KR20060074144A - Stack package - Google Patents

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KR20060074144A
KR20060074144A KR1020040112787A KR20040112787A KR20060074144A KR 20060074144 A KR20060074144 A KR 20060074144A KR 1020040112787 A KR1020040112787 A KR 1020040112787A KR 20040112787 A KR20040112787 A KR 20040112787A KR 20060074144 A KR20060074144 A KR 20060074144A
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김성호
황찬기
김재면
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

본 발명은 스택 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 패키지의 구조를 개선하여 2개의 패키지를 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층된 스택 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 1 리드; 상기 제 1 리드 상부에 부착되며, 본딩 패드를 포함한 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 2 리드와 상기 제 1 리드를 전기적으로 연결하는 제 3 본딩 와이어; 및 상기 제 3 본딩 와이어와 상기 제 1 반도체 칩을 포함한 상기 제 1 및 제 2 리드의 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.The present invention relates to a stack package, and more particularly, to a stack package in which two packages are physically and electrically stably stacked by improving the structure of the package. According to the invention there is provided a stack package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A second semiconductor chip attached to the first lead and including a bonding pad; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third bonding wire electrically connecting the second lead and the first lead; And a third encapsulant for molding upper and lower regions of the first and second leads including the third bonding wire and the first semiconductor chip.

Description

스택 패키지{Stack package}Stack package

도 1은 종래의 스택 패키지를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional stack package.

도 2 내지 도 7은 본 발명에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도.2 to 7 are cross-sectional views illustrating a stack package according to the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도.8 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1,11,31,41,71,81: 반도체 칩 2,12,32,42,72,82: 본딩 패드1,11,31,41,71,81: semiconductor chip 2,12,32,42,72,82: bonding pad

3,13,33,43,73,83,92: 접착제 4,7,14,17,34,44,74,84,96: 리드3,13,33,43,73,83,92: adhesive 4,7,14,17,34,44,74,84,96: lead

5,15,35,45,47,75,85,94,95: 본딩 와이어5,15,35,45,47,75,85,94,95: bonding wire

6,16,46,48,76,86,93: 봉지제 10,20: 패키지6,16,46,48,76,86,93: Encapsulant 10,20: Package

91: 다이 패들91: die paddle

본 발명은 스택 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 패키지의 구조를 개선하여 2개의 패키지를 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층된 스택 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a stack package, and more particularly, to a stack package in which two packages are physically and electrically stably stacked by improving the structure of the package.

최근 전기·전자 제품의 소형화와 더불어 고성능화가 요구됨에 따라, 고용량 의 반도체 모듈을 제공하기 위한 다양한 기술들이 연구 개발되고 있다. 고용량의 반도체 모듈을 제공하기 위한 방법으로서는 메모리 칩의 용량 증대, 다시 말해, 메모리 칩의 고집적화를 들 수 있으며, 이러한 고집적화는 한정된 반도체 칩의 공간 내에 보다 많은 수의 셀을 집적해 넣는 것에 의해 실현될 수 있다. 그러나, 이와 같은 메모리 칩의 고집적화는 정밀한 미세 선 폭을 요구하는 등, 고난도의 기술과 많은 개발 시간을 필요로 한다.Recently, as the miniaturization of electric and electronic products and high performance is required, various technologies for providing high capacity semiconductor modules have been researched and developed. A method for providing a high-capacity semiconductor module may include increasing the capacity of a memory chip, that is, high integration of the memory chip, which may be realized by integrating a larger number of cells in a limited space of a semiconductor chip. Can be. However, such high integration of the memory chip requires a high level of technology and a lot of development time, such as requiring a fine fine line width.

이에 따라, 고용량의 반도체 모듈을 제공하기 위한 다른 방법으로서 스택(stack) 기술이 제안되었으며, 이러한 스택 패키지는 하나의 패키지에 두 개 이상의 반도체 칩을 스택하는 방식, 또는 두 개 이상의 패키지들을 스택하는 방식을 통해 제조되고 있다.Accordingly, a stack technology has been proposed as another method for providing a high capacity semiconductor module, and such a stack package is a method of stacking two or more semiconductor chips in one package, or a stack of two or more packages. It is manufactured through.

도 1은 2개의 패키지를 스택하여 제조된 종래의 스택 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional stack package manufactured by stacking two packages.

종래의 스택 패키지는, 개별 공정을 통해 제작된 제 1 패키지(10)와 제 2 패키지(20)가 상하에 배치되고, 각 패키지(10,20)의 외부로 인출된 리드 프레임(lead frame)의 아우터 리드(7,17)는 동축 선상에 배치되어 동일 기능을 하는 것들끼리 상호 연결된다. 상기 제 1 패키지(10) 및 제 2 패키지(20)는, 본딩 패드(2,12)를 구비한 반도체 칩(1,11)이 접착제(3,13)에 의해 리드 프레임의 인너 리드(4,14)에 부착된다. 또한, 반도체 칩(1,11)의 본딩 패드(2,12)는 본딩 와이어(5,15)에 의해 인너 리드(4,14)와 전기적으로 연결되며, 본딩 와이어(5,15)와 반도체 칩(1,11)을 포함한 인너 리드(4,14)의 상하부 영역은 봉지제(6,16)에 의해 몰딩된 구조이다. In the conventional stack package, the first package 10 and the second package 20, which are manufactured through individual processes, are disposed above and below, and the lead frame drawn out to the outside of each package 10 and 20 is formed. The outer leads 7 and 17 are arranged on a coaxial line and interconnected with ones having the same function. In the first package 10 and the second package 20, the semiconductor chips 1 and 11 having the bonding pads 2 and 12 are formed of the inner lead 4, 14) is attached. In addition, the bonding pads 2, 12 of the semiconductor chips 1, 11 are electrically connected to the inner leads 4, 14 by the bonding wires 5, 15, and the bonding wires 5, 15 and the semiconductor chip. The upper and lower regions of the inner leads 4, 14 including (1, 11) are molded by the encapsulants 6,16.                         

이와 같은 종래의 스택 패키지는, 두개의 패키지(10,20)가 서로 불안정하게 적층되어 있으며, 또한 적층된 두 패키지(10,20)의 아우터 리드(7,17)가 상호 불안정하게 연결되어 있다. 그 결과, 두 패키지(10,20)의 작은 흔들림에도 아우터 리드(7,17)가 단락(short)되거나, 또는, 휘어짐 및 끊어짐 등에 불량이 발생될 수 있다. 아울러, 종래의 스택 패키지는 두께가 최대 2.0 ㎜ 이상이 됨에 따라, 패키지의 박형화에 한계가 있다.In the conventional stack package, two packages 10 and 20 are unstablely stacked on each other, and the outer leads 7 and 17 of the two stacked packages 10 and 20 are unstablely connected to each other. As a result, the outer leads 7 and 17 may be shorted, or bent and broken even in the small shaking of the two packages 10 and 20. In addition, the conventional stack package has a maximum thickness of 2.0 mm or more, thereby limiting the thinning of the package.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 선행 기술에 따른 스택 패키지에 내재되었던 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로, 본 발명의 목적은, 2개의 패키지가 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층되며, 패키지의 박형화를 이룰 수 있는 스택 패키지를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention was created to solve the problems inherent in the stack package according to the prior art as described above, and an object of the present invention is that two packages are physically and electrically stably stacked, and the thickness of the package is reduced. It provides a stack package that can accomplish this.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일면에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 1 리드; 상기 제 1 리드 상부에 부착되며, 본딩 패드를 포함한 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 2 리드와 상기 제 1 리드를 전기적으로 연결하는 제 3 본딩 와이어; 및 상기 제 3 본딩 와이어와 상기 제 1 반도체 칩을 포함한 상기 제 1 및 제 2 리드의 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.In order to achieve the above object, according to one aspect of the invention, there is provided a stack package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A second semiconductor chip attached to the first lead and including a bonding pad; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third bonding wire electrically connecting the second lead and the first lead; And a third encapsulant for molding upper and lower regions of the first and second leads including the third bonding wire and the first semiconductor chip.

본 발명의 다른 일면에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 1 리드; 상기 제 1 본딩 와이어를 포함한 상기 제 1 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 1 봉지제; 상기 제 1 봉지제 상부에 부착되는 다이 패들; 상기 다이 패들 상부에 부착되는 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 1 및 제 2 리드와 이격되어 배치되며, 제 3 및 제 4 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 및 제 2 리드와 전기적으로 연결되는 제 3 리드; 및 상기 제 3 및 제 4 본딩 와이어와 상기 제 1 및 제 2 리드를 포함한 상기 게 3 리드 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.According to another aspect of the invention, a stack package is provided, the package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A first encapsulant molding the first lead upper region including the first bonding wire; A die paddle attached to an upper portion of the first encapsulant; A second semiconductor chip attached over the die paddle; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third lead spaced apart from the first and second leads and electrically connected to the first and second leads by third and fourth bonding wires; And a third encapsulant for molding the upper and lower regions of the third lead including the third and fourth bonding wires and the first and second leads.

(실시예)(Example)

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상술하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to the present invention.

본 발명에 따른 스택 패키지는, 접착제(33)를 매개로 하여 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 접착제(43)를 매개로 하여 제 2 반도체 칩 (41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착된 구조이다. 다시 말해, 본딩 패드(32)를 구비한 제 1 반도체 칩(31)은 접착제(33)에 의해 제 1 리드(34) 상부에 부착되며, 제 1 반도체 칩(31)의 본딩 패드(32)와 제 1 리드(34)는 제 1 본딩 와이어(35)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 이렇게 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 반도체 칩(31)과 전기적으로 연결된 제 1 리드(34) 상부에는 제 2 반도체 칩(41)이 부착된다. 제 2 반도체 칩(41) 상부에는 접착제(43)에 의해 제 2 리드(44)가 부착되며, 본딩 와이어(45)에 의해 제 2 반도체 칩(41)의 본딩 패드(42)와 제 2 리드(44)는 전기적으로 상호 연결된다. 상기 제 2 반도체 칩(41)과 제 2 리드(44)를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(45)를 포함한 제 2 리드(44)의 상부 영역은 봉지제(46)에 의해 몰딩된다.In the stack package according to the present invention, the second semiconductor chip 41 is attached to the upper portion of the first lead 34 to which the first semiconductor chip 31 is attached via the adhesive 33. The attached second lead 44 is attached. In other words, the first semiconductor chip 31 having the bonding pads 32 is attached to the upper portion of the first lead 34 by the adhesive 33, and is bonded to the bonding pads 32 of the first semiconductor chip 31. The first leads 34 are electrically interconnected by first bonding wires 35. The second semiconductor chip 41 is attached to the upper portion of the first lead 34 electrically connected to the first semiconductor chip 31 by the bonding wire 35. The second lead 44 is attached to the upper portion of the second semiconductor chip 41 by the adhesive 43, and the bonding pad 42 and the second lead of the second semiconductor chip 41 are bonded by the bonding wire 45. 44 are electrically interconnected. An upper region of the second lead 44 including the bonding wire 45 electrically connecting the second semiconductor chip 41 and the second lead 44 is molded by the encapsulant 46.

이렇게 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 반도체 칩(41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착되어 스택되면, 상기 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(47)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 즉, 제 1 반도체 칩(31)과 제 2 반도체 칩(41)이 전기적으로 상호 연결된다. 상기 본딩 와이어(47)를 포함한 제 1 및 제 2 리드(34,44)와 제 1 반도체 칩(31)의 상하부 영역은 봉지제(48)에 의해 몰딩된다.When the second lead 44 having the second semiconductor chip 41 attached thereto is stacked on the first lead 34 having the first semiconductor chip 31 attached thereto, the first lead 34 and the first lead 34 may be stacked. The two leads 44 are electrically interconnected by bonding wires 47. That is, the first semiconductor chip 31 and the second semiconductor chip 41 are electrically connected to each other. The upper and lower regions of the first and second leads 34 and 44 including the bonding wires 47 and the first semiconductor chip 31 are molded by the encapsulant 48.

이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 스택 패키지는, 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 반도체 칩(41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착되며, 상기 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(47)에 의해 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 본딩 와이어(47)는 봉지제(48)에 의해 몰딩된다. 그에 따라, 본 발명의 스택 패키지는, 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44) 간의 간격이 감소되며 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)를 안정적으로 스택한다. 아울러, 본 발명의 스택 패키지는, 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(47)를 봉지제(48)로 몰딩함으로써, 본딩 와이어(47)는 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)를 안정적인 전기적 연결을 수행한다.In the stack package having the structure as described above, the second lead 44 having the second semiconductor chip 41 attached thereto is attached to the first lead 34 having the first semiconductor chip 31 attached thereto. The first lead 34 and the second lead 44 are electrically connected to each other by a bonding wire 47. In addition, the bonding wire 47 is molded by the encapsulant 48. Accordingly, the stack package of the present invention reduces the distance between the first lead 34 and the second lead 44 and stably stacks the first lead 34 and the second lead 44. In addition, in the stack package of the present invention, the bonding wires 47 electrically connected to each other are molded by the encapsulant 48, so that the bonding wires 47 stably connect the first leads 34 and the second leads 44. Perform the connection.

이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 스택 패키지의 제조과정을 설명하기로 한다.Hereinafter, a manufacturing process of the stack package according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7.

도 3을 참조하면, 본딩 패드(42)를 구비한 제 2 반도체 칩(41) 상부에 접착제(43)를 매개로 하여 제 2 리드(44)를 부착한 다음, 제 2 반도체 칩(41)과 제 2 리드(44)를 와이어 본딩한다. 즉, 제 2 반도체 칩(41)의 본딩 패드(42)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(45)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 그런 다음, 본딩 와이어(45) 및 제 2 반도체 칩(41)을 포함한 제 2 리드(44) 상하부 영역을 봉지제(46)로 몰딩한다.Referring to FIG. 3, the second lead 44 is attached to the upper portion of the second semiconductor chip 41 having the bonding pads 42 through an adhesive 43, and then the second semiconductor chip 41 is attached to the second semiconductor chip 41. The second lead 44 is wire bonded. That is, the bonding pads 42 and the second leads 44 of the second semiconductor chip 41 are electrically connected to each other by the bonding wires 45. Then, the upper and lower regions of the second lead 44 including the bonding wire 45 and the second semiconductor chip 41 are molded with the encapsulant 46.

이 후, 도 4를 참조하면, 봉지제(46)로 몰딩된 제 2 리드(44)의 상하부 영역을 그라인딩(grinding)하여 제 2 리드(44)의 상부 양 끝단과 제 2 반도체 칩(41)의 하부가 노출되도록 한다. 그리고 나서, 제 2 리드(44)의 상부 양 끝단의 와이어 본딩될 영역(A)에 도금을 한다. 즉, 와이어 본딩될 소자와 제 2 리드(44)와의 안정적인 전기적 연결을 위해 제 2 리드(44)의 와이어 본딩될 영역(A)에 도금을 한다.Subsequently, referring to FIG. 4, upper and lower ends of the second lead 44 and the second semiconductor chip 41 are ground by grinding the upper and lower regions of the second lead 44 molded with the encapsulant 46. Allow the bottom of to be exposed. Then, plating is performed on the area A to be wire bonded at both ends of the upper end of the second lead 44. That is, plating is performed on the area A to be wire bonded of the second lead 44 in order to provide a stable electrical connection between the device to be wire bonded and the second lead 44.

한편, 도 5를 참조하면, 본딩 패드(32)를 구비한 제 1 반도체 칩(31) 상부에 접착제(34)를 매개로 하여 제 1 리드(34)를 부착하고, 제 1 반도체 칩(31)과 제 1 리드(34)를 와이어 본딩한다. 제 1 반도체 칩(31)의 본딩 패드(42)는 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 리드(34)와 전기적으로 상호 연결된다.Meanwhile, referring to FIG. 5, the first lead 34 is attached to the upper portion of the first semiconductor chip 31 having the bonding pads 32 through an adhesive 34, and the first semiconductor chip 31 is attached thereto. And wire bonding the first lead 34. The bonding pads 42 of the first semiconductor chip 31 are electrically interconnected with the first leads 34 by the bonding wires 35.

그런 다음, 도 6을 참조하면, 상기 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 반도체 칩(31)과 전기적으로 연결된 제 1 리드(34) 상부에 와이어 본딩 영역(A)이 도금된 제 2 리드(44)를 부착한다. 다시 말해, 와이어 본딩된 제 1 리드(34) 상부에 그라인딩에 의해 노출된 제 2 반도체 칩(41)의 하부를 부착한다. 이어서, 제 2 리드(44)의 도금된 부분과 제 1 리드(34)를 와이어 본딩한다. 즉, 제 1 리드(34)는 본딩 와이어(47)에 의해 제 2 리드(44)와 전기적으로 상호 연결된다.Next, referring to FIG. 6, the second lead 44 in which a wire bonding region A is plated on the first lead 34 electrically connected to the first semiconductor chip 31 by the bonding wire 35. Attach). In other words, the lower portion of the second semiconductor chip 41 exposed by grinding is attached to the wire bonded first lead 34. Subsequently, the plated portion of the second lead 44 and the first lead 34 are wire bonded. That is, the first lead 34 is electrically interconnected with the second lead 44 by the bonding wire 47.

다음으로, 도 7을 참조하면, 상기 본딩 와이어(47) 및 제 2 리드(44)와 제 1 반도체 칩(31)을 포함한 제 1 리드(34)의 상하부 영역을 봉지제(48)로 몰딩한다. 이 후, 공지된 후속 공정인 트리밍과 포밍 공정을 진행하여 본 발명에 따른 스택 패키지의 제작을 완료한다.Next, referring to FIG. 7, upper and lower regions of the first lead 34 including the bonding wire 47, the second lead 44, and the first semiconductor chip 31 are molded with the encapsulant 48. . Thereafter, the trimming and forming process, which is a well-known subsequent process, is performed to complete the manufacture of the stack package according to the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지는, 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 리드(44)가 부착된 제 2 반도체 칩(41)이 부착되었던 이전 실시예와는 달리, 제 1 반도체 칩(71)과 제 2 반도체 칩(81)이 각각 부착된 제 1 리드(74)와 제 2 리드(84)가 다이 패들(91)에 부착된다. 다시 말해, 본딩 패드(72)를 구비한 제 1 반도체 칩(71)의 상부에는 접착제(73)에 의해 제 1 리드(74)가 부착되며, 제 1 반도체 칩(71)과 제 1 리드(74)는 본딩 와이어(75)에 의해 전기 적으로 연결된다. 상기 제 1 리드(74)의 본딩 와이어(75) 영역은 봉지제(76)에 의해 몰딩된다. 봉지제(76)로 몰딩된 제 1 리드(74)의 상부에는 접착제(92)에 의해 다이 패들(91)이 부착된다.In the stack package according to another embodiment of the present invention, the second semiconductor chip 41 having the second lead 44 attached thereto is attached to the first lead 34 having the first semiconductor chip 31 attached thereto. Unlike the embodiment, the first lead 74 and the second lead 84 to which the first semiconductor chip 71 and the second semiconductor chip 81 are attached are attached to the die paddle 91. In other words, the first lead 74 is attached to the upper portion of the first semiconductor chip 71 having the bonding pads 72 by the adhesive 73, and the first semiconductor chip 71 and the first lead 74 are attached to each other. ) Is electrically connected by the bonding wire 75. An area of the bonding wire 75 of the first lead 74 is molded by the encapsulant 76. The die paddle 91 is attached to the top of the first lead 74 molded with the encapsulant 76 by an adhesive 92.

이렇게 제 1 반도체 칩(71)을 포함한 제 1 리드(74)가 부착된 다이 패들(91) 상부에는 제 2 반도체 칩(81)이 부착된다. 본딩 패드(82)를 구비한 제 2 반도체 칩(81) 상부에는 접착제(83)에 의해 제 2 리드(84)가 부착되며, 상기 제 2 반도체 칩(81)과 제 2 리드(84)는 본딩 와이어(85)에 의해 전기적으로 연결된다. 상기 제 2 리드(84)의 본딩 와이어(85) 영역은 봉지제(86)에 의해 몰딩된다. 이렇게 다이 패드(91)의 상하부에 2개의 반도체 칩(71,81)이 스택된다. 상기 2개의 반도체 칩(71,81)과 물리적 및 전기적으로 연결된 제 1 및 제 2 리드(74,84)는 본딩 와이어(94,95)에 의해 상기 제 1 및 제 2 리드(74,84)와 이결 배치된 제 3 리드(96)와 전기적으로 연결된다. 즉, 제 1 반도체 칩(71)과 제 2 반도체 칩(81)은 전기적으로 상호 연결된다. 이러한 제 1 및 제 2 리드(74,84)와 본딩 와이어(94,95)를 포함한 제 3 리드(96)의 상하부 영역은 봉지제(93)에 의해 몰딩된다.The second semiconductor chip 81 is attached to the upper portion of the die paddle 91 to which the first lead 74 including the first semiconductor chip 71 is attached. The second lead 84 is attached to the upper portion of the second semiconductor chip 81 having the bonding pad 82 by an adhesive 83, and the second semiconductor chip 81 and the second lead 84 are bonded. It is electrically connected by wire 85. The area of the bonding wire 85 of the second lead 84 is molded by the encapsulant 86. Thus, two semiconductor chips 71 and 81 are stacked on the upper and lower portions of the die pad 91. The first and second leads 74 and 84, which are physically and electrically connected to the two semiconductor chips 71 and 81, are connected to the first and second leads 74 and 84 by bonding wires 94 and 95. It is then electrically connected to the third lead 96 arranged. That is, the first semiconductor chip 71 and the second semiconductor chip 81 are electrically connected to each other. The upper and lower regions of the third lead 96 including the first and second leads 74 and 84 and the bonding wires 94 and 95 are molded by the encapsulant 93.

이와 같은 구조를 갖는 스택 패키지 또한 이전 실시예와 동일한 효과를 구현할 수 있다.A stack package having such a structure can also implement the same effects as in the previous embodiment.

상기한 바와 같은 본 발명의 구성에 따라, 두개의 패키지가 안정적으로 스택되며, 봉지제에 의해 두 패키지를 전기적으로 안정되게 연결할 수 있다. 그 결과, 패키지의 신뢰성을 확보할 수 있으며, 패키지의 박형화를 이룰 수 있다. According to the configuration of the present invention as described above, the two packages are stably stacked, it is possible to electrically connect the two packages by the sealing agent. As a result, the reliability of the package can be secured, and the package can be made thinner.                     

본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.While the invention has been shown and described with reference to specific embodiments, the invention is not so limited, and it is to be understood that the invention is capable of various modifications without departing from the spirit or field of the invention as set forth in the claims below. It will be readily apparent to one of ordinary skill in the art that modifications and variations can be made.

Claims (2)

본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩;A first semiconductor chip including a bonding pad; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 1 리드;A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; 상기 제 1 리드 상부에 부착되며, 본딩 패드를 포함한 제 2 반도체 칩;A second semiconductor chip attached to the first lead and including a bonding pad; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 2 리드;A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제;A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; 상기 제 2 리드와 상기 제 1 리드를 전기적으로 연결하는 제 3 본딩 와이어; 및A third bonding wire electrically connecting the second lead and the first lead; And 상기 제 3 본딩 와이어와 상기 제 1 반도체 칩을 포함한 상기 제 1 및 제 2 리드의 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.And a third encapsulant for molding upper and lower regions of the first and second leads including the third bonding wire and the first semiconductor chip. 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩;A first semiconductor chip including a bonding pad; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 1 리드;A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; 상기 제 1 본딩 와이어를 포함한 상기 제 1 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 1 봉지제;A first encapsulant molding the first lead upper region including the first bonding wire; 상기 제 1 봉지제 상부에 부착되는 다이 패들;A die paddle attached to an upper portion of the first encapsulant; 상기 다이 패들 상부에 부착되는 제 2 반도체 칩;A second semiconductor chip attached over the die paddle; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 2 리드;A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제;A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; 상기 제 1 및 제 2 리드와 이격되어 배치되며, 제 3 및 제 4 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 및 제 2 리드와 전기적으로 연결되는 제 3 리드; 및A third lead spaced apart from the first and second leads and electrically connected to the first and second leads by third and fourth bonding wires; And 상기 제 3 및 제 4 본딩 와이어와 상기 제 1 및 제 2 리드를 포함한 상기 게 3 리드 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비하는 것을 특징으로 하는 스택 패키지.And a third encapsulant for molding the upper and lower regions of the third lead including the third and fourth bonding wires and the first and second leads.
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