KR20060074144A - Stack package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스택 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 패키지의 구조를 개선하여 2개의 패키지를 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층된 스택 패키지에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 1 리드; 상기 제 1 리드 상부에 부착되며, 본딩 패드를 포함한 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 2 리드와 상기 제 1 리드를 전기적으로 연결하는 제 3 본딩 와이어; 및 상기 제 3 본딩 와이어와 상기 제 1 반도체 칩을 포함한 상기 제 1 및 제 2 리드의 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.The present invention relates to a stack package, and more particularly, to a stack package in which two packages are physically and electrically stably stacked by improving the structure of the package. According to the invention there is provided a stack package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A second semiconductor chip attached to the first lead and including a bonding pad; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third bonding wire electrically connecting the second lead and the first lead; And a third encapsulant for molding upper and lower regions of the first and second leads including the third bonding wire and the first semiconductor chip.
Description
도 1은 종래의 스택 패키지를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional stack package.
도 2 내지 도 7은 본 발명에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도.2 to 7 are cross-sectional views illustrating a stack package according to the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도.8 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to another embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1,11,31,41,71,81: 반도체 칩 2,12,32,42,72,82: 본딩 패드1,11,31,41,71,81:
3,13,33,43,73,83,92: 접착제 4,7,14,17,34,44,74,84,96: 리드3,13,33,43,73,83,92: adhesive 4,7,14,17,34,44,74,84,96: lead
5,15,35,45,47,75,85,94,95: 본딩 와이어5,15,35,45,47,75,85,94,95: bonding wire
6,16,46,48,76,86,93: 봉지제 10,20: 패키지6,16,46,48,76,86,93:
91: 다이 패들91: die paddle
본 발명은 스택 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 패키지의 구조를 개선하여 2개의 패키지를 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층된 스택 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a stack package, and more particularly, to a stack package in which two packages are physically and electrically stably stacked by improving the structure of the package.
최근 전기·전자 제품의 소형화와 더불어 고성능화가 요구됨에 따라, 고용량 의 반도체 모듈을 제공하기 위한 다양한 기술들이 연구 개발되고 있다. 고용량의 반도체 모듈을 제공하기 위한 방법으로서는 메모리 칩의 용량 증대, 다시 말해, 메모리 칩의 고집적화를 들 수 있으며, 이러한 고집적화는 한정된 반도체 칩의 공간 내에 보다 많은 수의 셀을 집적해 넣는 것에 의해 실현될 수 있다. 그러나, 이와 같은 메모리 칩의 고집적화는 정밀한 미세 선 폭을 요구하는 등, 고난도의 기술과 많은 개발 시간을 필요로 한다.Recently, as the miniaturization of electric and electronic products and high performance is required, various technologies for providing high capacity semiconductor modules have been researched and developed. A method for providing a high-capacity semiconductor module may include increasing the capacity of a memory chip, that is, high integration of the memory chip, which may be realized by integrating a larger number of cells in a limited space of a semiconductor chip. Can be. However, such high integration of the memory chip requires a high level of technology and a lot of development time, such as requiring a fine fine line width.
이에 따라, 고용량의 반도체 모듈을 제공하기 위한 다른 방법으로서 스택(stack) 기술이 제안되었으며, 이러한 스택 패키지는 하나의 패키지에 두 개 이상의 반도체 칩을 스택하는 방식, 또는 두 개 이상의 패키지들을 스택하는 방식을 통해 제조되고 있다.Accordingly, a stack technology has been proposed as another method for providing a high capacity semiconductor module, and such a stack package is a method of stacking two or more semiconductor chips in one package, or a stack of two or more packages. It is manufactured through.
도 1은 2개의 패키지를 스택하여 제조된 종래의 스택 패키지를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a conventional stack package manufactured by stacking two packages.
종래의 스택 패키지는, 개별 공정을 통해 제작된 제 1 패키지(10)와 제 2 패키지(20)가 상하에 배치되고, 각 패키지(10,20)의 외부로 인출된 리드 프레임(lead frame)의 아우터 리드(7,17)는 동축 선상에 배치되어 동일 기능을 하는 것들끼리 상호 연결된다. 상기 제 1 패키지(10) 및 제 2 패키지(20)는, 본딩 패드(2,12)를 구비한 반도체 칩(1,11)이 접착제(3,13)에 의해 리드 프레임의 인너 리드(4,14)에 부착된다. 또한, 반도체 칩(1,11)의 본딩 패드(2,12)는 본딩 와이어(5,15)에 의해 인너 리드(4,14)와 전기적으로 연결되며, 본딩 와이어(5,15)와 반도체 칩(1,11)을 포함한 인너 리드(4,14)의 상하부 영역은 봉지제(6,16)에 의해 몰딩된 구조이다.
In the conventional stack package, the
이와 같은 종래의 스택 패키지는, 두개의 패키지(10,20)가 서로 불안정하게 적층되어 있으며, 또한 적층된 두 패키지(10,20)의 아우터 리드(7,17)가 상호 불안정하게 연결되어 있다. 그 결과, 두 패키지(10,20)의 작은 흔들림에도 아우터 리드(7,17)가 단락(short)되거나, 또는, 휘어짐 및 끊어짐 등에 불량이 발생될 수 있다. 아울러, 종래의 스택 패키지는 두께가 최대 2.0 ㎜ 이상이 됨에 따라, 패키지의 박형화에 한계가 있다.In the conventional stack package, two
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 선행 기술에 따른 스택 패키지에 내재되었던 문제점을 해결하기 위해 창작된 것으로, 본 발명의 목적은, 2개의 패키지가 물리적 및 전기적으로 안정되게 적층되며, 패키지의 박형화를 이룰 수 있는 스택 패키지를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention was created to solve the problems inherent in the stack package according to the prior art as described above, and an object of the present invention is that two packages are physically and electrically stably stacked, and the thickness of the package is reduced. It provides a stack package that can accomplish this.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일면에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 1 리드; 상기 제 1 리드 상부에 부착되며, 본딩 패드를 포함한 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결된 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 2 리드와 상기 제 1 리드를 전기적으로 연결하는 제 3 본딩 와이어; 및 상기 제 3 본딩 와이어와 상기 제 1 반도체 칩을 포함한 상기 제 1 및 제 2 리드의 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.In order to achieve the above object, according to one aspect of the invention, there is provided a stack package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A second semiconductor chip attached to the first lead and including a bonding pad; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third bonding wire electrically connecting the second lead and the first lead; And a third encapsulant for molding upper and lower regions of the first and second leads including the third bonding wire and the first semiconductor chip.
본 발명의 다른 일면에 따라, 스택 패키지가 제공되며: 이 패키지는, 본딩 패드를 포함한 제 1 반도체 칩; 상기 제 1 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 1 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 1 리드; 상기 제 1 본딩 와이어를 포함한 상기 제 1 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 1 봉지제; 상기 제 1 봉지제 상부에 부착되는 다이 패들; 상기 다이 패들 상부에 부착되는 제 2 반도체 칩; 상기 제 2 반도체 칩 상부에 부착되며, 제 2 본딩 와이어에 의해 상기 제 2 반도체 칩의 본딩 패드와 전기적으로 연결되는 제 2 리드; 상기 제 2 본딩 와이어를 포함한 상기 제 2 리드 상부 영역을 몰딩하는 제 2 봉지제; 상기 제 1 및 제 2 리드와 이격되어 배치되며, 제 3 및 제 4 본딩 와이어에 의해 상기 제 1 및 제 2 리드와 전기적으로 연결되는 제 3 리드; 및 상기 제 3 및 제 4 본딩 와이어와 상기 제 1 및 제 2 리드를 포함한 상기 게 3 리드 상하부 영역을 몰딩하는 제 3 봉지제;를 구비한다.According to another aspect of the invention, a stack package is provided, the package comprising: a first semiconductor chip comprising a bonding pad; A first lead attached to an upper portion of the first semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the first semiconductor chip by a first bonding wire; A first encapsulant molding the first lead upper region including the first bonding wire; A die paddle attached to an upper portion of the first encapsulant; A second semiconductor chip attached over the die paddle; A second lead attached to an upper portion of the second semiconductor chip and electrically connected to a bonding pad of the second semiconductor chip by a second bonding wire; A second encapsulant molding the second lead upper region including the second bonding wire; A third lead spaced apart from the first and second leads and electrically connected to the first and second leads by third and fourth bonding wires; And a third encapsulant for molding the upper and lower regions of the third lead including the third and fourth bonding wires and the first and second leads.
(실시예)(Example)
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상술하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 스택 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to the present invention.
본 발명에 따른 스택 패키지는, 접착제(33)를 매개로 하여 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 접착제(43)를 매개로 하여 제 2 반도체 칩 (41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착된 구조이다. 다시 말해, 본딩 패드(32)를 구비한 제 1 반도체 칩(31)은 접착제(33)에 의해 제 1 리드(34) 상부에 부착되며, 제 1 반도체 칩(31)의 본딩 패드(32)와 제 1 리드(34)는 제 1 본딩 와이어(35)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 이렇게 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 반도체 칩(31)과 전기적으로 연결된 제 1 리드(34) 상부에는 제 2 반도체 칩(41)이 부착된다. 제 2 반도체 칩(41) 상부에는 접착제(43)에 의해 제 2 리드(44)가 부착되며, 본딩 와이어(45)에 의해 제 2 반도체 칩(41)의 본딩 패드(42)와 제 2 리드(44)는 전기적으로 상호 연결된다. 상기 제 2 반도체 칩(41)과 제 2 리드(44)를 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(45)를 포함한 제 2 리드(44)의 상부 영역은 봉지제(46)에 의해 몰딩된다.In the stack package according to the present invention, the
이렇게 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 반도체 칩(41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착되어 스택되면, 상기 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(47)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 즉, 제 1 반도체 칩(31)과 제 2 반도체 칩(41)이 전기적으로 상호 연결된다. 상기 본딩 와이어(47)를 포함한 제 1 및 제 2 리드(34,44)와 제 1 반도체 칩(31)의 상하부 영역은 봉지제(48)에 의해 몰딩된다.When the
이와 같은 구조를 갖는 본 발명에 따른 스택 패키지는, 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 반도체 칩(41)이 부착된 제 2 리드(44)가 부착되며, 상기 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(47)에 의해 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 본딩 와이어(47)는 봉지제(48)에 의해 몰딩된다. 그에 따라, 본 발명의 스택 패키지는, 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44) 간의 간격이 감소되며 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)를 안정적으로 스택한다. 아울러, 본 발명의 스택 패키지는, 전기적으로 연결하는 본딩 와이어(47)를 봉지제(48)로 몰딩함으로써, 본딩 와이어(47)는 제 1 리드(34)와 제 2 리드(44)를 안정적인 전기적 연결을 수행한다.In the stack package having the structure as described above, the
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여, 본 발명에 따른 스택 패키지의 제조과정을 설명하기로 한다.Hereinafter, a manufacturing process of the stack package according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7.
도 3을 참조하면, 본딩 패드(42)를 구비한 제 2 반도체 칩(41) 상부에 접착제(43)를 매개로 하여 제 2 리드(44)를 부착한 다음, 제 2 반도체 칩(41)과 제 2 리드(44)를 와이어 본딩한다. 즉, 제 2 반도체 칩(41)의 본딩 패드(42)와 제 2 리드(44)는 본딩 와이어(45)에 의해 전기적으로 상호 연결된다. 그런 다음, 본딩 와이어(45) 및 제 2 반도체 칩(41)을 포함한 제 2 리드(44) 상하부 영역을 봉지제(46)로 몰딩한다.Referring to FIG. 3, the
이 후, 도 4를 참조하면, 봉지제(46)로 몰딩된 제 2 리드(44)의 상하부 영역을 그라인딩(grinding)하여 제 2 리드(44)의 상부 양 끝단과 제 2 반도체 칩(41)의 하부가 노출되도록 한다. 그리고 나서, 제 2 리드(44)의 상부 양 끝단의 와이어 본딩될 영역(A)에 도금을 한다. 즉, 와이어 본딩될 소자와 제 2 리드(44)와의 안정적인 전기적 연결을 위해 제 2 리드(44)의 와이어 본딩될 영역(A)에 도금을 한다.Subsequently, referring to FIG. 4, upper and lower ends of the
한편, 도 5를 참조하면, 본딩 패드(32)를 구비한 제 1 반도체 칩(31) 상부에 접착제(34)를 매개로 하여 제 1 리드(34)를 부착하고, 제 1 반도체 칩(31)과 제 1 리드(34)를 와이어 본딩한다. 제 1 반도체 칩(31)의 본딩 패드(42)는 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 리드(34)와 전기적으로 상호 연결된다.Meanwhile, referring to FIG. 5, the
그런 다음, 도 6을 참조하면, 상기 본딩 와이어(35)에 의해 제 1 반도체 칩(31)과 전기적으로 연결된 제 1 리드(34) 상부에 와이어 본딩 영역(A)이 도금된 제 2 리드(44)를 부착한다. 다시 말해, 와이어 본딩된 제 1 리드(34) 상부에 그라인딩에 의해 노출된 제 2 반도체 칩(41)의 하부를 부착한다. 이어서, 제 2 리드(44)의 도금된 부분과 제 1 리드(34)를 와이어 본딩한다. 즉, 제 1 리드(34)는 본딩 와이어(47)에 의해 제 2 리드(44)와 전기적으로 상호 연결된다.Next, referring to FIG. 6, the
다음으로, 도 7을 참조하면, 상기 본딩 와이어(47) 및 제 2 리드(44)와 제 1 반도체 칩(31)을 포함한 제 1 리드(34)의 상하부 영역을 봉지제(48)로 몰딩한다. 이 후, 공지된 후속 공정인 트리밍과 포밍 공정을 진행하여 본 발명에 따른 스택 패키지의 제작을 완료한다.Next, referring to FIG. 7, upper and lower regions of the
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지를 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a stack package according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 다른 실시예에 따른 스택 패키지는, 제 1 반도체 칩(31)이 부착된 제 1 리드(34) 상부에 제 2 리드(44)가 부착된 제 2 반도체 칩(41)이 부착되었던 이전 실시예와는 달리, 제 1 반도체 칩(71)과 제 2 반도체 칩(81)이 각각 부착된 제 1 리드(74)와 제 2 리드(84)가 다이 패들(91)에 부착된다. 다시 말해, 본딩 패드(72)를 구비한 제 1 반도체 칩(71)의 상부에는 접착제(73)에 의해 제 1 리드(74)가 부착되며, 제 1 반도체 칩(71)과 제 1 리드(74)는 본딩 와이어(75)에 의해 전기 적으로 연결된다. 상기 제 1 리드(74)의 본딩 와이어(75) 영역은 봉지제(76)에 의해 몰딩된다. 봉지제(76)로 몰딩된 제 1 리드(74)의 상부에는 접착제(92)에 의해 다이 패들(91)이 부착된다.In the stack package according to another embodiment of the present invention, the
이렇게 제 1 반도체 칩(71)을 포함한 제 1 리드(74)가 부착된 다이 패들(91) 상부에는 제 2 반도체 칩(81)이 부착된다. 본딩 패드(82)를 구비한 제 2 반도체 칩(81) 상부에는 접착제(83)에 의해 제 2 리드(84)가 부착되며, 상기 제 2 반도체 칩(81)과 제 2 리드(84)는 본딩 와이어(85)에 의해 전기적으로 연결된다. 상기 제 2 리드(84)의 본딩 와이어(85) 영역은 봉지제(86)에 의해 몰딩된다. 이렇게 다이 패드(91)의 상하부에 2개의 반도체 칩(71,81)이 스택된다. 상기 2개의 반도체 칩(71,81)과 물리적 및 전기적으로 연결된 제 1 및 제 2 리드(74,84)는 본딩 와이어(94,95)에 의해 상기 제 1 및 제 2 리드(74,84)와 이결 배치된 제 3 리드(96)와 전기적으로 연결된다. 즉, 제 1 반도체 칩(71)과 제 2 반도체 칩(81)은 전기적으로 상호 연결된다. 이러한 제 1 및 제 2 리드(74,84)와 본딩 와이어(94,95)를 포함한 제 3 리드(96)의 상하부 영역은 봉지제(93)에 의해 몰딩된다.The
이와 같은 구조를 갖는 스택 패키지 또한 이전 실시예와 동일한 효과를 구현할 수 있다.A stack package having such a structure can also implement the same effects as in the previous embodiment.
상기한 바와 같은 본 발명의 구성에 따라, 두개의 패키지가 안정적으로 스택되며, 봉지제에 의해 두 패키지를 전기적으로 안정되게 연결할 수 있다. 그 결과, 패키지의 신뢰성을 확보할 수 있으며, 패키지의 박형화를 이룰 수 있다. According to the configuration of the present invention as described above, the two packages are stably stacked, it is possible to electrically connect the two packages by the sealing agent. As a result, the reliability of the package can be secured, and the package can be made thinner.
본 발명을 특정 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.While the invention has been shown and described with reference to specific embodiments, the invention is not so limited, and it is to be understood that the invention is capable of various modifications without departing from the spirit or field of the invention as set forth in the claims below. It will be readily apparent to one of ordinary skill in the art that modifications and variations can be made.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040112787A KR20060074144A (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Stack package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040112787A KR20060074144A (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Stack package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060074144A true KR20060074144A (en) | 2006-07-03 |
Family
ID=37166934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040112787A KR20060074144A (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Stack package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20060074144A (en) |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR1020040112787A patent/KR20060074144A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |