KR20060075344A

KR20060075344A - 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조

Info

Publication number: KR20060075344A
Application number: KR1020040114121A
Authority: KR
Inventors: 하승철
Original assignee: 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2004-12-28
Publication date: 2006-07-04

Abstract

본 발명은 프로세스 챔버(10)와, 플라즈마를 발생시키는데 필요한 고주파 전력을 발생하는 RF 발생기(20)와, 프로세스 챔버(10)를 진공으로 만드는 진공펌프(30)와, 플라즈마 에칭시 발생하는 열로 인하여 챔버(10) 내부의 온도가 올라가는 것을 방지하는 냉각장치(40)를 포함하는 플라즈마 에칭장비에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 가스홀은 그 가스 유입구(22)의 직경을 가스의 유출구(24)의 직경을 작게 형성하여 분사 가스의 유속을 빠르게 하는 것이 특징이다.

본 발명에 의하면, 간단한 설계변경으로 가스홀의 구조를 변경하여 가스분사속도를 증가시킴으로서 큰 분사 효과를 얻게되어, 플라즈마 생성의 위치를 윈도우로부터 멀어지게 하여 결함원인을 근본적으로 차단하여 안정적인 프로세스 상태를 유지하는 효과를 가진다.

Description

플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조{GAS HOLE STRUCTURE OF AN ETCHING APPARATUS}

도 1은 종래의 플라즈마 에칭장치의 구성을 나타내는 개략도이고,

도 2는 도 1 플라즈마 에칭장치의 가스홀 구조를 나타내는 상세도이고,

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 에칭장치의 가스홀 구조를 나타내는 상세도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

10 : 프로세스 챔버 11 : 정전척(ESC)

12 : 플래튼 링 13 : 챔버월

14 : 플레이트 윈도우 15 : 가스주입홀

17 : 폴리머 20 : RF 발생기

30 : 진공펌프 40 : 냉각장치

본 발명은 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조를 위한 플라즈마 에칭시 블록 결함 또는 파티클의 발생을 감소할 수 있는 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정중 에칭공정이란, 포토 레지스트(Photo Resist)를 이용하여 형성된 마스크 지역 이외의 막질(Poly, Oxide, Metal)을 가스 또는 케미칼 용액의 식각물질을 이용하여 제거하는 것으로, 방법에 따라 습식 식각(Wet Etch)와 건식 식각(Dry Etch) 또는 플라즈마 식각(Plasma Etch)으로 나누어진다.

건식 식각은 플라즈마 가스를 이용하는 것으로, 이방성(Anisotropic) 식각특성을 가지며, 하부 막질에 대한 손상(Damage)이 발생하고 폴리머의 찌꺼기등이 발생하지만, 현재 대부분의 식각 공정에 이용되고 있다.

플라즈마란 진공분위기에서 가스 상태의 분자에 고 에너지를 가하여 분자를 이온화, 분해시켜서 활성화된 이온, 전자, 레디칼(Radical), 중성자등이 형성되는 상태를 의미하는 것으로, 최근의 플라즈마 에칭의 반응 방식은 주로 레디칼과 반응성 이온에 의한 식각방법으로, 물리적 반응과 화학반응의 효과를 동시에 이용하는 RIE(Reactive Ion Etch)방식이 주를 이루고 있다. 즉, 이온의 물리적 충돌로 막질의 결정구조를 깨트리면서 화학반응으로 식각함으로서 물리적인 손상을 최소화하면서도 이방성 식각이 가능함에 널리 이용되고 있다.

이러한 플라즈마 에칭 반응 장비는 상술한 RIE 에처(Etcher)와, 기존의 RIE 장비에 플라즈마 밀도의 향상을 위해 전자석 코일을 부착한 MERIE(Magnetically Enhanced RIE)가 있고, 또한 식각률을 향상하고, 이방성 식각시의 프로파일(Profile)을 개선하고, 하부 막질에 대한 손상을 최소화하기 위해, 플라즈마 밀도 를 높이기 위해 HDP (HIGH Density Plasma) 에처로서 ECR, Hellicon, TCP, ICP등의 여러종류가 있다.

도 1에 전형적인 플라즈마 에칭장비의 구성을 나타내고 있고, 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 에칭장비의 프로세스 챔버(10)와, 플라즈마를 발생시키는데 필요한 13.56Mhz의 고주파 전력을 발생하는 RF Generator(20)와, 프로세스 챔버(10)를 1Torr 이하의 진공으로 만드는 진공펌프(30)와, 플라즈마 에칭시 발생하는 열로 인하여 챔버(10) 내부의 온도가 올라가는 것을 방지하는 냉각장치(40)(chiller)를 포함한다.

프로세스 챔버(10)는 하측에 위치되어 상면에 웨이퍼(W)를 척킹(Chucking)함과 아울러 척킹된 웨이퍼의 온도를 조절하는 정전척(11)(ESC: Electro Static Chuck)과, 정전척(11)의 외주면(11a)에 일정간격을 두고 설치되는 플래튼 링(12)(platen ring)과, 플래튼 링(12)의 상측에 설치되는 챔버월(13)(chamber wall)과, 챔버월(13)의 상측에 위치되는 세라믹 플레이트 윈도우(14)를 포함하며, 플레이트 윈도우(14)에는 에칭용 가스 주입홀(15)이 제공된다.

하지만, 이상과 같은 종래의 플라즈마 에칭장비는 그 에칭용 가스 주입홀(15)을 통해 가스가 주입되는 바, 그 크기는 통상 1-2mm로서 가스의 유속이 상대적으로 낮아서, 도 2에 도시된 바와 같이, 플레이트 윈도우(14)에 인접하여 플라즈마가 형성되므로, 가스 주입홀(15)의 주변에 폴리머(17)가 불균일하게 침적되며, 반복되는 침적에 의해 에칭중에 떨어짐으로 인하여 결함의 원인이 되는 경향이 있다.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 가스 주입구의 출구 크기를 작게 하여 가스의 분사속도를 증가시킬 수 있는 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조를 제공하는 것이다.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은 프로세스 챔버와, 플라즈마를 발생시키는데 필요한 고주파 전력을 발생하는 RF 발생기와, 프로세스 챔버를 진공으로 만드는 진공펌프와, 플라즈마 에칭시 발생하는 열로 인하여 챔버 내부의 온도가 올라가는 것을 방지하는 냉각장치를 포함하는 플라즈마 에칭장비에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 가스홀은 그 가스 유입구의 직경보다 가스 유출구의 직경을 작게 형성하여 분사 가스의 유속을 빠르게 하는 것이 특징이다.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조를 나타내는 것으로, 도시된 바와 같이, 본 발명은 도 1에 도시된 종래의 플라즈마 에칭장비와는 가스홀의 구조이외에는 모두 동일한 구성이고, 본 발명의 가스홀의 구조는 가스 유입구(22)의 직경보다 가스 유출구(24)의 직경을 작게 형성한 것이 특징이다.

도 1을 참조하여 설명하면, 플라즈마 에칭장비는 프로세스 챔버(10)와, 플라즈마를 발생시키는데 필요한 13.56Mhz의 고주파 전력을 발생하는 RF Generator(20)와, 프로세스 챔버(10)를 1Torr 이하의 진공으로 만드는 진공펌프(30)와, 플라즈마 에칭시 발생하는 열로 인하여 챔버(10) 내부의 온도가 올라가는 것을 방지하는 냉각장치(40)(chiller)를 포함한다.

본 발명에 따른 에칭용 가스 주입홀(15)은 가스 유입구(22)의 직경을 종래와 동일하게 하고, 가스 유출구(22)에는 도시된 실시예로서 경사부재(26)를 삽입하여 가스의 유출구(24)의 직경을 작게하거나, 도시하지는 않았지만, 별도의 부재를 사용하여 가스 유출구(24)의 직경을 작게할 수도 있음은 물론이다.

이상과 같이 구성된 본 발명의 가스홀의 구조를 통해 가스가 분사되면, 가스의 분사속도가 종래보다 빨라지므로서, 플레이트 윈도우(14)의 하면에서 멀리 떨어져서 플라즈마가 형성된다. 또한, 플레이트 윈도우(14)에 침적되는 폴리머(17)역시 종래에 비해서는 균일하게 침적되므로, 침적이 반복되더라도 에칭중에 떨어지는 현상이 저감된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비의 가스홀의 구조는 가스분사속도를 증가시키도록 변경함으로서, 큰 가스 분사 효과를 얻게되어, 플라즈마 생성의 위치를 윈도우로부터 멀어지게 함에 따라 플라즈마를 이용한 건식 식각시의 결함원인을 근본적으로 차단하여 안정적인 프로세스 상태를 유지하는 효과를 가진다.

또한 본 발명의 가스홀구조는 고집적화에 따라 누설원과, 샷(shot)등의 작용에 의해 소자의 동작에 영향을 주는 경향이 크므로, 이러한 블록 결함과 파티클의 발생을 해결하기 위해, 프로세스를 변경하거나 파워를 인가하는 코일의 형상을 변경하는 등의 과정을 거치지만, 이러한 과정은 대규모의 투자비용이 소모되며, 장치의 특성에 변화를 초래할 가능성이 매우 높일 여지가 많지만, 이를 행할 필요가 없이 가스홀의 형상을 변경하는 간단한 방법으로 기존 공정과 장비를 그대로 유지함으로서 투자비용을 최소화하면서도 고집적화가 가능한 효과를 가진다.

이상에 설명한 것은 본 발명에 따른 하나의 실시예에 불과한 것으로, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims

프로세스 챔버와, 플라즈마를 발생시키는데 필요한 고주파 전력을 발생하는 RF 발생기와, 프로세스 챔버를 진공으로 만드는 진공펌프와, 플라즈마 에칭시 발생하는 열로 인하여 챔버 내부의 온도가 올라가는 것을 방지하는 냉각장치를 포함하는 플라즈마 에칭장비에 있어서,

상기 프로세스 챔버의 가스홀을 그 가스 유입구의 직경보다 가스 유출구의 직경을 작게 형성하여 분사 가스의 유속을 빠르게 하는 플라즈마 에칭장비의 가스홀 구조.