KR20060077049A - Deposition apparatus and deposition method - Google Patents

Deposition apparatus and deposition method Download PDF

Info

Publication number
KR20060077049A
KR20060077049A KR1020040115692A KR20040115692A KR20060077049A KR 20060077049 A KR20060077049 A KR 20060077049A KR 1020040115692 A KR1020040115692 A KR 1020040115692A KR 20040115692 A KR20040115692 A KR 20040115692A KR 20060077049 A KR20060077049 A KR 20060077049A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposition
substrate
chamber
chambers
alarm
Prior art date
Application number
KR1020040115692A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김대석
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040115692A priority Critical patent/KR20060077049A/en
Publication of KR20060077049A publication Critical patent/KR20060077049A/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method.

본 발명의 실시 예에 따른 증착장치는 기판에 박막을 증착하는 다수개의 증착챔버와; 상기 증착챔버의 오류를 감시하는 알람부와; 상기 기판을 상기 알람이 발생된 증착챔버를 제외하고 나머지 증착챔버에 공급하는 트랜스 챔버를 구비한다.
A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a plurality of deposition chambers for depositing a thin film on a substrate; An alarm unit for monitoring an error of the deposition chamber; And a trans chamber for supplying the substrate to the remaining deposition chambers except the deposition chamber in which the alarm is generated.

Description

증착 장치 및 증착 방법{Deposition Apparatus and Deposition Method} Deposition Apparatus and Deposition Method             

도 1은 종래의 일렉트로 루미네센스 소자를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a conventional electro luminescence element.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 스퍼터 챔버내의 스퍼터링 장치를 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a view showing a sputtering apparatus in the sputter chamber shown in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 일렉트로 루미네센스 소자를 상세히 나타내는 단면도이다.
4 is a cross-sectional view showing in detail an electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 발광셀 2,4,6 : 스퍼터 챔버1: light emitting cells 2,4,6: sputter chamber

7 : 알람부 8 : 예열챔버7: alarm unit 8: preheating chamber

9 : 제어부 10 : 제1 로드락 챔버9 control unit 10 first load lock chamber

12 : 제2 로드락 챔버 14 : 트랜스퍼 챔버12: second load lock chamber 14: transfer chamber

120 : 유리 기판 122 : 애노드 전극 120 glass substrate 122 anode electrode

124 : 절연막 126 : 정공관련층124: insulating film 126: hole related layer

128 : 발광층 130 : 전자관련층128: light emitting layer 130: electron related layer

132 : 캐소드전극 134 : 게터 132: cathode electrode 134: getter                 

136 : 패키징판 138 : 실재136: packaging plate 138: real

140 : 반투과막
140: semi-permeable membrane

본 발명은 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로, 특히 증착방법의 가동률을 향상시킬 수 있는 증착장치 및 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method, and more particularly, to a deposition apparatus and a deposition method that can improve the operation rate of the deposition method.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하"PDP"라 함) 및 전계 발광 소자(Electro Luminescence Device : 이하 "EL"라 함) 등이 있다. 특히 EL 소자는 기본적으로 정공수송층, 발광층, 전자수송층으로 이루어진 EL 층의 양면에 전극을 붙인 형태의 것으로서, 넓은 시야각, 고개구율, 고색도 등의 특징 때문에 차세대 평판 표시 장치로서 주목받고 있다.Recently, various flat panel display devices that can reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes, have been developed. Such a flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel (hereinafter referred to as "PDP"), and an electroluminescent device (hereinafter, referred to as "PDP"). "EL"). In particular, the EL element is basically a form in which electrodes are attached to both sides of an EL layer composed of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, and are attracting attention as a next-generation flat panel display due to features such as wide viewing angle, high opening ratio, and high color.

이러한 EL 소자는 사용하는 재료에 따라 크게 무기 EL 소자와 유기 EL 소자로 나뉘어진다. 이 중 유기 EL 소자는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성된 유기 EL 층에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내기 때문에 무기 EL 소자에 비해 낮은 전압으로 구동 가능하다는 장점이 있다. 또한, 유기 EL 소자는 플라스틱같이 휠 수 있는(Flexible) 투명기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, PDP나 무기 EL 소자에 비해 10V 이하의 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 작으며, 색감이 뛰어나다. Such EL elements are largely divided into inorganic EL elements and organic EL elements depending on the materials used. Among them, the organic EL device can be driven at a lower voltage than the inorganic EL device because when the charge is injected into the organic EL layer formed between the hole injection electrode and the electron injection electrode, electrons and holes are paired up and extinguished to emit light. There is this. In addition, the organic EL element can be formed on a flexible transparent substrate, such as plastic, and can be driven at a voltage lower than 10 V compared to a PDP or an inorganic EL element, and the power consumption is relatively small. , Excellent color.

도 1은 종래의 EL 패널을 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional EL panel.

도 1을 참조하면, 종래의 EL 패널은 열방향으로 배열된 데이터 라인(DL)과, 데이터 라인(DL)과 교차하는 게이트 라인(GL)과, 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(GL)의 교차영역에 형성되는 발광셀(1)을 구비한다. 발광셀(1)들 각각은 음극과 접속된 게이트 라인(GL)에 스캔펄스가 인가될 때 선택되어 양극과 접속된 데이터 라인(DL)에 공급되는 화소신호, 즉 전류신호에 상응하는 빛을 발생하게 된다Referring to FIG. 1, a conventional EL panel includes a data line DL arranged in a column direction, a gate line GL crossing the data line DL, and a data line DL and a gate line GL. The light emitting cell 1 is formed in an intersection area. Each of the light emitting cells 1 is selected when a scan pulse is applied to the gate line GL connected to the cathode to generate light corresponding to a pixel signal, that is, a current signal, supplied to the data line DL connected to the anode. Will be

이와 같은 구조를 가지는 EL 패널의 전극 단자 및 신호라인들을 스퍼터장치를 이용하여 전극 물질로 이용되는 물질을 기판 상에 전면 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다. 일반적인 스퍼터 장치는 진공챔버와 펌프, 음극에 연결된 타겟, 그리고 막이 증착되는 기판으로 구성된다. 성막시 박막의 오염을 줄이면서 증착속도를 빠르게 하기 위해, 자기장을 인가시켜 타겟 표면 가까이에 강렬한 플라즈마를 거두어 둠으로써 보다 효과적으로 가스의 이온화를 유도하고 그 결과 증착 속도를 증가시키게 된다.The electrode terminals and signal lines of the EL panel having such a structure are formed by entirely depositing a material used as an electrode material on a substrate and then patterning the same using a sputtering device. A typical sputter device consists of a vacuum chamber, a pump, a target connected to a cathode, and a substrate on which a film is deposited. In order to reduce the contamination of the thin film at the time of film formation, the intense plasma is applied near the target surface by applying a magnetic field to induce gas ionization more effectively and consequently increase the deposition rate.

이와 같이 비교적 저압에서도 증착속도를 빠르게 할 수 있는 것은 타겟의 후방에 위치한 마그네트에 의해 생긴 자기장이 타겟 표면 위의 공간에서 원형의 경로로 움직이는 전자의 이동거리를 증대시켜 줌으로써 이들 전자가 효과적으로 불활성 원자의 이온화를 돕기 때문이다. 그 결과, 이온화될 때 생긴 하전입자가 타겟 표 면을 향해 가속되어 타겟 표면의 원자들을 보다 효과적으로 뜯어내어 기판에 증착시키게 된다. Such a rapid deposition rate even at a relatively low pressure is because the magnetic field generated by the magnet located behind the target increases the moving distance of electrons moving in a circular path in the space on the target surface. This is because it aids in ionization. As a result, the charged particles generated when ionized are accelerated toward the target surface to more effectively remove atoms from the target surface and deposit them on the substrate.

이러한 증착 공정 중 증착챔버에서 기판이 파손될 경우, 공정 전체가 중단된 후, 기판을 제거하고 증착 공정을 재시작하게 된다. 이때, 증착챔버에 있는 기판 모두를 카세트로 회수하고, 증착챔버를 교체한 후에 증착 공정을 재시작해야 하기 때문에 증착 공정을 재시작하기 위하여 많은 시간이 소요되는 문제점이 있다.
If the substrate is damaged in the deposition chamber during the deposition process, after the whole process is stopped, the substrate is removed and the deposition process is restarted. At this time, since all the substrates in the deposition chamber are recovered to the cassette and the deposition process is restarted after the deposition chamber is replaced, it takes a long time to restart the deposition process.

따라서, 본 발명의 목적은 증착 공정의 가동률을 향상시킬수 있는 증착장치 및 증착방법을 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method that can improve the operation rate of the deposition process.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치는 기판에 박막을 증착하는 다수개의 증착챔버와; 상기 증착챔버의 오류를 감시하는 알람부와; 상기 기판을 상기 알람이 발생된 증착챔버를 제외하고 나머지 증착챔버에 공급하는 트랜스 챔버를 구비한다.In order to achieve the above object, a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention comprises a plurality of deposition chambers for depositing a thin film on a substrate; An alarm unit for monitoring an error of the deposition chamber; And a trans chamber for supplying the substrate to the remaining deposition chambers except the deposition chamber in which the alarm is generated.

상기 알람이 발생한 증착챔버를 제외한 나머지 증착챔버에 기판을 공급하도록 상기 트랜스퍼 챔버를 제어하는 제어부를 더 구비한다.A control unit for controlling the transfer chamber to supply the substrate to the remaining deposition chamber other than the deposition chamber in which the alarm occurred.

상기 제어부는 상기 알람이 발생한 증착챔버를 제외한 나머지 증착챔버에 상기 기판을 공급하는 공급순서를 미리 저장하는 것을 특징으로 한다. The controller may store in advance a supply order for supplying the substrate to the remaining deposition chambers other than the deposition chamber in which the alarm has occurred.                     

상기 기판이 상기 증착챔버에 공급되기 전 예열하는 예열 챔버와; 상기 기판을 이송하기 위한 로드락 챔버를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.A preheating chamber for preheating the substrate before it is supplied to the deposition chamber; And a load lock chamber for transferring the substrate.

상기 박막은 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 적어도 하나를 형성하기 위한 금속막인 것을 특징으로 한다.The thin film is a metal film for forming at least one of a cathode electrode and an anode electrode.

본 발명의 실시 예에 따른 증착방법은 기판에 박막을 증착하는 다수개의 증착챔버 중 적어도 하나에 오류가 발생하여 알람이 발생하는 단계와; 상기 기판을 상기 알람이 발생된 증착챔버를 제외하고 나머지 증착챔버에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.A deposition method according to an embodiment of the present invention includes the steps of generating an error in at least one of a plurality of deposition chambers for depositing a thin film on a substrate to generate an alarm; And supplying the substrate to the remaining deposition chambers except the deposition chamber in which the alarm is generated.

상기 기판이 상기 증착챔버에 공급되기 전 예열하는 단계와; 트랜스퍼 챔버를 이용하여 상기 예열된 기판을 상기 증착챔버에 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preheating the substrate before it is supplied to the deposition chamber; And supplying the preheated substrate to the deposition chamber using a transfer chamber.

상기 박막은 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 적어도 하나를 형성하기 위한 금속막인 것을 특징으로 한다.The thin film is a metal film for forming at least one of a cathode electrode and an anode electrode.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 종래의 스퍼터 장치의 진공챔버는 기판 상에 전극을 형성하는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)와, 기판을 예열하는 예열 챔버(8)와, 기판 을 트랜스퍼 챔버(14)로 이동시키기 위하여 진공 및 대기상태를 반복하는 제1 및 제2 로드락 챔버(10,12)와, 각 챔버들간에 기판을 이동시키기 위한 트랜스퍼 챔버(14)들을 구비한다.Referring to FIG. 2, a vacuum chamber of a conventional sputtering apparatus includes a first to third sputter chambers 2, 4 and 6 for forming electrodes on a substrate, a preheating chamber 8 for preheating the substrate, and a substrate. First and second load lock chambers 10 and 12 repeating vacuum and atmospheric conditions to move to the transfer chamber 14, and transfer chambers 14 to move the substrate between the chambers.

예열 챔버(8)는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)의 고온보다 상대적으로 낮은 온도로 기판을 예열한다. 즉, 예열 챔버(8)는 기판이 스퍼터 챔버들(2,4,6)로 이동되기전 기판을 예열하여 기판에 무리가 오는 것을 방지한다. The preheating chamber 8 preheats the substrate to a temperature relatively lower than the high temperatures of the first to third sputter chambers 2, 4, 6. In other words, the preheating chamber 8 preheats the substrate before the substrate is moved to the sputter chambers 2, 4, 6 to prevent overloading the substrate.

제1 및 제2 로드락 챔버(10,12)는 도시되지 않은 카세트와 트랜스퍼 챔버(14)간에 기판을 이동시키기 위하여 진공 및 대기상태를 반복한다. 이 제1 및 제2 로드락 챔버(10,12)는 대기에서 고진공으로 들어가기 위한 압력차이를 극복하는 역할을 한다.The first and second load lock chambers 10 and 12 repeat vacuum and atmospheric conditions to move the substrate between the cassette and transfer chamber 14, not shown. These first and second load lock chambers 10 and 12 serve to overcome pressure differences for entering high vacuum in the atmosphere.

트랜스퍼 챔버(14)는 고진공 상태에서 도시되지 않은 로봇에 의해 기판을 각 챔버들(2,4,6,8,10,12)로 이동시킨다. 이 트랜스퍼 챔버(14)는 기판을 각 챔버(2,4,6,8,10,12)로 이동시키기 위한 순서를 제어하는 제어부(9)를 구비한다.The transfer chamber 14 moves the substrate to the respective chambers 2, 4, 6, 8, 10, 12 by a robot not shown in the high vacuum state. The transfer chamber 14 has a control unit 9 for controlling the order for moving the substrate to the respective chambers 2, 4, 6, 8, 10, 12.

제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)는 소정의 고온에서 전극물질을 진공 증착시킨다. 이 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)는 공정마다 타겟의 종류를 달리하여 기판 상에 증착시키게 된다. 이러한 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)는 각 스퍼터 챔버(2,4,6)의 상태를 감시하는 알람부(7)를 구비한다.The first to third sputter chambers 2, 4 and 6 vacuum deposit the electrode material at a predetermined high temperature. The first to third sputter chambers 2, 4 and 6 are deposited on a substrate by varying the type of target for each process. These first to third sputter chambers 2, 4 and 6 include an alarm unit 7 for monitoring the state of each sputter chamber 2, 4 and 6.

이와 같은 구조를 가지는 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)에 알람기능을 가지는 알람부(7)를 구비한다. 이 알람부(7)는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)에서 오류 예를 들면, 챔버(2,4,6) 내부에서 기판파손이 발생하거나, 챔버(2,4,6)내의 진공상태가 해제되거나, 챔버(2,4,6)에 공급되는 전원이 다운되거나 하는 경우가 발생하면, 트랜스퍼 챔버(14)를 제어하는 제어부(9)에 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6) 중 어느 하나에 오류가 발생했음을 알람하게 된다. 제어부(9)는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6)의 알람부(7)로부터 알람이 발생할 경우, 알람이 발생된 스퍼터 챔버를 기판 이송 순서에 제거하게 된다. 여기서, 제어부(9)는 제1 내지 제3 스퍼터 챔버(2,4,6) 중 적어도 하나가 제거된 순서를 미리 설정한 후, 알람부(7)에 의하여 미리 설정된 순서를 따라 기판을 이송하게 된다. 이와 같은 방법으로 구동되는 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치는 3개의 스퍼터 챔버(2,4,6) 중 어느 하나에 오류가 발생하더라도 각 스퍼터 챔버(2,4,6)에 장착된 알람부(7)와 트랜스퍼 챔버(14)에 의하여 오류가 발생한 스퍼터 챔버를 제외한 나머지 스퍼터 챔버를 이용하여 증착 공정을 실시함으로써 공정이 중단되지 않고 진행되게 된다. 이에 따라, 스퍼터 챔버의 오류로 인하여 기판 모두를 회수하지 않게 됨으로 증착공정의 재시작이 용이하게 이루어질 수 있다.The deposition apparatus according to the embodiment of the present invention having such a structure includes an alarm unit 7 having an alarm function in the first to third sputter chambers 2, 4 and 6. The alarm unit 7 has an error in the first to third sputter chambers 2, 4, 6, for example, a substrate breakage occurs in the chambers 2, 4, 6, or the chambers 2, 4, 6. When the vacuum in the chamber is released or when the power supplied to the chambers 2, 4, 6 is turned down, the first to third sputter chambers ( 2, 4, and 6) to alarm that an error has occurred. When the alarm occurs from the alarm unit 7 of the first to third sputter chambers 2, 4 and 6, the control unit 9 removes the sputter chamber where the alarm is generated in the substrate transfer order. Here, the controller 9 presets an order in which at least one of the first to third sputter chambers 2, 4, and 6 is removed, and then transfers the substrate in the order set by the alarm unit 7. do. In the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention driven in this manner, even if an error occurs in any one of the three sputter chambers 2, 4 and 6, an alarm unit mounted in each sputter chamber 2, 4 and 6 The process is carried out without interruption by performing the deposition process using the sputter chambers other than the sputter chamber where the error is caused by the 7 and the transfer chamber 14. Accordingly, the substrate may not be recovered due to an error in the sputter chamber, and thus the deposition process may be easily restarted.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터 챔버에 장착된 스퍼터링 장치를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a sputtering apparatus mounted to a sputter chamber according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 스퍼터링 장치는 기판(24)이 안착되며 선회운동이 가능하게 설치되는 플레이튼(26)과, 소정 경사각으로 세워지는 타겟(20)과, 타겟(20)이 부착된 백킹 플레이트(16)와, 백킹 플레이트(16)의 위쪽에 설치되는 마그네트(18)와, 타겟(20)에 스퍼터링된 물질이 증착되는 기판(24)과, 기판(24)과 타겟(20) 사이에 형성되는 마스크(22)를 구비한다. Referring to FIG. 3, the sputtering apparatus according to the embodiment of the present invention includes a platen 26 on which the substrate 24 is seated and is pivotably mounted, a target 20 erected at a predetermined inclination angle, and a target ( A backing plate 16 to which the 20 is attached, a magnet 18 installed above the backing plate 16, a substrate 24 on which a sputtered material is deposited on the target 20, and a substrate 24. A mask 22 formed between the targets 20 is provided.                     

타겟(20)은 실제 증착되는 물질을 말하며, 대전된 2차전자가 충돌하여 증착물질이 튕겨져 나가게 된다. 백킹 플레이트(16)는 타겟(20)을 지지하게 되며, 챔버 내부에 직접 접하는 타겟(20)의 온도를 제어하는 역할을 하게 된다. 플레이튼(26)은 힌지형태로 모터의 회전축(28)에 체결되어 모터의 구동에 의해 기판(24) 안착시와 증착시에 소정 경사각으로 회전하게 되어 증착공정시 타겟(20)과의 간격을 조절하게 된다.The target 20 refers to a material that is actually deposited, and the charged secondary electrons collide to bounce off the deposition material. The backing plate 16 supports the target 20 and serves to control the temperature of the target 20 directly in contact with the inside of the chamber. The platen 26 is hinged to the rotating shaft 28 of the motor to rotate at a predetermined inclination angle when the substrate 24 is seated and deposited by the driving of the motor, thereby reducing the distance from the target 20 during the deposition process. Will be adjusted.

마스크(22)는 증착시 플라즈마가 형성되는 공간으로 기판(24)의 비성막부분을 결정하게 된다. 마스크(22)는 마스크(22)를 타겟(20) 및 기판(24)과 나란하게 세우기 위한 지지대(36)와, 마스크(22)의 뒷면에 형성되는 장치(도시하지 않음)와 마스크(22)를 고정하기 위한 고정용 마스크 캡(32)과, 플라즈마가 형성되는 공간을 마련하기 위한 방착판(34)을 구비한다.The mask 22 determines a non-film portion of the substrate 24 as a space where plasma is formed during deposition. The mask 22 includes a support 36 for placing the mask 22 in parallel with the target 20 and the substrate 24, an apparatus (not shown) and a mask 22 formed on the rear surface of the mask 22. And a fixing mask cap 32 for fixing the light emitting device, and an adhesion plate 34 for providing a space in which the plasma is formed.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치에 의하여 형성되는 EL 패널의 일부를 상세히 나타낸 도면이다.4 is a view showing in detail a part of the EL panel formed by the vapor deposition apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 EL 패널(154)은 유리기판(120) 상에 투명전극 패턴으로 애노드전극(122)을 형성하고, 그 위에 절연막(124), 정공관련층(126), 발광층(Emitting Layer : EMI)(128), 전자관련층(130)이 적층된다. 전자관련층(130) 상에는 금속전극으로 캐소드전극(132)이 형성된다. Referring to FIG. 4, the EL panel 154 according to the embodiment of the present invention forms the anode electrode 122 in a transparent electrode pattern on the glass substrate 120, and the insulating film 124, the hole related layer ( 126, an emitting layer (EMI) 128, and an electron related layer 130 are stacked. The cathode electrode 132 is formed as a metal electrode on the electronic layer 130.

애노드전극(122)은 유리기판(120) 위에 ITO, IZO, ITZO 등의 투명전도성 물질로 형성된다. 절연막(124)은 포토리소그래피(Photolithgraphy) 공정에 의해 애노드전극(122) 상에 형성된다. The anode electrode 122 is formed of a transparent conductive material such as ITO, IZO, or ITZO on the glass substrate 120. The insulating film 124 is formed on the anode 122 by a photolithgraphy process.                     

정공관련층(126)에는 애노드전극(122) 상에 정공주입층(Hole Injection Layer : HIL), 정공운송층(Hole Transport Layer : HTL)이 순차적으로 형성된다.In the hole related layer 126, a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL) are sequentially formed on the anode electrode 122.

발광층(128)은 빛을 내는 기능을 하지만 주로 전자 혹은 정공을 운반하는 기능도 함께 하는 것이 대부분이다.The light emitting layer 128 functions to emit light, but mostly also serves to transport electrons or holes.

전자관련층(130)에는 전자운송층(Electron Transport Layer : ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer : EIL)이 발광층(128) 상에 순차적으로 적층된다.The electron transport layer (ETL) and the electron injection layer (EIL) are sequentially stacked on the emission layer 128 in the electron related layer 130.

정공관련층(126), 발광층(128) 및 전자관련층(130)은 저분자 화합물인 경우에는 진공증착에 의해 형성되며, 고분자 화합물의 경우에는 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 잉크젯 프린팅 방식 등에 의해 형성된다.The hole related layer 126, the light emitting layer 128, and the electron related layer 130 are formed by vacuum deposition in the case of a low molecular weight compound, and are formed by spin coating or inkjet printing in the case of a polymer compound. .

캐소드전극(132)은 반사율이 높은 Al, Ag 등이 쓰일 수 있으나 많은 경우 알루미늄(Al)과 같은 금속이 이용된다. The cathode electrode 132 may be Al, Ag, or the like having high reflectance, but in many cases, a metal such as aluminum (Al) is used.

이와 같은, 유기 EL 패널(154)의 발광층(128)은 대기 중의 수분 및 산소에 쉽게 열화 되는 특성으로 인하여 인캡슐레이션(Encapsulation) 방법에 따라 에폭시 수지와 같은 실재(138)를 사이에 두고 애노드전극(122)과 패키징판(136)이 합착된다.Since the light emitting layer 128 of the organic EL panel 154 is easily deteriorated by moisture and oxygen in the air, the anode electrode is interposed between a material 138 such as an epoxy resin according to an encapsulation method. The 122 and the packaging plate 136 are bonded.

패키징판(136)은 유리, 플라스틱, 캐니스터(Canister) 등을 재료로 하여 형성된다. 이 패키징판(136)의 배면 중앙부에는 수분 및 산소를 흡수하기 위한 게터(Getter)(134)가 충진될 수 있도록 오목하게 형성되고, 이 오목한 공간에는 BaO, CaO 등의 물질이 충진된다. 또한, 흡습제인 게터(134)가 발광층(128)에 떨어지는 것을 방지하기 위하여 패키징판(136)의 배면에는 수분(H2O) 및 산소(O2) 등이 드나들도록 반투과막(140)이 부착된다. 반투과막(140)은 테프론, 폴리에스테르 및 종이 등의 재료가 이용된다.
The packaging plate 136 is formed of glass, plastic, canister, or the like as a material. A central portion of the rear surface of the packaging plate 136 is recessed to fill a getter 134 for absorbing moisture and oxygen, and the concave space is filled with materials such as BaO and CaO. In addition, in order to prevent the getter 134, which is a moisture absorbent, from falling on the light emitting layer 128, the semi-transmissive layer 140 is formed on the back surface of the packaging plate 136 so that water (H 2 O), oxygen (O 2 ), and the like are introduced into and out of the package plate 136. Attached. The transflective film 140 is made of a material such as Teflon, polyester and paper.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치 및 증착방법은 오류가 발생한 스퍼터 챔버를 제외하고 나머지 스퍼터 챔버를 이용하여 기판을 회수하는 일 없이 증착공정을 진행함으로써 공정이 중단되지 않으며 진행할 수 있게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 증착장치 및 증착공정은 오류가 발생한 스퍼터 챔버의 복구 및 재시작이 용이해 진다.As described above, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention can proceed without stopping the process by proceeding the deposition process without recovering the substrate using the remaining sputter chamber except for the sputter chamber in which the error occurs Will be. Accordingly, the deposition apparatus and the deposition process according to the embodiment of the present invention facilitate the recovery and restart of the sputter chamber in which an error occurs.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (8)

기판에 박막을 증착하는 다수개의 증착챔버와;A plurality of deposition chambers for depositing a thin film on the substrate; 상기 증착챔버의 오류를 감시하는 알람부와;An alarm unit for monitoring an error of the deposition chamber; 상기 기판을 상기 알람이 발생된 증착챔버를 제외하고 나머지 증착챔버에 공급하는 트랜스 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.And a trans chamber for supplying the substrate to the remaining deposition chambers except the deposition chamber in which the alarm is generated. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 알람이 발생한 증착챔버를 제외한 나머지 증착챔버에 기판을 공급하도록 상기 트랜스퍼 챔버를 제어하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치. And a controller for controlling the transfer chamber to supply a substrate to the remaining deposition chambers other than the deposition chamber in which the alarm has occurred. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제어부는 The control unit 상기 알람이 발생한 증착챔버를 제외한 나머지 증착챔버에 상기 기판을 공급하는 공급순서를 미리 저장하는 것을 특징으로 하는 증착장치.And a supply order for supplying the substrate to the remaining deposition chambers other than the deposition chamber in which the alarm has occurred. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판이 상기 증착챔버에 공급되기 전 예열하는 예열 챔버와;A preheating chamber for preheating the substrate before it is supplied to the deposition chamber; 상기 기판을 이송하기 위한 로드락 챔버를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 증착장치.And a load lock chamber for transferring the substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막은 The thin film is 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 적어도 하나를 형성하기 위한 금속막인 것을 특징으로 하는 증착장치.And a metal film for forming at least one of a cathode electrode and an anode electrode. 기판에 박막을 증착하는 다수개의 증착챔버 중 적어도 하나에 오류가 발생하여 알람이 발생하는 단계와;Generating an alarm by generating an error in at least one of a plurality of deposition chambers for depositing a thin film on a substrate; 상기 기판을 상기 알람이 발생된 증착챔버를 제외하고 나머지 증착챔버에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.And supplying the substrate to the remaining deposition chambers other than the deposition chamber in which the alarm is generated. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 기판이 상기 증착챔버에 공급되기 전 예열하는 단계와;Preheating the substrate before it is supplied to the deposition chamber; 트랜스퍼 챔버를 이용하여 상기 예열된 기판을 상기 증착챔버에 공급하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착방법.And supplying the preheated substrate to the deposition chamber using a transfer chamber. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 박막은 The thin film is 캐소드 전극 및 애노드 전극 중 적어도 하나를 형성하기 위한 금속막인 것을 특징으로 하는 증착방법.A metal film for forming at least one of the cathode electrode and the anode electrode.
KR1020040115692A 2004-12-29 2004-12-29 Deposition apparatus and deposition method KR20060077049A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115692A KR20060077049A (en) 2004-12-29 2004-12-29 Deposition apparatus and deposition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040115692A KR20060077049A (en) 2004-12-29 2004-12-29 Deposition apparatus and deposition method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060077049A true KR20060077049A (en) 2006-07-05

Family

ID=37169170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040115692A KR20060077049A (en) 2004-12-29 2004-12-29 Deposition apparatus and deposition method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060077049A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140108008A (en) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 Sputtering apparatus
KR20220130434A (en) * 2021-03-18 2022-09-27 주식회사 에이치앤이루자 Sputtering Method
WO2024025333A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 엘지전자 주식회사 Load-lock chamber and coating process system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140108008A (en) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 Sputtering apparatus
KR20220130434A (en) * 2021-03-18 2022-09-27 주식회사 에이치앤이루자 Sputtering Method
WO2024025333A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 엘지전자 주식회사 Load-lock chamber and coating process system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4493926B2 (en) Manufacturing equipment
US20050258741A1 (en) Organic electro-luminescence display device and fabricating method thereof
JP2004307976A (en) Mask, vessel, and manufacturing apparatus
US7932113B1 (en) Method of fabricating organic light emitting diode display
KR100663028B1 (en) Organic Electro Luminescence Device and the fabrication method of thereof
JP4252317B2 (en) Vapor deposition apparatus and vapor deposition method
US20080268567A1 (en) Method for fabricating organic light emitting display
JP4373235B2 (en) Film forming apparatus and film forming method
TW200421521A (en) Table device, film-forming apparatus, optical element, semiconductor element, and electric apparatus
KR100860336B1 (en) The holding instrument for organic electroluminescent devices
JP4494126B2 (en) Film forming apparatus and manufacturing apparatus
KR20060077049A (en) Deposition apparatus and deposition method
KR20050094150A (en) Masking apparatus and method and apparatus for fabricating organic electro luminescence device using the same
KR100786844B1 (en) Apparatus for manufacturing an organic light emitting display
JP2004288463A (en) Manufacturing device
JP2008293675A (en) Deposition device and organic el element
KR100709265B1 (en) Apparatus and method for sputtering organic matter
JP2006089850A (en) Sputtering apparatus with facing targets, and method for manufacturing organic electroluminescent display device using the same
KR100780047B1 (en) source rotater structure of organic electroluminescent devices
KR20040106923A (en) Apparatus and method of employing self-assembled molecules to function as an electron injection layer of oled
KR100495872B1 (en) Shadowmask attaching method for organic light emitting device and apparatus adopting the same
KR101362147B1 (en) Method For Fabricating Organic Thin Film Pattern And Method For Fabricating Organic Electro-luminescence Display Device Using The Same
JP2003109755A (en) Manufacturing equipment of organic el device
KR20060027280A (en) Faced target sputtering device and method of fabricating oled by using the same
JP2008163384A (en) Sputtering apparatus, trap for sputtering, film-forming method and method for manufacturing organic electroluminescence apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid