07 | 2023-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor and method of operating the same |
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| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |